MC74HC273A
八路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
该MC74HC273A在引出线的LS273是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
此设备由八个D触发器与普通时钟和
复位输入。每个触发器中装入了一个低到高的过渡
时钟输入。复位是异步的，低电平有效。
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP–20
SUF科幻X
CASE 738
1
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 264场效应管或66个等效门
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
时钟
3
4
7
8
13
14
17
18
19
11
2
5
6
9
12
15
16
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
MC74HC273AN
AWLYYWW
1
20
20
20
1
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP–20
DT后缀
CASE 948E
HC273A
AWLYYWW
20
HC
273A
ALYW
1
20
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚分配
RESET
Q0
D0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
时钟
RESET
1
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
D1
Q1
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
H
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
价值
66
单位
ea
ns
Q2
D2
D3
Q3
GND
L
半导体元件工业有限责任公司， 2000
2000年5月 - 修订版9
设计标准
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
1.5
5.0
W
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
1
订购信息
设备
MC74HC273AN
MC74HC273ADW
MC74HC273ADWR2
MC74HC273ADT
MC74HC273ADTR2
包
PDIP–20
SOIC- WIDE
SOIC- WIDE
TSSOP–20
TSSOP–20
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
75 /铁
2500 /卷
出版订单号：
MC74HC273A/D
MC74HC273A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VIN = VIH
V
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIL
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
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2
MC74HC273A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
IIN
参数
测试条件
VCC
V
6.0
6.0
- 55
25
_
C
±
0.1
±
0.5
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
单位
A
A
最大输入漏
当前
最大的三态
漏电流
VIN = VCC或GND
IOZ
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
6.0
4.0
40
160
A
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
保证限额
符号
FMAX
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
6.0
15
30
35
v
85
_
C
v
125
_
C
5.0
10
24
28
4.0
8.0
20
24
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
兆赫
TPLH
的TPH1
最大传输延迟，时钟到Q
（图1和4 ）
145
90
29
25
145
90
29
25
75
27
15
13
10
180
120
36
31
180
120
36
31
95
32
19
16
10
220
140
44
38
220
140
44
38
110
36
22
19
10
ns
的TPH1
最大传输延迟，复位到Q
（图2和4）
ns
tTLH
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
ns
CIN
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
48
CPD
功率耗散电容（每启用输出） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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3
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
TR ， TF
TREC
TSU
tw
tw
th
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，复位
最小脉冲宽度，时钟
最小恢复时间，复位无效到
时钟
最小保持时间，时钟到数据
最小建立时间，数据时钟
参数
http://onsemi.com
MC74HC273A
图。
1
2
1
2
3
3
4
VCC
伏
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55 25
_
C
民
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
60
23
12
10
60
23
12
10
60
23
12
10
1000
800
500
400
最大
保证限额
民
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
75
27
15
13
75
27
15
13
75
27
15
13
v
85
_
C
1000
800
500
400
最大
民
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
90
32
18
15
90
32
18
15
90
32
18
15
v
125
_
C
1000
800
500
400
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
摩托罗拉
半导体技术资料
八路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC273A在引出线的LS273是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
此设备由八个D触发器与普通时钟和复位
输入。每个触发器中装入了一个低到高的时钟的过渡
输入。复位是异步的，低电平有效。
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 264场效应管或66个等效门
MC54/74HC273A
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
1
20
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948E -02
20
1
20
1
订购信息
逻辑图
3
4
7
8
13
14
17
18
19
11
2
5
6
9
12
15
16
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXADW
MC74HCXXXADT
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
时钟
引脚分配
RESET
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
时钟
RESET
1
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
D3
Q3
GND
10/95
摩托罗拉公司1995年
设计标准
价值
66
单位
ea
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
1.5
5.0
W
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
3–1
REV 6
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
H
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
L
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HC273A
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
TA
VIH
VIL
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
|电流输出|
5.2毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
3–2
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
– 55
民
2.0
价值
0
0
0
0
±
50
±
25
±
20
260
300
750
500
450
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
3.98
5.48
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
3.84
5.34
1.9
4.4
5.9
v
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
v
单位
V
V
V
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
符号
VOL
的TPH1
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
FMAX
CPD
ICC
CIN
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
功率耗散电容（每启用输出） *
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
最大传输延迟，复位到Q
（图2和4）
最大传输延迟，时钟到Q
（图1和4 ）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
|电流输出|
5.2毫安
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
测试条件
3–3
VCC
V
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
±
0.1
0.26
0.26
145
29
25
145
29
25
6.0
30
35
4.0
0.1
0.1
0.1
10
75
15
13
保证限额
保证限额
±
1.0
0.33
0.33
180
36
31
180
36
31
5.0
24
28
0.1
0.1
0.1
10
95
19
16
40
48
±
1.0
220
44
38
220
44
38
160
110
22
19
4.0
20
24
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
10
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
MC54/74HC273A
摩托罗拉
兆赫
单位
单位
A
A
pF
pF
ns
ns
ns
V
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
摩托罗拉
MC54/74HC273A
符号
TR ， TF
TREC
TSU
tw
tw
th
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，复位
最小脉冲宽度，时钟
最小恢复时间，复位无效到
时钟
最小保持时间，时钟到数据
最小建立时间，数据时钟
参数
图。
1
2
1
2
3
3
3–4
VCC
伏
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55 25
_
C
民
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
60
12
10
60
12
10
60
12
10
1000
500
400
最大
民
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
75
15
13
75
15
13
75
15
13
保证限额
v
85
_
C
1000
500
400
最大
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
民
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
90
18
15
90
18
15
90
18
15
v
125
_
C
1000
500
400
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HC273A
八路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
该MC74HC273A在引出线的LS273是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
此设备由八个D触发器与普通时钟和
复位输入。每个触发器中装入了一个低到高的过渡
时钟输入。复位是异步的，低电平有效。
20
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
20
20
1
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
74HC273A
AWLYYWWG
MC74HC273AN
AWLYYWWG
特点
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 264场效应管或66个等效门
无铅包可用*
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HC
273A
ALYWG
G
20
1
20
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HC273A
AWLYWWG
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 10牧师
出版订单号：
MC74HC273A/D
MC74HC273A
引脚分配
RESET
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
时钟
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
时钟
RESET
3
4
7
8
13
14
17
18
11
1
2
5
6
9
12
15
16
19
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
H
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
L
订购信息
设备
MC74HC273AN
MC74HC273ANG
MC74HC273ADW
MC74HC273ADWG
MC74HC273ADWR2
MC74HC273ADWR2G
MC74HC273ADT
MC74HC273ADTG
MC74HC273ADTR2
MC74HC273ADTR2G
MC74HC273AF
MC74HC273AFG
MC74HC273AFEL
MC74HC273AFELG
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
设计标准
价值
66
单位
ea
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
1.5
5.0
mW
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
2
包
PDIP20
航运
18单位/铁
18单位/铁
38单位/铁
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
40单位/铁
40单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
PDIP20
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
http://onsemi.com
MC74HC273A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入电压
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
http://onsemi.com
3
MC74HC273A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
±
1.0
±
5.0
符号
I
in
I
OZ
参数
测试条件
V
CC
V
6.0
6.0
- 55
25_C
±
0.1
±
0.5
v
125_C
±
1.0
±
10
单位
mA
mA
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
I
CC
6.0
4.0
40
160
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
v
85_C
5.0
10
24
28
符号
f
最大
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
6.0
15
30
35
v
125_C
4.0
8.0
20
24
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
兆赫
t
PLH
t
PHL
最大传输延迟，时钟到Q
（图1和4 ）
145
90
29
25
145
90
29
25
75
27
15
13
10
180
120
36
31
180
120
36
31
95
32
19
16
10
220
140
44
38
220
140
44
38
110
36
22
19
10
ns
t
PHL
最大传输延迟，复位到Q
（图2和4）
ns
t
TLH
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每启用输出） *
48
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
4
摩托罗拉
半导体技术资料
八路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC273A在引出线的LS273是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
此设备由八个D触发器与普通时钟和复位
输入。每个触发器中装入了一个低到高的时钟的过渡
输入。复位是异步的，低电平有效。
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 264场效应管或66个等效门
MC54/74HC273A
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
1
20
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948E -02
20
1
20
1
订购信息
逻辑图
3
4
7
8
13
14
17
18
19
11
2
5
6
9
12
15
16
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXADW
MC74HCXXXADT
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
时钟
引脚分配
RESET
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
时钟
RESET
1
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
D3
Q3
GND
2/97
摩托罗拉1997年公司
设计标准
价值
66
单位
ea
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
1.5
5.0
W
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
3–1
第七版
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
H
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
L
MC54/74HC273A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
储存温度
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
（陶瓷DIP ）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VIN = VIH
V
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
摩托罗拉
3–2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
符号
S B升
VOL
的TPH1
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
FMAX
CPD
ICC
IOZ
CIN
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态泄漏
当前
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
P
i
)*
电力迪我I C
耗散电容（ P·E BL D 2 O
（每启用输出） *
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
最大传输延迟，复位到Q
（图2和4）
最大传输延迟，时钟到Q
（图1和4 ）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
参数
参数
P
VIN = VIL
VIN = VIL
|电流输出|
20
A
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VCC或GND
v
测试条件
3–3
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
±
0.5
±
0.1
0.26
0.26
0.26
145
90
29
25
145
90
29
25
6.0
15
30
35
4.0
0.1
0.1
0.1
10
75
27
15
13
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
5.0
±
1.0
0.33
0.33
0.33
180
120
36
31
180
120
36
31
5.0
10
24
28
0.1
0.1
0.1
10
95
32
19
16
40
48
MC54/74HC273A
±
1.0
±
10
220
140
44
38
220
140
44
38
160
110
36
22
19
4.0
8.0
20
24
0.4
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
10
摩托罗拉
兆赫
单位
U I
单位
A
A
A
pF
F
pF
ns
ns
ns
V
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
摩托罗拉
MC54/74HC273A
符号
S B升
TR ， TF
TREC
TSU
tw
tw
th
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，复位
最小脉冲宽度，时钟
最小恢复时间，复位无效到
时钟
最小保持时间，时钟到数据
最小建立时间，数据时钟
参数
P
图。
Fi
1
2
1
2
3
3
3–4
VCC
伏
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55 25
_
C
民
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
60
23
12
10
60
23
12
10
60
23
12
10
1000
800
500
400
最大
民
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
75
27
15
13
75
27
15
13
75
27
15
13
保证限额
v
85
_
C
1000
800
500
400
最大
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
民
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
90
32
18
15
90
32
18
15
90
32
18
15
v
125
_
C
1000
800
500
400
最大
单位
U I
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HC273A
八路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
该MC74HC273A在引出线的LS273是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
此设备由八个D触发器与普通时钟和
复位输入。每个触发器中装入了一个低到高的过渡
时钟输入。复位是异步的，低电平有效。
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP–20
SUF科幻X
CASE 738
1
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 264场效应管或66个等效门
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
时钟
3
4
7
8
13
14
17
18
19
11
2
5
6
9
12
15
16
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
MC74HC273AN
AWLYYWW
1
20
20
20
1
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP–20
DT后缀
CASE 948E
HC273A
AWLYYWW
20
HC
273A
ALYW
1
20
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚分配
RESET
Q0
D0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
时钟
RESET
1
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
D1
Q1
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
H
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
价值
66
单位
ea
ns
Q2
D2
D3
Q3
GND
L
半导体元件工业有限责任公司， 2000
2000年5月 - 修订版9
设计标准
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
1.5
5.0
W
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
1
订购信息
设备
MC74HC273AN
MC74HC273ADW
MC74HC273ADWR2
MC74HC273ADT
MC74HC273ADTR2
包
PDIP–20
SOIC- WIDE
SOIC- WIDE
TSSOP–20
TSSOP–20
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
75 /铁
2500 /卷
出版订单号：
MC74HC273A/D
MC74HC273A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VIN = VIH
V
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIL
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
http://onsemi.com
2
MC74HC273A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
IIN
参数
测试条件
VCC
V
6.0
6.0
- 55
25
_
C
±
0.1
±
0.5
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
单位
A
A
最大输入漏
当前
最大的三态
漏电流
VIN = VCC或GND
IOZ
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
6.0
4.0
40
160
A
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
保证限额
符号
FMAX
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
6.0
15
30
35
v
85
_
C
v
125
_
C
5.0
10
24
28
4.0
8.0
20
24
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
兆赫
TPLH
的TPH1
最大传输延迟，时钟到Q
（图1和4 ）
145
90
29
25
145
90
29
25
75
27
15
13
10
180
120
36
31
180
120
36
31
95
32
19
16
10
220
140
44
38
220
140
44
38
110
36
22
19
10
ns
的TPH1
最大传输延迟，复位到Q
（图2和4）
ns
tTLH
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
ns
CIN
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
48
CPD
功率耗散电容（每启用输出） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
TR ， TF
TREC
TSU
tw
tw
th
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，复位
最小脉冲宽度，时钟
最小恢复时间，复位无效到
时钟
最小保持时间，时钟到数据
最小建立时间，数据时钟
参数
http://onsemi.com
MC74HC273A
图。
1
2
1
2
3
3
4
VCC
伏
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55 25
_
C
民
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
60
23
12
10
60
23
12
10
60
23
12
10
1000
800
500
400
最大
保证限额
民
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
75
27
15
13
75
27
15
13
75
27
15
13
v
85
_
C
1000
800
500
400
最大
民
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
90
32
18
15
90
32
18
15
90
32
18
15
v
125
_
C
1000
800
500
400
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
QQ：2880707522 复制
