MC74HC245A
八路三态同相
总线收发器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC245A在引出线的LS245是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该HC245A ]是用于三态倒相收发
数据总线之间的2路异步通信。该装置
有一个低电平有效输出使能引脚，用于放置I / O
端口进入高阻抗状态。方向控制决定
从A是否数据流向乙或从B到A的
特点
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
20
20
1
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
HC245A
AWLYYWWG
MC74HC245AN
AWLYYWWG
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 308场效应管或77个等效门
无铅包可用*
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HC
245A
ALYWG
G
20
1
20
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HC245A
AWLYWWG
A
=
大会地点
WL ，L
=
晶圆地段
YY, Y
=
YEAR
WW, W =
工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年4月 - 12牧师
出版订单号：
MC74HC245A/D
MC74HC245A
方向
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OUTPUT ENABLE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
方向
OUTPUT ENABLE
A
数据
PORT
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
PIN 10 = GND
PIN 20 = V
CC
18
17
16
15
14
13
12
11
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B
数据
PORT
图1.引脚分配
图2.逻辑图
功能表
控制输入
产量
启用
L
L
H
X =无关
方向
L
H
X
手术
从总线B发送到总线的数据
从总线A发送到总线B数据
公交车隔离（高阻抗状态）
订购信息
设备
MC74HC245AN
MC74HC245ANG
MC74HC245ADW
MC74HC245ADWG
MC74HC245ADWR2
MC74HC245ADWR2G
MC74HC245ADT
MC74HC245ADTG
MC74HC245ADTR2
MC74HC245ADTR2G
MC74HC245AF
MC74HC245AFG
MC74HC245AFEL
MC74HC245AFELG
包
PDIP20
PDIP20
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
18单位/铁
18单位/铁
38单位/铁
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
40单位/铁
40单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74HC245A
最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
PDIP
SOIC
TSSOP
PDIP
SOIC
TSSOP
（注2 ）
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5
到V
CC
)0.5
*0.5
到V
CC
)0.5
$20
$35
$35
$75
$75
*65
to
)150
260
)150
67
96
128
750
500
450
LEVEL 1
氧指数： 30 ％至35％
人体模型（注3 ）
机器模型（注4 ）
带电器件模型（注5 ）
上述V
CC
及以下GND在85 ° C（注6 ）
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
u1000
$300
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中的85_C
mW
MSL
F
R
V
ESD
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
I
闭锁
闭锁性能
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸20盎司铜迹没有空气流动。
2. I
O
绝对最大额定值必须遵守。
3.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
4.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
5.经测试JESD22 - C101 -A 。
6.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图3 ）V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
CC
= 2.0 V
V
CC
–55
0
0
0
+125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
http://onsemi.com
3
MC74HC245A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
-55
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入电压
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
V
in
= V
CC
或GND
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
I
in
最大输入漏电流
±
0.1
±
0.5
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
mA
mA
I
OZ
最大的三态泄漏
当前
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
I
CC
最大静态电源电流
（每包）租
6.0
4.0
40
160
mA
典型参数值和高频率或高负荷的考虑7.信息可以在安森美半导体被发现
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
保证限额
v
85_C
95
70
19
16
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
-55
25_C
75
55
15
13
v
125_C
110
80
22
19
单位
ns
最大传播延迟，
A到B ， B到A
（图1和3）
最大传播延迟，
方向和输出使能为A或B
（图2和4）
最大传播延迟，
输出使能到A或B
（图2和4）
110
90
22
19
110
90
22
19
60
23
12
10
10
15
140
110
28
24
140
110
28
24
75
27
15
13
10
15
165
130
33
28
165
130
33
28
90
32
18
15
10
15
ns
ns
t
TLH
,
t
THL
C
in
最大输出转换时间，
任何输出
（图1和3）
ns
最大输入容量（引脚1和引脚19 ）
最大三态I / O电容
（ I / O的高阻抗状态）
pF
pF
C
OUT
8.对于传播延迟与典型参数值负载以外50 pF的，而信息，请参见安森美半导体高速
CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
40
C
PD
功率耗散电容（每个收发器通道） （注9 ）
pF
2
F +我
9.用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
CC
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
http://onsemi.com
4
MC74HC245A
八路三态同相
总线收发器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC245A在引出线的LS245是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该HC245A ]是用于三态倒相收发
数据总线之间的2路异步通信。该装置
有一个低电平有效输出使能引脚，用于放置I / O
端口进入高阻抗状态。方向控制决定
从A是否数据流向乙或从B到A的
特点
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
20
20
1
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
74HC245A
AWLYYWWG
MC74HC245AN
AWLYYWWG
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
湿度敏感度： MSL1为全部包
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HC
245A
ALYWG
G
芯片的复杂性： 308场效应管或77个等效门
无铅包可用*
20
1
20
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HC245A
AWLYWWG
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 11牧师
出版订单号：
MC74HC245A/D
MC74HC245A
方向
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OUTPUT ENABLE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
方向
OUTPUT ENABLE
A
数据
PORT
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
PIN 10 = GND
PIN 20 = V
CC
18
17
16
15
14
13
12
11
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B
数据
PORT
图1.引脚分配
图2.逻辑图
功能表
控制输入
产量
启用
L
L
H
X =无关
方向
L
H
X
手术
从总线B发送到总线的数据
从总线A发送到总线B数据
公交车隔离（高阻抗状态）
订购信息
设备
MC74HC245AN
MC74HC245ANG
MC74HC245ADW
MC74HC245ADWG
MC74HC245ADWR2
MC74HC245ADWR2G
MC74HC245ADT
MC74HC245ADTG
MC74HC245ADTR2
MC74HC245ADTR2G
MC74HC245AF
MC74HC245AFG
MC74HC245AFEL
MC74HC245AFELG
包
PDIP20
PDIP20
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
18单位/铁
18单位/铁
38单位/铁
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
40单位/铁
40单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74HC245A
最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
PDIP
SOIC
TSSOP
PDIP
SOIC
TSSOP
（注2 ）
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5
到V
CC
)0.5
*0.5
到V
CC
)0.5
$20
$35
$35
$75
$75
*65
to
)150
260
)150
67
96
128
750
500
450
LEVEL 1
氧指数： 30 ％至35％
人体模型（注3 ）
机器模型（注4 ）
带电器件模型（注5 ）
上述V
CC
及以下GND在85 ° C（注6 ）
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
u1000
$300
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中的85_C
mW
MSL
F
R
V
ESD
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
I
闭锁
闭锁性能
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸20盎司铜迹没有空气流动。
2. I
O
绝对最大额定值必须遵守。
3.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
4.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
5.经测试JESD22 - C101 -A 。
6.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图3）
V
CC
–55
0
0
0
+125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
http://onsemi.com
3
MC74HC245A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
-55
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入电压
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
I
in
最大输入漏电流
V
in
= V
CC
或GND
±
0.1
±
0.5
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
mA
mA
I
OZ
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
I
CC
6.0
4.0
40
160
mA
典型参数值和高频率或高负荷的考虑7.信息可以在安森美半导体被发现
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
v
85_C
95
70
19
16
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
-55
25_C
75
55
15
13
v
125_C
110
80
22
19
单位
ns
最大传播延迟，
A到B ， B到A
（图1和3）
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传播延迟，
方向和输出使能为A或B
（图2和4）
最大传播延迟，
输出使能到A或B
（图2和4）
110
90
22
19
110
90
22
19
60
23
12
10
10
15
140
110
28
24
140
110
28
24
75
27
15
13
10
15
165
130
33
28
165
130
33
28
90
32
18
15
10
15
ns
t
PZL
,
t
PZH
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，
任何输出
（图1和3）
ns
C
in
最大输入容量（引脚1和引脚19 ）
最大三态I / O电容
（ I / O的高阻抗状态）
pF
pF
C
OUT
8.对于传播延迟与典型参数值负载以外50 pF的，而信息，请参见安森美半导体高速
CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
40
功率耗散电容（每个收发器通道） （注9 ）
pF
C
PD
9.用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
