MC74HC244A
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/
线路接收器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC244A在引出线的LS244是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
这八进制非反相缓冲器/线路驱动器/接收器线路设计
要与三态存储器地址驱动器，时钟驱动器，以及用于
其他面向总线的系统。该装置具有同相输出端和
2低电平有效输出使能。
该HC244A是在功能上与HC240A相似。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
1
20
20
1
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
HC244A
AWLYYWWG
MC74HC244AN
AWLYYWWG
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 136场效应管或34个等效门
无铅包可用*
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
HC
244A
ALYWG
G
20
1
20
SOEIAJ20
后缀f
CASE 967
1
74HC244A
AWLYWWG
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年4月 - 11牧师
出版订单号：
MC74HC244A/D
MC74HC244A
引脚分配
允许A
A1
YB4
A2
YB3
A3
YB2
A4
YB1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
允许B
YA1
B4
YA2
B3
YA3
B2
YA4
B1
数据
输入
A4
B1
B2
B3
A2
A3
A1
2
4
6
8
11
13
15
17
逻辑图
18
16
14
12
9
7
5
3
YA1
YA2
YA3
YA4
YB1
YB2
YB3
YB4
同相
输出
功能表
输入
启用A，
允许B
A，B
输出
YA ， YB
L
H
Z
B4
L
L
L
H
H
X
Z =高阻抗
产量
使
1
允许A
19
允许B
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
订购信息
设备
MC74HC244AN
MC74HC244ANG
MC74HC244ADW
MC74HC244ADWG
MC74HC244ADWR2
MC74HC244ADWR2G
MC74HC244ADT
MC74HC244ADTG
MC74HC244ADTR2
MC74HC244ADTR2G
MC74HC244AF
MC74HC244AFG
MC74HC244AFEL
MC74HC244AFELG
包
PDIP20
PDIP20
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
SOIC- 20宽
SOIC- 20宽
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
18单位/铁
18单位/铁
38单位/铁
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
40单位/铁
40单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74HC244A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗
SOIC封装
TSSOP封装
储存温度
mW
T
英镑
T
L
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP
包）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
V
CC
= 2.0 V
（图1）
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
- 55
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入电压
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
V
in
= V
CC
或GND
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
I
in
最大输入漏电流
±
0.1
±
1.0
±
1.0
mA
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3
MC74HC244A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
±
5.0
符号
I
OZ
参数
测试条件
V
CC
V
6.0
- 55
25_C
±
0.5
v
125_C
±
10
单位
mA
最大的三态泄漏
当前
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
I
CC
最大静态电源电流
（每包）租
6.0
4.0
40
160
mA
注：关于典型参数值和高频率或高负载的考虑可以在ON的第2章被发现
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
v85_C
115
60
23
20
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
96
50
18
15
v125_C
135
70
27
23
165
80
33
28
165
80
33
28
90
32
18
15
10
15
单位
ns
最大传输延迟， A到YA或B到YB
（图1和3）
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
110
60
22
19
110
60
22
19
60
23
12
10
10
15
140
70
28
24
140
70
28
24
75
27
15
13
10
15
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
ns
C
in
最大输入电容
pF
pF
C
OUT
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
34
2
F +我
CC
C
PD
功率耗散电容（每缓冲器） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
开关波形
t
r
90%
50%
10%
t
PLH
90%
50%
10%
t
TLH
t
PHL
t
f
V
CC
t
PZL
50%
t
PZH
输出y
50%
t
PHZ
t
PLZ
10%
90%
GND
高
阻抗
V
OL
V
OH
高
阻抗
数据输入
A或B
产量
YA或YB
V
CC
GND
启用
A或B
50%
输出y
t
THL
图1 。
图2中。
http://onsemi.com
4
MC74HC244A
测试电路
测试点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
设备
下
TEST
测试点
产量
1 KW
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL
.
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH
.
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图3.测试电路
图4.测试电路
引脚说明
输入
A1，A2， A3，A4， B1，B2， B3，B4
（引脚2 ， 4 ， 6 ， 8 ， 11 ， 13 ， 15 ， 17 ）
功能非反相缓冲器。当一个高电平是
应用时，输出假定的高阻抗状态。
输出
YA1 ， YA2 ， YA3 ， YA4 ， YB1 ， YB2 ， YB3 ， YB4
（引脚18 ，16， 14 ，12， 9,7 ， 5,3）
数据输入引脚。这两个引脚上的数据出现在同相
上形成相应的Y输出端，当输出
启用。
控制
启用A，允许B （引脚1 ， 19 ）
设备的输出。视的状态
输出使能引脚，这些输出都是同相
输出或高阻抗输出。
输出使能（低电平有效） 。当低电平被施加
这些引脚，输出使能，设备
逻辑细节信息
其他三个
A或B逆变器
一个8
逆变器
数据
输入
A或B
V
CC
YA
OR
YB
启用或
允许B
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5
MC74HC244A
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/
线路接收器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC244A在引出线的LS244是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
这八进制非反相缓冲器/线路驱动器/接收器线路设计
要与三态存储器地址驱动器，时钟驱动器，以及用于
其他面向总线的系统。该装置具有同相输出端和
2低电平有效输出使能。
该HC244A是在功能上与HC240A相似。
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记号
图表
20
PDIP–20
SUF科幻X
CASE 738
1
MC74HC244AN
AWLYYWW
1
20
20
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 136场效应管或34个等效门
逻辑图
A1
A2
A3
A4
数据
输入
B1
B2
B3
B4
2
4
6
8
11
13
15
17
18
16
14
12
9
7
5
3
YA1
YA2
YA3
20
1
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP–20
DT后缀
CASE 948G
HC244A
AWLYYWW
20
HC
244A
ALYW
1
20
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚分配
允许A
YA4
YB1
YB2
YB3
YB4
同相
输出
A1
YB4
A2
YB3
A3
YB2
A4
YB1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
允许B
YA1
B4
YA2
B3
YA3
B2
YA4
B1
产量
使
1
允许A
19
允许B
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
功能表
输入
启用A，
允许B
A，B
输出
YA ， YB
L
H
Z
订购信息
设备
MC74HC244AN
MC74HC244ADW
MC74HC244ADWR2
MC74HC244ADT
MC74HC244ADTR2
1
包
PDIP–20
SOIC- WIDE
SOIC- WIDE
TSSOP–20
TSSOP–20
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
75 /铁
2500 /卷
L
L
L
H
H
X
Z =高阻抗
半导体元件工业有限责任公司， 2000
2000年3月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HC244A/D
MC74HC244A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VIN = VIH
V
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIL
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
http://onsemi.com
2
MC74HC244A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
IIN
参数
测试条件
VCC
V
6.0
6.0
- 55
25
_
C
±
0.1
±
0.5
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
单位
A
A
最大输入漏
当前
最大的三态
漏电流
VIN = VCC或GND
IOZ
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
6.0
4.0
40
160
A
注：关于典型参数值和高频率或高负载的考虑可以在ON的第2章被发现
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
保证限额
符号
tPLH的，
的TPH1
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
—
- 55
25
_
C
96
50
18
15
v
85
_
C
v
125
_
C
115
60
23
20
135
70
27
23
165
80
33
28
165
80
33
28
90
32
18
15
10
15
单位
ns
最大传输延迟， A到YA或B到YB
（图1和3）
tPLZ ，
tPHZ
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
110
60
22
19
110
60
22
19
60
23
12
10
10
15
140
70
28
24
140
70
28
24
75
27
15
13
10
15
ns
tpZL ，
tpZH
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
ns
CIN
最大输入电容
pF
pF
COUT
最大三态输出电容（在输出
高阻态）
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
34
CPD
功率耗散电容（每缓冲器） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
MC74HC244A
开关波形
tr
数据输入
A或B
TPLH
产量
YA或YB
tTLH
90%
50%
10%
TTHL
90%
50%
10%
的TPH1
输出y
tf
VCC
GND
启用
A或B
50%
GND
tPZL
50%
tpZH
输出y
50%
tPHZ
10%
90%
tPLZ
高
阻抗
VOL
VOH
高
阻抗
VCC
图1 。
图2中。
测试电路
测试点
产量
设备
下
TEST
设备
下
TEST
测试点
产量
1 k
接VCC WHEN
测试tPLZ与tPZL 。
连接到GND WHEN
测试tPHZ与tPZH 。
CL *
CL *
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图3.测试电路
图4.测试电路
引脚说明
输入
A1，A2， A3，A4， B1，B2， B3，B4
（引脚2 ， 4 ， 6 ， 8 ， 11 ， 13 ， 15 ， 17 ）
功能非反相缓冲器。当一个高电平是
应用时，输出假定的高阻抗状态。
输出
YA1 ， YA2 ， YA3 ， YA4 ， YB1 ， YB2 ， YB3 ， YB4
（引脚18 ，16， 14 ，12， 9,7 ， 5,3）
数据输入引脚。这两个引脚上的数据出现在同相
上形成相应的Y输出端，当输出
启用。
控制
启用A，允许B （引脚1 ， 19 ）
设备的输出。视的状态
输出使能引脚，这些输出都是同相
输出或高阻抗输出。
输出使能（低电平有效） 。当低电平被施加
这些引脚，输出使能，设备
http://onsemi.com
4
摩托罗拉
半导体技术资料
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/
线路接收器
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC244A在引出线的LS244是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
这八进制非反相缓冲器/线路驱动器/接收器线路被设计为
具有三态内存地址驱动器，时钟驱动器，和其他使用
面向总线的系统。该装置具有同相输出和两个
低电平有效输出使能。
该HC244A是在功能上与HC240A和HC241A相似。
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 136场效应管或34个等效门
MC54/74HC244A
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
1
20
20
1
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
SD后缀
SSOP封装
CASE 940C -03
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948E -02
20
1
20
1
订购信息
MC54HCXXXAJ
陶瓷的
MC74HCXXXAN
塑料
MC74HCXXXADW
SOIC
MC74HCXXXASD
SSOP
MC74HCXXXADT
TSSOP
逻辑图
2
4
6
8
11
13
15
17
18
16
14
12
9
7
5
3
A1
A2
A3
A4
数据
输入
B1
B2
B3
B4
YA1
YA2
YA3
YA4
YB1
YB2
YB3
YB4
同相
输出
引脚分配
允许A
A1
YB4
A2
YB3
A3
YB2
A4
YB1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
允许B
YA1
B4
YA2
B3
YA3
B2
YA4
B1
功能表
产量
使
1
允许A
19
允许B
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
输入
启用A，
允许B
L
L
H
A，B
L
H
X
输出
YA ， YB
L
H
Z
Z =高阻抗
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
摩托罗拉
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
VOL
TA
VIH
VIL
IIN
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SSOP或TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
最大额定值*
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HC244A
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC ， SSOP和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
SSOP或TSSOP封装
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VCC或GND
VIN = VIL
VIN = VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
2.0
价值
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
0
0
0
0
±
75
±
35
±
20
260
300
750
500
450
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
±
0.1
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
1.0
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
v
±
1.0
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.40
0.40
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
v
单位
A
V
V
V
V
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：关于典型参数值和高频率或高负载的考虑可以在摩托罗拉高端的第2章中找到
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
数据输入
A或B
符号
符号
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
产量
YA或YB
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
CPD
COUT
ICC
IOZ
CIN
TPLH
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态
漏电流
功率耗散电容（每缓冲器） *
最大三态输出电容（在输出
高阻态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大传输延迟， A到YA或B到YB
（图1和3）
tr
tTLH
90%
50%
10%
90%
50%
10%
参数
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
图1 。
参数
tf
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
的TPH1
TTHL
开关波形
GND
VCC
测试条件
3
输出y
输出y
启用
A或B
VCC
V
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
6.0
—
—
50%
50%
50%
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
tpZH
tPZL
±
0.5
110
22
19
110
22
19
15
10
60
12
10
96
18
15
4
图2中。
保证限额
保证限额
tPHZ
tPLZ
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
5.0
140
28
24
140
28
24
115
23
20
15
10
75
15
13
40
34
MC54/74HC244A
10%
90%
±
10
165
33
28
165
33
28
135
27
23
160
15
10
90
18
15
摩托罗拉
高
阻抗
VOH
VOL
高
阻抗
GND
VCC
单位
单位
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
MC54/74HC244A
测试电路
测试点
产量
设备
下
TEST
设备
下
TEST
测试点
产量
1 k
接VCC WHEN
测试tPLZ与tPZL 。
连接到GND WHEN
测试tPHZ与tPZH 。
CL *
CL *
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图3.测试电路
图4.测试电路
引脚说明
输入
A1，A2， A3，A4， B1，B2， B3，B4
（引脚2 ， 4 ， 6 ， 8 ， 11 ， 13 ， 15 ， 17 ）
数据输入引脚。这两个引脚上的数据出现在同相
上形成相应的Y输出端，当输出
启用。
控制
启用A，允许B （引脚1 ， 19 ）
输出使能（低电平有效） 。当低电平被施加
这些引脚，输出使能，设备功能
和灰作为非反相缓冲器。当一个高电平被施加，所述
输出采用高阻抗状态。
输出
YA1 ， YA2 ， YA3 ， YA4 ， YB1 ， YB2 ， YB3 ， YB4
（引脚18 ，16， 14 ，12， 9,7 ， 5,3）
设备的输出。取决于输出 - 的状态
使能引脚，这些输出要么是同相输出或
高阻抗输出。
逻辑细节信息
其他三个
A或B逆变器
一个8
逆变器
VCC
数据
输入
A或B
YA
OR
YB
启用或
允许B
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC244A
外形尺寸
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
问题E
B
A
F
C
L
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.25 （ 0.010 ）直径， TRUE
位置底座面，在最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸A和B INCLUDE半月板。
MILLIMETERS
民
最大
23.88
25.15
6.60
7.49
3.81
5.08
0.38
0.56
1.40
1.65
2.54 BSC
0.51
1.27
0.20
0.30
3.18
4.06
7.62 BSC
0
_
15
_
0.25
1.02
英寸
民
最大
0.940
0.990
0.260
0.295
0.150
0.200
0.015
0.022
0.055
0.065
0.100 BSC
0.020
0.050
0.008
0.012
0.125
0.160
0.300 BSC
0
_
15
_
0.010
0.040
20
1
11
10
N
H
D
座位
飞机
G
K
J
M
–A–
20
11
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
问题E
B
1
10
C
L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
英寸
民
最大
1.010
1.070
0.240
0.260
0.150
0.180
0.015
0.022
0.050 BSC
0.050
0.070
0.100 BSC
0.008
0.015
0.110
0.140
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
民
最大
25.66
27.17
6.10
6.60
3.81
4.57
0.39
0.55
1.27 BSC
1.27
1.77
2.54 BSC
0.21
0.38
2.80
3.55
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–T–
座位
飞机
K
M
E
G
F
D
20 PL
N
J
0.25 (0.010)
M
20 PL
0.25 (0.010)
T A
M
M
T B
M
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
J
K
L
M
N
–A–
20
11
DW后缀
塑料SOIC封装
CASE 751D -04
问题E
10X
–B–
1
10
P
0.010 (0.25)
M
B
M
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.150
（ 0.006 ），每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出0.13
（ 0.005 ）总计超过D尺寸
在最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
12.65
12.95
7.40
7.60
2.35
2.65
0.35
0.49
0.50
0.90
1.27 BSC
0.25
0.32
0.10
0.25
0
_
7
_
10.05
10.55
0.25
0.75
英寸
民
最大
0.499
0.510
0.292
0.299
0.093
0.104
0.014
0.019
0.020
0.035
0.050 BSC
0.010
0.012
0.004
0.009
0
_
7
_
0.395
0.415
0.010
0.029
20X
D
M
0.010 (0.25)
T A
S
B
J
S
F
R
X 45
_
C
–T–
18X
座位
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DL129 - 第六版
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