MC74HC238A
1 - 8解码器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC238A在引出线的LS238是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该HC238A解码3位地址，以1 -的八个
高电平输出。该器件具有三个片选输入，两路
低电平和一个高有效的，以便多路分用，
级联和片选功能。解复用功能
通过使用该地址输入以选择所需的完成
器件输出;该芯片选择中的一个被用作数据输入，而
其他的片选保持在它们的激活状态。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
HC
238A
ALYWG
G
HC238AG
AWLYWW
MC74HC238AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
m
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC所定义的要求
标准号7A
芯片的复杂性： 100场效应管或29个等效门
这些无铅器件*
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年12月，
第0版
1
出版订单号：
MC74HC238A/D
MC74HC238A
A0
A0
A1
A2
CS2
CS3
CS1
Y7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
削片
SELECT
输入
CS1
CS2
CS3
6
4
5
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
地址
输入
A1
A2
1
2
3
15
Y0
14
Y1
13
Y2
12
Y3
11
Y4
10
Y5
9
Y6
7
Y7
低电平有效
输出
图1.引脚分配
图2.逻辑图
订购信息
设备
MC74HC238ANG
MC74HC238ADG
MC74HC238ADR2G
MC74HC238ADTR2G
包
PDIP16
（无铅）
SOIC16
（无铅）
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
航运
500单位/铁
48单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
真值表
输入
CS1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS3
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
Y0
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y1
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y2
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y3
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y4
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y5
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y6
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
http://onsemi.com
2
MC74HC238A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
V
OUT
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
- 65至+ 150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
_C
_C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
●降额
塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1 .W / _C从65_至125_C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图2）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
民
2.0
0
– 55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+ 125
1000
500
400
单位
V
V
_C
ns
http://onsemi.com
3
MC74HC238A
开关波形
有效
输入A
t
PLH
输出y
50%
50%
t
PHL
输出y
t
THL
有效
V
CC
GND
输入CS1
t
PHL
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PLH
t
r
t
f
V
CC
GND
网络连接gure 3 。
图4中。
测试点
t
f
输入
CS2，CS3
90%
50%
10%
t
PHL
输出y
90%
50%
10%
t
THL
t
TLH
*包括所有探测和夹具电容
t
PLH
t
r
V
CC
GND
设备
下
TEST
产量
C
L
*
图5中。
图6.测试电路
引脚说明
地址输入
A0，A1， A2（引脚1 ，2，3 ）
地址输入。为CS1，CS2，和其他任何组合
CS3中，所述输出处于逻辑高电平。
输出
Y0
Y7 （引脚15 ，14， 13 ，12， 11 ，10， 9,7 ）
地址输入。这些输入，当选择了芯片，
确定的八个输出为低电平有效。
控制输入
CS1，CS2， CS3的（引脚6 ， 4,5）
片选输入。对于CS1在高电平和CS2，CS3
处于低电平时，芯片被选择，并且输出遵循
高电平有效的解码输出。这些输出假设
高层处理时，芯片被选中。这些
输出保持低电平时，不处理或芯片不
选择。
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5
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