摩托罗拉
半导体技术资料
通过MC74HC1GU04订购此文件/ D
产品预览
无缓冲变频器
该MC74HC1GU04是一个高速CMOS反相器缓冲
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似，相当于输入通道，同时保持CMOS低
功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
该MC74HC1GU04输出驱动电流的1/2相比
MC74HC系列。
高速： tPD的= 7ns的（典型值） ，在VCC = 5V
低功耗： ICC = 1μA （最大值）在TA = 25℃
高噪声抗扰度
平衡传输延迟（ tPLH的=的TPH1 ）
输出驱动能力： 5 LSTTL
对称的输出阻抗（ IOH = IOL = 2毫安）
ESD性能： HBM > 2000V ; MM > 200V
MC74HC1GU04
DF后缀
5引脚SOT- 353封装
SC–88A
CASE 419A -01
DT后缀
5引脚TSSOP封装
TSOP5
CASE待定
功能表
输入
IN C 1
A 2
GND 3
4
Y
5
VCC
L
H
H
L
输出
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
A
1
H6d
Y
销1
D =日期代码
图2.逻辑符号
标记图
设备订货信息
设备命名
摩托罗拉
电路
指标
MC
MC
温度
范围
识别码
74
74
设备
功能
U04
U04
包
苏FFI X
DF
DT
磁带和
卷轴后缀
T1
T1
pk信息
包
TYPE
SC–88A
TSOP5
T
卷
磁带和R升
SIZE
7寸/ 3000单位
7寸/ 3000单位
D我OD
b
设备订单号
MC74HC1GU04DFT1
MC74HC1GU04DTT1
技术
HC1G
HC1G
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉公司保留随时更改或向右
终止本产品，恕不另行通知。
06/99
摩托罗拉1999年公司
1
修订版0.1
MC74HC1GU04
最大额定值*
特征
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流， VCC和GND
在静止空气中的功耗
焊接温度1毫米的情况下10秒
储存温度
SC–88A
TSOP5
（ VOUT < GND ， VOUT > VCC ）
符号
VCC
VIN
VOUT
IIK
IOK
IOUT
ICC
PD
TL
价值
-0.5到+7.0
-0.5 VCC + 0.5
-0.5 VCC + 0.5
±20
±20
±12.5
±25
200
450
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
TSTG
-65到+150
°C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。功能能操作
ATION应仅限于推荐工作条件。
降额 - SC- 88A封装： -3毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
- TSOP5包装： -6毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
推荐工作条件
特征
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
VCC = 2.0V
VCC = 3.0V
VCC = 4.5V
VCC = 6.0V
符号
VCC
VIN
VOUT
TA
TR ， TF
民
2.0
0.0
0.0
–55
0
0
0
0
最大
6.0
VCC
VCC
+125
1000
600
500
400
单位
V
V
V
°C
ns
摩托罗拉
2
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
MC74HC1GU04
DC电气特性
VCC
符号
VIH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
VIN = VIH或VIL
IOH = -20μA
2.0
3.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
4.5
6.0
0
6.0
6.0
1.8
2.7
4.0
5.5
4.18
5.68
2.0
3.0
4.5
5.9
4.33
5.76
0.0
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.0
民
1.7
2.45
3.60
4.80
0.3
0.5
0.9
1.20
1.8
2.7
4.0
5.5
4.13
5.63
0.1
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
10
TA = 25°C
典型值
最大
TA
≤
85°C
民
1.7
2.45
3.60
4.80
0.3
0.5
0.9
1.20
1.8
2.7
4.0
5.5
4.08
5.58
0.1
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
±1.0
40
A
A
V
最大
TA
≤
125°C
民
1.7
2.45
3.60
4.80
0.3
0.5
0.9
1.20
最大
单位
V
VIL
最底层
输入电压
V
VOH
最小高级别
输出电压
VIN = VIH或VIL
V
VIN = VIH或VIL
IOH = -2mA
IOH = -2.6mA
VOL
最底层
输出电压
VIN = VIH或VIL
VIN = VIH或VIL
IOL = 20μA
V
VIN = VIH或VIL
IOL = 2毫安
IOL = 2.6毫安
IIN
ICC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
VIN = 6.0V或GND
VIN = VCC或GND
V
AC电气特性
（ C负载= 50 pF的输入TR = TF = 6.0ns ）
S B升
符号
P
参数
T
试验C迪我
条件
民
TA = 25°C
典型值
7.0
TA
≤
85°C
TA
≤
125°C
最大
15
民
最大
20
民
最大
25
U I
单位
ns
tPLH的，
的TPH1
最大传播史
延迟，
输入A至Y
VCC = 5.0V
VCC = 2.0V
VCC = 3.0V
VCC = 4.5V
VCC = 6.0V
VCC = 5.0V
VCC = 2.0V
VCC = 3.0V
VCC = 4.5V
VCC = 6.0V
CL = 15 pF的
CL = 50 pF的
48
24
12
9.0
100
40
20
17
10
125
50
25
21
15
155
90
35
26
20
tTLH ，
TTHL
输出转换时间
CL = 15 pF的
CL = 50 pF的
5.0
50
22
14
12
5
ns
125
35
25
21
10
155
45
31
26
10
200
60
38
32
10
CIN
最大输入
电容
pF
典型的25°C ， VCC = 5.0V
10
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容（N
i
（注1 ）
1.)
pF
F
1. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC 。 CPD用于确定空载动态
功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
3
摩托罗拉
MC74HC1GU04
单人无缓冲变频器
该MC74HC1GU04是一个高速CMOS反相器缓冲
制造与硅栅CMOS技术。
该MC74HC1GU04输出驱动电流的1/2相比
MC74HC系列。
高速：吨
PD
= 7纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25_C
高噪声抗扰度
平衡传输延迟（T
PLH
= t
PHL
)
对称的输出阻抗（我
OH
= I
OL
= 2 mA）的
芯片的复杂性： FET = 105
无铅包可用
5
1
SC705/SC88A/SOT353
DF后缀
CASE 419A
http://onsemi.com
记号
图表
H6
d
销1
NC
1
5
V
CC
5
1
H6
M
IN A
2
GND
3
4
输出Y
SOT235/TSOP5/SC595
DT后缀
CASE 483
D =日期代码
M =月守则
销1
图1.引脚
引脚分配
1
IN A
1
输出Y
2
3
4
5
NC
IN A
GND
输出Y
V
CC
图2.逻辑符号
功能表
输入A
L
H
输出y
H
L
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年1月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HC1GU04/D
MC74HC1GU04
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
功率消耗在静止空气中的85_C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数：28 34
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
SC70-5 / SC - 88A / SOT- 353 （注1 ）
SOT235/TSOP5/SC595
SC705/SC88A/SOT353
SOT235/TSOP5/SC595
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5
到V
CC
)0.5
*0.5
到V
CC
)0.5
$20
$20
$12.5
$25
*65
to
)150
260
)150
350
230
150
200
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
不适用
$500
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
mW
I
闭锁
闭锁性能
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸2盎司铜迹线，没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
归一化故障率
参数
民
2.0
0.0
0.0
*55
0
0
0
0
最大
6.0
V
CC
V
CC
)125
1000
600
500
400
单位
V
V
V
_C
ns
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130_C
T
J
= 120_C
T
J
= 100_C
T
J
= 110_C
T
J
= 90_C
T
J
= 80_C
100
时间，岁月
1
1
10
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
2
MC74HC1GU04
DC电气特性
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 20
mA
2.0
3.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
1.8
2.7
4.0
5.5
4.18
5.68
2.0
3.0
4.5
5.9
4.33
5.76
0.0
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
$0.1
1.0
民
1.7
2.45
3.60
4.80
0.3
0.5
0.9
1.20
1.8
2.7
4.0
5.5
4.13
5.63
0.1
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
$1.0
10
T
A
= 25_C
典型值
最大
T
A
v
85_C
民
1.7
2.45
3.60
4.80
0.3
0.5
0.9
1.20
1.8
2.7
4.0
5.5
4.08
5.58
0.1
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
$1.0
40
mA
mA
V
最大
*55_C
v
T
A
v
125_C
民
1.7
2.45
3.60
4.80
0.3
0.5
0.9
1.20
最大
单位
V
V
IL
最底层
输入电压
V
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -2毫安
I
OH
= -2.6毫安
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 20
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 2毫安
I
OL
= 2.6毫安
I
IN
I
CC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
V
IN
= 6.0 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
T
A
= 25_C
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大
传播延迟
延迟，
输入A或B与Y
测试条件
V
CC
= 5.0 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
民
典型值
3
最大
15
T
A
v
85_C
民
最大
20
*55_C
v
T
A
v
125_C
民
最大
25
单位
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
CC
= 5.0 V
17
9
7
6.5
4
100
27
20
17
10
125
35
25
21
15
155
90
35
26
20
t
TLH
,
t
THL
输出转换
时间
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
25
16
12
10
5
125
35
25
21
10
155
45
31
26
10
200
60
38
32
10
C
IN
最大输入
电容
pF
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
10
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
pF
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
http://onsemi.com
3
MC74HC1GU04
t
r
90%
50%
10%
t
PHL
输出y
90%
50%
10%
t
THL
t
TLH
*包括所有探测和夹具电容。
A 1 - MHz方波输入推荐
传播延迟测试。
t
PLH
t
f
V
CC
GND
C
L*
输入
产量
输入A
图4.开关波形
图5.测试电路
设备订货信息
设备命名
设备订单
数
MC74HC1GU04DFT1
MC74HC1GU04DFT1G
逻辑
电路
指标
MC
MC
温度
范围
识别码
74
74
设备
功能
U04
U04
包
苏FFI X
DF
DF
磁带和
REEL
苏FFI X
T1
T1
包
TYPE
SC705/SC88A/
SOT353
SC705/SC88A/
SOT353
（无铅）
SC705/SC88A/
SOT353
SC705/SC88A/
SOT353
（无铅）
SOT235/TSOP5/
SC595
SOT235/TSOP5/
SC595
（无铅）
磁带和
带尺寸
178毫米（ 7 ）
3000单元
178毫米（ 7 ）
3000单元
178毫米（ 7 ）
3000单元
178毫米（ 7 ）
3000单元
178毫米（ 7 ）
3000单元
178毫米（ 7 ）
3000单元
技术
HC1G
HC1G
MC74HC1GU04DFT2
MC74HC1GU04DFT2G
MC
MC
74
74
HC1G
HC1G
U04
U04
DF
DF
T2
T2
MC74HC1GU04DTT1
MC74HC1GU04DTT1G
MC
MC
74
74
HC1G
HC1G
U04
U04
DT
DT
T1
T1
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
