MC74HC175A
四D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
该MC74HC175A在引出线的LS175是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
此设备包括四个D触发器与普通复位和
时钟输入，以及独立的D输入。复位（低电平有效）是
当一个低电平被施加到复位异步和发生
输入。在D输入的信息传送到对应的Q
输出的时钟输入的下一个正向边沿。
特点
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记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC175A
ALYWG
HC
175A
ALYWG
G
HC175AG
AWLYWW
MC74HC175AN
AWLYYWW
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性166场效应管或41.5等效门
无铅包可用*
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 第3版
出版订单号：
MC74HC175A/D
MC74HC175A
RESET
Q0
Q0
D0
D1
Q1
Q1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Q3
Q3
D3
D2
Q2
Q2
时钟
数据
输入
时钟
9
2
3
7
6
10
11
15
14
1
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
Q0
Q0
Q1
Q1
Q2
Q2
Q3
Q3
D0
D1
D2
D3
4
5
12
13
反相
和
同相
输出
RESET
图1.引脚分配
图2.逻辑图
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
时钟
X
D
X
H
L
X
输出
Q
Q
L
H
H
L
L
H
没有变化
L
订购信息
设备
MC74HC175AN
MC74HC175AD
MC74HC175ADG
MC74HC175ADR2
MC74HC175ADR2G
MC74HC175ADTR2
MC74HC175ADTR2G
MC74HC175AFEL
MC74HC175AFELG
包
PDIP16
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2000个/卷
2000个/卷
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC175A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
42
0.5
0.9
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.70
5.20
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3
MC74HC175A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
0.1
0.1
0.1
符号
V
OL
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
0.1
0.1
0.1
v
125_C
0.1
0.1
0.1
单位
V
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
I
in
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
±
0.1
4
±
1.0
40
±
1.0
160
mA
mA
I
CC
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
v
85_C
4.8
8.0
24
28
符号
f
最大
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25_C
6
10
30
35
v
125_C
4
6
20
24
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
兆赫
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，时钟到Q或Q
（图1和4 ）
150
75
26
22
125
70
22
19
75
27
15
13
10
190
90
32
28
155
85
27
24
95
32
19
16
10
225
110
38
33
190
110
34
30
110
36
22
19
10
ns
t
PHL
最大传输延迟，复位到Q或Q
（图2和4）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每触发器） *
35
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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4
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
t
r
, t
f
t
REC
t
su
t
w
t
w
t
h
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，复位
（图2）
最小脉冲宽度，时钟
（图1）
最小恢复时间，复位无效到时钟
（图2）
最小保持时间，时钟到数据
（图3）
最小建立时间，数据时钟
（图3）
参数
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MC74HC175A
5
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
1000
800
500
400
100
45
20
17
100
45
20
17
80
45
16
14
80
45
16
14
5
3
3
3
保证限额
v
85_C
1000
800
500
400
100
65
20
17
100
65
20
17
125
65
25
21
125
65
25
21
5
3
3
3
v
125_C
1000
800
500
400
120
85
24
20
120
85
24
20
150
85
30
26
150
85
30
26
5
3
3
3
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
QQ：2881677436 复制
