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摩托罗拉
半导体技术资料
六路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC174A在引出线的LS174是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻,
它们与LSTTL输出兼容。
此装置由六个D触发器与普通时钟和复位
输入。每个触发器中装入了一个低到高的时钟的过渡
输入。复位是异步的,低电平有效。
输出驱动能力: 10输入通道负载
TTL NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 162场效应管或40.5等效门
逻辑图
D0 3
D1 4
数据
输入
D2 6
D3 11
D4 13
14
D5
2 Q0
5
Q1
7 Q2
10 Q3
12 Q4
15
Q5
MC54/74HC174A
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
1
16
16
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXAD
陶瓷的
塑料
SOIC
同相
输出
引脚分配
RESET
Q0
D0
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
Q5
D5
D4
Q4
D3
Q3
时钟
CLOCK 9
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
D1
Q1
D2
Q2
GND
10/95
摩托罗拉公司1995年
设计标准
价值
40.5
1.5
5.0
单位
EA 。
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
W
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
1
REV 6
RESET 1
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
H
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
L
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP : - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
(电压参考GND)
推荐工作条件
MC54/74HC174A
符号
VIN,VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR , TF
IIN
VOL
TA
VIH
VIL
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
(陶瓷DIP )
储存温度
功率消耗在静止空气中,塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
DC输入电流,每个引脚
DC输出电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
输入上升和下降时间(图1 )
工作温度,所有封装类型
直流输入电压,输出电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
|电流输出|
5.2毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
|电流输出|
5.2毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 1.5 VCC + 1.5
-0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
2.0
价值
0
0
0
0
±
50
±
25
±
20
260
300
750
500
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
v
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
v
单位
V
V
V
V
*用于确定无负载的动态功耗: PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑,见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
注意事项:
在伴随着高频率或高负荷的考虑,典型参数值1。信息可以在摩托罗拉的第2章中找到
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
2.总电源电流= ICC + SΔICC 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
符号
符号
TR , TF
TREC
TSU
tw
tw
th
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
FMAX
CPD
ICC
CIN
IIN
AC电气特性
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
DC电气特性
(电压参考GND)
时序要求
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度,复位
最小脉冲宽度,时钟
最小恢复时间,复位无效到时钟
最小保持时间,时钟到数据
最小建立时间,数据时钟
最大静态电源
电流(每包)
最大输入漏电流
功率耗散电容(每启用输出) *
最大输入电容
最大输出转换时间,任何输出
(图1和4 )
最大传输延迟,复位到Q
(图2和4)
最大传输延迟,时钟到Q
(图1和4 )
最大时钟频率( 50 %占空比)
(图1和4 )
参数
参数
参数
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
测试条件
图。
1
2
1
2
3
3
3
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55 25
_
C
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
50
10
9.0
75
15
13
75
15
13
VCC
V
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
6.0
1000
500
400
最大
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
保证限额
典型的25°C , VCC = 5.0 V
±
0.1
110
21
19
110
22
19
6.0
30
35
4.0
10
75
15
13
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
95
19
16
95
19
16
65
13
11
v
85
_
C
保证限额
保证限额
1000
500
400
最大
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
140
28
24
140
28
24
4.8
24
28
10
95
19
16
40
62
MC54/74HC174A
110
22
19
110
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
75
15
13
v
125
_
C
±
1.0
160
32
27
165
33
28
160
110
22
19
4.0
20
24
10
1000
500
400
最大
摩托罗拉
兆赫
单位
单位
单位
A
A
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC54/74HC174A
膨胀逻辑图
时钟
D0
RESET
9
3
1
C
D1
4
D
R
C
D2
6
D
Q
R
C
D3 11
D
R
C
D4
13
D
R
C
D5 14
D
Q
R
D
C
Q
R
2
Q0
Q
5 Q1
7
Q2
Q
10
Q3
Q
12
Q4
15 Q5
开关波形
tr
90%
50%
10%
tw
1/fmax
TPLH
Q
90%
50%
10%
tTLH
TTHL
的TPH1
Q
TREC
50%
时钟
GND
VCC
tf
VCC
RESET
GND
的TPH1
tw
50%
时钟
VCC
GND
图1 。
图2中。
测试点
有效
VCC
数据
50%
GND
TSU
时钟
50%
GND
th
VCC
*包括所有探测和夹具电容
设备
TEST
产量
CL *
网络连接gure 3 。
图4.测试电路
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC174A
外形尺寸
–A
16
9
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
ISSUE V
–B
C
L
1
8
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4. DIM F可以收窄至0.76 ( 0.030 ),其中
领先进入陶瓷体。
英寸
最大
0.750 0.785
0.240 0.295
0.200
0.015 0.020
0.050 BSC
0.055 0.065
0.100 BSC
0.008 0.015
0.125 0.170
0.300 BSC
15°
0.020 0.040
MILLIMETERS
最大
19.05 19.93
6.10
7.49
5.08
0.39
0.50
1.27 BSC
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
15°
1.01
0.51
–T
座位
飞机
N
E
F
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
K
M
J
16 PL
0.25 (0.010)
M
T B
S
T A
S
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
J
K
L
M
N
–A
16
9
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
ISSUE
B
1
8
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
MILLIMETERS
最大
最大
0.740 0.770 18.80 19.55
6.35
0.250 0.270
6.85
3.69
0.145 0.175
4.44
0.39
0.015 0.021
0.53
1.02
0.040 0.070
1.77
0.100 BSC
2.54 BSC
0.050 BSC
1.27 BSC
0.21
0.008 0.015
0.38
2.80
0.110 0.130
3.30
7.50
0.295 0.305
7.74
10°
10°
0.020 0.040
0.51
1.01
F
S
C
L
–T
H
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
J
T A
M
M
–A
16
9
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751B -05
ISSUE
–B
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
F
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
9.80 10.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
最大
0.386 0.393
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0.229 0.244
0.010 0.019
K
C
–T
座位
飞机
R
X 45°
M
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
J
T
B
S
A
S
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
摩托罗拉
半导体技术资料
六路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC174A在引出线的LS174是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻,
它们与LSTTL输出兼容。
此装置由六个D触发器与普通时钟和复位
输入。每个触发器中装入了一个低到高的时钟的过渡
输入。复位是异步的,低电平有效。
输出驱动能力: 10输入通道负载
TTL NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 162场效应管或40.5等效门
逻辑图
D0 3
D1 4
数据
输入
D2 6
D3 11
D4 13
14
D5
2 Q0
5
Q1
7 Q2
10 Q3
12 Q4
15
Q5
MC54/74HC174A
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
1
16
16
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXAD
陶瓷的
塑料
SOIC
同相
输出
引脚分配
RESET
Q0
D0
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
Q5
D5
D4
Q4
D3
Q3
时钟
CLOCK 9
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
D1
Q1
D2
Q2
GND
10/95
摩托罗拉公司1995年
设计标准
价值
40.5
1.5
5.0
单位
EA 。
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
W
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
1
REV 6
RESET 1
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
H
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
L
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP : - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
(电压参考GND)
推荐工作条件
MC54/74HC174A
符号
VIN,VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR , TF
IIN
VOL
TA
VIH
VIL
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
(陶瓷DIP )
储存温度
功率消耗在静止空气中,塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
DC输入电流,每个引脚
DC输出电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
输入上升和下降时间(图1 )
工作温度,所有封装类型
直流输入电压,输出电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
|电流输出|
5.2毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
|电流输出|
5.2毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 1.5 VCC + 1.5
-0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
2.0
价值
0
0
0
0
±
50
±
25
±
20
260
300
750
500
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
v
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
v
单位
V
V
V
V
*用于确定无负载的动态功耗: PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑,见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
注意事项:
在伴随着高频率或高负荷的考虑,典型参数值1。信息可以在摩托罗拉的第2章中找到
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
2.总电源电流= ICC + SΔICC 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
符号
符号
TR , TF
TREC
TSU
tw
tw
th
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
FMAX
CPD
ICC
CIN
IIN
AC电气特性
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
DC电气特性
(电压参考GND)
时序要求
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度,复位
最小脉冲宽度,时钟
最小恢复时间,复位无效到时钟
最小保持时间,时钟到数据
最小建立时间,数据时钟
最大静态电源
电流(每包)
最大输入漏电流
功率耗散电容(每启用输出) *
最大输入电容
最大输出转换时间,任何输出
(图1和4 )
最大传输延迟,复位到Q
(图2和4)
最大传输延迟,时钟到Q
(图1和4 )
最大时钟频率( 50 %占空比)
(图1和4 )
参数
参数
参数
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
测试条件
图。
1
2
1
2
3
3
3
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55 25
_
C
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
50
10
9.0
75
15
13
75
15
13
VCC
V
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
6.0
1000
500
400
最大
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
保证限额
典型的25°C , VCC = 5.0 V
±
0.1
110
21
19
110
22
19
6.0
30
35
4.0
10
75
15
13
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
95
19
16
95
19
16
65
13
11
v
85
_
C
保证限额
保证限额
1000
500
400
最大
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
140
28
24
140
28
24
4.8
24
28
10
95
19
16
40
62
MC54/74HC174A
110
22
19
110
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
75
15
13
v
125
_
C
±
1.0
160
32
27
165
33
28
160
110
22
19
4.0
20
24
10
1000
500
400
最大
摩托罗拉
兆赫
单位
单位
单位
A
A
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC54/74HC174A
膨胀逻辑图
时钟
D0
RESET
9
3
1
C
D1
4
D
R
C
D2
6
D
Q
R
C
D3 11
D
R
C
D4
13
D
R
C
D5 14
D
Q
R
D
C
Q
R
2
Q0
Q
5 Q1
7
Q2
Q
10
Q3
Q
12
Q4
15 Q5
开关波形
tr
90%
50%
10%
tw
1/fmax
TPLH
Q
90%
50%
10%
tTLH
TTHL
的TPH1
Q
TREC
50%
时钟
GND
VCC
tf
VCC
RESET
GND
的TPH1
tw
50%
时钟
VCC
GND
图1 。
图2中。
测试点
有效
VCC
数据
50%
GND
TSU
时钟
50%
GND
th
VCC
*包括所有探测和夹具电容
设备
TEST
产量
CL *
网络连接gure 3 。
图4.测试电路
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC174A
外形尺寸
–A
16
9
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
ISSUE V
–B
C
L
1
8
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4. DIM F可以收窄至0.76 ( 0.030 ),其中
领先进入陶瓷体。
英寸
最大
0.750 0.785
0.240 0.295
0.200
0.015 0.020
0.050 BSC
0.055 0.065
0.100 BSC
0.008 0.015
0.125 0.170
0.300 BSC
15°
0.020 0.040
MILLIMETERS
最大
19.05 19.93
6.10
7.49
5.08
0.39
0.50
1.27 BSC
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
15°
1.01
0.51
–T
座位
飞机
N
E
F
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
K
M
J
16 PL
0.25 (0.010)
M
T B
S
T A
S
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
J
K
L
M
N
–A
16
9
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
ISSUE
B
1
8
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
MILLIMETERS
最大
最大
0.740 0.770 18.80 19.55
6.35
0.250 0.270
6.85
3.69
0.145 0.175
4.44
0.39
0.015 0.021
0.53
1.02
0.040 0.070
1.77
0.100 BSC
2.54 BSC
0.050 BSC
1.27 BSC
0.21
0.008 0.015
0.38
2.80
0.110 0.130
3.30
7.50
0.295 0.305
7.74
10°
10°
0.020 0.040
0.51
1.01
F
S
C
L
–T
H
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
J
T A
M
M
–A
16
9
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751B -05
ISSUE
–B
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
F
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
9.80 10.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
最大
0.386 0.393
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0.229 0.244
0.010 0.019
K
C
–T
座位
飞机
R
X 45°
M
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
J
T
B
S
A
S
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
MC74HC174A
六路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
该MC74HC174A在引出线的LS174是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器,它们与LSTTL输出兼容。
此装置由六个D触发器与普通时钟和
复位输入。每个触发器中装入了一个低到高的过渡
时钟输入。复位是异步的,低电平有效。
特点
16
1
http://onsemi.com
记号
图表
16
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC174A
ALYWG
HC
174A
ALYWG
G
HC174AG
AWLYWW
MC74HC174AN
AWLYYWWG
输出驱动能力: 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 2.0 6.0 V
低输入电流: 1.0
mA
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 162场效应管或40.5等效门
无铅包可用*
A
=大会地点
L, WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W, WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年12月 - 10牧师
出版订单号:
MC74HC174A/D
MC74HC174A
D0
RESET
Q0
D0
D1
Q1
D2
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Q5
D5
D4
Q4
D3
Q3
时钟
RESET
1
数据
输入
D1
D2
D3
D4
D5
时钟
3
4
6
11
13
14
9
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
2
5
7
10
12
15
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
同相
输出
图1.引脚分配
图2.逻辑图
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
H
L
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
设计/值表
设计标准
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
*相当于一个两输入与非门。
价值
40.5
1.5
5.0
0.0075
单位
EA 。
ns
mW
pJ
订购信息
设备
MC74HC174AN
MC74HC174ANG
MC74HC174AD
MC74HC174ADG
MC74HC174ADR2
MC74HC174ADR2G
MC74HC174ADTR2
MC74HC174ADTR2G
MC74HC174AFEL
MC74HC174AFELG
PDIP16
PDIP16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2000个/卷
2000个/卷
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74HC174A
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入电流,每个引脚
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
在偏置结温
热阻
PDIP
SOIC
TSSOP
PDIP
SOIC
TSSOP
PDIP , SOIC , TSSOP
参数
(参考GND)
(参考GND)
(参考GND) (注1 )
价值
*0.5
to
)7.0
*1.5
到V
CC
)1.5
*0.5
到V
CC
)0.5
$20
$25
$50
*65
to
)150
260
)150
78
112
148
750
500
450
LEVEL 1
氧指数: 30 % - 35 %
人体模型(注2 )
机器模型(注3 )
带电器件模型(注4 )
上述V
CC
及以下GND在85_C (注5 )
符合UL 94 V -0 @ 0.125英寸
u2000
u100
u500
$300
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中的85_C
mW
MSL
F
R
V
ESD
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
I
闭锁
闭锁性能
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1. I
O
绝对最大额定值必须遵守。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
6.对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
推荐工作条件
符号
V
CC
直流电源电压
参数
(参考GND)
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
V
IN
,
V
OUT
T
A
直流输入电压,输出电压
(参考GND ) (注7 )
V
CC
工作温度,所有封装类型
*55
0
0
0
0
)125
1000
700
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
时钟输入上升和下降时间(图4 )
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
7.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高或低逻辑输入电压电平。
http://onsemi.com
3
MC74HC174A
DC电气特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
*55_C
至25℃
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v85_C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v125_C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.33
0.33
I
IN
最大输入漏电流
最大静态电源
电流(每包)
V
IN
= V
CC
或GND
$0.1
4.0
$1.0
40
$1.0
160
mA
mA
I
CC
V
IN
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
在典型的参数值8.信息,连同高频或高负荷的考虑,可以在半导体中
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒)
符号
f
最大
参数
最大时钟频率( 50 %占空比)
(图4和7 )
最大传输延迟,时钟到Q
(图5和7 )
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
保证限额
*55_C
至25℃
6.0
30
35
v85_C
4.8
24
28
v125_C
4.0
20
24
单位
兆赫
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
TLH
t
THL
C
in
110
22
19
110
21
19
75
15
13
10
140
28
24
140
28
24
95
19
16
10
165
33
28
160
32
27
110
22
19
10
ns
最大传输延迟,复位到Q
(图2和7)
ns
最大输出转换时间,任何输出
(图4和7 )
最大输入电容
ns
pF
9.传播延迟与典型参数值负载以外50 pF的,而信息,请参见安森美半导体高速
CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
62
C
PD
功率耗散电容,每启用输出
(注10 )
pF
10.用于确定在无负载的动态功耗:P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑,看开
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
http://onsemi.com
4
时序要求
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒)
符号
t
r
, t
f
t
REC
t
su
t
w
t
w
t
h
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度,复位
最小脉冲宽度,时钟
最小恢复时间,
复位无效时钟
最小保持时间,时钟到数据
最小建立时间,数据时钟
参数
时钟
RESET
D5
D4
D3
D2
D1
D0
14
13
11
图3.扩展逻辑图
6
4
1
3
9
http://onsemi.com
MC74HC174A
科幻gure
4
5
4
5
6
6
5
V
CC
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
V
D
D
D
D
D
D
C
C
C
C
C
C
R
R
R
R
R
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
50
10
9.0
75
15
13
75
15
13
Q
Q
Q
Q
Q
*55_C
至25℃
R
Q
1000
500
400
最大
12
10
15
7
5
2
保证限额
Q5
Q4
Q3
Q2
Q1
Q0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
95
19
16
95
19
16
65
13
11
v85_C
1000
500
400
最大
110
22
19
110
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
75
15
13
v125_C
1000
500
400
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HC174A
六路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
该MC74HC174A在引出线的LS174是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器,它们与LSTTL输出兼容。
此装置由六个D触发器与普通时钟和
复位输入。每个触发器中装入了一个低到高的过渡
时钟输入。复位是异步的,低电平有效。
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
输出驱动能力: 10输入通道负载
TTL NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 162场效应管或40.5等效门
逻辑图
D0 3
D1 4
数据
输入
D2 6
D3 11
D4 13
14
D5
CLOCK 9
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
RESET 1
2 Q0
5
Q1
7 Q2
10 Q3
12 Q4
15
Q5
PDIP–16
SUF科幻X
CASE 648
MC74HC174AN
AWLYYWW
1
16
16
1
SO–16
后缀
CASE 751B
1
A
WL
YY
WW
HC174A
AWLYWW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
同相
输出
引脚分配
RESET
Q0
D0
D1
Q1
D2
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
Q5
D5
D4
Q4
D3
Q3
时钟
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
H
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
价值
40.5
1.5
5.0
单位
EA 。
ns
L
订购信息
设备
MC74HC174AN
MC74HC174AD
MC74HC174ADR2
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
航运
2000 /箱
48 /铁
2500 /卷
半导体元件工业有限责任公司, 2000
2000年3月 - 启示录7
设计标准
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
W
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
1
出版订单号:
MC74HC174A/D
MC74HC174A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
- 0.5 + 7.0
- 1.5 VCC + 1.5
-0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
VOUT
IIN
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流,每个引脚
ICC
PD
直流电源电流, VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中,
储存温度
塑料DIP
SOIC封装
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
_
C
_
C
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压(参考GND)
VIN,VOUT
TA
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间(图1 )
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR , TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
(电压参考GND)
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
v
v
V
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
|电流输出|
5.2毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
|电流输出|
5.2毫安
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
V
0.26
0.26
0.33
0.33
http://onsemi.com
2
*用于确定无负载的动态功耗: PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑,见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
注意事项:
在伴随着高频率或高负荷的考虑,典型参数值1。信息可以在ON的第2章被发现
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
2.总电源电流= ICC + SΔICC 。
DC电气特性
(电压参考GND)
符号
ICC
IIN
最大静态电源
电流(每包)
最大输入漏电流
参数
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
测试条件
AC电气特性
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
时序要求
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
符号
符号
TR , TF
TREC
TSU
tw
tw
th
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
FMAX
CPD
CIN
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度,复位
最小脉冲宽度,时钟
最小恢复时间,复位无效到
时钟
最小保持时间,时钟到数据
最小建立时间,数据时钟
功率耗散电容(每启用输出) *
最大输入电容
最大输出转换时间,任何输出
(图1和4 )
最大传输延迟,复位到Q
(图2和4)
最大传输延迟,时钟到Q
(图1和4 )
最大时钟频率( 50 %占空比)
(图1和4 )
参数
参数
http://onsemi.com
图。
1
2
1
2
3
3
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
MC74HC174A
3
- 55 25
_
C
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
50
10
9.0
75
15
13
75
15
13
VCC
V
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
6.0
1000
500
400
最大
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
保证限额
典型的25°C , VCC = 5.0 V
±
0.1
110
21
19
110
22
19
6.0
30
35
4.0
10
75
15
13
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
95
19
16
95
19
16
65
13
11
v
85
_
C
保证限额
保证限额
1000
500
400
最大
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
140
28
24
140
28
24
4.8
24
28
10
95
19
16
40
62
110
22
19
110
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
75
15
13
v
125
_
C
±
1.0
160
32
27
165
33
28
160
110
22
19
4.0
20
24
10
1000
500
400
最大
兆赫
单位
单位
单位
A
A
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HC174A
膨胀逻辑图
时钟
D0
RESET
9
3
1
C
D1
4
D
R
C
D2
6
D
Q
R
C
D3 11
D
R
C
D4
13
D
R
C
D5 14
D
Q
R
D
C
Q
R
2
Q0
Q
5 Q1
7
Q2
Q
10
Q3
Q
12
Q4
15 Q5
开关波形
tr
90%
50%
10%
tw
1/fmax
TPLH
Q
90%
50%
10%
tTLH
TTHL
的TPH1
Q
TREC
50%
时钟
GND
VCC
tf
VCC
RESET
GND
的TPH1
tw
50%
时钟
VCC
GND
图1 。
图2中。
测试点
有效
VCC
数据
50%
GND
TSU
时钟
50%
GND
th
VCC
*包括所有探测和夹具电容
设备
TEST
产量
CL *
网络连接gure 3 。
图4.测试电路
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4
MC74HC174A
包装尺寸
PDIP–16
SUF科幻X
CASE 648-08
ISSUE
–A
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
MILLIMETERS
最大
最大
0.740 0.770 18.80 19.55
0.250 0.270
6.85
6.35
0.145 0.175
4.44
3.69
0.015 0.021
0.53
0.39
0.040 0.070
1.77
1.02
0.100 BSC
2.54 BSC
0.050 BSC
1.27 BSC
0.008 0.015
0.38
0.21
0.110 0.130
3.30
2.80
0.295 0.305
7.74
7.50
10°
10°
0.020 0.040
1.01
0.51
B
1
8
F
S
C
L
–T
H
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
J
T A
M
M
SOIC–16
后缀
CASE 751B -05
ISSUE
–A
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
9.80 10.00
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
6.20
5.80
0.50
0.25
英寸
最大
0.386 0.393
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0.229 0.244
0.010 0.019
–B
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
F
K
C
–T
座位
飞机
R
X 45°
M
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
J
T
B
S
A
S
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
六路D触发器与
公共时钟和复位
与LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT174A在引出线的LS174是相同的。此设备
用作电平转换器,用于连接的TTL或NMOS输出到高
高速CMOS输入。
此装置由六个D触发器与普通时钟和复位
输入。每个触发器中装入了一个低到高的时钟的过渡
输入。复位是异步的,低电平有效。
输出驱动能力: 10输入通道负载
TTL NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 178场效应管或44.5等效门
逻辑图
D0 3
D1 4
数据
输入
D2 6
D3 11
D4 13
14
D5
2 Q0
5
Q1
7 Q2
10 Q3
12 Q4
15
Q5
MC74HCT174A
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
1
16
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
订购信息
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXAD
塑料
SOIC
引脚分配
RESET
Q0
D0
D1
Q1
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
Q5
D5
D4
Q4
D3
Q3
时钟
同相
输出
D2
Q2
GND
CLOCK 9
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
RESET
L
H
H
H
H
功能表
输入
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
RESET 1
10/95
摩托罗拉公司1995年
设计标准
价值
44.5
1.5
单位
EA 。
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
0.005
W
pJ
0.0075
*相当于一个两输入与非门。
1
REV 6
L
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
注:关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
(电压参考GND)
推荐工作条件
MC74HCT174A
符号
VIN,VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
I
CC
TL
VOH
TR , TF
IIN
VOL
ICC
TA
VIH
VIL
IIN
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
储存温度
在静止空气中的功耗
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
DC输入电流,每个引脚
DC输出电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
输入上升和下降时间(图1 )
工作温度,所有封装类型
直流输入电压,输出电压
(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
额外的静态电源
当前
最大静态电源
电流(每包)
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
塑料DIP
SOIC封装
VIN = 2.4 V ,任何一个输入
VIN = VCC和GND ,其它输入
糊涂人= 0
A
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VCC或GND
VOUT = 0.1或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
v
v
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
4.5
价值
0
0
±
50
±
25
±
20
260
750
500
+ 125
VCC
最大
500
5.5
VCC
V
5.5
5.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
±
0.1
0.26
3.98
4.0
0.1
0.1
4.4
5.4
0.8
0.8
2.0
2.0
– 55
_
C
2.9
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
1.0
85
_
C
0.33
3.84
0.1
0.1
4.4
5.4
0.8
0.8
2.0
2.0
40
25
_
C至125
_
C
v
2.4
125
_
C
±
1.0
3.70
160
0.4
0.1
0.1
4.4
5.4
0.8
0.8
2.0
2.0
v
单位
mA
A
A
V
V
V
V
*用于确定无负载的动态功耗: PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑,见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
AC电气特性
( VCC = 5.0 V
±
10 % , CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
符号
tPLH的,
的TPH1
tTLH ,
TTHL
FMAX
的TPH1
CIN
最大输入电容
最大输出转换时间,任何输出
(图1和4 )
最大传输延迟,复位到Q
(图2和4)
最大传输延迟,时钟到Q
(图1和4 )
最大时钟频率( 50 %占空比)
参数
- 55
25
_
C
10
15
23
24
30
保证限额
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
TR , TF
TREC
TSU
CPD
tw
tw
th
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度,复位
最小脉冲宽度,时钟
最小恢复时间,复位无效到时钟
最小保持时间,时钟到数据
最小建立时间,数据时钟
参数
时序要求
( VCC = 5.0 V
±
10 % , CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
功率耗散电容(每启用输出) *
3
图。
1
2
1
2
3
3
- 55 25
_
C
5.0
5.0
15
15
10
最大
500
典型的25°C , VCC = 5.0 V
保证限额
6.0
6.0
19
19
13
v
85
_
C
v
85
_
C
最大
500
10
19
28
30
24
79
8.0
8.0
22
22
15
v
125
_
C
MC74HCT174A
v
125
_
C
10
22
35
36
20
最大
500
摩托罗拉
兆赫
单位
单位
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HCT174A
开关波形
tr
2.7 V
1.3 V
0.3 V
tw
1/fmax
TPLH
Q
90%
1.3 V
10%
tTLH
TTHL
的TPH1
Q
tf
VCC
GND
RESET
的TPH1
1.3 V
TREC
时钟
1.3 V
GND
tw
1.3 V
GND
时钟
3.0 V
3.0 V
图1 。
图2中。
测试点
有效
3.0 V
数据
1.3 V
GND
TSU
时钟
th
3.0 V
1.3 V
GND
*包括所有探测和夹具电容
设备
TEST
产量
CL *
网络连接gure 3 。
图4.测试电路
膨胀逻辑图
时钟
D0
RESET
9
3
1
C
D1
4
D
R
C
D2
6
D
Q
R
C
D3 11
D
R
C
D4
13
D
R
C
D5 14
D
Q
R
D
C
Q
R
2
Q0
Q
5 Q1
7
Q2
Q
10
Q3
Q
12
Q4
15 Q5
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC74HCT174A
外形尺寸
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
ISSUE
B
1
8
–A
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
MILLIMETERS
最大
最大
0.740 0.770 18.80 19.55
6.35
0.250 0.270
6.85
3.69
0.145 0.175
4.44
0.39
0.015 0.021
0.53
1.02
0.040 0.070
1.77
0.100 BSC
2.54 BSC
0.050 BSC
1.27 BSC
0.21
0.008 0.015
0.38
2.80
0.110 0.130
3.30
7.50
0.295 0.305
7.74
10°
10°
0.020 0.040
0.51
1.01
F
S
C
L
–T
H
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
J
T A
M
M
–A
16
9
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751B -05
ISSUE
–B
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
F
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
9.80 10.00
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
6.20
5.80
0.50
0.25
英寸
最大
0.386 0.393
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0.229 0.244
0.010 0.019
K
C
–T
座位
飞机
R
X 45°
M
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
J
T
B
S
A
S
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
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互联网:
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日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
CODELINE
5
*MC74HCT174A/D*
MC74HCT174A/D
摩托罗拉
摩托罗拉
半导体技术资料
六路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC174A在引出线的LS174是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻,
它们与LSTTL输出兼容。
此装置由六个D触发器与普通时钟和复位
输入。每个触发器中装入了一个低到高的时钟的过渡
输入。复位是异步的,低电平有效。
输出驱动能力: 10输入通道负载
TTL NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 162场效应管或40.5等效门
逻辑图
D0 3
D1 4
数据
输入
D2 6
D3 11
D4 13
14
D5
2 Q0
5
Q1
7 Q2
10 Q3
12 Q4
15
Q5
MC54/74HC174A
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
1
16
16
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXAD
陶瓷的
塑料
SOIC
同相
输出
引脚分配
RESET
Q0
D0
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
Q5
D5
D4
Q4
D3
Q3
时钟
CLOCK 9
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
D1
Q1
D2
Q2
GND
10/95
摩托罗拉公司1995年
设计标准
价值
40.5
1.5
5.0
单位
EA 。
ns
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
W
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
1
REV 6
RESET 1
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
H
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
L
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP : - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
(电压参考GND)
推荐工作条件
MC54/74HC174A
符号
VIN,VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR , TF
IIN
VOL
TA
VIH
VIL
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
(陶瓷DIP )
储存温度
功率消耗在静止空气中,塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
DC输入电流,每个引脚
DC输出电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
输入上升和下降时间(图1 )
工作温度,所有封装类型
直流输入电压,输出电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
|电流输出|
5.2毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
|电流输出|
5.2毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 1.5 VCC + 1.5
-0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
2.0
价值
0
0
0
0
±
50
±
25
±
20
260
300
750
500
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
v
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
v
单位
V
V
V
V
*用于确定无负载的动态功耗: PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑,见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
注意事项:
在伴随着高频率或高负荷的考虑,典型参数值1。信息可以在摩托罗拉的第2章中找到
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
2.总电源电流= ICC + SΔICC 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
符号
符号
TR , TF
TREC
TSU
tw
tw
th
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
FMAX
CPD
ICC
CIN
IIN
AC电气特性
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
DC电气特性
(电压参考GND)
时序要求
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度,复位
最小脉冲宽度,时钟
最小恢复时间,复位无效到时钟
最小保持时间,时钟到数据
最小建立时间,数据时钟
最大静态电源
电流(每包)
最大输入漏电流
功率耗散电容(每启用输出) *
最大输入电容
最大输出转换时间,任何输出
(图1和4 )
最大传输延迟,复位到Q
(图2和4)
最大传输延迟,时钟到Q
(图1和4 )
最大时钟频率( 50 %占空比)
(图1和4 )
参数
参数
参数
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
测试条件
图。
1
2
1
2
3
3
3
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55 25
_
C
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
50
10
9.0
75
15
13
75
15
13
VCC
V
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
6.0
1000
500
400
最大
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
保证限额
典型的25°C , VCC = 5.0 V
±
0.1
110
21
19
110
22
19
6.0
30
35
4.0
10
75
15
13
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
95
19
16
95
19
16
65
13
11
v
85
_
C
保证限额
保证限额
1000
500
400
最大
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
140
28
24
140
28
24
4.8
24
28
10
95
19
16
40
62
MC54/74HC174A
110
22
19
110
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
75
15
13
v
125
_
C
±
1.0
160
32
27
165
33
28
160
110
22
19
4.0
20
24
10
1000
500
400
最大
摩托罗拉
兆赫
单位
单位
单位
A
A
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC54/74HC174A
膨胀逻辑图
时钟
D0
RESET
9
3
1
C
D1
4
D
R
C
D2
6
D
Q
R
C
D3 11
D
R
C
D4
13
D
R
C
D5 14
D
Q
R
D
C
Q
R
2
Q0
Q
5 Q1
7
Q2
Q
10
Q3
Q
12
Q4
15 Q5
开关波形
tr
90%
50%
10%
tw
1/fmax
TPLH
Q
90%
50%
10%
tTLH
TTHL
的TPH1
Q
TREC
50%
时钟
GND
VCC
tf
VCC
RESET
GND
的TPH1
tw
50%
时钟
VCC
GND
图1 。
图2中。
测试点
有效
VCC
数据
50%
GND
TSU
时钟
50%
GND
th
VCC
*包括所有探测和夹具电容
设备
TEST
产量
CL *
网络连接gure 3 。
图4.测试电路
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC174A
外形尺寸
–A
16
9
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
ISSUE V
–B
C
L
1
8
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4. DIM F可以收窄至0.76 ( 0.030 ),其中
领先进入陶瓷体。
英寸
最大
0.750 0.785
0.240 0.295
0.200
0.015 0.020
0.050 BSC
0.055 0.065
0.100 BSC
0.008 0.015
0.125 0.170
0.300 BSC
15°
0.020 0.040
MILLIMETERS
最大
19.05 19.93
6.10
7.49
5.08
0.39
0.50
1.27 BSC
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
15°
1.01
0.51
–T
座位
飞机
N
E
F
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
K
M
J
16 PL
0.25 (0.010)
M
T B
S
T A
S
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
J
K
L
M
N
–A
16
9
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
ISSUE
B
1
8
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
MILLIMETERS
最大
最大
0.740 0.770 18.80 19.55
6.35
0.250 0.270
6.85
3.69
0.145 0.175
4.44
0.39
0.015 0.021
0.53
1.02
0.040 0.070
1.77
0.100 BSC
2.54 BSC
0.050 BSC
1.27 BSC
0.21
0.008 0.015
0.38
2.80
0.110 0.130
3.30
7.50
0.295 0.305
7.74
10°
10°
0.020 0.040
0.51
1.01
F
S
C
L
–T
H
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
J
T A
M
M
–A
16
9
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751B -05
ISSUE
–B
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
F
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
9.80 10.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
最大
0.386 0.393
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0.229 0.244
0.010 0.019
K
C
–T
座位
飞机
R
X 45°
M
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
J
T
B
S
A
S
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
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