MC74HC174A
六路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
该MC74HC174A在引出线的LS174是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
此装置由六个D触发器与普通时钟和
复位输入。每个触发器中装入了一个低到高的过渡
时钟输入。复位是异步的，低电平有效。
特点
16
1
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记号
图表
16
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC174A
ALYWG
HC
174A
ALYWG
G
HC174AG
AWLYWW
MC74HC174AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 162场效应管或40.5等效门
无铅包可用*
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年12月 - 10牧师
出版订单号：
MC74HC174A/D
MC74HC174A
D0
RESET
Q0
D0
D1
Q1
D2
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Q5
D5
D4
Q4
D3
Q3
时钟
RESET
1
数据
输入
D1
D2
D3
D4
D5
时钟
3
4
6
11
13
14
9
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
2
5
7
10
12
15
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
同相
输出
图1.引脚分配
图2.逻辑图
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
H
L
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
设计/值表
设计标准
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
*相当于一个两输入与非门。
价值
40.5
1.5
5.0
0.0075
单位
EA 。
ns
mW
pJ
订购信息
设备
MC74HC174AN
MC74HC174ANG
MC74HC174AD
MC74HC174ADG
MC74HC174ADR2
MC74HC174ADR2G
MC74HC174ADTR2
MC74HC174ADTR2G
MC74HC174AFEL
MC74HC174AFELG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2000个/卷
2000个/卷
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC174A
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
PDIP
SOIC
TSSOP
PDIP
SOIC
TSSOP
PDIP ， SOIC ， TSSOP
参数
（参考GND）
（参考GND）
（参考GND） （注1 ）
价值
*0.5
to
)7.0
*1.5
到V
CC
)1.5
*0.5
到V
CC
)0.5
$20
$25
$50
*65
to
)150
260
)150
78
112
148
750
500
450
LEVEL 1
氧指数： 30 ％ - 35 ％
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在85_C （注5 ）
符合UL 94 V -0 @ 0.125英寸
u2000
u100
u500
$300
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中的85_C
mW
MSL
F
R
V
ESD
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
I
闭锁
闭锁性能
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. I
O
绝对最大额定值必须遵守。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
6.对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
推荐工作条件
符号
V
CC
直流电源电压
参数
（参考GND）
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
V
IN
,
V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压
（参考GND ） （注7 ）
V
CC
工作温度，所有封装类型
*55
0
0
0
0
)125
1000
700
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
时钟输入上升和下降时间（图4 ）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
7.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高或低逻辑输入电压电平。
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3
MC74HC174A
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
*55_C
至25℃
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v85_C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v125_C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.33
0.33
I
IN
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
IN
= V
CC
或GND
$0.1
4.0
$1.0
40
$1.0
160
mA
mA
I
CC
V
IN
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
在典型的参数值8.信息，连同高频或高负荷的考虑，可以在半导体中
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
f
最大
参数
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图4和7 ）
最大传输延迟，时钟到Q
（图5和7 ）
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
保证限额
*55_C
至25℃
6.0
30
35
v85_C
4.8
24
28
v125_C
4.0
20
24
单位
兆赫
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
TLH
t
THL
C
in
110
22
19
110
21
19
75
15
13
10
140
28
24
140
28
24
95
19
16
10
165
33
28
160
32
27
110
22
19
10
ns
最大传输延迟，复位到Q
（图2和7）
ns
最大输出转换时间，任何输出
（图4和7 ）
最大输入电容
ns
pF
9.传播延迟与典型参数值负载以外50 pF的，而信息，请参见安森美半导体高速
CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
62
C
PD
功率耗散电容，每启用输出
（注10 ）
pF
10.用于确定在无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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4
MC74HC174A
六路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
该MC74HC174A在引出线的LS174是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
此装置由六个D触发器与普通时钟和
复位输入。每个触发器中装入了一个低到高的过渡
时钟输入。复位是异步的，低电平有效。
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
输出驱动能力： 10输入通道负载
TTL NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 162场效应管或40.5等效门
逻辑图
D0 3
D1 4
数据
输入
D2 6
D3 11
D4 13
14
D5
CLOCK 9
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
RESET 1
2 Q0
5
Q1
7 Q2
10 Q3
12 Q4
15
Q5
PDIP–16
SUF科幻X
CASE 648
MC74HC174AN
AWLYYWW
1
16
16
1
SO–16
后缀
CASE 751B
1
A
WL
YY
WW
HC174A
AWLYWW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
同相
输出
引脚分配
RESET
Q0
D0
D1
Q1
D2
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
Q5
D5
D4
Q4
D3
Q3
时钟
功能表
输入
RESET
L
H
H
H
H
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
价值
40.5
1.5
5.0
单位
EA 。
ns
L
订购信息
设备
MC74HC174AN
MC74HC174AD
MC74HC174ADR2
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
航运
2000 /箱
48 /铁
2500 /卷
半导体元件工业有限责任公司， 2000
2000年3月 - 启示录7
设计标准
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
W
pJ
.0075
*相当于一个两输入与非门。
1
出版订单号：
MC74HC174A/D
MC74HC174A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 1.5 VCC + 1.5
-0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
塑料DIP
SOIC封装
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
_
C
_
C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
v
v
V
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
|电流输出|
5.2毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
4.0毫安
|电流输出|
5.2毫安
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
V
0.26
0.26
0.33
0.33
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2
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注意事项：
在伴随着高频率或高负荷的考虑，典型参数值1。信息可以在ON的第2章被发现
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
2.总电源电流= ICC + SΔICC 。
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
ICC
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏电流
参数
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
测试条件
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
符号
TR ， TF
TREC
TSU
tw
tw
th
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
FMAX
CPD
CIN
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，复位
最小脉冲宽度，时钟
最小恢复时间，复位无效到
时钟
最小保持时间，时钟到数据
最小建立时间，数据时钟
功率耗散电容（每启用输出） *
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
最大传输延迟，复位到Q
（图2和4）
最大传输延迟，时钟到Q
（图1和4 ）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
参数
参数
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图。
1
2
1
2
3
3
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
MC74HC174A
3
- 55 25
_
C
民
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
50
10
9.0
75
15
13
75
15
13
VCC
V
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
6.0
1000
500
400
最大
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
保证限额
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
±
0.1
110
21
19
110
22
19
6.0
30
35
4.0
10
75
15
13
民
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
95
19
16
95
19
16
65
13
11
v
85
_
C
保证限额
保证限额
1000
500
400
最大
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
140
28
24
140
28
24
4.8
24
28
10
95
19
16
40
62
民
110
22
19
110
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
75
15
13
v
125
_
C
±
1.0
160
32
27
165
33
28
160
110
22
19
4.0
20
24
10
1000
500
400
最大
兆赫
单位
单位
单位
A
A
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HC174A
包装尺寸
PDIP–16
SUF科幻X
CASE 648-08
ISSUE
–A
–
16
9
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
0.740 0.770 18.80 19.55
0.250 0.270
6.85
6.35
0.145 0.175
4.44
3.69
0.015 0.021
0.53
0.39
0.040 0.070
1.77
1.02
0.100 BSC
2.54 BSC
0.050 BSC
1.27 BSC
0.008 0.015
0.38
0.21
0.110 0.130
3.30
2.80
0.295 0.305
7.74
7.50
10°
0°
10°
0°
0.020 0.040
1.01
0.51
B
1
8
F
S
C
L
–T
–
H
G
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
J
T A
M
M
SOIC–16
后缀
CASE 751B -05
ISSUE
–A
–
16
9
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
9.80 10.00
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
7°
0°
6.20
5.80
0.50
0.25
英寸
民
最大
0.386 0.393
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0°
7°
0.229 0.244
0.010 0.019
–B
–
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
F
K
C
–T
座位
–
飞机
R
X 45°
M
D
16 PL
0.25 (0.010)
M
J
T
B
S
A
S
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5
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