MC74HC165A
8位串行或
并行输入/
串行输出移位寄存器
高性能硅栅CMOS
http://onsemi.com
该MC74HC165A在引出线的LS165是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该装置是一个8位的移位寄存器具有互补的输出端
从最后阶段。数据可以被加载到在寄存器
并行或串行形式。当串行移位/并行加载输入
低时，数据被异步加载并联。当串行
移位/并行加载输入为高时，数据被串行地加载到
无论是上升的时钟或时钟禁止的边缘（见功能表） 。
在二输入NOR时钟可以通过组合两个来使用，也可以
独立的时钟源，或通过指定的时钟输入中的一个，以
作为时钟禁止。
特点
记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC165A
ALYWG
HC
165A
ALYWG
G
HC165AG
AWLYWW
MC74HC165AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 286场效应管或71.5等效门
无铅包可用*
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 修订版5
出版订单号：
MC74HC165A/D
MC74HC165A
A
串行移位/
并行加载
时钟
E
F
G
H
Q
H
GND
B
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
禁止时钟
D
C
B
A
S
A
Q
H
并行
数据
输入
C
11
12
13
9
7
Q
H
Q
H
串行
数据
输出
D 14
E 3
F 4
G 5
图1.引脚分配
H 6
串行
S
A
10
数据
输入
串行移位/ 1
并行加载
钟2
禁止时钟
15
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
图2.逻辑图
功能表
串行移位/
并行加载
L
H
H
H
H
H
H
H
输入
时钟
抑制
时钟
X
X
L
L
L
L
X
H
L
X =无关
H
X
L
内部阶段
S
A
X
L
H
L
H
X
X
X
A-H
a
…
h
X
X
X
X
X
X
X
Q
A
a
L
H
L
H
Q
B
b
Q
An
Q
An
Q
An
Q
An
没有变化
没有变化
产量
Q
H
h
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
手术
异步并行加载
通过时钟串行移位
通过时钟禁止串行移位
抑制时钟
无时钟
Q
An
Q
Gn
=数据从前面级移位
订购信息
设备
MC74HC165AN
MC74HC165ANG
MC74HC165AD
MC74HC165ADG
MC74HC165ADR2
MC74HC165ADR2G
MC74HC165ADTR2
MC74HC165ADTR2G
MC74HC165AF
MC74HC165AFG
MC74HC165AFEL
MC74HC165AFELG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
50单位/铁
50单位/铁
2000个/卷
2000个/卷
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC165A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
- 55 25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.70
5.20
V
http://onsemi.com
3
MC74HC165A
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
V
OL
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
v
85_C
0.1
0.1
0.1
- 55 25_C
0.1
0.1
0.1
v
125_C
0.1
0.1
0.1
单位
V
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
I
in
最大输入漏
当前
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
±
0.1
4
±
1.0
40
±
1.0
160
mA
mA
I
CC
最大静态电源
电流（每包）
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
f
最大
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
v
85_C
4.8
17
24
28
- 55 25_C
6
18
30
35
v
125_C
4
15
20
24
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和8）的
兆赫
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，时钟（或时钟禁止），以Q
H
或Q
H
（图1和8）的
150
52
30
26
175
58
35
30
150
52
30
26
75
27
15
13
10
190
63
38
33
220
70
44
37
190
63
38
33
95
32
19
16
10
225
65
45
38
265
72
53
45
225
65
45
38
110
36
22
19
10
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，串行移位/并行加载到Q
H
或Q
H
（图2和8）的
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，输入H键Q
H
或Q
H
（图3和8 ）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和8）的
ns
C
in
最大输入电容
pF
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每包） *
40
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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4
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
t
r
, t
f
t
REC
t
su
t
su
t
su
t
su
t
w
t
w
t
h
t
h
t
h
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，串行移位/并行加载
（图2）
最小脉冲宽度，时钟（或时钟禁止）
（图1）
最小恢复时间，时钟到时钟禁止
（图7）
最小保持时间，时钟（或时钟禁止），以串行移位/并行加载
（图6）
最小保持时间，时钟（或时钟禁止）来输入SA
（图5）
最小保持时间，串行移位/并行加载到并行数据输入
（图4）
最小建立时间，时钟到时钟禁止
（图7）
最小建立时间，串行移位/并行加载到时钟（或时钟禁止）
（图6）
最小建立时间，输入SA时钟（或时钟禁止）
（图5）
最小建立时间，并行数据输入到串行移位/并行加载
（图4）
参数
http://onsemi.com
MC74HC165A
5
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55 25_C
1000
800
500
400
70
27
15
13
70
27
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
保证限额
v
85_C
1000
800
500
400
90
32
19
16
90
32
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
v
125_C
1000
800
500
400
100
36
22
19
100
36
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HC165A
8位串行或
并行输入/
串行输出移位寄存器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC165A在引出线的LS165是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该装置是一个8位的移位寄存器具有互补的输出端
从最后阶段。数据可以被加载到在寄存器
并行或串行形式。当串行移位/并行加载输入
低时，数据被异步加载并联。当串行
移位/并行加载输入为高时，数据被串行地加载到
无论是上升的时钟或时钟禁止的边缘（见功能表） 。
在二输入NOR时钟可以通过组合两个来使用，也可以
独立的时钟源，或通过指定的时钟输入中的一个，以
作为时钟禁止。
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
PDIP–16
SUF科幻X
CASE 648
MC74HC165AN
AWLYYWW
1
16
16
1
SO–16
后缀
CASE 751B
1
HC165A
AWLYWW
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 286场效应管或71.5等效门
16
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
HC
165A
ALYW
16
1
订购信息
设备
MC74HC165AN
MC74HC165AD
MC74HC165ADR2
MC74HC165ADT
MC74HC165ADTR2
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
TSSOP–16
TSSOP–16
航运
2000 /箱
48 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年7月 - 第4版
出版订单号：
MC74HC165A/D
MC74HC165A
最大额定值*
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
A
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
A
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
A
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.70
5.20
V
http://onsemi.com
3
MC74HC165A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
0.1
0.1
0.1
符号
V
OL
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
0.1
0.1
0.1
v
125_C
0.1
0.1
0.1
单位
V
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
A
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
I
in
最大输入漏
当前
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
A
±
0.1
4
±
1.0
40
±
1.0
160
A
A
I
CC
最大静态电源
电流（每包）
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
保证限额
v
85_C
4.8
17
24
28
符号
f
最大
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25_C
6
18
30
35
v
125_C
4
15
20
24
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和8）的
兆赫
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，时钟（或时钟禁止），以Q
H
或Q
H
（图1和8）的
150
52
30
26
175
58
35
30
150
52
30
26
75
27
15
13
10
190
63
38
33
220
70
44
37
190
63
38
33
95
32
19
16
10
225
65
45
38
265
72
53
45
225
65
45
38
110
36
22
19
10
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，串行移位/并行加载到Q
H
or
Q
H
（图2和8）的
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，输入H键Q
H
或Q
H
（图3和8 ）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和8）的
ns
C
in
最大输入电容
pF
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每包） *
2
f
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
40
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
+ I
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
http://onsemi.com
4
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
t
r
, t
f
t
REC
t
su
t
su
t
su
t
su
t
w
t
w
t
h
t
h
t
h
最小建立时间，串行移位/并行加载到时钟（或时钟
抑制）
（图6）
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，串行移位/并行加载
（图2）
最小脉冲宽度，时钟（或时钟禁止）
（图1）
最小恢复时间，时钟到时钟禁止
（图7）
最小保持时间，时钟（或时钟禁止），以串行移位/并行
负载
（图6）
最小保持时间，时钟（或时钟禁止）来输入SA
（图5）
最小保持时间，串行移位/并行加载到并行数据输入
（图4）
最小建立时间，时钟到时钟禁止
（图7）
最小建立时间，输入SA时钟（或时钟禁止）
（图5）
最小建立时间，并行数据输入到串行移位/并行加载
（图4）
参数
http://onsemi.com
MC74HC165A
5
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
1000
800
500
400
70
27
15
13
70
27
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
保证限额
v
85_C
1000
800
500
400
90
32
19
16
90
32
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
v
125_C
1000
800
500
400
100
36
22
19
100
36
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
摩托罗拉
半导体技术资料
产品预览
8位串行或并行输入/
串行输出移位寄存器
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC165A在引出线的LS165是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
该装置是一个8位的移位寄存器，从所述互补输出
最后阶段。数据可以被加载到寄存器或者以并行或串行
形式。当串行移位/并行加载输入为低电平时，数据被加载
异步并行。当串行移位/并行加载输入为高电平，
数据被串行地装载在任一时钟或时钟禁止的上升沿
（见功能表） 。
在二输入NOR时钟可以通过组合两个独立的使用，也可以
时钟源或通过指定的时钟输入中的一个，作为一个时钟
抑制。
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 286场效应管或71.5等效门
逻辑图
A
B
并行
数据
输入
C
11
12
13
9
7
QH
QH
串行
数据
输出
MC54/74HC165A
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
1
16
16
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
16
1
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948F -01
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXAD
MC74HCXXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
引脚分配
串行移位/
并行加载
时钟
E
F
G
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
H
QH
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
禁止时钟
D
C
B
A
SA
QH
D 14
E 3
F 4
G 5
H 6
串行
SA 10
数据
输入
串行移位/ 1
并行加载
钟2
禁止时钟
15
功能表
串行移位/
并行加载
L
H
H
H
H
H
H
H
X =无关
L
L
X
H
L
H
X
L
输入
时钟
抑制
时钟
X
X
L
L
内部阶段
SA
X
L
H
L
H
X
X
X
A-H
a
…
h
X
X
X
X
X
X
X
QA
a
L
H
L
H
QB
b
QAN
QAN
QAN
QAN
没有变化
没有变化
产量
QH
h
QGN
QGN
QGN
QGN
手术
异步并行加载
通过时钟串行移位
通过时钟禁止串行移位
抑制时钟
无时钟
QAN - QGN =数据从所述前级移
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉公司保留随时更改或向右
终止本产品，恕不另行通知。
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 0
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HC165A
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
TA
VIH
VIL
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 3.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
2.0
价值
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0
0
0
0
±
50
±
25
±
20
260
300
750
500
450
+ 125
1000
600
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
0.5
0.9
1.35
1.80
1.5
2.1
3.15
4.2
2.48
3.98
5.48
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
0.5
0.9
1.35
1.80
1.5
2.1
3.15
4.2
2.34
3.84
5.34
1.9
4.4
5.9
v
0.5
0.9
1.35
1.80
1.5
2.1
3.15
4.2
2.20
3.70
5.20
1.9
4.4
5.9
v
单位
V
V
V
V
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
符号
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
VOL
FMAX
CPD
ICC
CIN
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
功率耗散电容（每包） *
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和8）的
最大传输延迟，输入H至QH或QH
（图3和8 ）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和8）的
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
最大传输延迟，串行移位/并行加载到QH或QH
（图2和8）的
最大传输延迟，时钟（或时钟禁止），以QH或QH
（图1和8）的
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
测试条件
3
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
±
0.1
0.26
0.26
0.26
110
36
22
19
110
36
22
19
0.1
0.1
0.1
10
75
27
15
13
85
57
25
19
10
15
30
50
4
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
0.33
0.33
0.33
125
45
26
23
125
45
26
23
0.1
0.1
0.1
9
14
28
45
10
95
32
19
16
96
63
29
23
40
40
MC54/74HC165A
±
1.0
0.40
0.40
0.40
160
60
32
28
106
71
32
27
160
60
32
28
160
110
36
22
19
0.1
0.1
0.1
8
12
25
40
10
摩托罗拉
兆赫
单位
单位
A
A
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
摩托罗拉
时序要求
（输入TR = TF = 6纳秒）
MC54/74HC165A
符号
TREC
TR ， TF
TSU
TSU
TSU
TSU
tw
tw
th
th
th
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，串行移位/并行加载
（图2）
最小脉冲宽度，时钟（或时钟禁止）
（图1）
最小恢复时间，时钟到时钟禁止
（图7）
最小保持时间，时钟（或时钟禁止），以串行移位/并行加载
（图6）
最小保持时间，时钟（或时钟禁止）来输入SA
（图5）
最小保持时间，串行移位/并行加载到并行数据输入
（图4）
最小建立时间，时钟到时钟禁止
（图7）
最小建立时间，串行移位/并行加载到时钟（或时钟禁止）
（图6）
最小建立时间，输入SA时钟（或时钟禁止）
（图5）
最小建立时间，并行数据输入到串行移位/并行加载
（图4）
参数
4
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1000
800
500
400
70
27
15
13
70
27
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
保证限额
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
v
85
_
C
v
125
_
C
1000
800
500
400
90
32
19
16
90
32
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1000
800
500
400
100
36
22
19
100
36
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC54/74HC165A
引脚说明
输入
A，B ， C，D ， E，F ， G，H （引脚11 ， 12 ， 13 ， 14 ， 3 ， 4 ， 5 ， 6 ）
并行数据输入。在这些输入数据asynchro-
并联nously进入内部触发器时
串行移位/并行加载输入为低。
SA （引脚10 ）
串行数据输入。当串行移位/并行加载输入
高，在这个引脚的数据串行进入第一阶段
该移位寄存器的时钟的上升沿。
控制输入
串行移位/并行加载（引脚1 ）
数据输入控制输入。当一个高电平被施加到
该引脚，在串行数据输入（ SA ）的数据移入
寄存器与时钟的上升沿。当一个低电平
适用于该引脚，在并行数据输入数据
异步加载到每个八个内部阶段。
时钟，时钟禁止（引脚2 ， 15 ）
时钟输入。这两个时钟输入功能相同。
任可以用作高有效时钟禁止。不过，
为避免双重时钟时，禁止输入应该只有高走
而时钟输入为高。
移位寄存器是完全静态的，允许时钟频率
低至DC以连续或间歇模式。
输出
QH ， QH （引脚9,7 ）
互补的移位寄存器输出。这些引脚
的第八阶段的同相和反相输出
移位寄存器。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
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