MC74HC165A
8位串行或
并行输入/
串行输出移位寄存器
高性能硅栅CMOS
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该MC74HC165A在引出线的LS165是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该装置是一个8位的移位寄存器具有互补的输出端
从最后阶段。数据可以被加载到在寄存器
并行或串行形式。当串行移位/并行加载输入
低时，数据被异步加载并联。当串行
移位/并行加载输入为高时，数据被串行地加载到
无论是上升的时钟或时钟禁止的边缘（见功能表） 。
在二输入NOR时钟可以通过组合两个来使用，也可以
独立的时钟源，或通过指定的时钟输入中的一个，以
作为时钟禁止。
特点
记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC165A
ALYWG
HC
165A
ALYWG
G
HC165AG
AWLYWW
MC74HC165AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 286场效应管或71.5等效门
无铅包可用*
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 修订版5
出版订单号：
MC74HC165A/D
MC74HC165A
A
串行移位/
并行加载
时钟
E
F
G
H
Q
H
GND
B
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
禁止时钟
D
C
B
A
S
A
Q
H
并行
数据
输入
C
11
12
13
9
7
Q
H
Q
H
串行
数据
输出
D 14
E 3
F 4
G 5
图1.引脚分配
H 6
串行
S
A
10
数据
输入
串行移位/ 1
并行加载
钟2
禁止时钟
15
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
图2.逻辑图
功能表
串行移位/
并行加载
L
H
H
H
H
H
H
H
输入
时钟
抑制
时钟
X
X
L
L
L
L
X
H
L
X =无关
H
X
L
内部阶段
S
A
X
L
H
L
H
X
X
X
A-H
a
…
h
X
X
X
X
X
X
X
Q
A
a
L
H
L
H
Q
B
b
Q
An
Q
An
Q
An
Q
An
没有变化
没有变化
产量
Q
H
h
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
手术
异步并行加载
通过时钟串行移位
通过时钟禁止串行移位
抑制时钟
无时钟
Q
An
Q
Gn
=数据从前面级移位
订购信息
设备
MC74HC165AN
MC74HC165ANG
MC74HC165AD
MC74HC165ADG
MC74HC165ADR2
MC74HC165ADR2G
MC74HC165ADTR2
MC74HC165ADTR2G
MC74HC165AF
MC74HC165AFG
MC74HC165AFEL
MC74HC165AFELG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
50单位/铁
50单位/铁
2000个/卷
2000个/卷
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC165A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
- 55 25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.70
5.20
V
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3
MC74HC165A
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
V
OL
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
v
85_C
0.1
0.1
0.1
- 55 25_C
0.1
0.1
0.1
v
125_C
0.1
0.1
0.1
单位
V
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
I
in
最大输入漏
当前
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
±
0.1
4
±
1.0
40
±
1.0
160
mA
mA
I
CC
最大静态电源
电流（每包）
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
f
最大
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
v
85_C
4.8
17
24
28
- 55 25_C
6
18
30
35
v
125_C
4
15
20
24
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和8）的
兆赫
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，时钟（或时钟禁止），以Q
H
或Q
H
（图1和8）的
150
52
30
26
175
58
35
30
150
52
30
26
75
27
15
13
10
190
63
38
33
220
70
44
37
190
63
38
33
95
32
19
16
10
225
65
45
38
265
72
53
45
225
65
45
38
110
36
22
19
10
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，串行移位/并行加载到Q
H
或Q
H
（图2和8）的
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，输入H键Q
H
或Q
H
（图3和8 ）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和8）的
ns
C
in
最大输入电容
pF
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每包） *
40
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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4
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
t
r
, t
f
t
REC
t
su
t
su
t
su
t
su
t
w
t
w
t
h
t
h
t
h
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，串行移位/并行加载
（图2）
最小脉冲宽度，时钟（或时钟禁止）
（图1）
最小恢复时间，时钟到时钟禁止
（图7）
最小保持时间，时钟（或时钟禁止），以串行移位/并行加载
（图6）
最小保持时间，时钟（或时钟禁止）来输入SA
（图5）
最小保持时间，串行移位/并行加载到并行数据输入
（图4）
最小建立时间，时钟到时钟禁止
（图7）
最小建立时间，串行移位/并行加载到时钟（或时钟禁止）
（图6）
最小建立时间，输入SA时钟（或时钟禁止）
（图5）
最小建立时间，并行数据输入到串行移位/并行加载
（图4）
参数
http://onsemi.com
MC74HC165A
5
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55 25_C
1000
800
500
400
70
27
15
13
70
27
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
75
30
15
13
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
保证限额
v
85_C
1000
800
500
400
90
32
19
16
90
32
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
95
40
19
16
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
v
125_C
1000
800
500
400
100
36
22
19
100
36
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
110
55
22
19
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
QQ：2880707522 复制
