MC74HC164A
8位串行输入/并联
输出移位寄存器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC164A在引出线的LS164是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该MC74HC164A是一个8位，串行输入到并行输出移位
注册。两个串行数据输入端，A1和A2中，提供了这样一个
输入可以被用作一个数据使能。数据被输入的每个上升沿
时钟。低电平有效的异步复位覆盖时钟
和串行数据输入端。
特点
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记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
MC74HC164AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 V至6.0 V
低输入电流： 1
m
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 244场效应管或61个等效门
无铅包可用
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HC164AG
AWLYWW
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HC
164A
ALYWG
G
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
74HC164A
ALYWG
14
1
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
第4版
1
出版订单号：
MC74HC164A/D
MC74HC164A
引脚分配
A1
A2
Q
A
Q
B
Q
C
Q
D
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
Q
H
Q
G
Q
F
Q
E
RESET
时钟
时钟
8
串行
数据
输入
A1
A2
1
2
数据
逻辑图
3
4
5
6
10
11
12
13
9
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
Q
A
Q
B
Q
C
Q
D
Q
E
Q
F
Q
G
Q
H
并行
数据
输出
RESET
功能表
输入
输出
…
Q
H
复位时钟A1 A2 Q
A
Q
B
L
X
X
X
L
L
…
L
H
X
X
没有变化
H
H
D
Q
An
…
Q
Gn
H
D
H
Q
An
…
Q
Gn
D =数据输入
Q
An
Q
Gn
=数据从前面移
舞台上的一个上升沿的时钟输入。
订购信息
设备
MC74HC164AN
MC74HC164ANG
MC74HC164AD
MC74HC164ADG
MC74HC164ADR2
MC74HC164ADR2G
MC74HC164ADTR2
MC74HC164ADTR2G
MC74HC164AFEL
MC74HC164AFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC164A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响DE-
副可靠性。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
推荐工作条件
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
55_C
to
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.70
5.20
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3
MC74HC164A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
0.1
0.1
0.1
符号
V
OL
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
55_C
to
25_C
0.1
0.1
0.1
v
125_C
0.1
0.1
0.1
单位
V
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
4
0.33
0.33
0.33
40
0.40
0.40
0.40
160
I
in
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
±
0.1
±
1.0
±
1.0
mA
mA
I
CC
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
v
85_C
10
20
35
45
符号
f
最大
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
55_C
to
25_C
10
20
40
50
v
125_C
10
20
30
40
单位
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和4 ）
兆赫
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，时钟到Q
（图1和4 ）
160
100
32
27
175
100
35
30
75
27
15
13
10
200
150
40
34
220
150
44
37
95
32
19
16
10
250
200
48
42
260
200
53
45
110
36
22
19
10
ns
t
PHL
最大传输延迟，复位到Q
（图2和4）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每包） *
180
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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4
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
t
r
, t
f
t
REC
t
su
t
w
t
w
t
h
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，复位
（图2）
最小脉冲宽度，时钟
（图1）
最小恢复时间，复位无效到时钟
（图2）
最小保持时间，时钟到A1或A2
（图3）
最小建立时间， A1或A2到时钟
（图3）
参数
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MC74HC164A
5
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
55_C
to
25_C
1000
800
500
400
50
26
12
10
50
26
12
10
25
15
7
5
3
3
3
3
3
3
3
3
保证限额
v
85_C
1000
800
500
400
60
35
15
12
60
35
15
12
35
20
8
6
3
3
3
3
3
3
3
3
v
125_C
1000
800
500
400
75
45
20
15
75
45
20
15
40
25
9
6
3
3
3
3
3
3
3
3
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
QQ：2881677436 复制
