MC74HC157A
四2输入数据
选择器/多路复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC157A在引出线的LS157是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器,它们与LSTTL输出兼容。
该器件路线2半字节(A或B ),以单个端口( Y)为
通过选择输入确定。的数据出现在输出端
反的形式。高层次的输出使能输入设置四个
输出到一个较低的水平。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC157A
ALYWG
HC
157A
ALYWG
G
HC157AG
AWLYWW
MC74HC157AN
AWLYYWWG
输出驱动能力: 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 2.0 6.0 V
低输入电流: 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 82场效应管或20.5等效门
无铅包可用*
A
=大会地点
L, WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W, WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年6月 - 9牧师
出版订单号:
MC74HC157A/D
MC74HC157A
A0
轻咬
A输入
A1
A2
A3
B0
轻咬
B输入
B1
B2
B3
SELECT
产量
启用
2
5
11
14
3
6
10
13
1
15
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
4
7
9
12
Y0
Y1
Y2
Y3
数据
输出
SELECT
A0
B0
Y0
A1
B1
Y1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
产量
启用
A3
B3
Y3
A2
B2
Y2
图1.引脚分配
图2.逻辑图
功能表
输入
产量
启用
H
L
L
SELECT
X
L
H
输出
Y0 Y3
L
A0 A3
B0 B3
X =无关
A0 - A3 , B0 - B3 =的水平
相应的数据字的输入。
订购信息
设备
MC74HC157AN
MC74HC157ANG
MC74HC157AD
MC74HC157ADG
MC74HC157ADR2
MC74HC157ADR2G
MC74HC157ADTR2
MC74HC157ADTR2G
MC74HC157AFEL
MC74HC157AFELG
包
PDIP16
PDIP16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2000个/卷
2000个/卷
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC157A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流,每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中,
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP , SOIC和TSSOP封装)
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作,V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值(未正常工作条件下),并且
同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装: - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压
(参考GND)
V
in
, V
OUT
T
A
V
CC
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间
(图1)
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
(电压参考GND)
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
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3
MC74HC157A
DC电气特性
(电压参考GND)
保证限额
v
85_C
0.1
0.1
0.1
符号
V
OL
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
0.1
0.1
0.1
v
125_C
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
I
in
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流(每包)
V
in
= V
CC
或GND
±
0.1
±
0.5
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
mA
mA
I
OZ
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
I
CC
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
6.0
4.0
40
160
mA
注:关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
保证限额
v
85_C
130
85
26
22
140
90
28
24
125
80
25
21
95
32
19
16
10
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
105
65
21
18
110
70
22
19
v
125_C
160
115
32
27
165
115
33
28
150
110
30
26
110
36
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟,输入A或B到输出Y
(图1和4 )
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟,选择输出Y
(图2和4)
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟,输出使能到输出Y
(图3和4)
100
60
20
17
75
27
15
13
10
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间,任何输出
(图1和4 )
ns
C
in
最大输入电容
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
33
C
PD
功率耗散电容(每包) *
pF
*用于确定无负载的动态功耗:P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑,见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒)
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4
MC74HC157A
引脚说明
输入
A0,A1, A2,A3 (引脚2 , 5 ,11, 14)的
四位A输入。这两个引脚上的数据是目前
传送到输出,当选择输入是在低
级和输出使能输入是在一个较低的水平。数据
被呈现给在非反相的形式输出。
B0,B1 ,B2,B3 (引脚3 ,6,10 ,13)
这两个引脚上的数据目前是在其反的形式。为
输出使能输入处于高电平时,输出处于一个
低的水平。
控制输入
选择(引脚1 )
四位B输入端。这两个引脚上的数据是目前
传送到输出,当选择输入是在一个较高的
级和输出使能输入是在一个较低的水平。数据
被呈现给在非反相的形式输出。
输出
Y0,Y1 ,Y2,Y3 (管脚4,7 ,9,12 )
四位选择。此输入确定的数据字是
传送到输出。在此输入的低电平选择
在A输入高电平选择B输入。
输出使能(引脚15 )
输出使能输入。在此输入的低电平使
选定的输入数据被呈现在输出端。高
在此输入电平设置所有输出为低电平。
数据输出。选定的输入四位呈现在
这些输出时,输出使能输入是在一个较低的水平。
开关波形
t
r
输入A或B
t
PLH
输出y
t
TLH
90%
50%
10%
t
THL
90%
50%
10%
t
f
V
CC
t
PHL
GND
t
r
SELECT
t
PLH
输出y
t
TLH
90%
50%
10%
t
THL
90%
50%
10%
t
f
V
CC
t
PHL
GND
图3. HC157A
t
r
产量
启用
t
PHL
输出y
t
THL
90%
50%
10%
90%
50%
10%
图4. 与选择,非反相
t
f
V
CC
GND
t
PLH
t
TLH
图5. HC157A
测试点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
图6.测试电路
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5
MC74HC157A
四2输入数据
选择器/多路复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC157A在引出线的LS157是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器,它们与LSTTL输出兼容。
该器件路线2半字节(A或B ),以单个端口( Y)为
通过选择输入确定。的数据出现在输出端
反的形式。高层次的输出使能输入设置四个
输出到一个较低的水平。
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记号
图表
16
16
1
输出驱动能力: 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 2.0 6.0 V
低输入电流: 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 82场效应管或20.5等效门
逻辑图
A0
轻咬
A输入
A1
A2
A3
B0
轻咬
B输入
B1
B2
B3
2
5
11
14
3
6
10
13
1
15
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
4
7
9
12
Y0
Y1
Y2
Y3
数据
输出
PDIP–16
SUF科幻X
CASE 648
MC74HC157AN
AWLYYWW
1
16
16
1
SO–16
后缀
CASE 751B
1
HC157A
AWLYWW
16
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
HC
157A
ALYW
16
1
引脚分配
SELECT
A0
B0
Y0
A1
B1
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
产量
启用
A3
B3
Y3
A2
B2
Y2
SELECT
产量
启用
功能表
输入
产量
启用
H
L
L
SELECT
X
L
H
输出
Y0 – Y3
L
A0 – A3
B0 – B3
Y1
GND
订购信息
设备
MC74HC157AN
MC74HC157AD
MC74HC157ADR2
MC74HC157ADT
MC74HC157ADTR2
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
TSSOP–16
TSSOP–16
航运
2000 /箱
48 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
X =无关
A0 - A3 , B0 - B3 =的水平
相应的数据字的输入。
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年3月 - 修订版8
出版订单号:
MC74HC157A/D
MC74HC157A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流,每个引脚
ICC
PD
直流电源电流, VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中,
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP , SOIC和TSSOP封装)
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压
(参考GND)
VIN,VOUT
TA
VCC
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间
(图1)
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR , TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
(电压参考GND)
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VIN = VIH
V
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIL
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
http://onsemi.com
2
MC74HC157A
DC电气特性
(电压参考GND)
保证限额
符号
IIN
参数
测试条件
VCC
V
6.0
6.0
- 55
25
_
C
±
0.1
±
0.5
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
单位
A
A
最大输入漏
当前
最大的三态
漏电流
VIN = VCC或GND
IOZ
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
ICC
最大静态电源
电流(每包)
6.0
4.0
40
160
A
注:关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
保证限额
符号
tPLH的,
的TPH1
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
105
65
21
18
110
70
22
19
v
85
_
C
v
125
_
C
130
85
26
22
140
90
28
24
125
80
25
21
95
32
19
16
10
160
115
32
27
165
115
33
28
150
110
30
26
110
36
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟,输入A或B到输出Y
(图1和4 )
tPLH的,
的TPH1
最大传输延迟,选择输出Y
(图2和4)
ns
tPLH的,
的TPH1
最大传输延迟,输出使能到输出Y
(图3和4)
100
60
20
17
75
27
15
13
10
ns
tTLH ,
TTHL
最大输出转换时间,任何输出
(图1和4 )
ns
CIN
最大输入电容
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C , VCC = 5.0 V
33
CPD
功率耗散电容(每包) *
pF
*用于确定无负载的动态功耗: PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑,见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
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3
MC74HC157A
引脚说明
输入
A0,A1, A2,A3 (引脚2 , 5 ,11, 14)的
四位A输入。这两个引脚上的数据是目前
传送到输出,当选择输入是在低
级和输出使能输入是在一个较低的水平。数据
被呈现给在非反相的形式输出。
B0,B1 ,B2,B3 (引脚3 ,6,10 ,13)
这两个引脚上的数据目前是在其反的形式。为
输出使能输入处于高电平时,输出处于一个
低的水平。
控制输入
选择(引脚1 )
四位B输入端。这两个引脚上的数据是目前
传送到输出,当选择输入是在一个较高的
级和输出使能输入是在一个较低的水平。数据
被呈现给在非反相的形式输出。
输出
Y0,Y1 ,Y2,Y3 (管脚4,7 ,9,12 )
四位选择。此输入确定的数据字是
传送到输出。在此输入的低电平选择
在A输入高电平选择B输入。
输出使能(引脚15 )
输出使能输入。在此输入的低电平使
选定的输入数据被呈现在输出端。高
在此输入电平设置所有输出为低电平。
数据输出。选定的输入四位呈现在
这些输出时,输出使能输入是在一个较低的水平。
开关波形
tr
输入A或B
TPLH
输出y
tTLH
90%
50%
10%
TTHL
90%
50%
10%
的TPH1
tf
tr
VCC
SELECT
GND
TPLH
输出y
90%
50%
10%
tTLH
TTHL
90%
50%
10%
的TPH1
tf
VCC
GND
图1. HC157A
tr
产量
启用
的TPH1
输出y
TTHL
90%
50%
10%
90%
50%
10%
tf
图2. 与选择,非反相
VCC
GND
TPLH
tTLH
图3. HC157A
测试点
产量
设备
下
TEST
CL *
*包括所有探测和夹具电容
图4.测试电路
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