MC74HC14A
六角施密特触发器
逆变器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC14A是相同的引脚排列的LS14 ， LS04和
HC04 。该器件输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LSTTL兼容
输出。
该HC14A是有用的“方达”慢输入上升和下降时间。
由于施密特触发器的滞后电压，该HC14A发现
应用在噪声环境中。
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6V
低输入电流： 1μA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 60场效应管或15个等效门
逻辑图
A1
1
2
Y1
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HC14AN
AWLYYWW
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
HC
14A
ALYW
HC14A
AWLYWW
A2
3
4
Y2
A3
5
6
Y3
-A
功能表
输入
A
L
H
输出
Y
H
L
A4
9
8
Y4
14脚VCC =
PIN 7 = GND
A5
11
10
Y5
A6
13
12
Y6
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
VCC
14
A6
13
Y6
12
A5
11
Y5
10
A4
9
Y4
8
订购信息
设备
MC74HC14AN
MC74HC14AD
MC74HC14ADR2
MC74HC14ADT
MC74HC14ADTR2
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
TSSOP–14
航运
2000 /箱
55 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
1
A1
2
Y1
3
A2
4
Y2
5
A3
6
Y3
7
GND
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HC14A/D
MC74HC14A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
存储温度范围
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
VCC
工作温度范围，所有封装类型
输入的上升/下降时间
（图1）
– 55
0
0
0
+ 125
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
无限制*
无限制*
无限制*
*当VIN = 50 ％ VCC ， ICC > 1毫安
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2
MC74HC14A
DC特性
（电压参考GND）
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|电流输出|
≤
2.4mA
|电流输出|
≤
4.0mA
|电流输出|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|电流输出|
≤
2.4mA
|电流输出|
≤
4.0mA
|电流输出|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
-55 25℃
1.50
2.15
3.15
4.20
1.0
1.5
2.3
3.0
0.9
1.4
2.0
2.6
0.3
0.5
0.9
1.2
1.20
1.65
2.25
3.00
0.20
0.25
0.40
0.50
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
1.0
≤85°C
1.50
2.15
3.15
4.20
0.95
1.45
2.25
2.95
0.95
1.45
2.05
2.65
0.3
0.5
0.9
1.2
1.20
1.65
2.25
3.00
0.20
0.25
0.40
0.50
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
10
≤125°C
1.50
2.15
3.15
4.20
0.95
1.45
2.25
2.95
0.95
1.45
2.05
2.65
0.3
0.5
0.9
1.2
1.20
1.65
2.25
3.00
0.20
0.25
0.40
0.50
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
A
A
V
单位
V
符号
VT +最大
参数
最大正向输入
阈值电压
（图3）
最小正向输入
阈值电压
（图3）
最大负向输入
阈值电压
（图3）
最低负向输入
阈值电压
（图3）
最大电压滞后
（图3）
条件
VOUT = 0.1V
|电流输出|
≤
20A
VT +分
VOUT = 0.1V
|电流输出|
≤
20A
V
VT-最大
VOUT = VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
V
VT-分钟
VOUT = VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
V
VHmax
注2
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
V
VHmin
注2
最小的滞后电压
（图3）
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN
≤
VT-分钟
|电流输出|
≤
20A
VIN
≤
VT-分钟
V
VOL
最大低电平输出
电压
VIN
≥
VT +最大
|电流输出|
≤
20A
VIN
≥
VT +最大
IIN
ICC
最大输入漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0μA
在随频率或高负荷的考虑典型参数值1。信息可以在ON的第2章被发现
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
2. VHmin > （VT +分钟） - （ VT-最大值） ; VHmax = （V T +最大） - （ VT-分钟）。
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3
MC74HC14A
AC特性
（ CL = 50pF的，输入TR = TF =为6ns ）
符号
tPLH的，
的TPH1
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
75
30
15
13
75
27
15
13
10
≤85°C
95
40
19
16
95
32
19
16
10
≤125°C
110
55
22
19
110
36
22
19
10
单位
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
CIN
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
功率耗散电容（每变频器） *
22
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
tf
90%
50%
10%
TPLH
90%
输出y
50%
10%
tTLH
TTHL
的TPH1
tr
VCC
输入A
GND
图1.开关波形
TEST
点
产量
设备
下
TEST
CL *
*包括所有探测和夹具电容
图2.测试电路
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4
MC74HC14A
VT ，典型的输入阈值电压（伏
4
3
（ VT + ）
VHtyp
2
（ VT- ）
1
2
3
4
5
VCC ，电源电压（伏）
VHtyp = （ VT +典型值） - （ VT-典型值）
6
图3.典型的输入阈值， + VT ， VT-与电源电压
A
Y
（一）一个施密特触发器广场最多输入缓慢上升和下降时间
VH
VIN
VCC
VT +
VT-
GND
VOH
VOUT
VOL
VOUT
VIN
VH
（ b）一个施密特触发器提供了最大的噪声抗扰性
VCC
VT +
VT-
GND
VOH
VOL
图4.典型的施密特触发器的应用
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5
MC74HC14A
六角施密特触发器
逆变器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC14A是相同的引脚排列的LS14 ， LS04和
HC04 。该器件输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LSTTL兼容
输出。
该HC14A是有用的“方达”慢输入上升和下降时间。
由于施密特触发器的滞后电压，该HC14A发现
应用在噪声环境中。
特点
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记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
MC74HC14AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合7.0 JEDEC标准号一要求
芯片的复杂性： 60场效应管或15个等效门
无铅包可用
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HC14AG
AWLYWW
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HC
14A
ALYWG
G
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
74HC14A
ALYWG
14
1
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录11
1
出版订单号：
MC74HC14A/D
MC74HC14A
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
V
CC
14
A6
13
Y6
12
A5
11
Y5
10
A4
9
Y4
8
A1
逻辑图
1
2
Y1
A2
3
4
Y2
A3
1
A1
2
Y1
3
A2
4
Y2
5
A3
6
Y3
7
GND
A4
5
6
Y3
-A
9
8
Y4
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
A5
11
10
Y5
功能表
输入
A
L
H
输出
Y
H
L
A6
13
12
Y6
订购信息
设备
MC74HC14AN
MC74HC14ANG
MC74HC14AD
MC74HC14ADG
MC74HC14ADR2
MC74HC14ADR2G
MC74HC14ADT
MC74HC14ADTG
MC74HC14ADTR2
MC74HC14ADTR2G
MC74HC14AF
MC74HC14AFG
MC74HC14AFEL
MC74HC14AFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
SOEIAJ14*
SOEIAJ14*
50单位/铁
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
96单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC14A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
存储温度范围
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不im-
合股。长期暴露在压力高于推荐工作条件可自动对焦
FECT器件的可靠性。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
V
CC
工作温度范围，所有封装类型
输入的上升/下降时间
（图1）
– 55
0
0
0
+ 125
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
无限制*
无限制*
无限制*
*当V
in
= 50% V
CC
, I
CC
> 1毫安
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3
MC74HC14A
DC特性
（电压参考GND）
符号
V
T+
最大
参数
最大正向输入
阈值电压
（图3）
最小正向输入
阈值电压
（图3）
最大负向输入
阈值电压
（图3）
最低负向输入
阈值电压
（图3）
最大电压滞后
（图3）
条件
V
OUT
= 0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
55
至25℃
1.50
2.15
3.15
4.20
1.0
1.5
2.3
3.0
0.9
1.4
2.0
2.6
0.3
0.5
0.9
1.2
1.20
1.65
2.25
3.00
0.20
0.25
0.40
0.50
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
1.0
≤85°C
1.50
2.15
3.15
4.20
0.95
1.45
2.25
2.95
0.95
1.45
2.05
2.65
0.3
0.5
0.9
1.2
1.20
1.65
2.25
3.00
0.20
0.25
0.40
0.50
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
10
≤125°C
1.50
2.15
3.15
4.20
0.95
1.45
2.25
2.95
0.95
1.45
2.05
2.65
0.3
0.5
0.9
1.2
1.20
1.65
2.25
3.00
0.20
0.25
0.40
0.50
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
T+
民
V
OUT
= 0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
T
最大
V
OUT
= V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
T
民
V
OUT
= V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
H
最大
注2
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
H
民
注2
最小的滞后电压
（图3）
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
≤
V
T
民
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
≤
V
T
民
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
≥
V
T+
最大
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
≥
V
T+
最大
I
in
I
CC
最大输入漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
在随频率或高负荷的考虑典型参数值1。信息可以在ON的第2章被发现
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
2. V
H
分> （V
T+
分）
(V
T
最大） ; V
H
最大= （V
T+
MAX ）
(V
T
分钟）。
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4
MC74HC14A
AC特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
55
至25℃
75
30
15
13
75
27
15
13
10
≤85°C
95
40
19
16
95
32
19
16
10
≤125°C
110
55
22
19
110
36
22
19
10
单位
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每变频器） *
22
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
t
f
90%
50%
10%
t
PLH
90%
输出y
50%
10%
t
TLH
t
r
V
CC
输入A
GND
t
PHL
t
THL
图1.开关波形
TEST
点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
图2.测试电路
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