MC74HC139A
1 -的-4双解码器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC139A在引出线的LS139是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
此装置由1 -的-4两个独立的解码器，每一个的
该解码2位地址，以1对四低电平有效的输出。
提供低电平有效的选择，方便解复用和
级联功能。解复用功能是通过完成
使用该地址输入以选择所需的设备输出，并
利用该选择作为数据输入。
特点
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记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC139A
ALYWG
HC
139A
ALYWG
G
HC139AG
AWLYWW
MC74HC139AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 100场效应管或25个等效门
无铅包可用*
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 9牧师
出版订单号：
MC74HC139A/D
MC74HC139A
地址
输入
V
CC
SELECT
b
A0
b
A1
b
Y0
b
Y1
b
Y2
b
Y3
b
SELECT
a
地址
输入
A0
b
A1
b
1
14
13
12
11
10
9
A0
a
A1
a
2
3
4
5
6
7
Y0
a
Y1
a
Y2
a
Y3
a
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
Y0
b
Y1
b
Y2
b
Y3
b
ACTIVE -LOW
输出
ACTIVE -LOW
输出
SELECT
a
A0
a
A1
a
Y0
a
Y1
a
Y2
a
Y3
a
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
图1.引脚分配
SELECT
b
15
图2.逻辑图
功能表
输入
SELECT
H
L
L
L
L
A1
X
L
L
H
H
A0
X
L
H
L
H
Y0
H
L
H
H
H
输出
Y1 Y2
H
H
L
H
H
H
H
H
L
H
Y3
H
H
H
H
L
X =无关
订购信息
设备
MC74HC139AN
MC74HC139ANG
MC74HC139AD
MC74HC139ADG
MC74HC139ADR2
MC74HC139ADR2G
MC74HC139ADTR2
MC74HC139ADTR2G
MC74HC139AFEL
MC74HC139AFELG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
2000单位/箱
2000单位/箱
48单位/铁
48单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2000个/卷
2000个/卷
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC139A
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
针
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
PDIP
SOIC
TSSOP
PDIP
SOIC
TSSOP
参数
（参考GND）
（参考GND）
（参考GND） （注1 ）
价值
*0.5
to
)7.0
*1.5
到V
CC
)1.5
*0.5
到V
CC
$20
$25
$50
$50
*65
to
)150
260
)150
78
112
148
750
500
450
LEVEL 1
氧指数： 30 ％ - 35 ％
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在85_C （注5 ）
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
u1000
$300
V
)0.5
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中的85_C
mW
MSL
F
R
V
ESD
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
I
闭锁
闭锁性能
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. I
O
绝对最大额定值必须遵守。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
6.对于高频率或高负载事项，请参阅第一章2the安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
推荐工作条件
符号
V
CC
直流电源电压
参数
（参考GND）
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
V
IN
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
V
CC
工作温度，所有封装类型
*55
0
0
0
)125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
（图3）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
7.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
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3
MC74HC139A
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
*0.1
V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
*0.1
V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
*55_C
至25℃
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v85_C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v125_C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.33
0.33
0.40
0.40
I
IN
最大输入漏
当前
V
IN
= V
CC
或GND
$0.1
4
$1.0
40
$1.0
160
mA
mA
I
CC
最大静态电源
电流（每包）
V
IN
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
典型参数值8的信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
C
in
参数
最大传输延迟，选择输出Y
（图1和3）
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
保证限额
*55_C
至25℃
115
23
20
115
23
20
75
15
13
10
v85_C
145
29
25
145
29
25
95
19
16
10
v125_C
175
35
30
175
35
30
110
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图2和3）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大输入电容
ns
ns
pF
9.传播延迟与典型参数值负载以外50 pF的，而信息，请参见安森美半导体高速
CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
55
C
PD
功率耗散电容（每解码器） （注10 ）
pF
10.用于确定在无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
f
)
I
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
