MC74HC132A
四2输入与非门
带施密特触发器输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HC132A在引出线的LS132是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该HC132A可以用来增强抗噪声能力或方达
慢慢改变波形。
特点
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记号
图表
14
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
在符合要求的定义由JEDEC
标准号7A
芯片的复杂性： 72场效应管或18个等效门
无铅包可用
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
MC74HC132AN
AWLYYWWG
HC132AG
AWLYWW
14
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
HC
132A
ALYWG
G
1
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
A
=大会地点
L， WL =晶圆地段
Y， YY =年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
74HC132A
ALYWG
A1
B1
Y1
A2
B2
Y2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
图1.引脚分配
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
H
H
H
L
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年12月 - 12牧师
出版订单号：
MC74HC132A/D
MC74HC132A
A1
1
3
Y1
B1
A2
2
4
6
Y2
B2
A3
5
Y = AB
9
8
Y3
B3
10
A4 12
11
B4
13
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
Y4
图2.逻辑图
订购信息
设备
MC74HC132AN
MC74HC132ANG
MC74HC132AD
MC74HC132ADG
MC74HC132ADR2
MC74HC132ADR2G
MC74HC132ADT
MC74HC132ADTR2
MC74HC132ADTR2G
MC74HC132AFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
（无铅）
2500 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
96单位/铁
55单位/铁
25 /磁带&弹药盒
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC132A
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
正直流电源电压
数字输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
14PDIP
14SOIC
14TSSOP
PDIP
SOIC
TSSOP
输出三态
高电平或者低电平状态
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5
to
)7.0
*0.5
to
)7.0
*0.5
到V
CC
)0.5
*20
$20
$25
$75
$75
*65
to
)150
260
)150
78
125
170
750
500
450
LEVEL 1
氧指数： 30 ％ - 35 ％
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
带电器件模型（注3 ）
上述V
CC
及以下GND在85 ° C（注4 ）
UL 94 V0在0.125 @
u2000
u100
u500
$300
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中的85_C
mW
MSL
F
R
V
ESD
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
I
LATCH -UP
闭锁性能
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
3.经测试JESD22 - C101 -A 。
4.经测试EIA / JESD78 。
5.对于高频率或高负载事项，请参阅第一章2the安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
直流电源电压（参考GND）
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
V
IN
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图3 ）
V
CC
*55
)125
_C
ns
t
r
, t
f
无极限
（注6 ）
6.当V
IN
X
0.5 V
CC
, I
CC
>>静态电流。
7.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
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3
MC74HC132A
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
T+
最大
参数
最大正向
输入阈值电压
（图5）
最小正向
输入阈值电压
（图5）
测试条件
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
*55_C
至25℃
1.5
3.15
4.2
1.0
2.3
3.0
0.9
2.0
2.6
0.3
0.9
1.2
v85_C
1.5
3.15
4.2
0.95
2.25
2.95
0.95
2.05
2.65
0.3
0.9
1.2
v125_C
1.5
3.15
4.2
单位
V
V
T+
民
0.95
2.25
2.95
0.95
2.05
2.65
0.3
0.9
1.2
V
V
T–
最大
最大负向
输入阈值电压
（图5）
最低负向
输入阈值电压
（图5）
最大滞后
电压
（图5）
最小滞后
电压
（图5）
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
T–
民
V
V
H
最大
（注8）
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IN
v
V
T
MIN或V
T+
最大
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IN
v
1.2
2.25
3.0
0.2
0.4
0.5
1.9
4.4
5.9
1.2
2.25
3.0
0.2
0.4
0.5
1.9
4.4
5.9
1.2
2.25
3.0
0.2
0.4
0.5
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
H
民
（注8）
V
OH
V
最小高级别
输出电压
V
V
T
MIN或V
T+
最大
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
≥
V
T+
最大
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IN
≥
V
T+
最大
V
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.33
0.33
I
IN
最大输入漏
当前
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
$0.1
1.0
$1.0
10
$1.0
40
mA
mA
I
CC
8. V
H
民
u
(V
T+
分）
*
(V
T
最大） ; V
H
最大= （V
T+
MAX ）
)
(V
T
分钟）。
典型参数值9，信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
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4
MC74HC132A
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
V
CC
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
C
in
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图3和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图3和4）
最大输入电容
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
保证限额
*55_C
至25℃
125
25
21
75
15
13
10
v85_C
155
31
26
95
19
16
10
v125_C
190
38
32
110
22
19
10
单位
ns
ns
pF
10.传播延迟与典型参数值负载以外50 pF的，而信息，请参见安森美半导体高速
CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
24
C
PD
功率耗散电容（每门） （注11 ）
pF
11.用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
测试点
t
r
输入
A或B
Y
t
THL
90%
50%
10%
t
PHL
90%
50%
10%
t
TLH
*包括所有探测和夹具电容
t
PLH
t
f
V
CC
GND
设备
下
TEST
产量
C
L
*
图3.开关波形
图4.测试电路
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
