摩托罗拉
半导体技术资料
四三态
非反相缓冲器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC125A和MC74HC126A是相同的引脚排列的LS125
和LS126 。该器件输入与标准CMOS输出兼容;
与上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。
该HC125A和HC126A非反相缓冲器被设计成用于
具有三态存储器地址驱动器，时钟驱动器，以及其它面向总线的
系统。该装置具有四个独立的输出，可允许为低电平有效
（ HC125A ）或高电平（ HC126A ） 。
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 72场效应管或18个等效门
逻辑图
HC125A
低电平有效输出使能
2
1
5
4
6
3
MC74HC125A
MC74HC126A
SUF科幻X
14引脚塑料DIP封装
CASE 646-06
后缀
14引脚塑料SOIC封装
CASE 751A -03
HC126A
高电平有效使能输出
2
1
5
4
6
3
DT后缀
14引脚塑封TSSOP封装
CASE 948G -01
A1
OE1
Y1
A1
OE1
Y1
订购信息
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXAD
MC74HCXXXADT
塑料
SOIC
TSSOP
A2
OE2
Y2
A2
OE2
Y2
引脚分配
OE1
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
OE4
A4
Y4
OE3
A3
Y3
A3
OE3
9
10
12
13
8
Y3
A3
OE3
9
10
12
13
8
Y3
A1
Y1
OE2
A4
OE4
11
Y4
A4
OE4
11
A2
Y4
Y2
GND
14脚VCC =
PIN 7 = GND
功能表
HC125A
输入
A
H
L
X
OE
L
L
H
产量
Y
H
L
Z
A
H
L
X
HC126A
输入
OE
H
H
L
产量
Y
H
L
Z
4/97
摩托罗拉1997年公司
1
转8
MC74HC125A MC74HC126A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
IIN
VOUT
IOUT
PD
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
ICC
直流电源电流， VCC和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
_
C
_
C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
VCC
VIN，VOUT
TA
TR ， TF
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
VCC
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VIN = VIH
V
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
3.6毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
3.6毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIL
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC74HC125A MC74HC126A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
IIN
IOZ
参数
测试条件
VCC
V
6.0
6.0
- 55
25
_
C
±
0.1
±
0.5
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
单位
A
A
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
ICC
VIN = VCC或GND
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
6.0
4.0
40
160
A
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
保证限额
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
参数
P
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
—
- 55
25
_
C
90
36
18
15
v
85
_
C
v
125
_
C
115
45
23
20
135
60
27
23
180
80
36
31
135
60
27
23
90
34
18
15
10
15
单位
U I
ns
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和3）
tPLZ ，
tPHZ
最大传输延迟，输出使能为Y
（图2和4）
120
45
24
20
90
36
18
15
60
22
12
10
10
15
150
60
30
26
115
45
23
20
75
28
15
13
10
15
ns
tpZL ，
tpZH
最大传输延迟，输出使能为Y
（图2和4）
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
ns
CIN
最大输入电容
pF
pF
COUT
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
30
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容（P B FF） *
i
（每个缓冲区） *
pF
F
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC74HC125A MC74HC126A
外形尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
8
–A–
14
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
G
C
R
X 45°
F
座位
飞机
D
14 PL
K
M
M
B
S
J
0.25 (0.010)
T
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.75
8.55
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
7°
0°
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
7°
0°
0.228 0.244
0.010 0.019
SUF科幻X
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
MC74HC125A,
MC74HC126A
四路三态同相
缓冲器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC125A和MC74HC126A是相同的引脚排列
在LS125和LS126 。该器件输入与标准兼容
CMOS输出;与上拉电阻，它们与兼容
LSTTL输出。
该HC125A和HC126A非反相缓冲器被设计为
具有三态内存地址驱动器，时钟驱动器，和其他使用
面向总线的系统。该装置具有四个独立的输出使
是低电平有效（ HC125A ）或高电平（ HC126A ） 。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HC
12xA
ALYWG
G
HC12xAG
AWLYWW
MC74HC12xAN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7的要求
芯片的复杂性： 72场效应管或18个等效门
NLV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC -Q100
合格的，有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
x
A
L， WL
Y, YY
W, WW
G或
G
= 5, 6
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
五月， 2013
启示录14
1
出版订单号：
MC74HC125A/D
MC74HC125A ， MC74HC126A
引脚分配
OE1
A1
Y1
OE2
A2
Y2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
OE4
A4
Y4
OE3
A3
Y3
A2
OE2
A3
OE1
1
5
4
9
10
12
13
11
Y4
8
Y3
6
Y2
OE1
A2
OE2
A3
OE3
A4
OE4
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
1
5
4
9
10
12
13
11
Y4
8
Y3
6
Y2
逻辑图
HC125A
低电平有效输出使能
A1
2
3
Y1
HC126A
高电平有效使能输出
A1
2
3
Y1
功能表
HC125A
输入
A
H
L
X
OE
L
L
H
产量
Y
H
L
Z
A
H
L
X
HC126A
输入
OE
H
H
L
产量
Y
H
L
Z
OE3
A4
OE4
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
直流输出电流，每个引脚
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
mA
mA
mA
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
参数
民
2.0
0
最大
6.0
V
CC
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
推荐工作条件
http://onsemi.com
2
MC74HC125A ， MC74HC126A
订购信息
设备
MC74HC125ANG
MC74HC125ADG
MC74HC125ADR2G
MC74HC125ADTG
MC74HC125ADTR2G
MC74HC126ANG
MC74HC126ADG
MC74HC126ADR2G
MC74HC126ADTR2G
NLV74HC125ADG*
NLV74HC125ADR2G*
NLV74HC125ADTG*
NLV74HC125ADTR2G*
NLV74HC126ADR2G*
NLV74HC126ADTR2G*
包
PDIP14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
TSSOP14
（无铅）
TSSOP14
（无铅）
PDIP14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
TSSOP14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
TSSOP14
（无铅）
TSSOP14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
TSSOP14
（无铅）
航运
25单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
96单位/铁
2500 /磁带&卷轴
25单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
* NLV前缀为汽车和独特的要求和现场控制需求变更的其他应用程序; AEC - Q100认证和PPAP
能
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
