MC74HC03A
四路2输入与非门
与漏极开路输出
高性能硅栅CMOS
该MC74HC03A在引出线的LS03相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该HC03A NAND门具有作为它的输出，高性能
MOS N沟道晶体管。这个与非门，因此可以用
合适的上拉电阻，以线与应用程序一起使用。有
输出特性曲线在此数据手册中给出，该器件可
被用作LED驱动器或任何其他应用程序，只需要
一个吸收电流。
输出驱动能力： 10输入通道负载用合适的上拉
电阻器
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
CMOS器件的高抗噪声特性
工作电压范围： 2 6V
低输入电流： 1μA
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 28场效应管或7等效门
设计指南
准则
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
*相当于一个两输入与非门
价值
7.0
1.5
5.0
0.0075
单位
ea
ns
W
pJ
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HC03AN
AWLYYWW
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
HC
03A
ALYW
HC03A
AWLYWW
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
功能表
输入
产量
B
L
H
L
H
Y
Z
Z
Z
L
逻辑图
产量
保护
二极管
VCC
A
L
L
H
H
14脚VCC =
PIN 7 = GND
*表示漏极开路输出
3,6,8,11
Y*
Z =高阻抗
A
B
1,4,9,12
2,5,10,13
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
VCC
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
订购信息
设备
MC74HC03AN
MC74HC03AD
MC74HC03ADR2
MC74HC03ADT
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
TSSOP–14
航运
2000 /箱
55 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
MC74HC03ADTR2
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HC03A/D
MC74HC03A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
推荐工作条件
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC特性
（电压参考GND）
符号
VIH
参数
最低高电平输入
电压
条件
VOUT = 0.1V或VCC -0.1V
|电流输出|
≤
20A
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
保证限额
-55 25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
1.0
±0.5
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
10
±5.0
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
±10
A
A
A
单位
V
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
V
VOL
最大低电平输出
电压
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
≤
2.4mA
|电流输出|
≤
4.0mA
|电流输出|
≤
5.2mA
V
IIN
ICC
IOZ
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态泄漏
当前
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0μA
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
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2
MC74HC03A
AC特性
（ CL = 50pF的，输入TR = TF =为6ns ）
符号
tPLZ ，
tPZL
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
120
45
24
20
75
27
15
13
10
10
≤85°C
150
60
30
26
95
32
19
16
10
10
≤125°C
180
75
36
31
110
36
22
19
10
10
单位
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
CIN
COUT
最大输入电容
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V ， VEE = 0V
CPD
功率耗散电容（每缓冲器） *
8.0
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC2f + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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3
MC74HC03A
包装尺寸
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
SOIC–14
后缀
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45
_
F
–T–
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
K
M
M
S
J
T B
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337
0.344
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.228
0.244
0.010
0.019
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
四路2输入与非门
与漏极开路输出
高性能硅栅CMOS
该MC74HC03A在引出线的LS03相同。该器件的输入
与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，它们
与LSTTL输出兼容。
该HC03A NAND门具有作为它的输出，一个高性能的MOS
N沟道晶体管。这个与非门就可以了，因此，用适宜的
上拉电阻，以线与应用程序一起使用。其输出
本数据表中给定的特性曲线，该器件可以用作
LED驱动器或任何其他应用程序，只需要一个下沉
电流。
输出驱动能力： 10输入通道负载用合适的上拉电阻
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
CMOS器件的高抗噪声特性
工作电压范围： 2 6V
低输入电流： 1μA
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 28场效应管或7等效门
14
MC74HC03A
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
1
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
14
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
订购信息
MC74HCXXAN
MC74HCXXAD
MC74HCXXADT
塑料
SOIC
TSSOP
设计指南
准则
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
*相当于一个两输入与非门
价值
7.0
1.5
5.0
0.0075
单位
ea
ns
W
pJ
A
L
L
H
H
功能表
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
Z
Z
Z
L
Z =高阻抗
逻辑图
VCC
产量
保护
二极管
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
VCC
3,6,8,11
Y*
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
A
B
1,4,9,12
2,5,10,13
14脚VCC =
PIN 7 = GND
*表示漏极开路输出
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
第七版
MC74HC03A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC特性
（电压参考GND）
符号
VIH
参数
条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
保证限额
-55 25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
1.0
±0.5
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
10
±5.0
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
±10
A
A
A
单位
V
最低高电平输入电压
VOUT = 0.1V或VCC -0.1V
|电流输出|
≤
20A
VIL
最大低电平输入电压
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
V
VOL
最大低电平输出
电压
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
≤
2.4mA
|电流输出|
≤
4.0mA
|电流输出|
≤
5.2mA
V
IIN
ICC
IOZ
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态泄漏
当前
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0μA
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC74HC03A
AC特性
（ CL = 50pF的，输入TR = TF =为6ns ）
符号
tPLZ ，
tPZL
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
120
45
24
20
75
27
15
13
10
10
≤85°C
150
60
30
26
95
32
19
16
10
10
≤125°C
180
75
36
31
110
36
22
19
10
10
单位
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
CIN
COUT
最大输入电容
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V ， VEE = 0V
CPD
功率耗散电容（每缓冲器） *
8.0
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC2f + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC74HC03A
外形尺寸
SUF科幻X
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
B
1
7
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45°
F
座位
飞机
D
14 PL
K
M
M
B
S
J
0.25 (0.010)
T
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.75
8.55
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
7°
0°
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0°
7°
0.228 0.244
0.010 0.019
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
MC74HC03A
四路2输入与非门
与漏极开路输出
高性能硅栅CMOS
该MC74HC03A在引出线的LS03相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该HC03A NAND门具有作为它的输出，高性能
MOS N沟道晶体管。这个与非门，因此可以用
合适的上拉电阻，以线与应用程序一起使用。有
输出特性曲线在此数据手册中给出，该器件可
被用作LED驱动器或任何其他应用程序，只需要
一个吸收电流。
输出驱动能力： 10输入通道负载用合适的上拉
电阻器
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
CMOS器件的高抗噪声特性
工作电压范围： 2 6V
低输入电流： 1μA
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 28场效应管或7等效门
设计指南
准则
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
*相当于一个两输入与非门
价值
7.0
1.5
5.0
0.0075
单位
ea
ns
W
pJ
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HC03AN
AWLYYWW
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
HC
03A
ALYW
HC03A
AWLYWW
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
功能表
输入
产量
B
L
H
L
H
Y
Z
Z
Z
L
逻辑图
产量
保护
二极管
VCC
A
L
L
H
H
14脚VCC =
PIN 7 = GND
*表示漏极开路输出
3,6,8,11
Y*
Z =高阻抗
A
B
1,4,9,12
2,5,10,13
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
VCC
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
订购信息
设备
MC74HC03AN
MC74HC03AD
MC74HC03ADR2
MC74HC03ADT
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
TSSOP–14
航运
2000 /箱
55 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
MC74HC03ADTR2
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HC03A/D
MC74HC03A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
推荐工作条件
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC特性
（电压参考GND）
符号
VIH
参数
最低高电平输入
电压
条件
VOUT = 0.1V或VCC -0.1V
|电流输出|
≤
20A
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
保证限额
-55 25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
1.0
±0.5
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
10
±5.0
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
±10
A
A
A
单位
V
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
V
VOL
最大低电平输出
电压
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
≤
2.4mA
|电流输出|
≤
4.0mA
|电流输出|
≤
5.2mA
V
IIN
ICC
IOZ
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态泄漏
当前
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0μA
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
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2
MC74HC03A
AC特性
（ CL = 50pF的，输入TR = TF =为6ns ）
符号
tPLZ ，
tPZL
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
120
45
24
20
75
27
15
13
10
10
≤85°C
150
60
30
26
95
32
19
16
10
10
≤125°C
180
75
36
31
110
36
22
19
10
10
单位
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
CIN
COUT
最大输入电容
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V ， VEE = 0V
CPD
功率耗散电容（每缓冲器） *
8.0
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC2f + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
MC74HC03A
包装尺寸
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
SOIC–14
后缀
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45
_
F
–T–
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
K
M
M
S
J
T B
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337
0.344
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.228
0.244
0.010
0.019
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
四路2输入与非门
与漏极开路输出
高性能硅栅CMOS
该MC74HC03A在引出线的LS03相同。该器件的输入
与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，它们
与LSTTL输出兼容。
该HC03A NAND门具有作为它的输出，一个高性能的MOS
N沟道晶体管。这个与非门就可以了，因此，用适宜的
上拉电阻，以线与应用程序一起使用。其输出
本数据表中给定的特性曲线，该器件可以用作
LED驱动器或任何其他应用程序，只需要一个下沉
电流。
输出驱动能力： 10输入通道负载用合适的上拉电阻
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
CMOS器件的高抗噪声特性
工作电压范围： 2 6V
低输入电流： 1μA
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 28场效应管或7等效门
14
MC74HC03A
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
1
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
14
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
订购信息
MC74HCXXAN
MC74HCXXAD
MC74HCXXADT
塑料
SOIC
TSSOP
设计指南
准则
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
*相当于一个两输入与非门
价值
7.0
1.5
5.0
0.0075
单位
ea
ns
W
pJ
A
L
L
H
H
功能表
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
Z
Z
Z
L
Z =高阻抗
逻辑图
VCC
产量
保护
二极管
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
VCC
3,6,8,11
Y*
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
A
B
1,4,9,12
2,5,10,13
14脚VCC =
PIN 7 = GND
*表示漏极开路输出
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
第七版
MC74HC03A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC特性
（电压参考GND）
符号
VIH
参数
条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
保证限额
-55 25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
1.0
±0.5
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
10
±5.0
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
±10
A
A
A
单位
V
最低高电平输入电压
VOUT = 0.1V或VCC -0.1V
|电流输出|
≤
20A
VIL
最大低电平输入电压
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
V
VOL
最大低电平输出
电压
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
≤
2.4mA
|电流输出|
≤
4.0mA
|电流输出|
≤
5.2mA
V
IIN
ICC
IOZ
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态泄漏
当前
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0μA
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC74HC03A
AC特性
（ CL = 50pF的，输入TR = TF =为6ns ）
符号
tPLZ ，
tPZL
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
120
45
24
20
75
27
15
13
10
10
≤85°C
150
60
30
26
95
32
19
16
10
10
≤125°C
180
75
36
31
110
36
22
19
10
10
单位
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
CIN
COUT
最大输入电容
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V ， VEE = 0V
CPD
功率耗散电容（每缓冲器） *
8.0
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC2f + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC74HC03A
外形尺寸
SUF科幻X
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
B
1
7
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45°
F
座位
飞机
D
14 PL
K
M
M
B
S
J
0.25 (0.010)
T
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.75
8.55
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
7°
0°
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0°
7°
0.228 0.244
0.010 0.019
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
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