摩托罗拉
半导体技术资料
四路2输入NOR门
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC02A在引出线的LS02相同。该器件的输入
与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻,它们是
与LSTTL输出兼容。
输出驱动能力: 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 2.0 6.0 V
低输入电流: 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 40场效应管或10个等效门
MC54/74HC02A
后缀
陶瓷封装
CASE 632-08
1
14
14
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
2
1
3
5
4
6
8
10
9
11
13
12
14脚VCC =
PIN 7 = GND
Y4
Y3
Y2
Y = A + B
Y1
14
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
订购信息
MC54HCXXAJ
MC74HCXXAN
MC74HCXXAD
MC74HCXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
引脚分配
Y1
A1
B1
Y2
A2
B2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
Y4
B4
A4
Y3
B3
A3
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
H
L
L
L
10/95
摩托罗拉公司1995年
3–1
第七版
MC54/74HC02A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流,每个引脚
ICC
PD
直流电源电流, VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中,塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
储存温度
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP , SOIC和TSSOP封装
陶瓷DIP
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP : - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压(参考GND)
VIN,VOUT
TA
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间
(图1)
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR , TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
(电压参考GND)
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125°C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.7
5.2
摩托罗拉
3–2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC02A
DC电气特性
(电压参考GND)
保证限额
符号
VOL
参数
测试条件
VCC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25
_
C
0.1
0.1
0.1
v
85
_
C
v
125°C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
0.33
0.33
0.33
单位
V
最大低电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
|电流输出| = 0
A
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
IIN
最大输入漏电流
最大静态电源
电流(每包)
±
0.1
1.0
±
1.0
10
±
1.0
40
A
A
ICC
注:关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
AC电气特性
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
保证限额
符号
tPLH的,
的TPH1
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
75
30
15
13
75
30
15
13
10
v
85
_
C
v
125
_
C
95
40
19
16
95
40
19
16
10
110
55
22
19
110
55
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟,输入A或B到输出Y
(图1和图2)
tTLH ,
TTHL
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
ns
CIN
最大输入电容
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C , VCC = 5.0 V
22
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容(P G) *
i
(每门) *
pF
F
*用于确定无负载的动态功耗: PD = CPD VCC2f + ICC VCC 。对于负载的考虑,见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3–3
摩托罗拉
MC54/74HC02A
外形尺寸
后缀
陶瓷DIP封装
CASE 632-08
ISSUE
-A-
14
8
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4. DIMESNION F可以收窄至0.76 ( 0.030 )
WHERE领先进入陶瓷
体。
英寸
民
最大
0.750 0.785
0.245 0.280
0.155 0.200
0.015 0.020
0.055 0.065
0.100 BSC
0.008 0.015
0.125 0.170
0.300 BSC
0°
15°
0.020 0.040
MILLIMETERS
民
最大
19.05 19.94
6.23
7.11
3.94
5.08
0.39
0.50
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0°
15°
0.51
1.01
-B-
1
7
C
L
-T-
座位
飞机
K
F
G
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
N
T A
S
M
J
14 PL
0.25 (0.010)
M
T
B
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
M
N
SUF科幻X
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
注意事项:
1. LEADS WITHIN 0.13 ( 0.005 ) RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
B
1
7
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3–5
摩托罗拉
MC74HC02A
四路2输入NOR门
高性能硅栅CMOS
该MC74HC02A在引出线的LS02相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器,它们与LSTTL输出兼容。
输出驱动能力: 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 2.0 6.0 V
低输入电流: 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 40场效应管或10个等效门
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
2
1
3
5
4
6
8
10
9
11
13
12
14脚VCC =
PIN 7 = GND
Y4
Y3
Y2
Y = A + B
Y1
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HC02AN
AWLYYWW
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
HC
02A
ALYW
HC02A
AWLYWW
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
H
L
L
L
引脚分配
Y1
A1
B1
Y2
A2
B2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
Y4
B4
A4
Y3
B3
A3
订购信息
设备
MC74HC02AN
MC74HC02AD
MC74HC02ADR2
MC74HC02ADT
MC74HC02ADTR2
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
TSSOP–14
航运
2000 /箱
55 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年3月 - 修订版8
出版订单号:
MC74HC02A/D
MC74HC02A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流,每个引脚
ICC
PD
直流电源电流, VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中,
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP , SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压(参考GND)
VIN,VOUT
TA
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间
(图1)
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR , TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
(电压参考GND)
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125°C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.7
5.2
http://onsemi.com
2
MC74HC02A
DC电气特性
(电压参考GND)
保证限额
符号
VOL
参数
测试条件
VCC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25
_
C
0.1
0.1
0.1
v
85
_
C
v
125°C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
0.33
0.33
0.33
单位
V
最大低电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
|电流输出| = 0
A
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
IIN
最大输入漏
当前
±
0.1
1.0
±
1.0
10
±
1.0
40
A
A
ICC
最大静态电源
电流(每包)
注:关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
保证限额
符号
tPLH的,
的TPH1
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
75
30
15
13
75
30
15
13
10
v
85
_
C
v
125
_
C
95
40
19
16
95
40
19
16
10
110
55
22
19
110
55
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟,输入A或B到输出Y
(图1和图2)
tTLH ,
TTHL
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
ns
CIN
最大输入电容
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C , VCC = 5.0 V
22
CPD
功率耗散电容(每门) *
pF
*用于确定无负载的动态功耗: PD = CPD VCC2f + ICC VCC 。对于负载的考虑,见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
http://onsemi.com
3
MC74HC02A
包装尺寸
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项:
1. LEADS WITHIN 0.13 ( 0.005 ) RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
SOIC–14
后缀
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45
_
F
–T–
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
K
M
M
S
J
T B
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337
0.344
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.228
0.244
0.010
0.019
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
四路2输入NOR门
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC02A在引出线的LS02相同。该器件的输入
与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻,它们是
与LSTTL输出兼容。
输出驱动能力: 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 2.0 6.0 V
低输入电流: 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 40场效应管或10个等效门
MC54/74HC02A
后缀
陶瓷封装
CASE 632-08
1
14
14
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
2
1
3
5
4
6
8
10
9
11
13
12
14脚VCC =
PIN 7 = GND
Y4
Y3
Y2
Y = A + B
Y1
14
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
订购信息
MC54HCXXAJ
MC74HCXXAN
MC74HCXXAD
MC74HCXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
引脚分配
Y1
A1
B1
Y2
A2
B2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
Y4
B4
A4
Y3
B3
A3
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
H
L
L
L
10/95
摩托罗拉公司1995年
3–1
第七版
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP : - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
最大额定值*
摩托罗拉
推荐工作条件
DC电气特性
(电压参考GND)
MC54/74HC02A
符号
VIN,VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR , TF
IIN
TA
VIH
VIL
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP , SOIC和TSSOP封装
陶瓷DIP
储存温度
功率消耗在静止空气中,塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
DC输入电流,每个引脚
DC输出电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
输入上升和下降时间
(图1)
工作温度,所有封装类型
直流输入电压,输出电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
3–2
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
– 55
民
2.0
价值
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0
0
0
0
±
50
±
25
±
20
260
300
750
500
450
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
2.48
3.98
5.48
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125°C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
2.34
3.84
5.34
1.9
4.4
5.9
v
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
2.20
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
v
单位
V
V
V
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
符号
tPLH的,
的TPH1
tTLH ,
TTHL
CPD
VOL
ICC
CIN
IIN
最大输入电容
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
最大传输延迟,输入A或B到输出Y
(图1和图2)
功率耗散电容(每门) *
最大静态电源
电流(每包)
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VCC或GND
|电流输出| = 0
A
VIN = VCC或GND
*用于确定无负载的动态功耗: PD = CPD VCC2f + ICC VCC 。对于负载的考虑,见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
AC电气特性
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
注:关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
DC电气特性
(电压参考GND)
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
测试条件
3–3
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C , VCC = 5.0 V
±
0.1
0.26
0.26
0.26
1.0
0.1
0.1
0.1
10
75
30
15
13
75
30
15
13
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125°C
±
1.0
0.33
0.33
0.33
0.1
0.1
0.1
10
95
40
19
16
95
40
19
16
10
22
MC54/74HC02A
±
1.0
110
55
22
19
110
55
22
19
0.4
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
10
40
摩托罗拉
单位
单位
pF
A
A
pF
ns
ns
V
MC54/74HC02A
外形尺寸
后缀
陶瓷DIP封装
CASE 632-08
ISSUE
-A-
14
8
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4. DIMESNION F可以收窄至0.76 ( 0.030 )
WHERE领先进入陶瓷
体。
英寸
民
最大
0.750 0.785
0.245 0.280
0.155 0.200
0.015 0.020
0.055 0.065
0.100 BSC
0.008 0.015
0.125 0.170
0.300 BSC
0°
15°
0.020 0.040
MILLIMETERS
民
最大
19.05 19.94
7.11
6.23
5.08
3.94
0.50
0.39
1.65
1.40
2.54 BSC
0.38
0.21
4.31
3.18
7.62 BSC
15°
0°
0.51
1.01
-B-
1
7
C
L
-T-
座位
飞机
K
F
G
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
N
T A
S
M
J
14 PL
0.25 (0.010)
M
T
B
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
M
N
SUF科幻X
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
注意事项:
1. LEADS WITHIN 0.13 ( 0.005 ) RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
B
1
7
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3–5
摩托罗拉
摩托罗拉
半导体技术资料
四路2输入NOR门
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC02A在引出线的LS02相同。该器件的输入
与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻,它们是
与LSTTL输出兼容。
输出驱动能力: 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 2.0 6.0 V
低输入电流: 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性: 40场效应管或10个等效门
MC54/74HC02A
后缀
陶瓷封装
CASE 632-08
1
14
14
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
2
1
3
5
4
6
8
10
9
11
13
12
14脚VCC =
PIN 7 = GND
Y4
Y3
Y2
Y = A + B
Y1
14
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
订购信息
MC54HCXXAJ
MC74HCXXAN
MC74HCXXAD
MC74HCXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
引脚分配
Y1
A1
B1
Y2
A2
B2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
Y4
B4
A4
Y3
B3
A3
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
H
L
L
L
10/95
摩托罗拉公司1995年
3–1
第七版
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP : - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项,请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
最大额定值*
摩托罗拉
推荐工作条件
DC电气特性
(电压参考GND)
MC54/74HC02A
符号
VIN,VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR , TF
IIN
TA
VIH
VIL
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP , SOIC和TSSOP封装
陶瓷DIP
储存温度
功率消耗在静止空气中,塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
DC输入电流,每个引脚
DC输出电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
输入上升和下降时间
(图1)
工作温度,所有封装类型
直流输入电压,输出电压(参考GND)
直流电源电压(参考GND)
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
3–2
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
– 55
民
2.0
价值
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0
0
0
0
±
50
±
25
±
20
260
300
750
500
450
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
2.48
3.98
5.48
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或VCC) 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125°C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
2.34
3.84
5.34
1.9
4.4
5.9
v
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
2.20
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
v
单位
V
V
V
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
符号
tPLH的,
的TPH1
tTLH ,
TTHL
CPD
VOL
ICC
CIN
IIN
最大输入电容
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
最大传输延迟,输入A或B到输出Y
(图1和图2)
功率耗散电容(每门) *
最大静态电源
电流(每包)
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VCC或GND
|电流输出| = 0
A
VIN = VCC或GND
*用于确定无负载的动态功耗: PD = CPD VCC2f + ICC VCC 。对于负载的考虑,见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
AC电气特性
( CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒)
注:关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
DC电气特性
(电压参考GND)
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
测试条件
3–3
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C , VCC = 5.0 V
±
0.1
0.26
0.26
0.26
1.0
0.1
0.1
0.1
10
75
30
15
13
75
30
15
13
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125°C
±
1.0
0.33
0.33
0.33
0.1
0.1
0.1
10
95
40
19
16
95
40
19
16
10
22
MC54/74HC02A
±
1.0
110
55
22
19
110
55
22
19
0.4
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
10
40
摩托罗拉
单位
单位
pF
A
A
pF
ns
ns
V
MC54/74HC02A
外形尺寸
后缀
陶瓷DIP封装
CASE 632-08
ISSUE
-A-
14
8
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4. DIMESNION F可以收窄至0.76 ( 0.030 )
WHERE领先进入陶瓷
体。
英寸
民
最大
0.750 0.785
0.245 0.280
0.155 0.200
0.015 0.020
0.055 0.065
0.100 BSC
0.008 0.015
0.125 0.170
0.300 BSC
0°
15°
0.020 0.040
MILLIMETERS
民
最大
19.05 19.94
7.11
6.23
5.08
3.94
0.50
0.39
1.65
1.40
2.54 BSC
0.38
0.21
4.31
3.18
7.62 BSC
15°
0°
0.51
1.01
-B-
1
7
C
L
-T-
座位
飞机
K
F
G
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
N
T A
S
M
J
14 PL
0.25 (0.010)
M
T
B
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
M
N
SUF科幻X
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
注意事项:
1. LEADS WITHIN 0.13 ( 0.005 ) RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
B
1
7
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3–5
摩托罗拉