MC74HC00A
四2输入与非门
高性能硅栅CMOS
该MC74HC00A在引出线的LS00相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用*
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7的要求
芯片的复杂性： 32场效应管或8个等效门
记号
图表
14
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HC00AN
AWLYYWW
1
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
14
HC00A
AWLYWW
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
1
2
4
5
9
10
12
13
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
3
Y1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HC
00A
ALYW
6
Y2
Y = AB
8
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
Y3
功能表
11
Y4
A
L
L
H
H
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
H
H
H
L
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
V
CC
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版9
出版订单号：
MC74HC00A/D
MC74HC00A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
订购信息
设备
MC74HC00AN
MC74HC00ANG
MC74HC00AD
MC74HC00ADG
MC74HC00ADR2
MC74HC00ADR2G
MC74HC00ADT
MC74HC00ADTR2
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
航运
2000单位/箱
2000单位/箱
55单位/铁
55单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
96单位/铁
2500个/卷
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74HC00A
DC特性
（电压参考GND）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
-55 25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
1.0
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
10
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
条件
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
=V
IH
或V
IL
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
CC
最大输入漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
75
30
15
13
75
27
15
13
10
≤85°C
95
40
19
16
95
32
19
16
10
≤125°C
110
55
22
19
110
36
22
19
10
单位
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V
C
PD
功率耗散电容（每缓冲器） *
22
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
MC74HC00A
包装尺寸
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646-06
ISSUE
14
8
B
1
7
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L与引线中心
形成时平行。
4.尺寸b不包括
塑模的毛边。
5.圆角可选。
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.290
0.310
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
18.80
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.37
7.87
10
_
0.38
1.01
A
F
N
T
座位
飞机
L
C
K
H
G
D
14 PL
0.13 (0.005)
M
J
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
SOIC14
后缀
CASE 751A -03
ISSUE摹
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出BE 0.127
（ 0.005 ）总计超过的D
DIMENSION最大材料
条件。
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0
_
7
_
0.228 0.244
0.010 0.019
A
14
8
B
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
1
7
G
C
R
X 45
_
F
T
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
K
M
M
S
J
T B
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
http://onsemi.com
5
MC74HC00A
四2输入与非门
高性能硅栅CMOS
该MC74HC00A在引出线的LS00相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
14
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HC00AG
AWLYWW
MC74HC00AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7的要求
芯片的复杂性： 32场效应管或8个等效门
无铅包可用
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
1
2
4
5
9
10
12
13
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
3
Y1
1
14
6
14
Y2
Y = AB
8
Y3
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HC
00A
ALYWG
G
11
Y4
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
V
CC
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
A
L
L
H
H
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
功能表
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
H
H
H
L
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录11
1
出版订单号：
MC74HC00A/D
MC74HC00A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
T
A
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
http://onsemi.com
2
MC74HC00A
订购信息
设备
MC74HC00AN
MC74HC00ANG
MC74HC00AD
MC74HC00ADG
MC74HC00ADR2
MC74HC00ADR2G
MC74HC00ADTR2
MC74HC00ADTR2G
MC74HC00AF
MC74HC00AFG
MC74HC00AFEL
MC74HC00AFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
50单位/铁
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
3
MC74HC00A
DC特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
条件
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
55
至25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
1.0
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
10
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
=V
IH
或V
IL
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
CC
最大输入漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
55
至25℃
75
30
15
13
75
27
15
13
10
≤85°C
95
40
19
16
95
32
19
16
10
≤125°C
110
55
22
19
110
36
22
19
10
单位
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V
C
PD
功率耗散电容（每缓冲器） *
22
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
