MC54/74F256
双4位
可寻址锁存器
在MC54 / 74F256双寻址锁存操作有四种不同的模式
化这是通过控制清除和使能输入可选（见
功能表） 。在可寻址锁存模式中，在数据（D）的数据输入
被写入到所寻址的锁存器。被寻址锁存器将跟随
数据输入，留在他们以前的状态都没有得到解决锁存器。
在内存模式下，所有的锁仍保持在其先前的状态并且非
受数据或地址输入。以消除进入的可能性
在锁存器中的错误数据时，使应保持高电平（无效）时
的地址线被改变。在1 -的-4的双解码或解复用
模式（ MR = E = LOW ） ，处理输出将遵循的D输入电平
与所有其它输出低电平。在清澈的模式，所有的输出低， unef-
通过地址和数据输入染。
结合双信号分离器和8位锁存
串行到并行能力
从每个存储位可用的输出
随机的（寻址）数据录入
易于扩展
常见的清除输入
可用作双1 - 4活性高解码器
接线图
VCC
16
MR
15
E
14
Db
13
Q3b
12
Q2b
11
Q1b
10
Q0b
9
后缀
SOIC
案例751B -03
双4位
可寻址锁存器
FAST 肖特基TTL
后缀
陶瓷的
CASE 620-09
16
1
16
1
SUF科幻X
塑料
案例648-08
16
1
1
A0
2
A1
3
Da
4
Q0a
5
Q1a
6
Q2a
8
7
Q3A GND
订购信息
MC54FXXXJ
MC74FXXXN
MC74FXXXD
输出
陶瓷的
塑料
SOIC
功能表
输入
经营模式
主复位
解复用（活动
高解码器时，
D =高）
存储（什么都不做）
寻址
LATCH
MR
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
E
H
L
L
L
L
H
L
L
L
L
D
X
d
d
d
d
X
d
d
d
d
A0
X
L
H
L
H
X
L
H
L
H
A1
X
L
L
H
H
X
L
L
H
H
Q0
L
Q ？d
L
L
L
q0
Q ？d
q0
q0
q0
Q1
L
L
Q ？d
L
L
q1
q1
Q ？d
q1
q1
Q2
L
L
L
Q ？d
L
q2
q2
q2
Q ？d
q2
Q3
L
L
L
L
Q ？d
q3
q3
q3
q3
Q ？d
逻辑符号
3
Da
1
2
A0
13
Db
E
14
15
A1
MR
Q0a Q1A Q2A Q3A Q0b Q1B的Q2b Q3B
4
5
6
7
9
10
11
12
H =高电压电平稳定状态
L =低电压电平稳定状态
X =非物质
D = 1设置时间之前低到高的转变使高或低的数据。
Q =小写字母表示的最后一个周期期间建立的参考输出的状态
在其被处理或清除。
快速和LS TTL数据
4-123
MC54/74F256
逻辑图
E
Da
A0
A1
MR
Db
Q0a
Q1a
Q2a
Q3a
Q0b
Q1b
Q2b
Q3b
请注意，该图仅用于逻辑操作的理解提供的，不应该被用来估计的传播延迟。
保证工作范围
符号
VCC
TA
IOH
IOL
电源电压
工作环境温度范围
74
输出电流 - 高
输出电流 - 低
54, 74
54, 74
0
25
70
–1.0
20
参数
54, 74
54
民
4.5
–55
典型值
5.0
25
最大
5.5
125
单位
V
°C
mA
mA
快速和LS TTL数据
4-124
MC54/74F256
DC特性在整个工作温度范围
（除非另有规定编）
范围
符号
VIH
VIL
VIK
VOH
VOL
IIH
IIL
IOS
参数
输入高电压
输入低电压
输入钳位二极管电压
54, 74
输出高电压
74
输出低电压
输入高电流
0.1
输入低电平电流
输出短路电流
（注2 ）
电源电流
其中，输出高电平
其中，输出低电平
– 60
– 0.6
–150
42
60
2.7
0.5
20
V
V
A
mA
mA
mA
mA
mA
2.5
民
2.0
0.8
–1.2
典型值
最大
单位
V
V
V
V
测试条件
保证输入高电压
保证输入低电压
VCC = MIN ， IIN = -18毫安
IOL = -1.0毫安
IOL = -1.0毫安
IOL = 20毫安
VCC =最小
VCC = 4.75 V
VCC =最小
VCC = MAX ， VIN = 2.7 V
VCC = MAX ， VIN = 7.0 V
VCC = MAX ， VIN = 0.5 V
VCC = MAX ， VOUT = 0V
VCC =最大
VCC =最大
ICC
注意事项：
1.对于显示为MIN和MAX的条件下，使用推荐的工作条件，适用的设备类型下指定相应的值。
2.不超过一个输出应短的时间，也不是为1秒以上。
快速和LS TTL数据
4-125
MC54/74F256
AC特性
54/74F
TA = + 25°C
VCC = + 5.0V
CL = 50 pF的
符号
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
的TPH1
参数
传播延迟
E至QN
传播延迟
DN至Qn
传播延迟
一到Qn
传播延迟
MR到Qn
民
4.0
3.0
3.5
3.0
3.5
4.0
5.0
最大
10.5
7.0
9.0
7.0
14
9.5
9.0
54F
TA = -55至+ 125°C
VCC = 5.0 V
±10%
CL = 50 pF的
民
4.0
3.0
3.5
2.5
3.5
4.0
4.5
最大
13
8.5
11.5
8.5
15.5
11
11.5
74F
TA = 0 70℃
VCC = 5.0 V
±
5%
CL = 50 pF的
民
4.0
3.0
3.5
2.5
3.5
4.0
4.5
最大
12
7.5
10
7.5
14.5
10
10
单位
ns
ns
ns
ns
AC操作要求
54/74F
TA = + 25°C
VCC = + 5.0V
符号
TS （H）的
TS （L）的
第（H）的
第（L）的
TS （H）的
TS （L）的
第（H）的
第（L）的
tW
tW
参数
建立时间，高或低
DN为E
保持时间，高或低
DN为E
建立时间，高或低
A至E （一）
保持时间高或低
A至E （B ）
E脉冲宽度
MR脉冲宽度
民
4.0
4.0
2.0
2.0
4.0
4.0
0
0
4.0
4.0
最大
54F
TA = -55至+ 125°C
VCC = 5.0 V
±10%
民
5.0
5.0
2.0
2.0
4.0
4.0
0
0
4.0
4.0
最大
74F
TA = 0 70℃
VCC = 5.0 V
±
5%
民
4.0
4.0
2.0
2.0
4.0
4.0
0
0
4.0
4.0
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注意事项：
1.启用设置时间的地址是高到低启用之前的过渡时间，该地址必须是稳定的，所以正确的锁存器
1.
寻址和其它锁存器都不会受到影响。
2.启用保持时间的地址是后一次低到高的过渡启用该地址必须是稳定的，所以正确的锁存器解决
1.
和其它锁存器都不会受到影响。
快速和LS TTL数据
4-126
QQ：2880707522 复制
