飞思卡尔半导体公司
补遗
HC908LJ12AD/D
第0版， 6/2003
增编
MC68HC908LJ12
技术参数
飞思卡尔半导体公司...
本附录提供了有关以下MCU器件：
MC68HLC908LJ12
（见
第1页）
MC68HC08LJ12
（见
第9页）
整个
MC68HC908LJ12技术数据，
版本2 （摩托罗拉文档
数MC68HC908LJ12 / D）适用于这两个设备，但有例外
本附录列出。
修订
MC68HC908LJ12/D,
第2版，都记录在
第13页。
MC68HLC908LJ12
该MC68HLC908LJ12是MC68HC908LJ12的低电压版本，以
的工作电压范围为2.4至3.3V 。
FL灰内存
Flash存储器可以在工作电压范围为2.4至3.3V的读取。
编程或擦除操作需要2.7V的最小工作电压。
低压INHIBIT
（ LVI ）
该LVI模块没有设计的MC68HLC908LJ12 。经过MCU
复位时， LVI模块被禁止（ LVIPWRD = 1 CONFIG1 ） 。该LVIPWRD
位应保留为逻辑1 （默认设置） 。
电动
特定网络阳离子
电气规格为MC68HLC908LJ12设备中给出
下面的表格。
欲了解更多有关该产品，
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飞思卡尔半导体公司
HC908LJ12AD/D
功能操作
范围
表1.工作范围
特征
工作温度范围
工作电压范围
最大内部工作
频率
符号
T
A
V
DD
f
OP
价值
- 40 + 85
2.4 2.7
2
2.7到3.3
4
单位
°
C
V
兆赫
飞思卡尔半导体公司...
工作电压为FLASH
内存编程和擦除
操作
V
DD
2.7到3.3
V
直流电气
特征
表2.直流电气特性（ 2.4 2.7V ）
特征
(1)
输出高电压（I
负载
= -1.0毫安）
所有端口
输出低电压
(I
负载
= 0.8毫安）所有端口
(I
负载
= 4.0 mA）的PTB2 - PTB5
(I
负载
= 10.0毫安） PTB0 / TXD- PTB1
输入高电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
输入低电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
V
DD
电源电流
RUN
(3)
, f
OP
= 2 MHz的
对所有模块
与上ADC
与ADC关闭
等待
(4)
, f
OP
= 2兆赫（所有模块关闭）
停下，女
OP
= 8千赫
(5)
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
， LVI上）
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
上）
25
°
C（与OSC ， RTC上）
25
°
C（所有模块关闭）
数字I / O端口高阻泄漏电流
所有的端口， RST
I
IL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
200
27
15
1
—
—
—
—
—
—
—
—
5.2
3.8
2.8
2.3
mA
mA
mA
mA
符号
V
OH
民
V
DD
–0.4
典型值
(2)
—
最大
—
单位
V
V
OL
—
—
0.4
V
V
IH
V
IL
0.7
×
V
DD
V
SS
—
—
V
DD
0.3
×
V
DD
V
V
I
DD
A
A
A
A
A
±
10
增编MC68HC908LJ12技术参数
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HC908LJ12AD/D
MC68HLC908LJ12
表2.直流电气特性（ 2.4 2.7V ） （续）
特征
(1)
输入电流
IRQ
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(7)
POR时的上升时间斜坡率
(8)
符号
I
IN
C
OUT
C
IN
V
POR
R
POR
V
HI
R
PU1
R
PU2
民
—
—
—
0
0.02
1.5
×
V
DD
—
—
典型值
(2)
—
—
—
—
—
—
25
27
最大
单位
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
—
—
A
pF
mV
V / ms的
V
k
k
飞思卡尔半导体公司...
监控模式进入电压（ IRQ引脚）
上拉电阻
(9)
PTA0 - 家长 - 教师联系， PTD4 - PTD7配置为KBI0 ， KBI7
RST ， IRQ
1. V
DD
= 2.4 2.7伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。少于
100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2线性电容会影响我跑
DD
.
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。小于100 pF的上
所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性影响我等待
DD
.
5.为8kHz时钟是从32kHz的时钟输入，在OSC1 ，为驱动RTC 。
配置为低电流模式6. LCD驱动器。
7.最大的是POR保证最高电压。
8.如果最小V
DD
未达到内部POR复位释放前，
RST
必须驱动为低电平，直到外部最低
V
DD
被达到。
9. R
PU1
和R
PU2
在V测量
DD
= 2.6V.
表3.直流电气特性（2.7 3.3V ）
特征
(1)
输出高电压（I
负载
= -1.0毫安）
所有端口
输出低电压
(I
负载
= 0.8毫安）所有端口
(I
负载
= 4.0 mA）的PTB2 - PTB5
(I
负载
= 10.0毫安） PTB0 / TXD- PTB1
输入高电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
输入低电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
符号
V
OH
民
V
DD
–0.4
典型值
(2)
—
最大
—
单位
V
V
OL
—
—
0.4
V
V
IH
V
IL
0.7
×
V
DD
V
SS
—
—
V
DD
0.3
×
V
DD
V
V
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HC908LJ12AD/D
表3.直流电气特性（2.7 3.3V ） （续）
特征
(1)
V
DD
电源电流
RUN
(3)
, f
OP
= 4兆赫
对所有模块
与上ADC
与ADC关闭
等待
(4)
, f
OP
= 4兆赫（所有模块关闭）
停下，女
OP
= 8千赫
(5)
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
， LVI上）
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
上）
25
°
C（与OSC ， RTC上）
25
°
C（所有模块关闭）
数字I / O端口高阻泄漏电流
所有的端口， RST
输入电流
IRQ
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(7)
POR时的上升时间斜坡率
(8)
监控模式进入电压（ IRQ引脚）
上拉电阻
(9)
PTA0 - 家长 - 教师联系， PTD4 - PTD7配置为KBI0 ， KBI7
RST ， IRQ
I
IL
I
IN
C
OUT
C
IN
V
POR
R
POR
V
HI
R
PU1
R
PU2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
0.02
1.5
×
V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
27
8
6
5
3.5
280
38
15
1
mA
mA
mA
mA
符号
民
典型值
(2)
最大
单位
I
DD
飞思卡尔半导体公司...
A
A
A
A
A
A
pF
mV
V / ms的
V
k
k
±
10
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
—
—
1. V
DD
= 2.7 3.3伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。少于
100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2线性电容会影响我跑
DD
.
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。小于100 pF的上
所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性影响我等待
DD
.
5.为8kHz时钟是从32kHz的时钟输入，在OSC1 ，为驱动RTC 。
配置为低电流模式6. LCD驱动器。
7.最大的是POR保证最高电压。
8.如果最小V
DD
未达到内部POR复位释放前，
RST
必须驱动为低电平，直到外部最低
V
DD
被达到。
9. R
PU1
和R
PU2
在V测量
DD
= 3V.
增编MC68HC908LJ12技术参数
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补遗
HC908LJ12AD/D
第0版， 6/2003
增编
MC68HC908LJ12
技术参数
飞思卡尔半导体公司...
本附录提供了有关以下MCU器件：
MC68HLC908LJ12
（见
第1页）
MC68HC08LJ12
（见
第9页）
整个
MC68HC908LJ12技术数据，
版本2 （摩托罗拉文档
数MC68HC908LJ12 / D）适用于这两个设备，但有例外
本附录列出。
修订
MC68HC908LJ12/D,
第2版，都记录在
第13页。
MC68HLC908LJ12
该MC68HLC908LJ12是MC68HC908LJ12的低电压版本，以
的工作电压范围为2.4至3.3V 。
FL灰内存
Flash存储器可以在工作电压范围为2.4至3.3V的读取。
编程或擦除操作需要2.7V的最小工作电压。
低压INHIBIT
（ LVI ）
该LVI模块没有设计的MC68HLC908LJ12 。经过MCU
复位时， LVI模块被禁止（ LVIPWRD = 1 CONFIG1 ） 。该LVIPWRD
位应保留为逻辑1 （默认设置） 。
电动
特定网络阳离子
电气规格为MC68HLC908LJ12设备中给出
下面的表格。
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HC908LJ12AD/D
功能操作
范围
表1.工作范围
特征
工作温度范围
工作电压范围
最大内部工作
频率
符号
T
A
V
DD
f
OP
价值
- 40 + 85
2.4 2.7
2
2.7到3.3
4
单位
°
C
V
兆赫
飞思卡尔半导体公司...
工作电压为FLASH
内存编程和擦除
操作
V
DD
2.7到3.3
V
直流电气
特征
表2.直流电气特性（ 2.4 2.7V ）
特征
(1)
输出高电压（I
负载
= -1.0毫安）
所有端口
输出低电压
(I
负载
= 0.8毫安）所有端口
(I
负载
= 4.0 mA）的PTB2 - PTB5
(I
负载
= 10.0毫安） PTB0 / TXD- PTB1
输入高电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
输入低电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
V
DD
电源电流
RUN
(3)
, f
OP
= 2 MHz的
对所有模块
与上ADC
与ADC关闭
等待
(4)
, f
OP
= 2兆赫（所有模块关闭）
停下，女
OP
= 8千赫
(5)
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
， LVI上）
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
上）
25
°
C（与OSC ， RTC上）
25
°
C（所有模块关闭）
数字I / O端口高阻泄漏电流
所有的端口， RST
I
IL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
200
27
15
1
—
—
—
—
—
—
—
—
5.2
3.8
2.8
2.3
mA
mA
mA
mA
符号
V
OH
民
V
DD
–0.4
典型值
(2)
—
最大
—
单位
V
V
OL
—
—
0.4
V
V
IH
V
IL
0.7
×
V
DD
V
SS
—
—
V
DD
0.3
×
V
DD
V
V
I
DD
A
A
A
A
A
±
10
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飞思卡尔半导体公司
HC908LJ12AD/D
MC68HLC908LJ12
表2.直流电气特性（ 2.4 2.7V ） （续）
特征
(1)
输入电流
IRQ
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(7)
POR时的上升时间斜坡率
(8)
符号
I
IN
C
OUT
C
IN
V
POR
R
POR
V
HI
R
PU1
R
PU2
民
—
—
—
0
0.02
1.5
×
V
DD
—
—
典型值
(2)
—
—
—
—
—
—
25
27
最大
单位
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
—
—
A
pF
mV
V / ms的
V
k
k
飞思卡尔半导体公司...
监控模式进入电压（ IRQ引脚）
上拉电阻
(9)
PTA0 - 家长 - 教师联系， PTD4 - PTD7配置为KBI0 ， KBI7
RST ， IRQ
1. V
DD
= 2.4 2.7伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。少于
100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2线性电容会影响我跑
DD
.
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。小于100 pF的上
所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性影响我等待
DD
.
5.为8kHz时钟是从32kHz的时钟输入，在OSC1 ，为驱动RTC 。
配置为低电流模式6. LCD驱动器。
7.最大的是POR保证最高电压。
8.如果最小V
DD
未达到内部POR复位释放前，
RST
必须驱动为低电平，直到外部最低
V
DD
被达到。
9. R
PU1
和R
PU2
在V测量
DD
= 2.6V.
表3.直流电气特性（2.7 3.3V ）
特征
(1)
输出高电压（I
负载
= -1.0毫安）
所有端口
输出低电压
(I
负载
= 0.8毫安）所有端口
(I
负载
= 4.0 mA）的PTB2 - PTB5
(I
负载
= 10.0毫安） PTB0 / TXD- PTB1
输入高电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
输入低电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
符号
V
OH
民
V
DD
–0.4
典型值
(2)
—
最大
—
单位
V
V
OL
—
—
0.4
V
V
IH
V
IL
0.7
×
V
DD
V
SS
—
—
V
DD
0.3
×
V
DD
V
V
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飞思卡尔半导体公司
HC908LJ12AD/D
表3.直流电气特性（2.7 3.3V ） （续）
特征
(1)
V
DD
电源电流
RUN
(3)
, f
OP
= 4兆赫
对所有模块
与上ADC
与ADC关闭
等待
(4)
, f
OP
= 4兆赫（所有模块关闭）
停下，女
OP
= 8千赫
(5)
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
， LVI上）
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
上）
25
°
C（与OSC ， RTC上）
25
°
C（所有模块关闭）
数字I / O端口高阻泄漏电流
所有的端口， RST
输入电流
IRQ
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(7)
POR时的上升时间斜坡率
(8)
监控模式进入电压（ IRQ引脚）
上拉电阻
(9)
PTA0 - 家长 - 教师联系， PTD4 - PTD7配置为KBI0 ， KBI7
RST ， IRQ
I
IL
I
IN
C
OUT
C
IN
V
POR
R
POR
V
HI
R
PU1
R
PU2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
0.02
1.5
×
V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
27
8
6
5
3.5
280
38
15
1
mA
mA
mA
mA
符号
民
典型值
(2)
最大
单位
I
DD
飞思卡尔半导体公司...
A
A
A
A
A
A
pF
mV
V / ms的
V
k
k
±
10
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
—
—
1. V
DD
= 2.7 3.3伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。少于
100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2线性电容会影响我跑
DD
.
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。小于100 pF的上
所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性影响我等待
DD
.
5.为8kHz时钟是从32kHz的时钟输入，在OSC1 ，为驱动RTC 。
配置为低电流模式6. LCD驱动器。
7.最大的是POR保证最高电压。
8.如果最小V
DD
未达到内部POR复位释放前，
RST
必须驱动为低电平，直到外部最低
V
DD
被达到。
9. R
PU1
和R
PU2
在V测量
DD
= 3V.
增编MC68HC908LJ12技术参数
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补遗
HC908LJ12AD/D
第0版， 6/2003
增编
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技术参数
飞思卡尔半导体公司...
本附录提供了有关以下MCU器件：
MC68HLC908LJ12
（见
第1页）
MC68HC08LJ12
（见
第9页）
整个
MC68HC908LJ12技术数据，
版本2 （摩托罗拉文档
数MC68HC908LJ12 / D）适用于这两个设备，但有例外
本附录列出。
修订
MC68HC908LJ12/D,
第2版，都记录在
第13页。
MC68HLC908LJ12
该MC68HLC908LJ12是MC68HC908LJ12的低电压版本，以
的工作电压范围为2.4至3.3V 。
FL灰内存
Flash存储器可以在工作电压范围为2.4至3.3V的读取。
编程或擦除操作需要2.7V的最小工作电压。
低压INHIBIT
（ LVI ）
该LVI模块没有设计的MC68HLC908LJ12 。经过MCU
复位时， LVI模块被禁止（ LVIPWRD = 1 CONFIG1 ） 。该LVIPWRD
位应保留为逻辑1 （默认设置） 。
电动
特定网络阳离子
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摩托罗拉公司， 2003
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HC908LJ12AD/D
功能操作
范围
表1.工作范围
特征
工作温度范围
工作电压范围
最大内部工作
频率
符号
T
A
V
DD
f
OP
价值
- 40 + 85
2.4 2.7
2
2.7到3.3
4
单位
°
C
V
兆赫
飞思卡尔半导体公司...
工作电压为FLASH
内存编程和擦除
操作
V
DD
2.7到3.3
V
直流电气
特征
表2.直流电气特性（ 2.4 2.7V ）
特征
(1)
输出高电压（I
负载
= -1.0毫安）
所有端口
输出低电压
(I
负载
= 0.8毫安）所有端口
(I
负载
= 4.0 mA）的PTB2 - PTB5
(I
负载
= 10.0毫安） PTB0 / TXD- PTB1
输入高电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
输入低电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
V
DD
电源电流
RUN
(3)
, f
OP
= 2 MHz的
对所有模块
与上ADC
与ADC关闭
等待
(4)
, f
OP
= 2兆赫（所有模块关闭）
停下，女
OP
= 8千赫
(5)
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
， LVI上）
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
上）
25
°
C（与OSC ， RTC上）
25
°
C（所有模块关闭）
数字I / O端口高阻泄漏电流
所有的端口， RST
I
IL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
200
27
15
1
—
—
—
—
—
—
—
—
5.2
3.8
2.8
2.3
mA
mA
mA
mA
符号
V
OH
民
V
DD
–0.4
典型值
(2)
—
最大
—
单位
V
V
OL
—
—
0.4
V
V
IH
V
IL
0.7
×
V
DD
V
SS
—
—
V
DD
0.3
×
V
DD
V
V
I
DD
A
A
A
A
A
±
10
2
增编MC68HC908LJ12技术参数
摩托罗拉
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飞思卡尔半导体公司
HC908LJ12AD/D
MC68HLC908LJ12
表2.直流电气特性（ 2.4 2.7V ） （续）
特征
(1)
输入电流
IRQ
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(7)
POR时的上升时间斜坡率
(8)
符号
I
IN
C
OUT
C
IN
V
POR
R
POR
V
HI
R
PU1
R
PU2
民
—
—
—
0
0.02
1.5
×
V
DD
—
—
典型值
(2)
—
—
—
—
—
—
25
27
最大
单位
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
—
—
A
pF
mV
V / ms的
V
k
k
飞思卡尔半导体公司...
监控模式进入电压（ IRQ引脚）
上拉电阻
(9)
PTA0 - 家长 - 教师联系， PTD4 - PTD7配置为KBI0 ， KBI7
RST ， IRQ
1. V
DD
= 2.4 2.7伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。少于
100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2线性电容会影响我跑
DD
.
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。小于100 pF的上
所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性影响我等待
DD
.
5.为8kHz时钟是从32kHz的时钟输入，在OSC1 ，为驱动RTC 。
配置为低电流模式6. LCD驱动器。
7.最大的是POR保证最高电压。
8.如果最小V
DD
未达到内部POR复位释放前，
RST
必须驱动为低电平，直到外部最低
V
DD
被达到。
9. R
PU1
和R
PU2
在V测量
DD
= 2.6V.
表3.直流电气特性（2.7 3.3V ）
特征
(1)
输出高电压（I
负载
= -1.0毫安）
所有端口
输出低电压
(I
负载
= 0.8毫安）所有端口
(I
负载
= 4.0 mA）的PTB2 - PTB5
(I
负载
= 10.0毫安） PTB0 / TXD- PTB1
输入高电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
输入低电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
符号
V
OH
民
V
DD
–0.4
典型值
(2)
—
最大
—
单位
V
V
OL
—
—
0.4
V
V
IH
V
IL
0.7
×
V
DD
V
SS
—
—
V
DD
0.3
×
V
DD
V
V
摩托罗拉
增编MC68HC908LJ12技术参数
3
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HC908LJ12AD/D
表3.直流电气特性（2.7 3.3V ） （续）
特征
(1)
V
DD
电源电流
RUN
(3)
, f
OP
= 4兆赫
对所有模块
与上ADC
与ADC关闭
等待
(4)
, f
OP
= 4兆赫（所有模块关闭）
停下，女
OP
= 8千赫
(5)
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
， LVI上）
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
上）
25
°
C（与OSC ， RTC上）
25
°
C（所有模块关闭）
数字I / O端口高阻泄漏电流
所有的端口， RST
输入电流
IRQ
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(7)
POR时的上升时间斜坡率
(8)
监控模式进入电压（ IRQ引脚）
上拉电阻
(9)
PTA0 - 家长 - 教师联系， PTD4 - PTD7配置为KBI0 ， KBI7
RST ， IRQ
I
IL
I
IN
C
OUT
C
IN
V
POR
R
POR
V
HI
R
PU1
R
PU2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
0.02
1.5
×
V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
27
8
6
5
3.5
280
38
15
1
mA
mA
mA
mA
符号
民
典型值
(2)
最大
单位
I
DD
飞思卡尔半导体公司...
A
A
A
A
A
A
pF
mV
V / ms的
V
k
k
±
10
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
—
—
1. V
DD
= 2.7 3.3伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。少于
100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2线性电容会影响我跑
DD
.
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。小于100 pF的上
所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性影响我等待
DD
.
5.为8kHz时钟是从32kHz的时钟输入，在OSC1 ，为驱动RTC 。
配置为低电流模式6. LCD驱动器。
7.最大的是POR保证最高电压。
8.如果最小V
DD
未达到内部POR复位释放前，
RST
必须驱动为低电平，直到外部最低
V
DD
被达到。
9. R
PU1
和R
PU2
在V测量
DD
= 3V.
4
增编MC68HC908LJ12技术参数
摩托罗拉
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补遗
HC908LJ12AD/D
第0版， 6/2003
增编
MC68HC908LJ12
技术参数
飞思卡尔半导体公司...
本附录提供了有关以下MCU器件：
MC68HLC908LJ12
（见
第1页）
MC68HC08LJ12
（见
第9页）
整个
MC68HC908LJ12技术数据，
版本2 （摩托罗拉文档
数MC68HC908LJ12 / D）适用于这两个设备，但有例外
本附录列出。
修订
MC68HC908LJ12/D,
第2版，都记录在
第13页。
MC68HLC908LJ12
该MC68HLC908LJ12是MC68HC908LJ12的低电压版本，以
的工作电压范围为2.4至3.3V 。
FL灰内存
Flash存储器可以在工作电压范围为2.4至3.3V的读取。
编程或擦除操作需要2.7V的最小工作电压。
低压INHIBIT
（ LVI ）
该LVI模块没有设计的MC68HLC908LJ12 。经过MCU
复位时， LVI模块被禁止（ LVIPWRD = 1 CONFIG1 ） 。该LVIPWRD
位应保留为逻辑1 （默认设置） 。
电动
特定网络阳离子
电气规格为MC68HLC908LJ12设备中给出
下面的表格。
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HC908LJ12AD/D
功能操作
范围
表1.工作范围
特征
工作温度范围
工作电压范围
最大内部工作
频率
符号
T
A
V
DD
f
OP
价值
- 40 + 85
2.4 2.7
2
2.7到3.3
4
单位
°
C
V
兆赫
飞思卡尔半导体公司...
工作电压为FLASH
内存编程和擦除
操作
V
DD
2.7到3.3
V
直流电气
特征
表2.直流电气特性（ 2.4 2.7V ）
特征
(1)
输出高电压（I
负载
= -1.0毫安）
所有端口
输出低电压
(I
负载
= 0.8毫安）所有端口
(I
负载
= 4.0 mA）的PTB2 - PTB5
(I
负载
= 10.0毫安） PTB0 / TXD- PTB1
输入高电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
输入低电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
V
DD
电源电流
RUN
(3)
, f
OP
= 2 MHz的
对所有模块
与上ADC
与ADC关闭
等待
(4)
, f
OP
= 2兆赫（所有模块关闭）
停下，女
OP
= 8千赫
(5)
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
， LVI上）
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
上）
25
°
C（与OSC ， RTC上）
25
°
C（所有模块关闭）
数字I / O端口高阻泄漏电流
所有的端口， RST
I
IL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
200
27
15
1
—
—
—
—
—
—
—
—
5.2
3.8
2.8
2.3
mA
mA
mA
mA
符号
V
OH
民
V
DD
–0.4
典型值
(2)
—
最大
—
单位
V
V
OL
—
—
0.4
V
V
IH
V
IL
0.7
×
V
DD
V
SS
—
—
V
DD
0.3
×
V
DD
V
V
I
DD
A
A
A
A
A
±
10
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HC908LJ12AD/D
MC68HLC908LJ12
表2.直流电气特性（ 2.4 2.7V ） （续）
特征
(1)
输入电流
IRQ
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(7)
POR时的上升时间斜坡率
(8)
符号
I
IN
C
OUT
C
IN
V
POR
R
POR
V
HI
R
PU1
R
PU2
民
—
—
—
0
0.02
1.5
×
V
DD
—
—
典型值
(2)
—
—
—
—
—
—
25
27
最大
单位
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
—
—
A
pF
mV
V / ms的
V
k
k
飞思卡尔半导体公司...
监控模式进入电压（ IRQ引脚）
上拉电阻
(9)
PTA0 - 家长 - 教师联系， PTD4 - PTD7配置为KBI0 ， KBI7
RST ， IRQ
1. V
DD
= 2.4 2.7伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。少于
100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2线性电容会影响我跑
DD
.
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。小于100 pF的上
所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性影响我等待
DD
.
5.为8kHz时钟是从32kHz的时钟输入，在OSC1 ，为驱动RTC 。
配置为低电流模式6. LCD驱动器。
7.最大的是POR保证最高电压。
8.如果最小V
DD
未达到内部POR复位释放前，
RST
必须驱动为低电平，直到外部最低
V
DD
被达到。
9. R
PU1
和R
PU2
在V测量
DD
= 2.6V.
表3.直流电气特性（2.7 3.3V ）
特征
(1)
输出高电压（I
负载
= -1.0毫安）
所有端口
输出低电压
(I
负载
= 0.8毫安）所有端口
(I
负载
= 4.0 mA）的PTB2 - PTB5
(I
负载
= 10.0毫安） PTB0 / TXD- PTB1
输入高电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
输入低电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
符号
V
OH
民
V
DD
–0.4
典型值
(2)
—
最大
—
单位
V
V
OL
—
—
0.4
V
V
IH
V
IL
0.7
×
V
DD
V
SS
—
—
V
DD
0.3
×
V
DD
V
V
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HC908LJ12AD/D
表3.直流电气特性（2.7 3.3V ） （续）
特征
(1)
V
DD
电源电流
RUN
(3)
, f
OP
= 4兆赫
对所有模块
与上ADC
与ADC关闭
等待
(4)
, f
OP
= 4兆赫（所有模块关闭）
停下，女
OP
= 8千赫
(5)
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
， LVI上）
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
上）
25
°
C（与OSC ， RTC上）
25
°
C（所有模块关闭）
数字I / O端口高阻泄漏电流
所有的端口， RST
输入电流
IRQ
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(7)
POR时的上升时间斜坡率
(8)
监控模式进入电压（ IRQ引脚）
上拉电阻
(9)
PTA0 - 家长 - 教师联系， PTD4 - PTD7配置为KBI0 ， KBI7
RST ， IRQ
I
IL
I
IN
C
OUT
C
IN
V
POR
R
POR
V
HI
R
PU1
R
PU2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
0.02
1.5
×
V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
27
8
6
5
3.5
280
38
15
1
mA
mA
mA
mA
符号
民
典型值
(2)
最大
单位
I
DD
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A
A
A
A
A
A
pF
mV
V / ms的
V
k
k
±
10
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
—
—
1. V
DD
= 2.7 3.3伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。少于
100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2线性电容会影响我跑
DD
.
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。小于100 pF的上
所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性影响我等待
DD
.
5.为8kHz时钟是从32kHz的时钟输入，在OSC1 ，为驱动RTC 。
配置为低电流模式6. LCD驱动器。
7.最大的是POR保证最高电压。
8.如果最小V
DD
未达到内部POR复位释放前，
RST
必须驱动为低电平，直到外部最低
V
DD
被达到。
9. R
PU1
和R
PU2
在V测量
DD
= 3V.
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补遗
HC908LJ12AD/D
第0版， 6/2003
增编
MC68HC908LJ12
技术参数
飞思卡尔半导体公司...
本附录提供了有关以下MCU器件：
MC68HLC908LJ12
（见
第1页）
MC68HC08LJ12
（见
第9页）
整个
MC68HC908LJ12技术数据，
版本2 （摩托罗拉文档
数MC68HC908LJ12 / D）适用于这两个设备，但有例外
本附录列出。
修订
MC68HC908LJ12/D,
第2版，都记录在
第13页。
MC68HLC908LJ12
该MC68HLC908LJ12是MC68HC908LJ12的低电压版本，以
的工作电压范围为2.4至3.3V 。
FL灰内存
Flash存储器可以在工作电压范围为2.4至3.3V的读取。
编程或擦除操作需要2.7V的最小工作电压。
低压INHIBIT
（ LVI ）
该LVI模块没有设计的MC68HLC908LJ12 。经过MCU
复位时， LVI模块被禁止（ LVIPWRD = 1 CONFIG1 ） 。该LVIPWRD
位应保留为逻辑1 （默认设置） 。
电动
特定网络阳离子
电气规格为MC68HLC908LJ12设备中给出
下面的表格。
摩托罗拉公司， 2003
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HC908LJ12AD/D
功能操作
范围
表1.工作范围
特征
工作温度范围
工作电压范围
最大内部工作
频率
符号
T
A
V
DD
f
OP
价值
- 40 + 85
2.4 2.7
2
2.7到3.3
4
单位
°
C
V
兆赫
飞思卡尔半导体公司...
工作电压为FLASH
内存编程和擦除
操作
V
DD
2.7到3.3
V
直流电气
特征
表2.直流电气特性（ 2.4 2.7V ）
特征
(1)
输出高电压（I
负载
= -1.0毫安）
所有端口
输出低电压
(I
负载
= 0.8毫安）所有端口
(I
负载
= 4.0 mA）的PTB2 - PTB5
(I
负载
= 10.0毫安） PTB0 / TXD- PTB1
输入高电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
输入低电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
V
DD
电源电流
RUN
(3)
, f
OP
= 2 MHz的
对所有模块
与上ADC
与ADC关闭
等待
(4)
, f
OP
= 2兆赫（所有模块关闭）
停下，女
OP
= 8千赫
(5)
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
， LVI上）
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
上）
25
°
C（与OSC ， RTC上）
25
°
C（所有模块关闭）
数字I / O端口高阻泄漏电流
所有的端口， RST
I
IL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
200
27
15
1
—
—
—
—
—
—
—
—
5.2
3.8
2.8
2.3
mA
mA
mA
mA
符号
V
OH
民
V
DD
–0.4
典型值
(2)
—
最大
—
单位
V
V
OL
—
—
0.4
V
V
IH
V
IL
0.7
×
V
DD
V
SS
—
—
V
DD
0.3
×
V
DD
V
V
I
DD
A
A
A
A
A
±
10
2
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HC908LJ12AD/D
MC68HLC908LJ12
表2.直流电气特性（ 2.4 2.7V ） （续）
特征
(1)
输入电流
IRQ
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(7)
POR时的上升时间斜坡率
(8)
符号
I
IN
C
OUT
C
IN
V
POR
R
POR
V
HI
R
PU1
R
PU2
民
—
—
—
0
0.02
1.5
×
V
DD
—
—
典型值
(2)
—
—
—
—
—
—
25
27
最大
单位
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
—
—
A
pF
mV
V / ms的
V
k
k
飞思卡尔半导体公司...
监控模式进入电压（ IRQ引脚）
上拉电阻
(9)
PTA0 - 家长 - 教师联系， PTD4 - PTD7配置为KBI0 ， KBI7
RST ， IRQ
1. V
DD
= 2.4 2.7伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。少于
100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2线性电容会影响我跑
DD
.
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。小于100 pF的上
所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性影响我等待
DD
.
5.为8kHz时钟是从32kHz的时钟输入，在OSC1 ，为驱动RTC 。
配置为低电流模式6. LCD驱动器。
7.最大的是POR保证最高电压。
8.如果最小V
DD
未达到内部POR复位释放前，
RST
必须驱动为低电平，直到外部最低
V
DD
被达到。
9. R
PU1
和R
PU2
在V测量
DD
= 2.6V.
表3.直流电气特性（2.7 3.3V ）
特征
(1)
输出高电压（I
负载
= -1.0毫安）
所有端口
输出低电压
(I
负载
= 0.8毫安）所有端口
(I
负载
= 4.0 mA）的PTB2 - PTB5
(I
负载
= 10.0毫安） PTB0 / TXD- PTB1
输入高电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
输入低电压
所有的端口， RST ， IRQ ， OSC1
符号
V
OH
民
V
DD
–0.4
典型值
(2)
—
最大
—
单位
V
V
OL
—
—
0.4
V
V
IH
V
IL
0.7
×
V
DD
V
SS
—
—
V
DD
0.3
×
V
DD
V
V
摩托罗拉
增编MC68HC908LJ12技术参数
3
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飞思卡尔半导体公司
HC908LJ12AD/D
表3.直流电气特性（2.7 3.3V ） （续）
特征
(1)
V
DD
电源电流
RUN
(3)
, f
OP
= 4兆赫
对所有模块
与上ADC
与ADC关闭
等待
(4)
, f
OP
= 4兆赫（所有模块关闭）
停下，女
OP
= 8千赫
(5)
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
， LVI上）
25
°
C（与OSC ， RTC ， LCD
(6)
上）
25
°
C（与OSC ， RTC上）
25
°
C（所有模块关闭）
数字I / O端口高阻泄漏电流
所有的端口， RST
输入电流
IRQ
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(7)
POR时的上升时间斜坡率
(8)
监控模式进入电压（ IRQ引脚）
上拉电阻
(9)
PTA0 - 家长 - 教师联系， PTD4 - PTD7配置为KBI0 ， KBI7
RST ， IRQ
I
IL
I
IN
C
OUT
C
IN
V
POR
R
POR
V
HI
R
PU1
R
PU2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
0.02
1.5
×
V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
27
8
6
5
3.5
280
38
15
1
mA
mA
mA
mA
符号
民
典型值
(2)
最大
单位
I
DD
飞思卡尔半导体公司...
A
A
A
A
A
A
pF
mV
V / ms的
V
k
k
±
10
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
—
—
1. V
DD
= 2.7 3.3伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。少于
100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2线性电容会影响我跑
DD
.
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源进行测量。所有输入0.2 V轨。无直流负载。小于100 pF的上
所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性影响我等待
DD
.
5.为8kHz时钟是从32kHz的时钟输入，在OSC1 ，为驱动RTC 。
配置为低电流模式6. LCD驱动器。
7.最大的是POR保证最高电压。
8.如果最小V
DD
未达到内部POR复位释放前，
RST
必须驱动为低电平，直到外部最低
V
DD
被达到。
9. R
PU1
和R
PU2
在V测量
DD
= 3V.
4
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摩托罗拉
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