飞思卡尔半导体公司
补遗
HC908JB8AD/D
牧师0 ， 2002分之4
增编
MC68HC908JB8
技术参数
飞思卡尔半导体公司...
本附录提供了额外的信息给
MC68HC908JB8技术数据，
第2版
（摩托罗拉证件号码MC68HC908JB8 / D）
MC68HC08JB8A
该MC68HC08JB8A是ROM的部分相当于MC68HC908JB8 。该
整个MC68HC908JB8数据手册适用于本ROM设备，但有例外
本附录列出。
表1. MC68HC08JB8A和MC68HC908JB8差异汇总
MC68HC08JB8A
存储器（$ DC00- $ FBFF ）
用户向量（ $ FFF0- $ FFFF ）
在$ FE08和$ FF09寄存器
8,192字节的ROM
16字节的ROM
未使用;
位置被保留。
$ FC00- $ FDFF ：不使用。
$ FE10- $ FFDF ：用于
仅用于测试目的。
V
DD
电平（ 5V逻辑）
MC68HC908JB8
8,192字节的FLASH
16字节的FLASH
FLASH相关的寄存器。
$ FE08 - FLCR
$ FF09 - FLBPR
用于测试和FLASH
编程/擦除。
V
REG
水平（ 3.3V逻辑）
监控ROM
（ $ FC00- $ FDFF美元FE10- $ FFDF ）
OSC1和OSC2引脚
MCU框图
图1
示出了MC68HC08JB8A的框图。
存储器映射
该MC68HC08JB8A有8,192字节的用户ROM从$ DC00至FBFF ，并
16字节用户ROM向量从$ FFF0至$ FFFF 。在MC68HC908JB8 ，
这些存储单元是快闪存储器。
图2
示出了MC68HC08JB8A的存储器映射。
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
飞思卡尔半导体公司
HC908JB8AD/D
保留寄存器
这两个寄存器的$ FE08和$ FE09都在保留的位置
MC68HC08JB8A.
在MC68HC908JB8 ，这两个位置都是FLASH控制寄存器
和FLASH块保护分别注册。
监控ROM
监视程序（监控ROM： $ FE10- $ FFDF ）上MC68HC08JB8A
仅用于设备测试。 $ FC00- $ FDFF未使用。
飞思卡尔半导体公司...
电动
特定网络阳离子
直流电气
特征
电气规格为MC68HC908JB8适用于MC68HC08JB8A ，
除了下面所示的参数。
表2.直流电气特性
特征
(1)
稳压器输出电压
输出高电压（I
负载
= -2.0毫安）
PTA0 - PTA7 ， PTB0 - PTB7 ， PTC0 ， PTC7 ，
PTE0–PTE2
输出低电压
(I
负载
= 1.6 mA）的所有I / O引脚
(I
负载
= 25 mA）的PTD0 - PTD1在ILDD模式
(I
负载
= 10 mA）的PTE3 - PTE4与USB禁用
输入高电压
所有的端口， OSC1
IRQ ， RST
输入低电压
所有的端口， OSC1
IRQ ， RST
输出低电流（V
OL
= 2.0 V)
PTD2 - PTD5在LDD模式
V
DD
电源电流，V
DD
= 5.25V ，女
OP
= 3MHz的
运行，低速USB
(3)
跑，带USB暂停
(3)
等待，低速USB
(4)
等一下，带USB暂停
(4)
停止
(5)
0
°
C至70
°
C
—
—
—
—
—
6.0 (5.0)
5.5 (4.5)
4.0 (3.0)
3.0 (2.5)
30
7.5
6.5
5.0
4.0
100
mA
mA
mA
mA
符号
V
REG
V
OH
民
3.0
V
REG
–0.8
典型值
(2)
3.3
—
最大
3.6
—
单位
V
V
V
OL
—
—
—
0.7
×
V
REG
0.7
×
V
DD
V
SS
V
SS
12 (17)
—
—
—
—
—
—
—
17 (22)
0.4
0.5
0.4
V
REG
V
DD
0.3
×
V
REG
0.3
×
V
DD
22 (27)
V
V
IH
V
V
IL
V
I
OL
mA
I
DD
A
增编MC68HC908JB8技术参数
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HC908JB8AD/D
MC68HC08JB8A
表2.直流电气特性
特征
(1)
I / O端口高阻泄漏电流
输入电流
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(6)
POR时的上升时间斜坡率
(7)
符号
I
IL
I
IN
C
OUT
C
In
V
POR
R
POR
V
DD
+
V
HI
R
PU
民
—
—
—
—
0
0.035
1.4
×
V
DD
25
4
1.2
2.8 (2.4)
40
5
1.5
3.3 (2.7)
典型值
(2)
—
—
—
—
—
—
最大
单位
±
10
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
55
6
2.0
3.8 (3.0)
(8)
A
A
pF
mV
V / ms的
V
k
飞思卡尔半导体公司...
监控模式进入电压
上拉电阻
A口， B口， C口， PTE0 - PTE2 ， RST ， IRQ
PTE3 - PTE4 （带USB模块禁用）
D-（带USB模块使能）
LVI复位
V
LVR
V
1. V
DD
= 4.05.5伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源（F测
XCLK
= 6兆赫） 。所有输入0.2 V轨。没有DC
负载。小于100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性
影响我跑
DD
。测启用的所有模块。
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源（F测
XCLK
= 6 MHz）的;所有输入轨0.2 V ;无直流负载;少
超过100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 ; 15千欧
±
5％的终端电阻上的D +和D-引脚;配置的所有端口
作为输入; OSC2电容线性影响我等待
DD
5.停止我
DD
带USB挂起模式计量; OSC1接地; 1.5 kΩ的收发器上拉电阻
±
V的5％的
REG
和D-引脚和15千欧
±
在D +引脚5 ％端接电阻;没有端口引脚输出电流。
6.最大的是POR保证最高电压。
7.如果最小V
REG
未达到内部POR复位释放之前， RST必须驱动为低电平，直到外部最低
V
REG
被达到。
8.在括号中的数字是MC68HC08JB8 （非A部分）的值。
内存
特征
表3.存储器特性
特征
RAM数据保持电压
符号
V
RDR
民
1.3
最大
—
单位
V
注意事项：
因为MC68HC08JB8A是一个ROM设备，快闪存储器的电气特性并不适用。
增编MC68HC908JB8技术参数
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牧师0 ， 2002分之4
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MC68HC908JB8
技术参数
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MC68HC908JB8技术数据，
第2版
（摩托罗拉证件号码MC68HC908JB8 / D）
MC68HC08JB8A
该MC68HC08JB8A是ROM的部分相当于MC68HC908JB8 。该
整个MC68HC908JB8数据手册适用于本ROM设备，但有例外
本附录列出。
表1. MC68HC08JB8A和MC68HC908JB8差异汇总
MC68HC08JB8A
存储器（$ DC00- $ FBFF ）
用户向量（ $ FFF0- $ FFFF ）
在$ FE08和$ FF09寄存器
8,192字节的ROM
16字节的ROM
未使用;
位置被保留。
$ FC00- $ FDFF ：不使用。
$ FE10- $ FFDF ：用于
仅用于测试目的。
V
DD
电平（ 5V逻辑）
MC68HC908JB8
8,192字节的FLASH
16字节的FLASH
FLASH相关的寄存器。
$ FE08 - FLCR
$ FF09 - FLBPR
用于测试和FLASH
编程/擦除。
V
REG
水平（ 3.3V逻辑）
监控ROM
（ $ FC00- $ FDFF美元FE10- $ FFDF ）
OSC1和OSC2引脚
MCU框图
图1
示出了MC68HC08JB8A的框图。
存储器映射
该MC68HC08JB8A有8,192字节的用户ROM从$ DC00至FBFF ，并
16字节用户ROM向量从$ FFF0至$ FFFF 。在MC68HC908JB8 ，
这些存储单元是快闪存储器。
图2
示出了MC68HC08JB8A的存储器映射。
摩托罗拉公司， 2003
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HC908JB8AD/D
保留寄存器
这两个寄存器的$ FE08和$ FE09都在保留的位置
MC68HC08JB8A.
在MC68HC908JB8 ，这两个位置都是FLASH控制寄存器
和FLASH块保护分别注册。
监控ROM
监视程序（监控ROM： $ FE10- $ FFDF ）上MC68HC08JB8A
仅用于设备测试。 $ FC00- $ FDFF未使用。
飞思卡尔半导体公司...
电动
特定网络阳离子
直流电气
特征
电气规格为MC68HC908JB8适用于MC68HC08JB8A ，
除了下面所示的参数。
表2.直流电气特性
特征
(1)
稳压器输出电压
输出高电压（I
负载
= -2.0毫安）
PTA0 - PTA7 ， PTB0 - PTB7 ， PTC0 ， PTC7 ，
PTE0–PTE2
输出低电压
(I
负载
= 1.6 mA）的所有I / O引脚
(I
负载
= 25 mA）的PTD0 - PTD1在ILDD模式
(I
负载
= 10 mA）的PTE3 - PTE4与USB禁用
输入高电压
所有的端口， OSC1
IRQ ， RST
输入低电压
所有的端口， OSC1
IRQ ， RST
输出低电流（V
OL
= 2.0 V)
PTD2 - PTD5在LDD模式
V
DD
电源电流，V
DD
= 5.25V ，女
OP
= 3MHz的
运行，低速USB
(3)
跑，带USB暂停
(3)
等待，低速USB
(4)
等一下，带USB暂停
(4)
停止
(5)
0
°
C至70
°
C
—
—
—
—
—
6.0 (5.0)
5.5 (4.5)
4.0 (3.0)
3.0 (2.5)
30
7.5
6.5
5.0
4.0
100
mA
mA
mA
mA
符号
V
REG
V
OH
民
3.0
V
REG
–0.8
典型值
(2)
3.3
—
最大
3.6
—
单位
V
V
V
OL
—
—
—
0.7
×
V
REG
0.7
×
V
DD
V
SS
V
SS
12 (17)
—
—
—
—
—
—
—
17 (22)
0.4
0.5
0.4
V
REG
V
DD
0.3
×
V
REG
0.3
×
V
DD
22 (27)
V
V
IH
V
V
IL
V
I
OL
mA
I
DD
A
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摩托罗拉
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HC908JB8AD/D
MC68HC08JB8A
表2.直流电气特性
特征
(1)
I / O端口高阻泄漏电流
输入电流
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(6)
POR时的上升时间斜坡率
(7)
符号
I
IL
I
IN
C
OUT
C
In
V
POR
R
POR
V
DD
+
V
HI
R
PU
民
—
—
—
—
0
0.035
1.4
×
V
DD
25
4
1.2
2.8 (2.4)
40
5
1.5
3.3 (2.7)
典型值
(2)
—
—
—
—
—
—
最大
单位
±
10
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
55
6
2.0
3.8 (3.0)
(8)
A
A
pF
mV
V / ms的
V
k
飞思卡尔半导体公司...
监控模式进入电压
上拉电阻
A口， B口， C口， PTE0 - PTE2 ， RST ， IRQ
PTE3 - PTE4 （带USB模块禁用）
D-（带USB模块使能）
LVI复位
V
LVR
V
1. V
DD
= 4.05.5伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源（F测
XCLK
= 6兆赫） 。所有输入0.2 V轨。没有DC
负载。小于100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性
影响我跑
DD
。测启用的所有模块。
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源（F测
XCLK
= 6 MHz）的;所有输入轨0.2 V ;无直流负载;少
超过100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 ; 15千欧
±
5％的终端电阻上的D +和D-引脚;配置的所有端口
作为输入; OSC2电容线性影响我等待
DD
5.停止我
DD
带USB挂起模式计量; OSC1接地; 1.5 kΩ的收发器上拉电阻
±
V的5％的
REG
和D-引脚和15千欧
±
在D +引脚5 ％端接电阻;没有端口引脚输出电流。
6.最大的是POR保证最高电压。
7.如果最小V
REG
未达到内部POR复位释放之前， RST必须驱动为低电平，直到外部最低
V
REG
被达到。
8.在括号中的数字是MC68HC08JB8 （非A部分）的值。
内存
特征
表3.存储器特性
特征
RAM数据保持电压
符号
V
RDR
民
1.3
最大
—
单位
V
注意事项：
因为MC68HC08JB8A是一个ROM设备，快闪存储器的电气特性并不适用。
摩托罗拉
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补遗
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牧师0 ， 2002分之4
增编
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技术参数
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本附录提供了额外的信息给
MC68HC908JB8技术数据，
第2版
（摩托罗拉证件号码MC68HC908JB8 / D）
MC68HC08JB8A
该MC68HC08JB8A是ROM的部分相当于MC68HC908JB8 。该
整个MC68HC908JB8数据手册适用于本ROM设备，但有例外
本附录列出。
表1. MC68HC08JB8A和MC68HC908JB8差异汇总
MC68HC08JB8A
存储器（$ DC00- $ FBFF ）
用户向量（ $ FFF0- $ FFFF ）
在$ FE08和$ FF09寄存器
8,192字节的ROM
16字节的ROM
未使用;
位置被保留。
$ FC00- $ FDFF ：不使用。
$ FE10- $ FFDF ：用于
仅用于测试目的。
V
DD
电平（ 5V逻辑）
MC68HC908JB8
8,192字节的FLASH
16字节的FLASH
FLASH相关的寄存器。
$ FE08 - FLCR
$ FF09 - FLBPR
用于测试和FLASH
编程/擦除。
V
REG
水平（ 3.3V逻辑）
监控ROM
（ $ FC00- $ FDFF美元FE10- $ FFDF ）
OSC1和OSC2引脚
MCU框图
图1
示出了MC68HC08JB8A的框图。
存储器映射
该MC68HC08JB8A有8,192字节的用户ROM从$ DC00至FBFF ，并
16字节用户ROM向量从$ FFF0至$ FFFF 。在MC68HC908JB8 ，
这些存储单元是快闪存储器。
图2
示出了MC68HC08JB8A的存储器映射。
摩托罗拉公司， 2003
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HC908JB8AD/D
保留寄存器
这两个寄存器的$ FE08和$ FE09都在保留的位置
MC68HC08JB8A.
在MC68HC908JB8 ，这两个位置都是FLASH控制寄存器
和FLASH块保护分别注册。
监控ROM
监视程序（监控ROM： $ FE10- $ FFDF ）上MC68HC08JB8A
仅用于设备测试。 $ FC00- $ FDFF未使用。
飞思卡尔半导体公司...
电动
特定网络阳离子
直流电气
特征
电气规格为MC68HC908JB8适用于MC68HC08JB8A ，
除了下面所示的参数。
表2.直流电气特性
特征
(1)
稳压器输出电压
输出高电压（I
负载
= -2.0毫安）
PTA0 - PTA7 ， PTB0 - PTB7 ， PTC0 ， PTC7 ，
PTE0–PTE2
输出低电压
(I
负载
= 1.6 mA）的所有I / O引脚
(I
负载
= 25 mA）的PTD0 - PTD1在ILDD模式
(I
负载
= 10 mA）的PTE3 - PTE4与USB禁用
输入高电压
所有的端口， OSC1
IRQ ， RST
输入低电压
所有的端口， OSC1
IRQ ， RST
输出低电流（V
OL
= 2.0 V)
PTD2 - PTD5在LDD模式
V
DD
电源电流，V
DD
= 5.25V ，女
OP
= 3MHz的
运行，低速USB
(3)
跑，带USB暂停
(3)
等待，低速USB
(4)
等一下，带USB暂停
(4)
停止
(5)
0
°
C至70
°
C
—
—
—
—
—
6.0 (5.0)
5.5 (4.5)
4.0 (3.0)
3.0 (2.5)
30
7.5
6.5
5.0
4.0
100
mA
mA
mA
mA
符号
V
REG
V
OH
民
3.0
V
REG
–0.8
典型值
(2)
3.3
—
最大
3.6
—
单位
V
V
V
OL
—
—
—
0.7
×
V
REG
0.7
×
V
DD
V
SS
V
SS
12 (17)
—
—
—
—
—
—
—
17 (22)
0.4
0.5
0.4
V
REG
V
DD
0.3
×
V
REG
0.3
×
V
DD
22 (27)
V
V
IH
V
V
IL
V
I
OL
mA
I
DD
A
4
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HC908JB8AD/D
MC68HC08JB8A
表2.直流电气特性
特征
(1)
I / O端口高阻泄漏电流
输入电流
电容
端口（输入或输出）
POR重新臂电压
(6)
POR时的上升时间斜坡率
(7)
符号
I
IL
I
IN
C
OUT
C
In
V
POR
R
POR
V
DD
+
V
HI
R
PU
民
—
—
—
—
0
0.035
1.4
×
V
DD
25
4
1.2
2.8 (2.4)
40
5
1.5
3.3 (2.7)
典型值
(2)
—
—
—
—
—
—
最大
单位
±
10
±
1
12
8
100
—
2
×
V
DD
55
6
2.0
3.8 (3.0)
(8)
A
A
pF
mV
V / ms的
V
k
飞思卡尔半导体公司...
监控模式进入电压
上拉电阻
A口， B口， C口， PTE0 - PTE2 ， RST ， IRQ
PTE3 - PTE4 （带USB模块禁用）
D-（带USB模块使能）
LVI复位
V
LVR
V
1. V
DD
= 4.05.5伏，V
SS
= 0伏，T
A
= T
L
给T
H
中，除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内， 25中点测量平均
°C
只。
3.运行（工作）I
DD
使用外部方波时钟源（F测
XCLK
= 6兆赫） 。所有输入0.2 V轨。没有DC
负载。小于100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 。配置所有端口为输入。 OSC2电容线性
影响我跑
DD
。测启用的所有模块。
4.等待我
DD
使用外部方波时钟源（F测
XCLK
= 6 MHz）的;所有输入轨0.2 V ;无直流负载;少
超过100 pF的所有输出。
L
= 20 pF的上OSC2 ; 15千欧
±
5％的终端电阻上的D +和D-引脚;配置的所有端口
作为输入; OSC2电容线性影响我等待
DD
5.停止我
DD
带USB挂起模式计量; OSC1接地; 1.5 kΩ的收发器上拉电阻
±
V的5％的
REG
和D-引脚和15千欧
±
在D +引脚5 ％端接电阻;没有端口引脚输出电流。
6.最大的是POR保证最高电压。
7.如果最小V
REG
未达到内部POR复位释放之前， RST必须驱动为低电平，直到外部最低
V
REG
被达到。
8.在括号中的数字是MC68HC08JB8 （非A部分）的值。
内存
特征
表3.存储器特性
特征
RAM数据保持电压
符号
V
RDR
民
1.3
最大
—
单位
V
注意事项：
因为MC68HC08JB8A是一个ROM设备，快闪存储器的电气特性并不适用。
摩托罗拉
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