MCWOO
I
i
8位微处理
单元（ MPU ）
I
的MC6800是单片8位微处理器形成中心
控制功能摩托罗拉M68 族。兼容TTL的
MC6B ，与所有M6800系统部件，只需要1 + 5.O伏
电源和总线接口，无需外接TTL器件。
该MC6800能够解决64K字节的内存，其
16位地址线。 8位数据总线是双向的，以及三
态，从而实现直接内存寻址和多处理应用
系统蒸发散变现。
q
8位的并行处理
q
双向
数据总线
- 变长
索引，
.
.
16位地址总线 - 寻址的字节数WK
七寻址模式 - 直销，相对的，即时，
扩展，隐含和累加器
q
72说明
， > ：
,,*!.
“ ） ！ IC ， [
。向量重新启动
.}. ‘.*$
,,2:+.(
~
‘~”‘%1
*F.
。可屏蔽中断向量
~
..!’.
。独立的不可屏蔽中断 - 内部寄存器保存的我＃ '' :: $$
, +, ~. ,{).
~,
,)i
.Y ， ： > ， ，， ， 。 ！ 。
-,,,....
堆
....
*： .. '是
。六个内部寄存器 - 两个累加器，指数注册 ＃ Y' ' ： Y'
程序计数器，堆栈指针和状态代码重用 @ TE
q
直接存储器寻址（D MA ）和多P @ $ esso'r
。 ！ ： ， ， ，， >s ， - 。
能力
,“ ., . .+
,.,
,1’.- ,,:+~..,
“ --> ， ** 。
*V
\\ >>> 。 ，
q
简化的时钟特性
‘~:?iii
...... * “ ， + < *
,,:+,..,
‘.~;:),t.{t,.
。时钟速率高达2.0 MHz的
， >
* ： ; >
q
可变长度的栈
q
没有简单的总线接口
q
暂停和单指令
uu. -
苏FFI X
陶瓷封装
CASE 715
TTL
,$~~~~i$~’
VSS [
HALT [
引脚分配
10
2
~
JRESET
39 ] TSC
38 ] n的。 C.
37
Executlo * K $ $相容性
,.*. .\
~
~$$~
'; $ * Y * ：，F
。 ..， 。它
， 。 ， 。 ，。 $ > 。
“我， \\ ， * >
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...
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\*:,.:
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., \.J.*
.+,t~
信息
@l [ 3
KQ [ 4
342
VMA [ 5
m[
6
36 DBE
35] N， C。
34 ]器Rl
33 DO
32 ]去离子
31 ] D2
30 ] D3
29 ] D4
28 ] D5
27 ] D6
26 ] D7
25 ]A15
24 ]A14
23 JA13
22 ]A12
21 Jvss
w< ，
.-1. $,)
..
,,, ~~ &Y @' DERING
BA [ 7
封装类型'$ :, ~~ equency （兆赫）
陶瓷+ ,, ： ， F “
1.0
L s ~~我~~“
1.0
温度
OOC
to
70°c
–40°C
至85℃
订单号
MC6800L
MC ~~ CL
VCCC
8
AC [ 9
[10
A2 [ 11
@y * + （K :::
TI 。 ..，
.
2.0
OOC
to
70°c
RDIO
.—
! –!–
I
S SUF科幻X
塑料
P
苏FFI X
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
0℃至70℃
-40 ° C至85°C
0℃至70℃
-40 ° C至85°C
0℃至70℃
0℃至70℃
–40°C
to
85°C
}℃
to
70°c
– 40°C
to
85°C
OOC
to
70°c
MC68BOOL
MC68WS
MC @ WCS
Mc68Ams
Mc68Amcs
MC68BOOS
MC6800P
MC6800C P
MC68AOOP
MC68AOOCP
MC68BOOP
A3[
A4[
12
13
A5 [ 14
A6 [ 15
A7 [ 16
A8 [ 17
A9 [ 16
A1O
19
阿尔1Q 20
MOTOROLA INC 。制，LW
DS9471-F
——
-——— -—
最大
评级
M C6
M C68A
范围
I
I
台旅会
I
-40to
+85
+150
I
I
储存温度
l-55to
I“ C I
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静
电压或电场;然而，它是AD-
vised正常的预防措施，采取
避免应用程序的任何电压高于
最大额定
电压
这个高
阻抗电路。操作的可靠性
热
阻力
等级
符号
EJ一
价值
Im
60
m
单位
CLW
塑料包装
CERDIP套餐
陶瓷Packaqe
动力
平均
芯片结
OJA ）
温度，
注意事项
来自：
TJ ，在'C可以得到
TJ = TA + （ PDO
其中：
TA =环境
OJA =
(1)
‘C
， 。 ， \\ WY \\
\ ~.::$,i~
; F公司 ;
。 ， $ 'F ：き,,
, ,,$3
PD = PINT +支持度
::i~.’. ~..,..,.
~i.:.,. .
0.< ,, .. ,,
品脱= ICC X Vcc时，瓦特 - 芯片内部电源
1*+:
,..,
.,+*
支持度=端口功耗瓦 - 用户Determin @ ： $ ,,,
..,.
. ,.,.
包
热
性，
结到环境，
° C / W
温度，
对于大多数应用PPORT< PINT并可以被忽略。 P $ O
可能成为显著如果设备被配置为
％I * \\ ：,, * F
,+,:,
*
达林顿驱动碱或水槽LED负载。
..,,,.,
,\+,*
PD和TJ之间的大致关系（如PPO ~~ $ YWbglected ）
是：
， 0.> ,,, 。
PD = K- （ TJ + 2730C ）
(2)
。 ，J ： > ， ： *
，J ， T ::我， }
解方程1和2中K给出：
.,(*;{:\
K = PD 。 （ TA + 2730C ） + 0JA *
PD2
.. ‘}~. $
(3)
,’,:::
/:'\\,.*:..* > 。 \\\\
其中，K是一个常数有关的杂色$ $ ~~~它。 。K可从式（3）通过测量局部放电来确定（在平衡时）
对于一个已知的TA 。使用K时VA ~~~~这个值： QFT ， @ D键TJ可以得到
\\*‘:*,..,,
TA的价值，
， >f ： > ， { ,,, >i ，
,t
“ ， ” 。 ,, \\ < ..
.~\ ‘~$,\ {w
.,!.
“ -.< ： ， 。
~~y
＆ GT ;
V'i 。 \\\\
， :: ， 2.CF
我 JT ： ？ ， ？ 。
.
.},.
.-
通过解等式（1）
和（2）反复进行任何
直流电气
CHARACTERl ％ C （VCC =
.. ： $ ： ？ ， >美元
,,,..,,.,
5,0伏， + 5 ％ ，
VSS = O， TA = TL到TH除非另有说明）
Svmkl
逻辑
41,42
逻辑
~1 ,42
逻辑
@l, #2
D&D7
AO- A15 ， RLW
DO-D7
R / ， VMA
BA
VSS+2.4
VSS+2.4
VSS+2.41
VSS–0,3
VSS–0,3
—
–
–
1,0
VSS+O.8
VSS+O.4
2.5
v
“ .&i ，T 。
~~
\\吨0.<美元， ％ \\ 。 @aracteriatic
“我'; ，L ,,' $ ，
,
输入高电压
; > ？ “一个？ + $ } 。 ,,'
~.,t...t,
输入低电压 W“ &美元 $ ， $ ＃
。 ， 。 “ < $
.,~’ \ .:,,
达; { ,,,
*,,.;’.
输入Leakag @ $ &f $ N
（ VIN = Ot& @ & ~~ ，
VCC =最大值）
V， VCC = o的钒以
5.25 V)
（VIN
~&!0,~~@5
您好 @ bkti @ akage
当前
f~#'@&.4至2.4 V ， VCC =最大值）
~w~?
高压
A&A15,
“ $$ lLoad = -
205tiA ， VCC = MinJ
“ （ lLoad = - 1454A ， VCC =最小值）
（ lLoad = - 100KA ， VCC =最小值）
输出低电压（ lLoad = 1.6毫安， VCC =最小值）
内部功耗
电容
（VIN = O ， TA = 25℃ ，
F = l.O
（测量在TA = TL ）
兆赫）
PA
,
VOH
VOL
品脱
–
–
–
[
–
–
–
1,0
35
70
12.5
10
12
1
I
v
—
—
! —
I
I
I
]
I
IVSS + O
0.5
25
45
10
6.5
—
w
,4
v
w
I
I
I
I
~1
42
DGD7
逻辑输入
AO- A15中，R ，
VMA
—
CIN
—
—
pF
—
COUT
—
pF
—
(M)
摩托罗拉
Semjconducfor
2
产品公司
时钟时序（VCC =
5,0
V,
*5%,
VSS = O ，
操作的频率
TA = TL
以TH除非另有
说明）
符号
民
0.1
0.1
0.1
1.000
O.m
O.m
w
Za
180
90
600
w
—
o
o
典型值
–
–
–
–
—
–
–
–
–
–
–
–
—
最大
1.0
1.5
2.0
10
10
10
9m
9m
9W
—
–
–
单位
兆赫
特征
MC-
MC68AO0
MCWBW
米CM
M C @ AW
MC BW
@l ， @ 2 - MCMN
@l ， @ 2 - MC6BAO0
@l ， @ 2 - MC68BO0
MCH
M C A
MC6BBW
f
循环时间（图1）
TCYC
ps
时钟脉冲宽度
（测得VCC- 0.6V）
总计01和42运行时间
PW ×高
ns
,*!.
‘*{,1,
。 ！ > ， ：.. ， 。 ：
~:~,
Y “~:..
D * “ ： * ” ： * L
“ $$ ：科幻+ S：
t“t
TR ， TF
td
上升和下降时间（测量VSS 0.4和VCC- O.6之间）
延迟时间或时钟分离（图1）
（测得VOV = VSS + O.6
V @ TR = TF = 1
NS ）
（测得VOV = VSS + 1.0 V @ TR = TF S35 NS }
1,
,,,,
,, FJ $ ' ，我 “ ;？
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％$ * t&
, ,,
> + 1 ,:
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$
ns
TD +
+
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,,
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地址DelaV
..,,.
， T ,,, ：Y
,
C=90pF
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** 3 :: ， ： >
C = 30 pF的
,,..,
..
＆ GT ;
外围读访问 fi& F ：
TACC =啧啧 - （TAD + ~~~ $ 。
数据建立蒂姆$ :( ~~~ ？：
输入值H @我
输出D @ L， ＃时间
Addressf&,& ，集美
艾纳~~我 @时间
数据LAV
（地址， R / ，
为DBE输入
VMA ）
‘
*T,
,+1
符号
MC-
民
–
—
605
lm
10
10
30
450
–
2m
–
–
o
–
Iw
–
典型值
–
—
–
–
–
25
50
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
270
2W
—
–
–
–
–
–
225
–
Im
29
40
270
–
25
民
–
–
m
60
10
10
30
280
–
140
–
–
0
–
120
–
MC8BAO0
典型值
–
–
–
–
–
25
a
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
1BO
165
—
–
–
–
–
–
2W
–
100
165
40
270
–
25
民
–
–
2W
40
10
10
m
220
–
110
–
–
0
–
75
–
MC6BBO0
典型值
–
–
–
–
–
25
50
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
150
135
—
–
–
–
–
–
160
–
100
135
m
220
–
25
单位
TA
ns
TACC
全港发展策略检讨
tH
tH
TA
德
TDDW
TPCS
TPCR ， tpcf
TBA
tTSE
TTSD
tDBE
tDBEr ， tDBEf
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时间（写入）
处理器控制
处理器控制建立时间
处理器控制上升和下降时间
8US可用DelaV
高阻启用
高阻DelaV
数据总线使停机时间在@l运行时间
数据总线允许上升和下降时间
ns
—
m
M070ROLA
半导体
3
产品公司
QQ：2881677436 复制
