摩托罗拉
半导体技术资料
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/
与线路接收器
LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HCT241A在引出线的LS241是相同的。该装置
可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS输出到
高速CMOS输入。该HCT241A是一个八进制非反相缓冲器/线路
驱动器/接收器线路设计为具有三态内存地址使用
驱动器，时钟驱动器，以及其它面向总线的系统。该装置具有
非反相输出端和两个输出使能位。使A为低电平有效，
允许B是高电平有效。
该HCT241A是在功能上与HCT244相似。另请参阅HCT240 。
输出驱动能力： 15输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 118场效应管或29.5等效门
逻辑图
A1
A2
A3
A4
数据输入
B1
B2
B3
B4
11
13
15
17
9
7
5
3
YB1
YB2
2
4
6
8
18
16
14
12
YA1
YA2
YA3
YA4
同相
输出
MC54/74HCT241A
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
1
20
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
20
1
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
订购信息
MC54HCTXXXAJ
MC74HCTXXXAN
MC74HCTXXXADW
陶瓷的
塑料
SOIC
引脚分配
允许A
A1
YB4
A2
YB3
A3
YB2
A4
YB1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
允许B
YA1
B4
YA2
B3
YA3
B2
YA4
B1
功能表
YB3
YB4
输入
允许A
L
L
H
输入
允许B
H
H
L
B
L
H
X
A
L
H
X
产量
YA
L
H
Z
产量
YB
L
H
Z
1
输出使能A
使ENABLE B 19
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
Z =高阻抗
X =无关
2/97
摩托罗拉1997年公司
1
第七版
MC54/74HCT241A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
IIN
VOUT
IOUT
PD
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
ICC
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
储存温度
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
（陶瓷DIP ）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
TA
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TR ， TF
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
VCC
500
– 55
0
+ 125
_
C
ns
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
S B升
VIH
VIL
参数
P
试验C迪我
T
条件
VCC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
- 55
25
_
C
2
2
v
85
_
C
v
125
_
C
2
2
2
2
0.8
0.8
4.4
5.4
08
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
单位
U I
V
V
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
最大低电平输入
电压
VOH
最小高电平输出
电压
VOL
最大低电平输出
电压
v
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
v
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
6毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
6毫安
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
3.84
0.1
0.1
V
0.26
0.33
IIN
最大输入漏电流
最大的三态
漏电流
IOZ
VIN = VCC或GND
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
±
0.1
±
0.5
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
A
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
5.5
4
40
160
A
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HCT241A
I
CC
额外的静态电源
当前
VIN = 2.4 V ，任何一个输入
VIN = VCC或GND的其他投入
GND ，
糊涂人= 0
A
≥
–55
_
C
2.9
25
_
C至125
_
C
2.4
5.5
55
mA
A
注意事项：
在随频率或高负荷的考虑典型参数值1。信息可以在摩托罗拉的高第2章被发现
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
2.总电源电流= ICC +
ΣI
CC.
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC54/74HCT241A
AC电气特性
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
保证限额
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
tPLZ ，
tPHZ
tpZL ，
tpZH
参数
P
- 55
25
_
C
23
30
26
12
10
15
v
85
_
C
29
38
33
15
10
15
v
125
_
C
35
45
39
18
10
15
单位
U I
ns
ns
ns
ns
最大传输延迟， A到YA或B到YB
（图1和3）
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大输入电容
tTLH ，
TTHL
CIN
pF
pF
COUT
最大三态输出电容（输出高阻抗
状态）
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容（ P·E BL D 2 O
i
（每启用输出） *
)*
55
pF
F
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
开关波形
3V
允许A
1.3 V
GND
3V
tr
输入
A或B
TPLH
产量
YA或YB
tTLH
90%
1.3 V
10%
TTHL
输出y
2.7 V
1.3 V
0.3 V
的TPH1
tf
3V
tPZL
GND
输出y
1.3 V
10%
tpZH
1.3 V
tPHZ
90%
tPLZ
允许B
1.3 V
GND
高
阻抗
VOL
VOH
高
阻抗
图1 。
图2中。
测试点
产量
设备
下
TEST
设备
下
TEST
测试点
产量
1 k
接VCC WHEN
测试tPLZ与tPZL 。
连接到GND WHEN
测试tPHZ与tPZH 。
CL *
CL *
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图3.测试电路
图4.测试电路
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
半导体技术资料
摩托罗拉
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/
与线路接收器
LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HCT241A在引出线的LS241是相同的。该装置
可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS输出到
高速CMOS输入。该HCT241A是一个八进制非反相缓冲器/线路
驱动器/接收器线路设计为具有三态内存地址使用
驱动器，时钟驱动器，以及其它面向总线的系统。该装置具有
非反相输出端和两个输出使能位。使A为低电平有效，
允许B是高电平有效。
该HCT241A是在功能上与HCT244相似。另请参阅HCT240 。
输出驱动能力： 15输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 118场效应管或29.5等效门
逻辑图
A1
A2
A3
A4
数据输入
B1
B2
B3
B4
11
13
15
17
9
7
5
3
YB1
YB2
2
4
6
8
18
16
14
12
YA1
YA2
YA3
YA4
同相
输出
MC54/74HCT241A
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
1
20
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
20
1
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
订购信息
MC54HCTXXXAJ
MC74HCTXXXAN
MC74HCTXXXADW
陶瓷的
塑料
SOIC
引脚分配
允许A
A1
YB4
A2
YB3
A3
YB2
A4
YB1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
允许B
YA1
B4
YA2
B3
YA3
B2
YA4
B1
功能表
YB3
YB4
输入
允许A
L
L
H
输入
允许B
H
H
L
B
L
H
X
A
L
H
X
产量
YA
L
H
Z
产量
YB
L
H
Z
1
输出使能A
使ENABLE B 19
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
Z =高阻抗
X =无关
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HCT241A
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
VOL
ICC
TA
IOZ
VIH
VIL
IIN
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间（图1 ）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态
漏电流
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
v
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
v
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
6毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
6毫安
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
4.5
价值
0
0
±
75
±
35
±
20
260
300
750
500
+ 125
VCC
最大
500
5.5
VCC
V
5.5
5.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
±
0.5
±
0.1
0.26
3.98
0.1
0.1
4.4
5.4
0.8
0.8
4
2
2
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
5.0
±
1.0
0.33
3.84
0.1
0.1
4.4
5.4
0.8
0.8
40
2
2
v
±
1.0
±
10
160
0.4
0.1
0.1
3.7
4.4
5.4
08
0.8
2
2
v
单位
A
A
A
V
V
V
V
I
CC
额外的静态电源
当前
VIN = 2.4 V ，任何一个输入
VIN = VCC和GND ，其它输入
糊涂人= 0
A
≥
–55
_
C
2.9
25
_
C至125
_
C
2.4
5.5
mA
注意事项：
在随频率或高负荷的考虑典型参数值1。信息可以在摩托罗拉的高第2章被发现
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
2.总电源电流= ICC +
ΣI
CC.
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC54/74HCT241A
MC54/74HCT241A
AC电气特性
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
保证限额
符号
tPLH的，
的TPH1
tPLZ ，
tPHZ
tpZL ，
tpZH
参数
- 55
25
_
C
23
30
26
12
10
15
v
85
_
C
29
38
33
15
10
15
v
125
_
C
35
45
39
18
10
15
单位
ns
ns
ns
ns
最大传输延迟， A到YA或B到YB
（图1和3）
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
最大传输延迟，输出使能到YA或YB
（图2和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大输入电容
tTLH ，
TTHL
CIN
pF
pF
COUT
最大三态输出电容（输出高阻抗
状态）
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
功率耗散电容（每启用输出） *
55
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
开关波形
3V
允许A
1.3 V
GND
3V
tr
输入
A或B
TPLH
产量
YA或YB
tTLH
90%
1.3 V
10%
TTHL
输出y
2.7 V
1.3 V
0.3 V
的TPH1
tf
3V
tPZL
GND
输出y
1.3 V
10%
tpZH
1.3 V
tPHZ
90%
tPLZ
允许B
1.3 V
GND
高
阻抗
VOL
VOH
高
阻抗
图1 。
图2中。
测试点
产量
设备
下
TEST
设备
下
TEST
测试点
产量
1 k
接VCC WHEN
测试tPLZ与tPZL 。
连接到GND WHEN
测试tPHZ与tPZH 。
CL *
CL *
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图3.测试电路
图4.测试电路
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
QQ：2881677436 复制
