摩托罗拉
半导体技术资料
八路三态反相
总线收发器
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC640A在引出线的LS640是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
该HC640A ]是用于2路异步一个三态收发器
数据总线之间的通信。该器件具有一个低电平有效输出
使能引脚，用于放置I / O端口进入高阻抗状态。
方向控制决定从数据是否流入到B或B
为A.
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 276场效应管或69个等效门
MC54/74HC640A
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
1
20
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
20
1
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXADW
陶瓷的
塑料
SOIC
逻辑图
A1
A2
A3
A
数据
PORT
A4
A5
A6
A7
A8
方向
OUTPUT ENABLE
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B
数据
PORT
引脚分配
方向
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
产量
启用
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
PIN 10 = GND
PIN 20 = VCC
功能表
控制输入
产量
启用
L
L
H
X =无关
方向
L
H
X
O
i
手术
从总线B发送数据
到总线A （倒）
从总线发送的数据
以公交B（倒）
公共汽车隔离
（高阻抗状态）
2/97
摩托罗拉1997年公司
1
第七版
MC54/74HC640A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
IIN
VI / O
II / O
PD
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
DC输入电压（参考GND） ，引脚1或19
DC I / O电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
DC I / O电流，每个引脚
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
mA
mA
mA
ICC
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
储存温度
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
（陶瓷DIP ）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
v
v
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
TA
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TR ， TF
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VIN = VIH
V
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIL
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC640A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
IIN
IOZ
参数
测试条件
VCC
V
6.0
6.0
- 55
25
_
C
±
0.1
±
0.5
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
单位
A
A
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
ICC
VIN = VCC或GND
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
6.0
4.0
40
160
A
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
保证限额
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
参数
P
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
—
- 55
25
_
C
75
55
15
13
v
85
_
C
v
125
_
C
95
70
19
16
110
80
22
19
单位
U I
ns
最大传输延迟， A到B ， B到A
（图1和3）
tPLZ ，
tPHZ
最大传输延迟，方向或输出使能为A或B
（图2和4）
110
90
22
19
110
90
22
19
60
23
12
10
10
15
140
110
28
24
140
110
28
24
75
27
15
13
10
15
165
130
33
28
165
130
33
25
90
32
18
15
10
15
ns
tpZL ，
tpZH
最大传输延迟，输出使能到A或B
（图2和4）
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
ns
CIN
最大输入电容，引脚1或19
最大三态I / O电容
（输出高阻抗状态）
pF
pF
COUT
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
40
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容（P牛逼
i
（每个收发器通道
i
通道） *
l)*
pF
F
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
摩托罗拉
半导体技术资料
八路三态反相
总线收发器
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC640A在引出线的LS640是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
该HC640A ]是用于2路异步一个三态收发器
数据总线之间的通信。该器件具有一个低电平有效输出
使能引脚，用于放置I / O端口进入高阻抗状态。
方向控制决定从数据是否流入到B或B
为A.
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 276场效应管或69个等效门
MC54/74HC640A
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
1
20
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
20
1
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXADW
陶瓷的
塑料
SOIC
逻辑图
A1
A2
A3
A
数据
PORT
A4
A5
A6
A7
A8
方向
OUTPUT ENABLE
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B
数据
PORT
引脚分配
方向
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
产量
启用
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
PIN 10 = GND
PIN 20 = VCC
功能表
控制输入
产量
启用
L
L
H
X =无关
方向
L
H
X
手术
从总线B发送数据
到总线A （倒）
从总线发送的数据
以公交B（倒）
公共汽车隔离
（高阻抗状态）
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
VIN = VCC或GND
6.0
4
40
160
A
IOUT = 0
A
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HC640A
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VI / O
TSTG
ICC
II / O
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
VOL
ICC
TA
IOZ
VIH
VIL
IIN
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
直流电源电流， VCC和GND引脚
DC I / O电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC I / O电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND） ，引脚1或19
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态泄漏
当前
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL |电流输出|
6.0毫安
|电流输出|
7.8毫安
VIN = VCC或GND ，引脚1或19
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
2.0
价值
v
v
v
6.0毫安
v
7.8毫安
0
0
0
0
±
75
±
35
±
20
260
300
750
500
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
6.0
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
±
0.5
±
0.1
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
5.0
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
v
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.40
0.40
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.3
0.9
1.2
±
10
v
单位
A
A
V
V
V
V
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
CPD
COUT
CIN
产量
B或A
输入
A或B
的TPH1
最大三态I / O电容
（输出高阻抗状态）
最大输入电容，引脚1或19
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大传输延迟，输出使能到A或B
（图2和4）
最大传输延迟， A到B ， B到A
（图1和3）
TTHL
90%
50%
10%
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
功率耗散电容（每收发通道） *
最大传输延迟，方向或输出使能为A或B
（图2和4）
图1 。
90%
50%
10%
tr
参数
tf
TPLH
tTLH
开关波形
GND
VCC
3
方向
产量
启用
A或B
A或B
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
—
50%
50%
50%
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
tpZH
tPZL
110
22
19
110
22
19
15
10
60
12
10
75
15
13
保证限额
图2中。
tPHZ
tPLZ
v
85
_
C
v
125
_
C
140
28
24
140
28
24
15
10
75
15
13
95
19
16
40
MC54/74HC640A
50%
10%
90%
165
33
25
165
33
28
110
22
19
15
10
90
18
15
摩托罗拉
GND
VCC
高
阻抗
VOH
VOL
高
阻抗
GND
VCC
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
MC54/74HC640A
外形尺寸
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
问题E
B
A
F
C
L
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.25 （ 0.010 ）直径， TRUE
位置底座面，在最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸A和B INCLUDE半月板。
MILLIMETERS
民
最大
23.88
25.15
6.60
7.49
3.81
5.08
0.38
0.56
1.40
1.65
2.54 BSC
0.51
1.27
0.20
0.30
3.18
4.06
7.62 BSC
0
_
15
_
0.25
1.02
英寸
民
最大
0.940
0.990
0.260
0.295
0.150
0.200
0.015
0.022
0.055
0.065
0.100 BSC
0.020
0.050
0.008
0.012
0.125
0.160
0.300 BSC
0
_
15
_
0.010
0.040
20
1
11
10
N
H
D
座位
飞机
G
K
J
M
–A–
20
11
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
问题E
B
1
10
C
L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
英寸
民
最大
1.010
1.070
0.240
0.260
0.150
0.180
0.015
0.022
0.050 BSC
0.050
0.070
0.100 BSC
0.008
0.015
0.110
0.140
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
民
最大
25.66
27.17
6.10
6.60
3.81
4.57
0.39
0.55
1.27 BSC
1.27
1.77
2.54 BSC
0.21
0.38
2.80
3.55
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–T–
座位
飞机
K
M
E
G
F
D
20 PL
N
J
0.25 (0.010)
M
20 PL
0.25 (0.010)
T A
M
M
T B
M
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
J
K
L
M
N
–A–
20
11
DW后缀
塑料SOIC封装
CASE 751D -04
问题E
10X
–B–
1
10
P
0.010 (0.25)
M
B
M
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.150
（ 0.006 ），每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出0.13
（ 0.005 ）总计超过D尺寸
在最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
12.65
12.95
7.40
7.60
2.35
2.65
0.35
0.49
0.50
0.90
1.27 BSC
0.25
0.32
0.10
0.25
0
_
7
_
10.05
10.55
0.25
0.75
英寸
民
最大
0.499
0.510
0.292
0.299
0.093
0.104
0.014
0.019
0.020
0.035
0.050 BSC
0.010
0.012
0.004
0.009
0
_
7
_
0.395
0.415
0.010
0.029
20X
D
M
0.010 (0.25)
T A
S
B
J
S
F
R
X 45
_
C
–T–
18X
座位
飞机
G
K
M
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
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