摩托罗拉
半导体技术资料
8位串行输入/串行或
并行输出移位寄存器
带有锁存三态输出
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC595A在引出线的LS595是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
该HC595A由一个8位的移位寄存器和一个8位D型锁存器的
三态并行输出。移位寄存器接收串行数据，并
提供一个串行输出。该移位寄存器也提供并行数据到
8位锁存器。移位寄存器和锁存器具有独立的时钟输入。这
装置还具有用于移位寄存器的异步复位。
该HC595A与摩托罗拉SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 328场效应管或82个等效门
改进了HC595
- 改进了传输延迟
- 50 ％，更低的静态功耗
- 改进的输入噪声和闭锁免疫
MC54/74HC595A
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
1
16
16
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
16
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948F -01
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXAD
MC74HCXXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
逻辑图
串行
数据
输入
14
15
1
2
3
移
注册
4
LATCH
5
6
7
SHIFT 11
时钟
10
RESET
LATCH 12
时钟
输出13
启用
VCC = 16 PIN
GND = 8 PIN
引脚分配
QB
QA
QB
QC
QD
QE
QF
QG
QH
并行
数据
输出
QC
QD
QE
QF
QG
QH
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
QA
A
OUTPUT ENABLE
锁存时钟
移位时钟
RESET
SQH
A
9
SQH
串行
数据
产量
3/97
摩托罗拉1997年公司
1
第七版
MC54/74HC595A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
储存温度
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
VIN，VOUT
TA
VCC
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
S B升
VIH
参数
P
试验C迪我
T
条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
单位
U I
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压， QA - QH
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
S B升
符号
VOH
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
VOL
VOL
的TPH1
FMAX
ICC
IOZ
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态泄漏
目前， QA - QH
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压， SQH
最小高电平输出
电压， SQH
最大低电平输出
电压， QA - QH
最大传输延迟，时钟锁存到QA - QH
（图3和7）
最大传输延迟，复位到SQH
（图2和7）
最大传输延迟，移位时钟来SQH
（图1和7）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和7）
参数
P
参数
VIN = VCC或GND
糊涂人= 0
A
VIN = VCC或GND
VIN = VIH或VIL
IIoutI
20
A
VIN = VIH或VIL
IIoutI
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
最大传输延迟，输出使能到QA - QH
（图4和8）的
最大传输延迟，输出使能到QA - QH
（图4和8）的
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VIH或VIL |电流输出|
IIoutI
IIoutI
VIN = VIH或VIL |电流输出|
IIoutI
IIoutI
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
v
v
测试条件
3
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
±
0.5
±
0.1
0.26
0.26
0.26
2.98
3.98
5.48
0.26
0.26
0.26
135
90
27
23
150
100
30
26
140
100
28
24
145
100
29
25
140
100
28
24
6.0
15
30
35
4.0
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.1
0.1
0.1
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
5.0
±
1.0
0.33
0.33
0.33
2.34
3.84
5.34
0.33
0.33
0.33
170
110
34
29
190
125
38
33
175
125
35
30
180
125
36
31
175
125
35
30
4.8
10
24
28
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
0.1
0.1
0.1
40
MC54/74HC595A
±
1.0
±
10
205
130
41
35
225
150
45
38
210
150
42
36
220
150
44
38
210
150
42
36
160
4.0
8.0
20
24
0.4
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
2.2
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
0.4
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
摩托罗拉
兆赫
U I
单位
单位
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
V
摩托罗拉
符号
S B升
符号
tTLH ，
TTHL
tTLH ，
TTHL
CPD
COUT
TREC
TR ， TF
CIN
TSU
TSU
tw
tw
tw
th
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
时序要求
（输入TR = TF = 6.0纳秒）
MC54/74HC595A
电力迪我I C
耗散电容（ P封装） *
（每pk信息
P
i
)*
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，锁存时钟
（图6）
最小脉冲宽度，移位时钟
（图1）
最小脉冲宽度，复位
（图2）
最小恢复时间，复位无效到移位时钟
（图2）
最小保持时间，移位时钟为串行数据输入A
（图5）
最小建立时间，移位时钟锁存时钟
（图6）
最小建立时间，串行数据输入A的移位时钟
（图5）
最大三态输出电容（在输出
高阻抗状态） ， QA - QH
最大输入电容
最大输出转换时间， SQH
（图1和7）
最大输出转换时间， QA - QH
（图3和7）
参数
参数
P
4
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
—
25
_
C到
– 55
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
1000
800
500
400
50
40
10
9.0
50
40
10
9.0
50
40
10
9.0
50
40
10
9.0
5.0
5.0
5.0
5.0
60
45
12
10
75
60
15
13
15
10
75
27
15
13
60
23
12
10
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
1000
800
500
400
300
5.0
5.0
5.0
5.0
65
50
13
11
65
50
13
11
75
60
15
13
65
50
13
11
95
70
19
16
65
50
13
11
15
10
95
32
19
16
75
27
15
13
1000
800
500
400
110
80
22
19
110
36
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
75
60
15
13
75
60
15
13
90
70
18
15
75
60
15
13
75
60
15
13
15
10
90
31
18
15
单位
U I
单位
pF
pF
pF
F
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC54/74HC595A
功能表
输入
串行
输入
A
X
D
X
X
X
X
X
移
时钟
X
↑
L，H，
↓
L，H，
↓
X
X
X
LATCH
时钟
L，H，
↓
L，H，
↓
L，H，
↓
↑
L，H，
↓
X
X
产量
启用
L
L
L
L
L
L
H
↑
=低到高
↓
=高到低
移
注册
目录
L
D
→
SRA ;
SRN
→
SRN+1
U
U
*
*
*
得到的函数
LATCH
注册
目录
U
U
U
SRN
→
LRN
U
**
**
串行
产量
SQH
L
SRG
→
SRH
U
U
*
*
*
并行
输出
Q A - QH
U
U
U
SRN
U
启用
Z
手术
O
i
复位移位寄存器
将数据移入移位
注册
移位寄存器遗体
不变
发送移位寄存器
内容寄存器锁存
锁存器遗骸
不变
启用并行输出
力输出到高
阻抗状态
SR =移位寄存器的内容
LR =锁存寄存器的内容
RESET
L
H
H
H
X
X
X
D =数据（ L，H）的逻辑电平
U =不变
* =取决于复位和移位时钟输入
** =取决于锁存时钟输入
引脚说明
输入
A（引脚14 ）
串行数据输入。在这个引脚上的数据移入
8位的串行移位寄存器。
控制输入
移位时钟（引脚11 ）
移位寄存器时钟输入。关于这方面的一个低到高的转变
输入导致的串行输入引脚上的数据被移入
8位的移位寄存器。
复位（引脚10 ）
低电平有效，异步，移位寄存器复位输入。一
低该引脚复位该设备的移位寄存器部分
只。 8位锁存器不受影响。
锁存时钟（引脚12 ）
存储锁存时钟输入。在这个由低到高的转变
输入锁存器，移位寄存器的内容
输出使能（引脚13 ）
低电平有效输出使能。在此输入低使
从锁存器的数据被呈现在输出端。高
在此输入强制输出（ QA - QH ）到高
阻抗状态。串行输出不受此
控制单元。
输出
QA - QH （引脚15 ，1，2 ，3，4 ，5，6 ，7）
求反，三态，锁存器输出。
SQH （引脚9 ）
反的，串行数据输出。这是的输出
8位的移位寄存器的第八阶段。此输出不
具有三态功能。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
摩托罗拉
半导体技术资料
8位串行输入/串行或
并行输出移位寄存器
带有锁存三态输出
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC595A在引出线的LS595是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
该HC595A由一个8位的移位寄存器和一个8位D型锁存器的
三态并行输出。移位寄存器接收串行数据，并
提供一个串行输出。该移位寄存器也提供并行数据到
8位锁存器。移位寄存器和锁存器具有独立的时钟输入。这
装置还具有用于移位寄存器的异步复位。
该HC595A与摩托罗拉SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 328场效应管或82个等效门
改进了HC595
- 改进了传输延迟
- 50 ％，更低的静态功耗
- 改进的输入噪声和闭锁免疫
MC54/74HC595A
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
1
16
16
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
16
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948F -01
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXAD
MC74HCXXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
逻辑图
串行
数据
输入
14
15
1
2
引脚分配
QB
QA
QB
并行
数据
输出
QC
QD
QE
QF
QG
QH
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
QA
A
OUTPUT ENABLE
锁存时钟
移位时钟
RESET
SQH
A
移
注册
LATCH
QC
3
QD
4
QE
5
QF
6
QG
7
QH
SHIFT 11
时钟
10
RESET
LATCH 12
时钟
输出13
启用
VCC = 16 PIN
GND = 8 PIN
9
SQH
串行
数据
产量
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HC595A
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
VOL
TA
VIH
VIL
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最大低电平输出
电压， QA - QH
最小高电平输出
电压， QA - QH
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
2.0
价值
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
0
0
0
0
±
75
±
35
±
20
260
300
750
500
450
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
v
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
v
单位
V
V
V
V
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
DC电气特性
（续）
符号
符号
VOH
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
tTLH ，
TTHL
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
VOL
的TPH1
FMAX
CPD
COUT
ICC
IOZ
CIN
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态泄漏
目前， QA - QH
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压， SQH
最小高电平输出
电压， SQH
功率耗散电容（每包） *
最大三态输出电容（在输出
高阻抗状态） ， QA - QH
最大输入电容
最大输出转换时间， SQH
（图1和7）
最大输出转换时间， QA - QH
（图3和7）
最大传输延迟，输出使能到QA - QH
（图4和8）的
最大传输延迟，输出使能到QA - QH
（图4和8）的
最大传输延迟，时钟锁存到QA - QH
（图3和7）
最大传输延迟，复位到SQH
（图2和7）
最大传输延迟，移位时钟来SQH
（图1和7）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和7）
参数
参数
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VIH或VIL
IIoutI
20
A
VIN = VIH或VIL
IIoutI
20
A
VIN = VCC或GND
糊涂人= 0
A
VIN = VCC或GND
VIN = VIH或VIL IIoutI
IIoutI
VIN = VIH或VIL IIoutI
IIoutI
v
v
测试条件
3
v
4.0毫安
v
5.2毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
—
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
±
0.5
±
0.1
0.26
0.26
3.98
5.48
135
27
23
150
30
26
140
28
24
145
29
25
140
28
24
6.0
30
35
4.0
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
15
10
75
15
13
60
12
10
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
5.0
±
1.0
0.33
0.33
3.84
5.34
170
34
29
190
38
33
175
35
30
180
36
31
175
35
30
300
4.8
24
28
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
15
10
95
19
16
75
15
13
40
MC54/74HC595A
±
1.0
±
10
205
41
35
225
45
38
210
42
36
220
44
38
210
42
36
160
110
22
19
4.0
20
24
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
15
10
90
18
15
摩托罗拉
兆赫
单位
单位
A
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
MC54/74HC595A
引脚说明
输入
A（引脚14 ）
串行数据输入。在这个引脚上的数据移入
8位的串行移位寄存器。
控制输入
移位时钟（引脚11 ）
移位寄存器时钟输入。关于这方面的一个低到高的转变
输入导致的串行输入引脚上的数据被移入
8位的移位寄存器。
复位（引脚10 ）
低电平有效，异步，移位寄存器复位输入。一
低该引脚复位该设备的移位寄存器部分
只。 8位锁存器不受影响。
锁存时钟（引脚12 ）
存储锁存时钟输入。在这个由低到高的转变
输入锁存器，移位寄存器的内容
输出使能（引脚13 ）
低电平有效输出使能。在此输入低使
从锁存器的数据被呈现在输出端。高
在此输入强制输出（ QA - QH ）到高
阻抗状态。串行输出不受此
控制单元。
输出
QA - QH （引脚15 ，1，2 ，3，4 ，5，6 ，7）
求反，三态，锁存器输出。
SQH （引脚9 ）
反的，串行数据输出。这是的输出
8位的移位寄存器的第八阶段。此输出不
具有三态功能。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
摩托罗拉
半导体技术资料
8位串行输入/串行或
并行输出移位寄存器
带有锁存三态输出
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC595A在引出线的LS595是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
该HC595A由一个8位的移位寄存器和一个8位D型锁存器的
三态并行输出。移位寄存器接收串行数据，并
提供一个串行输出。该移位寄存器也提供并行数据到
8位锁存器。移位寄存器和锁存器具有独立的时钟输入。这
装置还具有用于移位寄存器的异步复位。
该HC595A与摩托罗拉SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 328场效应管或82个等效门
改进了HC595
- 改进了传输延迟
- 50 ％，更低的静态功耗
- 改进的输入噪声和闭锁免疫
MC54/74HC595A
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
1
16
16
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
16
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948F -01
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXAD
MC74HCXXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
逻辑图
串行
数据
输入
14
15
1
2
引脚分配
QB
QA
QB
并行
数据
输出
QC
QD
QE
QF
QG
QH
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
QA
A
OUTPUT ENABLE
锁存时钟
移位时钟
RESET
SQH
A
移
注册
LATCH
QC
3
QD
4
QE
5
QF
6
QG
7
QH
SHIFT 11
时钟
10
RESET
LATCH 12
时钟
输出13
启用
VCC = 16 PIN
GND = 8 PIN
9
SQH
串行
数据
产量
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HC595A
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
VOL
TA
VIH
VIL
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最大低电平输出
电压， QA - QH
最小高电平输出
电压， QA - QH
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
2.0
价值
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
0
0
0
0
±
75
±
35
±
20
260
300
750
500
450
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
v
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
v
单位
V
V
V
V
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
DC电气特性
（续）
符号
符号
VOH
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
tTLH ，
TTHL
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
VOL
的TPH1
FMAX
CPD
COUT
ICC
IOZ
CIN
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态泄漏
目前， QA - QH
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压， SQH
最小高电平输出
电压， SQH
功率耗散电容（每包） *
最大三态输出电容（在输出
高阻抗状态） ， QA - QH
最大输入电容
最大输出转换时间， SQH
（图1和7）
最大输出转换时间， QA - QH
（图3和7）
最大传输延迟，输出使能到QA - QH
（图4和8）的
最大传输延迟，输出使能到QA - QH
（图4和8）的
最大传输延迟，时钟锁存到QA - QH
（图3和7）
最大传输延迟，复位到SQH
（图2和7）
最大传输延迟，移位时钟来SQH
（图1和7）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和7）
参数
参数
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VIH或VIL
IIoutI
20
A
VIN = VIH或VIL
IIoutI
20
A
VIN = VCC或GND
糊涂人= 0
A
VIN = VCC或GND
VIN = VIH或VIL IIoutI
IIoutI
VIN = VIH或VIL IIoutI
IIoutI
v
v
测试条件
3
v
4.0毫安
v
5.2毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
—
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
±
0.5
±
0.1
0.26
0.26
3.98
5.48
135
27
23
150
30
26
140
28
24
145
29
25
140
28
24
6.0
30
35
4.0
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
15
10
75
15
13
60
12
10
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
5.0
±
1.0
0.33
0.33
3.84
5.34
170
34
29
190
38
33
175
35
30
180
36
31
175
35
30
300
4.8
24
28
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
15
10
95
19
16
75
15
13
40
MC54/74HC595A
±
1.0
±
10
205
41
35
225
45
38
210
42
36
220
44
38
210
42
36
160
110
22
19
4.0
20
24
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
15
10
90
18
15
摩托罗拉
兆赫
单位
单位
A
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
MC54/74HC595A
引脚说明
输入
A（引脚14 ）
串行数据输入。在这个引脚上的数据移入
8位的串行移位寄存器。
控制输入
移位时钟（引脚11 ）
移位寄存器时钟输入。关于这方面的一个低到高的转变
输入导致的串行输入引脚上的数据被移入
8位的移位寄存器。
复位（引脚10 ）
低电平有效，异步，移位寄存器复位输入。一
低该引脚复位该设备的移位寄存器部分
只。 8位锁存器不受影响。
锁存时钟（引脚12 ）
存储锁存时钟输入。在这个由低到高的转变
输入锁存器，移位寄存器的内容
输出使能（引脚13 ）
低电平有效输出使能。在此输入低使
从锁存器的数据被呈现在输出端。高
在此输入强制输出（ QA - QH ）到高
阻抗状态。串行输出不受此
控制单元。
输出
QA - QH （引脚15 ，1，2 ，3，4 ，5，6 ，7）
求反，三态，锁存器输出。
SQH （引脚9 ）
反的，串行数据输出。这是的输出
8位的移位寄存器的第八阶段。此输出不
具有三态功能。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
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