摩托罗拉
半导体技术资料
八路三态
反向透明锁存器
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC533A在引出线的LS533是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。数据显示在
在倒置的形式输出。当锁存使能变低，数据符合
建立和保持时间变得锁定。
输出使能输入端，不影响锁存器的状态，但是，当
输出使能为高，所有设备的输出被强制为高阻抗
状态。因此，即使当未启用的输出数据可以被锁存。
该HC533A是相同的函数将HC563但具有数据输入端
在封装的从输出的相反侧以便于印刷电路板
布局。
此装置是在功能上与HC373A ，其具有非倒相类似
输出。
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 256场效应管或64个等效门
MC54/74HC533A
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
1
20
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
20
1
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXADW
陶瓷的
塑料
SOIC
引脚分配
产量
启用
Q0
D0
D1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
LATCH
启用
逻辑图
2
5
6
9
12
15
16
19
Q1
Q2
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
3
4
7
8
13
14
17
18
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
反相
输出
D2
D3
Q3
GND
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
H
LATCH
启用
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
L
H
没有变化
Z
LATCH ENABLE 11
1
OUTPUT ENABLE
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
X =无关
Z =高阻抗
3/97
摩托罗拉1997年公司
1
REV 3
MC54/74HC533A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
储存温度
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
_
C
_
C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
（陶瓷DIP ）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH
|电流输出|
20
A
VIN = VIH
V
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIL
|电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC533A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
IIN
IOZ
参数
测试条件
VCC
V
6.0
6.0
- 55
25
_
C
±
0.1
±
0.5
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
单位
A
A
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
ICC
VIN = VCC或GND
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
6.0
4.0
40
160
A
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
保证限额
符号
S B升
TPLH
的TPH1
参数
P
图。
Fi
1, 5
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
125
80
25
21
125
80
25
21
150
100
30
26
150
100
30
26
75
27
15
13
v
85
_
C
v
125
_
C
155
110
31
26
155
110
31
26
190
125
38
33
190
125
38
33
95
32
19
16
190
130
38
32
190
130
38
32
225
150
45
38
225
150
45
38
110
36
22
19
10
15
单位
U I
ns
最大传输延迟，输入D到Q
TPLH
的TPH1
最大传输延迟，锁存使能以Q
2, 5
ns
tPLZ
tPHZ
最大传输延迟，输出使能到Q
3, 6
ns
tPZL
tpZH
最大传输延迟，输出使能到Q
3, 6
ns
tTLH
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
1, 5
ns
CIN
最大输入电容
10
15
10
15
pF
pF
COUT
最大三态输出电容（输出处于高阻状态）
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
36
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容（ P·E BL D 2 O
i
（每启用输出） *
)*
pF
F
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC54/74HC533A
时序要求
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
保证限额
符号
S B升
TSU
参数
P
图。
Fi
4
VCC
伏
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55 25
_
C
民
25
20
5.0
5.0
最大
v
85
_
C
v
125
_
C
民
30
25
6.0
6.0
最大
民
40
30
8.0
7.0
最大
单位
U I
ns
最小建立时间，输入端D锁存使能
th
最小保持时间，锁存使能为输入端D
4
5.0
5.0
5.0
5.0
60
23
12
10
1000
800
500
400
5.0
5.0
5.0
5.0
75
27
15
13
1000
800
500
400
5.0
5.0
5.0
5.0
90
32
18
15
1000
800
500
400
ns
tw
最小脉冲宽度，锁存使能
2
ns
TR ， TF
最大输入上升和下降时间
1
ns
开关波形
输入端D
tr
90%
50%
10%
tf
VCC
LATCH
启用
50%
tw
TPLH
Q
50%
的TPH1
VCC
GND
GND
TPLH
的TPH1
90%
Q
50%
10%
TTHL
tTLH
图1 。
产量
启用
50%
VCC
图2中。
有效
GND
tPZL
Q
50%
10%
tpZH
1.3 V
Q
高
阻抗
tPHZ
90%
VOL
VOH
LATCH
启用
tPLZ
高
阻抗
输入端D
50%
TSU
50%
GND
th
GND
VCC
VCC
网络连接gure 3 。
图4中。
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
QQ：2881677436 复制
