MC54/74F373
八路透明锁存器
具有三态输出
在MC54 / 74F373包括八个锁存器与总线或 - 三态输出
ganized系统的应用程序。触发器出现透明的数据
当锁存使能( LE )为高。当LE是低电平时,数据满足
安装时间被锁定。数据显示,当输出使总线上( OE )
为LOW 。当OE为高电平的总线输出是在高阻抗状态。
八路透明锁存器
具有三态输出
FAST 肖特基
TTL
八个锁存器在一个封装
总线接口3态输出
ESD > 4000伏
接线图
( TOP VIEW )
VCC
20
O7
19
D7
18
D6
17
O6
16
O5
15
D5
14
D4
13
O4
12
LE
11
20
1
后缀
陶瓷的
CASE 732-03
SUF科幻X
塑料
案例738-03
20
1
1
OE
2
O0
3
D0
4
D1
5
O1
6
O2
7
D2
8
D3
9
O3
10
GND
20
逻辑符号
3
4
7
8 13 14 17 18
1
DW后缀
SOIC
案例751D -03
订购信息
MC54FXXXJ
陶瓷的
MC74FXXXN塑料
MC74FXXXDW SOIC
11
1
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
LE
OE
O0 O1 O2 O3 O4 O5 O6 O7
2
5
6
9 12 15 16 19
VCC = 20 PIN
= GND引脚10
保证工作范围
符号
VCC
TA
电源电压
工作环境温度范围
参数
54, 74
54
74
IOH
IOL
输出电流 - 高
输出电流 - 低
54, 74
54, 74
民
4.5
–55
0
典型值
5.0
25
25
最大
5.5
125
70
–3.0
24
mA
mA
单位
V
°C
快速和LS TTL数据
4-167
MC54/74F373
功能说明
在F373包含八个D型锁存器带3态输出
缓冲区。当锁存使能( LE )输入为高电平时,对数据
DN输入进入锁存器。在这种条件下,锁存器
透明的;也就是说,锁存器输出将每一次改变其状态
D输入的变化。当LE为低电平时,锁存器存储
这是目前在D输入一个设置时间信息
前LE的高到低的跳变。三态缓冲的
器是由输出使能(OE)输入控制。当(OE)
为低电平时,缓冲区中的双态模式。当OE为高电平
该缓冲器是处于高阻抗状态,但是这不
干扰输入新的数据进入锁存器。
逻辑图
D0
D
GO
LE
D1
D
GO
D2
D
GO
D3
D
GO
D4
D
GO
D5
D
GO
D6
D
GO
D7
D
GO
OE
O0
O1
O2
O3
O4
O5
O6
O7
注意:
此图仅是逻辑的理解提供
操作和不应该被用来估计的传播延迟。
DC特性在整个工作温度范围
(除非另有规定编)
范围
符号
VIH
VIL
VIK
VOH
参数
输入高电压
输入低电压
输入钳位二极管电压
输出高电压
54, 74
74
VOL
IOZH
IOZL
IIH
输出低电压
输出电流关 - 高
输出电流关 - 低
输入高电流
2.4
2.7
3.3
3.3
0.35
0.5
50
–50
20
100
IIL
IOS
ICCZ
输入低电平电流
输出短路电流(注2 )
电源电流(所有输出OFF)
–60
35
–0.6
–150
55
民
2.0
0.8
–1.2
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
测试条件
保证输入高电压
保证输入低电压
IIN = -18毫安
IOH = - 3.0毫安
IOH = - 3.0毫安
IOL = 24毫安
VOUT = 2.7 V
VOUT = 0.5 V
VIN = 2.7 V
VIN = 7.0 V
VIN = 0.5 V
VOUT = 0 V
OE = 4.5 V
DN , LE = GND
VCC =最小
VCC = 4.5 V
VCC = 4.75 V
VCC =最小
VCC =最大
VCC =最大
VCC =最大
VCC =最大
VCC =最大
VCC =最大
VCC =最大
注意事项:
1.对于显示为MIN和MAX的条件下,使用推荐的工作条件,适用的设备类型下指定相应的值。
2.不超过一个输出应短的时间,也不是为1秒以上。
快速和LS TTL数据
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