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飞思卡尔
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺，以提供低
r
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳
电话。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
SOIC - 8可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AO4936 / MC4936
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
m()
32 @ V
GS
= 4.5V
30
40 @ V
GS
= 2.5V
1
2
3
4
I
D
(A)
6.5
5.8
8
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
符号
极限
漏源电压
V
DS
30
V
GS
±12
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
b
连续源电流（二极管传导）
a
功耗
a
a
单位
V
T
A
=25
o
C
T
A
=70
o
C
I
D
I
DM
I
S
6.5
±5.3
±50
2.3
2.0
1.3
-55到150
A
W
o
A
T
A
=25
o
C
T
A
=70 C
o
P
D
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
R
θJA
最大
62.5
110
单位
o
o
吨< = 10秒
稳态
C / W
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
www.freescale.net.cn
1
飞思卡尔
AO4936 / MC4936
规格（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
A
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±12 V
范围
单位
最小典型最大
0.7
±100
o
nA
uA
A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
1
25
20
32
40
40
0.7
6.0
1.0
1.5
20
9
70
20
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= ±12 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.8 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.5 A
I
S
= 2.3 A，V
GS
= 0 V
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 6.5 A
V
DD
= 25 V ，R
L
= 25
, I
D
= 1 A,
V
根
= 10 V
m
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
nC
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
飞思卡尔
保留随时更改，恕不福rther通知这里的任何产品的权利。 FREESCALE不作任何保证，声明
或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不会引起应用程序的飞思卡尔assumeany责任或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在飞思卡尔的数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同在不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。飞思卡尔不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔的产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序在飞思卡尔产品的故障可能造成原位ATION人身伤害或死亡可能会发生。
如果买方购买或使用飞思卡尔的产品对任何s UCH意外或未经授权的应用，买家明堂赔偿并飞思卡尔及其
管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师
即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用
索赔称，有关部分的设计或制造飞思卡尔是疏忽。飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
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飞思卡尔
AO4936 / MC4936
典型电气特性
30
20
25
I
D
- 漏电流（ A）
4.5V
I
D
- 漏电流（ A）
15
125
o
C
20
15
10
5
0
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1.5
2
2.5
3
3.5
T
A
= -55
o
C
25
o
C
2.5V
10
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
1000
800
600
400
200
0
0.8
0
5
10
15
20
25
传输特性
1.4
r
DS （ ON）
- 归一导通电阻
- 电容（pF ）
西塞
科斯
CRSS
V
GS
= 3.0V
1.2
1
4.5V
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
1.6
V
GS
= 4.5V
1.4
6
1.2
4
1
2
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
150
T
J
- 结温（ C）
栅极电荷
导通电阻与结温
3
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飞思卡尔
AO4936 / MC4936
典型电气特性（ N沟道）
0.07
100
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ OHM ）
0.06
0.05
0.04
0.03
T
A
= 25
o
C
0.02
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
10
I
S
- 源电流（ A）
T
A
= 125 C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
25
o
C
o
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻vs.Gate至源极电压
50
1.8
1.6
1.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（
o
C)
10
30
I
D
= 250
A
40
单脉冲
R
θJA
= 250 ° C / W
T
A
= 25°C
20
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
1000
阈值电压
1
规范
alized有效的瞬态千卡
al
D =0.5
单脉冲功率
R
θJA
（吨） = R（T ）+。
0.2
0.1
0.05
R
θJA
R
θJA
= 250 ° C / W
P（ PK
0.02
0.01
0.1
Im
pedance
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P *
单脉冲
0.01
R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/t
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.0001
0.001
方波脉冲持续时间（ SE C）
归瞬态热阻抗，结到环境
4
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飞思卡尔
AO4936 / MC4936
包装信息
SO - 8 ： 8LEAD
高x 45
5
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飞思卡尔
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺，以提供低
r
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳
电话。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
SOIC - 8可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AO4936 / MC4936
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
m()
32 @ V
GS
= 4.5V
30
40 @ V
GS
= 2.5V
1
2
3
4
I
D
(A)
6.5
5.8
8
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
符号
极限
漏源电压
V
DS
30
V
GS
±12
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
b
连续源电流（二极管传导）
a
功耗
a
a
单位
V
T
A
=25
o
C
T
A
=70
o
C
I
D
I
DM
I
S
6.5
±5.3
±50
2.3
2.0
1.3
-55到150
A
W
o
A
T
A
=25
o
C
T
A
=70 C
o
P
D
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
R
θJA
最大
62.5
110
单位
o
o
吨< = 10秒
稳态
C / W
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
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1
飞思卡尔
AO4936 / MC4936
规格（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
A
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±12 V
范围
单位
最小典型最大
0.7
±100
o
nA
uA
A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
1
25
20
32
40
40
0.7
6.0
1.0
1.5
20
9
70
20
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= ±12 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.8 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.5 A
I
S
= 2.3 A，V
GS
= 0 V
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 6.5 A
V
DD
= 25 V ，R
L
= 25
, I
D
= 1 A,
V
根
= 10 V
m
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
nC
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
飞思卡尔
保留随时更改，恕不福rther通知这里的任何产品的权利。 FREESCALE不作任何保证，声明
或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不会引起应用程序的飞思卡尔assumeany责任或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在飞思卡尔的数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同在不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。飞思卡尔不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔的产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序在飞思卡尔产品的故障可能造成原位ATION人身伤害或死亡可能会发生。
如果买方购买或使用飞思卡尔的产品对任何s UCH意外或未经授权的应用，买家明堂赔偿并飞思卡尔及其
管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师
即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用
索赔称，有关部分的设计或制造飞思卡尔是疏忽。飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
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飞思卡尔
AO4936 / MC4936
典型电气特性
30
20
25
I
D
- 漏电流（ A）
4.5V
I
D
- 漏电流（ A）
15
125
o
C
20
15
10
5
0
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1.5
2
2.5
3
3.5
T
A
= -55
o
C
25
o
C
2.5V
10
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
1000
800
600
400
200
0
0.8
0
5
10
15
20
25
传输特性
1.4
r
DS （ ON）
- 归一导通电阻
- 电容（pF ）
西塞
科斯
CRSS
V
GS
= 3.0V
1.2
1
4.5V
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
1.6
V
GS
= 4.5V
1.4
6
1.2
4
1
2
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
150
T
J
- 结温（ C）
栅极电荷
导通电阻与结温
3
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飞思卡尔
AO4936 / MC4936
典型电气特性（ N沟道）
0.07
100
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ OHM ）
0.06
0.05
0.04
0.03
T
A
= 25
o
C
0.02
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
10
I
S
- 源电流（ A）
T
A
= 125 C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
25
o
C
o
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻vs.Gate至源极电压
50
1.8
1.6
1.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（
o
C)
10
30
I
D
= 250
A
40
单脉冲
R
θJA
= 250 ° C / W
T
A
= 25°C
20
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
1000
阈值电压
1
规范
alized有效的瞬态千卡
al
D =0.5
单脉冲功率
R
θJA
（吨） = R（T ）+。
0.2
0.1
0.05
R
θJA
R
θJA
= 250 ° C / W
P（ PK
0.02
0.01
0.1
Im
pedance
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P *
单脉冲
0.01
R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/t
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.0001
0.001
方波脉冲持续时间（ SE C）
归瞬态热阻抗，结到环境
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AO4936 / MC4936
包装信息
SO - 8 ： 8LEAD
高x 45
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M38037FBL-XXXHP
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MC145446AFW
MM3024K
MAX6383XR21D7-T
M38500F2H-XXXFP
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MC4936
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