模拟电源
飞思卡尔
P & N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用
高细胞密度的过程。低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗并节省能源，使
该器件非常适用于电源管理应用
电路。典型的应用是PWMDC直流
转换器，电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机，充电器，通信电源
系统和电话电源系统。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
小型SO- 8表面贴装封装
节省电路板空间
高功率和电流处理能力
低压侧大电流DC- DC转换器
应用
AM4528C
AO4622/MC4622
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
m()
28 @ V
GS
= 4.5V
30
18 @ V
GS
= 10V
250 @ V
GS
= -2.5V
-20
170 @ V
GS
= -4.5V
I
D
(A)
7.2
8.5
-2.6
-3.2
1
2
3
4
8
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
符号N沟道P沟道单位
漏源电压
30
-20
V
DS
V
栅源电压
20
-12
V
GS
连续漏电流
漏电流脉冲
b
连续源电流（二极管传导）
a
功耗
a
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
10
7
±
50
2.3
2.1
1.3
-3.5
-2.3
±
50
-2.1
2.1
1.3
-55到150
o
A
A
W
C
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
P
D
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结到外壳
a
a
符号
R
θJC
R
θJA
最大
40
60
单位
o
o
吨< = 5秒
吨< = 5秒
C / W
C / W
最大结点到环境
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
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模拟电源
飞思卡尔
AM4528C
AO4622/MC4622
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
帕拉梅德
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
漏源导通电阻
A
转发Tranconductance
A
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250微安
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250微安
V
GS
= -12 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
= -5 V, V
GS
= -10 V
VGS = 10 V，I
D
= 8.5 A
VGS = 4.5 V，I
D
= 7.2 A
VGS = -4.5 V，I
D
= -3.2 A
VGS = -2.5 V，I
D
= -2.6 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
V
DS
= -15 V，I
D
= -9.5 A
N
P
P
N
P
N
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N-二Chaneel
V
DD
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=1A ,
R
GE
=25,
P -Channel
V
DD
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-1A
R
根
=15
40
31
20
4
7
0.8
7
1
1
-0.7
±
100
±
100
-1
1
30
-10
18
28
170
250
V
o
符号
特S T条件
范围
CH最小值典型值
最大单位
nA
uA
A
m
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
RIS E时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
N沟道V
DS
=15V,
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A P -
通道
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
nC
N
P
N
P
N
P
N
P
20
5
9
4
70
31
20
28
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
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