飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档顺序号： MC34940
REV 2.0 ， 2/2006
电场成像器件
在34940适用于成本敏感的应用，非接触式
感测对象的期望。当连接到外部电极，一个
电场被创建。在34940检测该电场的对象。该IC
产生低频率正弦波，它是可调节的通过使用外部
电阻和优化120千赫。正弦波具有非常低的谐波
含量，以减少谐波干扰。在34940中还包含支持
对于一个微控制器单元（MCU）的电路，以允许双芯片的结构
E-场系统。
特点
支持多达7个电极
盾驱动器，驱动远程电极通过同轴
高纯度正弦波发生器可调外部电阻
响应时间可调通过外部电容器
可支持多达28个触摸感应垫
无铅并符合RoHS标准
34940
电子领域
成像器件
典型应用
电器控制面板和触摸传感器
线性和旋转滑
溢出流量传感测量
制冷冰霜传感
工业控制与安全系统安全
接近检测的唤醒功能
触摸屏
车库门安全检测
PC外设
病人监护
销售终端点
尺寸检测
液位传感
订购信息
设备名称
MC34940EG/R2
温度
范围
0至90℃
制图
98ASB42564B
包
SOICW-24
24无铅（Pb -FREE ）
SOICW
98ASB42344B
DGND
N / C
SHIELDEN
C
B
A
水平
LPCAP
ROSC
VDDCAP
VPWR
VCCcap
N / C
E7
E6
E5
E4
E3
E2
E1
TEST
GND
盾
AGND
图1.引脚连接
飞思卡尔半导体公司2006年版权所有。
A， B，C
3
控制
逻辑
2.8 k
E1-E7
2.8 k
MUX
OUT
OSC
22千欧（标称）
ROSC
SHIELDEN
150
700
MUX
IN
盾
700
RECT
LPCAP
VCCcap
VDDCAP
V
CC
REG
V
DD
REG
LPF
增益和
OFFSET
水平
VPWR
AGND
GND
图2.简化功能框图。
表1.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过这些额定值可
导致故障或永久损坏设备。
等级
电气额定值
峰V
PWR
电压
双电池
1分钟最大的T
A
= 30°C
ESD电压
人体模型（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500 W)
机器型号（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
= 0 W)
充电设备模型（ CDM ） ，机器人（C
ZAP
= 4.0pF ）
热额定值
储存温度
工作环境温度
工作结温
热阻
结到环境
(1)
结到外壳
(2)
结对板
(3)
焊接温度（ 4 ）
T
英镑
T
A
T
J
R
θ
JA
R
θ
JC
R
θ
JB
T
SOLDER
-55到150
-0 90
-0至150
41
0.2
3.0
260
°C
°C
°C
° C / W
V
PWRPK
V
DBLBAT
26.5
V
ESD
V
±2000
±200
±1200
40
V
V
符号
价值
单位
°C
MC34940
2
传感器
飞思卡尔半导体公司
表2.静态电气特性
特征条件5.5 V下注意
≤
V
SUP
≤
18 V ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
90℃ ，GND = 0V ，除非另有说明。典型
注意值反映的近似参数是指在T
A
= 25℃下的额定条件，除非另有说明。
特征
电源（V
PWR
)
电源电压
V
PWR
9.0
I
DD
(V
PWR
= 14V)
（静态电源电流下测得温度过高。假设
使连接到内部电压调节器没有外部设备）
电极发出的信号（ E1- E7 ）
电极测量值的总方差
(5)
所有的C
负载
= 15 pF的
电极最大的谐波水平以下基本
(5)
5.0 pF的
≤
C
负载
≤
150 pF的
电极发射输出范围
5.0 pF的
≤
C
负载
≤
150 pF的
接收输入电压范围
接地开关上的电压
(6)
I
SW
= 1.0毫安
逻辑I / O（ C，B ， A）
CMOS逻辑输入阈值低
逻辑输入高门槛
电压迟滞
输入电流
V
IN
= V
CC
V
IN
= 0 V
信号检测器（ LPCAP ）
探测器输出电阻
LPCAP到电平增益
LPCAP到电平偏移
DET
RO
A
REC
V
recoff
–
3.6
-3.3
50
4.0
-3.0
–
4.4
-2.7
k
A
V
V
V
THL
V
THH
V
HYS
I
IN
10
-5.0
–
–
50
5.0
0.3
–
–
–
–
0.06
–
0.7
–
V
CC
V
CC
V
CC
A
ELV
变种
–
EL
危害
–
EL
TXV
1.0
RX
V
SW
冯
–
–
5.0
0
–
–
8.0
9.0
V
V
-20
–
V
–
3.0
dB
%
I
DD
6.0
7.0
8.0
12
18
mA
V
符号
民
典型值
最大
单位
笔记
1.结温是在芯片功耗的功能，封装热阻，安装位置（板）温度，环境
温度，空气流量，其他部件的电路板上功耗和电路板的热阻。根据SEMI G38-
87和JEDEC JESD51-2与单层板的水平。
2.指示模和作为由所述冷板的方法测定的情况下顶面之间（平均热电阻军用规范883
方法1012.1 ）与用于壳体温度的冷板温度。
模具和根据JEDEC JESD51-8在印刷电路板3之间的热阻。板温度的测量位置的顶部
电路板上的封装附近的表面。
4.端子焊接温度极限是10秒，最长持续时间。该设备是不是专为浸焊。超额
这些限制可能会导致故障或永久损坏设备
5.验证通过设计和特性。在生产中测试。
6.目前进入测试= 1.0毫安接地端子。
MC34940
传感器
飞思卡尔半导体公司
3
工作原理
在34940产生低射频正弦波
标称5.0伏峰 - 峰幅度。的频率被设定
通过与外部电阻，并且为120千赫优化。一
内部多路复用器将信号传送至第七端子之一
根据ABC输入终端的控制。接收器
多路转换器同时连接到选择的
电极线路的信号的检测器，其将
正弦波的DC电平。 DC电平是通过过滤和
外部电容器，相乘和偏移，以增加
敏感性。所有电极输出由内部接地
该设备时，没有选择。
正弦波的振幅和相位
电极受到邻近的对象。 A“电容器”是
所述驱动电极和所述对象，每个之间形成
形成了“盘”保存电荷。电压
测量是电容的之间的反函数
该电极被测量，周围的电极
并在电场中的其他对象周围的
电极。增加电容导致降低
电压。串联电阻（ 22kohm ）的值是
选择以提供一个接近线性关系，在120千赫兹以上
一个10pF的范围，以70pF 。
而使用E-场芯片研究应用中，它是
总是有用接近使用该电容器的问题
模型。
驱动级 5 V P-P
负载电阻
（ 22千欧姆）
流浪变
电容
电压电平比例为1 / C（分压器）
探测器
低通滤波器
电极
对象
正弦波发生器
（ 120千赫）
检测到的信号
水平降低
随
电容
虚地
电容
随
电极移动
紧密联系起来
电容模型
图3概念性框图
电容模型
由E-场集成电路所测量的电容为：
比例的电极的面积
比例至该材料的介电常数
在电极之间
成反比的物体之间的距离
各种材质的表4介电常数
介电材料
丙烯酸树脂
玻璃
尼龙塑料
聚酯薄膜
厚度（密耳）
84.5
74.5
68
10
9
-
-
-
-
k
2.4-4.5
7.5
3.0-5.0
3.2
2.8-4.5
1
80
3.2
2.1
k
ε
A
C
=
0
d
柔性乙烯薄膜
C
k
d
空气
水
ICE
汽车油
C =电容为法拉（ F）
在多平方米的板A =面积（平方米）
D =在板之间在米（m）的距离
K =材料的介电常数分隔板
0 =是自由空间的介电常数（ 8.85 ×10 -12 F /米）
图4.电容模型
MC34940
传感器
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档顺序号： MC34940
REV 2.0 ， 2/2006
电场成像器件
在34940适用于成本敏感的应用，非接触式
感测对象的期望。当连接到外部电极，一个
电场被创建。在34940检测该电场的对象。该IC
产生低频率正弦波，它是可调节的通过使用外部
电阻和优化120千赫。正弦波具有非常低的谐波
含量，以减少谐波干扰。在34940中还包含支持
对于一个微控制器单元（MCU）的电路，以允许双芯片的结构
E-场系统。
特点
支持多达7个电极
盾驱动器，驱动远程电极通过同轴
高纯度正弦波发生器可调外部电阻
响应时间可调通过外部电容器
可支持多达28个触摸感应垫
无铅并符合RoHS标准
34940
电子领域
成像器件
典型应用
电器控制面板和触摸传感器
线性和旋转滑
溢出流量传感测量
制冷冰霜传感
工业控制与安全系统安全
接近检测的唤醒功能
触摸屏
车库门安全检测
PC外设
病人监护
销售终端点
尺寸检测
液位传感
订购信息
设备名称
MC34940EG/R2
温度
范围
0至90℃
制图
98ASB42564B
包
SOICW-24
24无铅（Pb -FREE ）
SOICW
98ASB42344B
DGND
N / C
SHIELDEN
C
B
A
水平
LPCAP
ROSC
VDDCAP
VPWR
VCCcap
N / C
E7
E6
E5
E4
E3
E2
E1
TEST
GND
盾
AGND
图1.引脚连接
飞思卡尔半导体公司2006年版权所有。
A， B，C
3
控制
逻辑
2.8 k
E1-E7
2.8 k
MUX
OUT
OSC
22千欧（标称）
ROSC
SHIELDEN
150
700
MUX
IN
盾
700
RECT
LPCAP
VCCcap
VDDCAP
V
CC
REG
V
DD
REG
LPF
增益和
OFFSET
水平
VPWR
AGND
GND
图2.简化功能框图。
表1.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过这些额定值可
导致故障或永久损坏设备。
等级
电气额定值
峰V
PWR
电压
双电池
1分钟最大的T
A
= 30°C
ESD电压
人体模型（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500 W)
机器型号（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
= 0 W)
充电设备模型（ CDM ） ，机器人（C
ZAP
= 4.0pF ）
热额定值
储存温度
工作环境温度
工作结温
热阻
结到环境
(1)
结到外壳
(2)
结对板
(3)
焊接温度（ 4 ）
T
英镑
T
A
T
J
R
θ
JA
R
θ
JC
R
θ
JB
T
SOLDER
-55到150
-0 90
-0至150
41
0.2
3.0
260
°C
°C
°C
° C / W
V
PWRPK
V
DBLBAT
26.5
V
ESD
V
±2000
±200
±1200
40
V
V
符号
价值
单位
°C
MC34940
2
传感器
飞思卡尔半导体公司
表2.静态电气特性
特征条件5.5 V下注意
≤
V
SUP
≤
18 V ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
90℃ ，GND = 0V ，除非另有说明。典型
注意值反映的近似参数是指在T
A
= 25℃下的额定条件，除非另有说明。
特征
电源（V
PWR
)
电源电压
V
PWR
9.0
I
DD
(V
PWR
= 14V)
（静态电源电流下测得温度过高。假设
使连接到内部电压调节器没有外部设备）
电极发出的信号（ E1- E7 ）
电极测量值的总方差
(5)
所有的C
负载
= 15 pF的
电极最大的谐波水平以下基本
(5)
5.0 pF的
≤
C
负载
≤
150 pF的
电极发射输出范围
5.0 pF的
≤
C
负载
≤
150 pF的
接收输入电压范围
接地开关上的电压
(6)
I
SW
= 1.0毫安
逻辑I / O（ C，B ， A）
CMOS逻辑输入阈值低
逻辑输入高门槛
电压迟滞
输入电流
V
IN
= V
CC
V
IN
= 0 V
信号检测器（ LPCAP ）
探测器输出电阻
LPCAP到电平增益
LPCAP到电平偏移
DET
RO
A
REC
V
recoff
–
3.6
-3.3
50
4.0
-3.0
–
4.4
-2.7
k
A
V
V
V
THL
V
THH
V
HYS
I
IN
10
-5.0
–
–
50
5.0
0.3
–
–
–
–
0.06
–
0.7
–
V
CC
V
CC
V
CC
A
ELV
变种
–
EL
危害
–
EL
TXV
1.0
RX
V
SW
冯
–
–
5.0
0
–
–
8.0
9.0
V
V
-20
–
V
–
3.0
dB
%
I
DD
6.0
7.0
8.0
12
18
mA
V
符号
民
典型值
最大
单位
笔记
1.结温是在芯片功耗的功能，封装热阻，安装位置（板）温度，环境
温度，空气流量，其他部件的电路板上功耗和电路板的热阻。根据SEMI G38-
87和JEDEC JESD51-2与单层板的水平。
2.指示模和作为由所述冷板的方法测定的情况下顶面之间（平均热电阻军用规范883
方法1012.1 ）与用于壳体温度的冷板温度。
模具和根据JEDEC JESD51-8在印刷电路板3之间的热阻。板温度的测量位置的顶部
电路板上的封装附近的表面。
4.端子焊接温度极限是10秒，最长持续时间。该设备是不是专为浸焊。超额
这些限制可能会导致故障或永久损坏设备
5.验证通过设计和特性。在生产中测试。
6.目前进入测试= 1.0毫安接地端子。
MC34940
传感器
飞思卡尔半导体公司
3
工作原理
在34940产生低射频正弦波
标称5.0伏峰 - 峰幅度。的频率被设定
通过与外部电阻，并且为120千赫优化。一
内部多路复用器将信号传送至第七端子之一
根据ABC输入终端的控制。接收器
多路转换器同时连接到选择的
电极线路的信号的检测器，其将
正弦波的DC电平。 DC电平是通过过滤和
外部电容器，相乘和偏移，以增加
敏感性。所有电极输出由内部接地
该设备时，没有选择。
正弦波的振幅和相位
电极受到邻近的对象。 A“电容器”是
所述驱动电极和所述对象，每个之间形成
形成了“盘”保存电荷。电压
测量是电容的之间的反函数
该电极被测量，周围的电极
并在电场中的其他对象周围的
电极。增加电容导致降低
电压。串联电阻（ 22kohm ）的值是
选择以提供一个接近线性关系，在120千赫兹以上
一个10pF的范围，以70pF 。
而使用E-场芯片研究应用中，它是
总是有用接近使用该电容器的问题
模型。
驱动级 5 V P-P
负载电阻
（ 22千欧姆）
流浪变
电容
电压电平比例为1 / C（分压器）
探测器
低通滤波器
电极
对象
正弦波发生器
（ 120千赫）
检测到的信号
水平降低
随
电容
虚地
电容
随
电极移动
紧密联系起来
电容模型
图3概念性框图
电容模型
由E-场集成电路所测量的电容为：
比例的电极的面积
比例至该材料的介电常数
在电极之间
成反比的物体之间的距离
各种材质的表4介电常数
介电材料
丙烯酸树脂
玻璃
尼龙塑料
聚酯薄膜
厚度（密耳）
84.5
74.5
68
10
9
-
-
-
-
k
2.4-4.5
7.5
3.0-5.0
3.2
2.8-4.5
1
80
3.2
2.1
k
ε
A
C
=
0
d
柔性乙烯薄膜
C
k
d
空气
水
ICE
汽车油
C =电容为法拉（ F）
在多平方米的板A =面积（平方米）
D =在板之间在米（m）的距离
K =材料的介电常数分隔板
0 =是自由空间的介电常数（ 8.85 ×10 -12 F /米）
图4.电容模型
MC34940
传感器
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5
QQ：2880707522 复制
