飞思卡尔半导体公司
超前信息
文档编号： MC34931
2.0版本， 2013分之10
5.0 H桥
该34931是单片H桥功率集成电路在一个坚固的热
增强型封装。它被设计为任何低电压DC伺服电动机
中在此所列的所有电流和电压限制控制的应用
规范。这个装置是由SMARTMOS技术供电。
在34931 H桥能够控制感性负载，电流
高达5.0峰值。 RMS电流能力是受的程度
散热器提供给器件封装。内部峰值电流
限制（规定）的负载电流激活上述6.5 ± 1.5 A.
输出负载可以是脉宽调制（PWM -编）在频率
高达11千赫。负载电流反馈功能提供了一个比例
（负载电流的0.24 ％），适合于由一个监测电流输出
单片机的A / D输入。一个状态标志输出报告欠压，
过流和过温故障情况。
两个独立的输入提供了两个半桥极性控制
图腾柱输出。设置为禁止输入端，迫使H-
电桥输出为三态（高阻关断状态） 。
特点
5.0至28 V连续操作（从5.0瞬态操作
40 V)
235 mΩ的最大R
DS （ ON）
@ T
J
= 150 ℃（每H桥
MOSFET ）
3.0 V和5.0 V TTL / CMOS逻辑兼容输入
过电流限制（规定），通过内部恒定关断时间
PWM
输出短路保护（短路VPWR或GND ）
温度相关的限流阈值降低
所有输入有一个内部的源/汇来定义默认
（浮动输入）状态
休眠模式电流消耗< 12 μA
V
DD
34931
产业
H- BRIDGE
EK后缀（无铅）
98ARL10543D
32引脚SOICW -EP
订购信息
设备
（添加R2的后缀
磁带和卷轴）
MC34931EK
温度
范围（T
A
)
-40到85°C
包
32 SOICW -EP
V
PWR
34931
SF
FB
VPWR
CCP
OUT1
IN1
IN2
OUT2
D1
EN/D2
保护地
AGND
汽车
MCU
图1. MC34931简化应用图
*本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
飞思卡尔半导体公司2013年版权所有。
引脚连接
引脚连接
AGND
D1
FB
N / C
EN/D2
N / C
VPWR
VPWR
N / C
OUT1
OUT1
N / C
N / C
N / C
保护地
保护地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
SF
IN1
N / C
IN2
CCP
N / C
VPWR
VPWR
N / C
OUT2
OUT2
N / C
N / C
N / C
保护地
保护地
32 SOICW -EP
透明的顶视图
图3. 34931引脚连接
每个引脚的功能描述所用的功能描述部分开头中找到
第11页。
表1. 34931引脚定义
针
数
2
3
5
针
名字
D1
FB
EN/D2
针
功能
逻辑输入
类似物
产量
逻辑输入
正式名称
禁止输入1
（高电平有效）
反馈
使能输入
德网络nition
当D1为逻辑高电平时，无论输出1和输出处于三态。施密特触发器
输入与80
μA
源，以便默认情况下禁用= 。
负载电流反馈输出提供接地参考的0.24 ％的
高侧输出电流。 （通过一个电阻领带GND如果不使用。 ）
当EN / D2为逻辑高电平H桥是可操作的。当EN / D2是逻辑
LOW ， H桥输出三态，并置于睡眠模式。 （逻辑
输入与80
μA
所以沉默认情况下=睡眠模式。 ）
这些引脚必须连接在一起身体尽量靠近，并
直接焊接到宽，厚，低电阻电源平面上
PCB 。
HS1的来源和LS1的流失。
大电流电源接地引脚必须为物理连接在一起
尽可能直接焊接到宽，厚，低电阻
接地平面在PCB上。
HS2的来源和LS2的流失。
对于内部电荷泵外部存储电容器连接;
连接到VPWR 。允许值是30 nF的100 nF的。
注意：
这
电容器是所必需的设备的适当的性能。
7, 8, 25, 26
VPWR
电源输入
正电源
供应
H桥输出1
电源地
10, 11
15-18
OUT1
保护地
动力
产量
动力
地
动力
产量
类似物
产量
22, 23
28
OUT2
CCP
H桥输出2
电荷泵
电容
34931
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
引脚连接
表1. 34931引脚定义（续）
针
数
29
针
名字
IN2
针
功能
逻辑输入
正式名称
输入2
德网络nition
OUT2的逻辑输入控制;例如，当IN2为逻辑高电平， OUT2设置为
VPWR ，当IN2为逻辑低时， OUT2被设置到PGND。 （施密特触发器
输入与80
μA
源，以便默认情况下OUT2 = HIGH 。 ）
OUT1的逻辑输入控制;例如，当IN1为逻辑高电平时， OUT1被设置为
VPWR ，当IN1为逻辑低电平时， OUT1被设置到PGND。 （施密特触发器
输入与80
μA
源，以便默认情况下OUT1 = HIGH 。 ）
漏极开路低电平有效状态标志输出（需要外部上拉
电阻TO V
DD
。最大允许负载电流< 0.5毫安。最大
V
sFlow的
＆ LT ; 0.4 V
@
0.3毫安。最大允许的上拉电压< 7.0 V.）
低电流模拟信号地线必须连接通过低到PGND
阻抗路径（ <10毫欧， 0赫兹至20千赫兹） 。
脚未使用
31
IN1
逻辑输入
输入1
32
SF
逻辑
输出 -
漏极开路
状态标志
（低电平有效）
1
4, 6, 9, 12-14,
19-21, 24, 27,
30
EP
AGND
N / C
类似物
地
无
模拟信号
地
无连接
EP
热
PAD
裸露焊盘
露出的TAB也是主要的散热路径的设备，并且必须
连接到GND 。
34931
4
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表2.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过这些额定值可能会导致故障或
永久损坏设备。这些参数是不是生产测试。
评级
电气额定值
电源电压
正常运行（稳态）
瞬态过电压
逻辑输入电压
(2)
SF
产量
(3)
(1)
符号
价值
单位
V
V
PWR （ SS ）
V
PWR （ T）
V
IN
V
SF
I
OUT （续）
V
ESD1
V
ESD2
- 0.3 28
- 0.3 40
- 0.3 7.0
- 0.3 7.0
5.0
V
V
A
V
± 2000
± 200
±750
±500
连续输出电流
(4)
ESD电压
(5)
人体模型
机器型号
充电器型号
角落销
所有其他引脚
热额定值
储存温度
工作温度
(6)
环境
连接点
峰值包回流温度在回流
(7),(8)
近似结到外壳热阻
(9)
T
英镑
T
A
T
J
T
PPRT
R
θJC
- 65 150
°
C
°
C
- 40-85
- 40150
注8
＆ LT ; 1.0
°C
°
C / W
笔记
1.设备幸存重复瞬态过压条件持续时间不超过500毫秒
@
占空比不超过5.0 ％ 。外
保护是必需的，以防止设备损坏的情况下的逆功率条件。
2.超过上IN1，IN2 ， EN / D2或D1的最大输入电压，可能引起故障或永久损坏设备。
3.超过上开漏上拉电阻上的电压
SF
脚可能会造成永久性损坏设备。
4.连续输出电流能力依赖于足够的封装散热，保持结温
≤
150
°
C.
5. ESD测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500
Ω),
机器型号（C
ZAP
= 200 pF的，
R
ZAP
= 0
Ω),
和充电设备模型（ CDM ） ，机器人（C
ZAP
= 4.0 pF的） 。
6.
限制因素是结点温度，考虑到电力消耗，耐热性，以及热沉提供。简要
结温超过150的非重复游览
°
C能容忍的，所提供的持续时间不超过30秒
最大。 （不重复的事件被定义为不存在超过一次在24小时内）。
销焊接温度极限是10秒，最长持续时间。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
飞思卡尔的包装回流焊功能符合JEDEC标准J- STD-020C标准的无铅要求。峰值包回流
温度和潮湿敏感度等级（ MSL ） ，部件编号去www.freescale.com ，搜索如删除前缀/后缀
而进入核心ID来查看所有可订购的零件。 （即MC33xxxD进入33xxx ） ，并需要技术审查。
露出散热板上加上电源和接地引脚包括主热传导路径。实际
θ
JB
（结到PCB板）
值的变化取决于焊料厚度和组合物和铜迹线的厚度和面积。在最大芯片最大电流
温度表示的导通损耗发热对角线对输出MOSFET的16 W 。因此，则R
θ
JA
必须是
< 5.0
° C / W
在70的最大电流
°C
环境。模块的散热设计必须进行相应的规划。
7.
8.
9.
34931
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
