飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MC33931
修订版4.0 ，二千○一十二分之十
5.0油门控制H桥
该33931是单片H桥功率集成电路在一个坚固的热
增强型封装。它主要设计用于汽车电子
节气门控制，但也适用于任何低压直流伺服马达
中在此所列的所有电流和电压限制控制的应用
特定连接的阳离子。
在33931 H桥能够控制感性负载，电流
高达5.0峰值。 RMS电流能力是受的程度
散热器提供给器件封装。内部峰值电流
限制（规定）的负载电流激活上述6.5 ± 1.5 A.
输出负载可以是脉宽调制（PWM -编）在频率
高达11千赫。负载电流反馈功能提供了一个比例
（负载电流的0.24 ％），适合于由一个监测电流输出
单片机的A / D输入。欠压状态标志输出报告，
过电流和过温故障。
两个独立的输入提供了两个半桥极性控制
图腾柱输出。设置为禁止输入端，迫使H-
电桥输出为三态（高阻关断状态） 。
特点
33931
节气门控制H桥
VW后缀（无铅）
98ARH98330A
44 -PIN HSOP
有突起
散热器
EK后缀（无铅）
98ARL10543D
32引脚SOICW -EP
订购信息
设备
温度
范围（T
A
)
包
44 HSOP
32 SOICW -EP
5.0至28 V连续操作（从5.0瞬态操作
（添加R2的后缀
40 V)
磁带和卷轴）
235 mΩ的最大R
DS （ ON）
@ T
J
= 150 ℃（每H桥
MC33931VW
MOSFET ）
MC33931EK
3.0 V和5.0 V TTL / CMOS逻辑兼容输入
过电流通过内部恒定关断时间限制（规定）
PWM
输出短路保护（短路VPWR或GND ）
温度相关的限流阈值降低
所有输入有一个内部的源/汇来定义默认的（浮动输入）状态
休眠模式电流消耗< 50 μA
V
DD
-40至125℃的
V
PWR
33931
SF
FB
VPWR
CCP
OUT1
IN1
IN2
OUT2
D1
EN/D2
保护地
AGND
汽车
MCU
图1. MC33931简化应用图
飞思卡尔半导体公司， 2008-2012 。版权所有。
引脚连接
引脚连接
AGND
D1
FB
EN/D2
VPWR
VPWR
VPWR
OUT1
OUT1
OUT1
保护地
保护地
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
TAB
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
TAB
SF
IN1
IN2
CCP
VPWR
VPWR
OUT2
OUT2
OUT2
保护地
保护地
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
AGND
D1
FB
N / C
EN/D2
N / C
VPWR
VPWR
N / C
OUT1
OUT1
N / C
N / C
N / C
保护地
保护地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
SF
IN1
N / C
IN2
CCP
N / C
VPWR
VPWR
N / C
OUT2
OUT2
N / C
N / C
N / C
保护地
保护地
44 HSOP
透明的顶视图
32 SOICW -EP
透明的顶视图
图3. 33931引脚连接
表1. 33931引脚定义
每个引脚的功能描述所用的功能描述部分开头中找到
第11页。
针
HSOP
（ VW ）
1
针
SOICW -EP
（ EK ）
2
针
名字
D1
针
功能
逻辑输入
正式名称
禁止输入1
（高电平有效）
反馈
德网络nition
当D1为逻辑高电平时，无论输出1和输出处于三态。
施密特触发器输入80
μA
源，以便默认条件=
禁用。
负载电流反馈输出提供接地参考
0.24 ％的高侧输出电流。 （通过领带GND
电阻器，如果不使用）。
当EN / D2为逻辑高电平H桥是可操作的。当EN /
D2为逻辑低电平时， H桥输出三态，并放置在
睡眠模式。 （逻辑输入80
μA
所以沉默认情况下=
睡眠模式。 ）
这些引脚必须连接在一起身体尽可能靠近
可直接焊接到宽，厚，低
在PCB上的电阻供给面。
HS1的来源和LS1的流失。
大电流电源接地引脚必须连接在一起
物理上尽可能地靠近，并直接焊接到一
宽，厚，低电阻接地层的PCB上。
HS2的来源和LS2的流失。
2
3
FB
类似物
产量
逻辑输入
3
5
EN/D2
使能输入
4-6, 40, 39
7, 8, 25, 26
VPWR
电源输入
正电源
供应
H桥输出1
电源地
7-9
10, 11, 34,
35
36-38
10, 11
15-18
OUT1
保护地
动力
产量
动力
地
动力
产量
22, 23
OUT2
H桥输出2
33931
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
引脚连接
表1. 33931引脚定义（续）
每个引脚的功能描述所用的功能描述部分开头中找到
第11页。
针
HSOP
（ VW ）
41
针
SOICW -EP
（ EK ）
28
针
名字
CCP
针
功能
类似物
产量
正式名称
电荷泵
电容
德网络nition
为内部外部充电储能电容连接
泵;连接到VPWR 。允许值是30 nF的到
100 nF的。
注意：
此电容是必需的适当的
该装置的性能。
OUT2的逻辑输入控制;例如，当IN2为逻辑高电平， OUT2
设为VPWR ，当IN2为逻辑低时， OUT2被设置为
保护地。 （施密特触发器输入80
μA
源，以便默认
条件= OUT2 HIGH 。 ）
OUT1的逻辑输入控制;例如，当IN1为逻辑高电平时， OUT1
设为VPWR ，当IN1为逻辑低电平时， OUT1被设置为
保护地。 （施密特触发器输入80
μA
源，以便默认
条件= OUT1 HIGH 。 ）
漏极开路低电平有效状态标志输出（需要外接
上拉电阻到V
DD
。最大允许负载电流
< 0.5毫安。最大V
sFlow的
＆ LT ; 0.4 V
@
0.3毫安。最大
允许上拉电压< 7.0 V.）
低电流的模拟信号地必须连接到
通过低阻抗路径地线（ <10毫欧， 0 Hz至20 kHz ） 。
脚未使用
42
29
IN2
逻辑输入
输入2
43
31
IN1
逻辑输入
输入1
44
32
SF
逻辑
输出 -
漏极开路
状态标志
（低电平有效）
TAB
12-33
1
4, 6, 9, 12-14,
19-21, 24, 27,
30
EP
AGND
N / C
类似物
地
无
模拟信号
地
无连接
EP
热
PAD
裸露焊盘
暴露TAB也是主要的散热路径设备和
必须连接到GND 。
33931
4
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表2.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过这些额定值可能会导致故障或
永久损坏设备。这些参数是不是生产测试。
评级
电气额定值
电源电压
正常运行（稳态）
瞬态过电压
逻辑输入电压
(2)
SF
产量
(3)
(1)
符号
价值
单位
V
V
PWR （ SS ）
V
PWR （ T）
V
IN
V
SF
I
OUT （续）
V
ESD1
V
ESD2
- 0.3 28
- 0.3 40
- 0.3 7.0
- 0.3 7.0
5.0
V
V
A
V
± 2000
± 200
±750
±500
连续输出电流
(4)
ESD电压
(5)
人体模型
机器型号
充电器型号
角落销
所有其他引脚
热额定值
储存温度
工作温度
(6)
环境
连接点
峰值包回流温度在回流
(7),(8)
近似结到外壳热阻
(9)
T
英镑
T
A
T
J
T
PPRT
R
θJC
- 65 150
°
C
°
C
- 40 125
- 40150
注8
＆ LT ; 1.0
°C
°
C / W
笔记
1.设备将生存重复性瞬态过电压条件下的持续时间不超过500毫秒
@
占空比不超过10 ％ 。
外部保护是必需的，以防止设备损坏的情况下的电池反向条件。
2.超过上IN1，IN2 ， EN / D2或D1的最大输入电压，可能引起故障或永久损坏设备。
3.超过上开漏上拉电阻上的电压
SF
脚可能会造成永久性损坏设备。
4.连续输出电流能力依赖于足够的封装散热，保持结温
≤
150
°
C.
5. ESD测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500
Ω),
机器型号（C
ZAP
= 200 pF的，
R
ZAP
= 0
Ω),
和充电设备模型（ CDM ） ，机器人（C
ZAP
= 4.0 pF的） 。
6.
限制因素是结点温度，考虑到电力消耗，耐热性，以及热沉提供。简要
结温超过150的非重复游览
°
C能容忍的，所提供的持续时间不超过30秒
最大。 （不重复的事件被定义为不存在超过一次在24小时内）。
销焊接温度极限是10秒，最长持续时间。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
飞思卡尔的包装回流焊功能符合JEDEC标准J- STD-020C标准的无铅要求。峰值包回流
温度和潮湿敏感度等级（ MSL ） ，部件编号去www.freescale.com ，搜索如删除前缀/后缀
而进入核心ID来查看所有可订购的零件。 （即MC33xxxD进入33xxx ） ，并需要技术审查。
露出散热板上加上电源和接地引脚包括主热传导路径。实际
θ
JB
（结到PCB板）
值将取决于焊料厚度和组合物和铜迹线的厚度和面积变化。最大最大电流
模温代表 16的对角线对输出MOSFET的导通损耗热W 。因此，则R
θ
JA
必须是
< 5.0
° C / W
在70的最大电流
°C
环境。模块的散热设计必须进行相应的规划。
7.
8.
9.
33931
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
