飞思卡尔半导体公司
摩托罗拉
半导体技术资料
文档顺序号： MC33887
REV 9.0 ， 10/2004
5.0 H桥与负载电流
反馈
该33887是单片H桥功率集成电路与负载电流反馈
功能使其成为理想的闭环直流电动机控制。该IC集成
内部控制逻辑，电荷泵，栅极驱动器，以及低R
DS （ ON）
MOSFET
输出电路。在33887能够控制感性负载连续
直流负载电流高达5.0 A，以及使用之间的峰值电流限制活性
5.2 A和7.8 A.输出负载可以脉宽调制（ PWM -ED ）在
频率高达10kHz的。负载电流反馈功能提供了
比例（1/ 375的负载电流）恒定电流输出适合
监测由单片机的A / D输入。此功能便于设计
闭环转矩/速度控制以及负载开路检测。
故障状态输出端子报道欠压，短路，和
温度过高的情况。两个独立的输入提供极性控制
的两个半桥图腾柱输出。两个禁止输入强制H桥
输出三态（具有高阻抗） 。
在33887的参比的温度范围
-40°C
≤
T
A
≤
125 ℃和5.0伏的电压范围
≤
V+
≤
28五，该IC还可以
在高达40 V的规格降额。
特点
5.0 V至40 V连续运行
120 mΩ的
DS （ ON）
H桥的MOSFET
TTL / CMOS兼容输入
PWM频率高达10 kHz的
有源电流限制（规管），通过内部恒定关断时间
PWM （与温度相关门槛的降低）
输出短路保护（短路到V +或短路到GND）
欠压关断
故障状态报告
与电流消耗睡眠模式
≤50 A
（输入浮动或设置为匹配
缺省逻辑状态）
无铅封装用后缀代码VW和PNB指定
33887
5.0 H-桥负荷
电流反馈
飞思卡尔半导体公司...
DH后缀
VW （无铅）后缀
CASE 979-04
20引脚HSOP
PNB （无铅）后缀
案例1503年至1501年
36端PQFN
底部视图
DWB后缀
CASE 1390至1301年
54端SOICW -EP
订购信息
设备
MC33887DH/R2
PC33887VW/R2
MC33887PNB/R2
MC33887DWB/R2
-40°C至125°C
-40°C至125°C
-40°C至125°C
温度
范围（T
A
)
包
20 HSOP
36 PQFN
54 SOICW -EP
33887简化应用图
简化应用图
33887简化应用图
5.0 V
CCP
33887
33887
V+
OUT1
V+
IN
OUT
OUT
OUT
OUT
OUT
A / D
FS
EN
IN1
IN2
D1
D2
FB
汽车
OUT2
保护地
AGND
MCU
摩托罗拉公司2004年
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
飞思卡尔半导体公司
TAB
AGND
FS
IN1
V+
V+
OUT1
OUT1
FB
保护地
保护地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
EN
IN2
D1
C
CP
V+
OUT2
OUT2
D2
保护地
保护地
TAB
飞思卡尔半导体公司...
HSOP端子定义
每个终端的功能描述可以在系统/应用信息部分中找到，
第19页。
终奌站
1
2
3
4, 5, 16
6, 7
8
9–12
13
14, 15
17
18
19
20
片/垫
终奌站
名字
AGND
FS
IN1
V+
OUT1
FB
保护地
D2
OUT2
C
CP
D1
IN2
EN
热
接口
正式名称
模拟地
故障状态的H桥
逻辑输入控制1
正电源。
H桥输出1
反馈的H桥
电源地
关闭2
H桥输出2
电荷泵电容
禁止1
逻辑输入控制2
启用
裸露焊盘热
接口
低电流模拟信号地。
漏极开路低电平有效故障状态输出，需要一个上拉电阻到5.0 V.
OUT1的逻辑输入控制（即， IN1逻辑HIGH = OUT1高） 。
正电源连接
H桥输出1 。
电流检测反馈输出提供接地参考的1 / 375 （ 0.00266 ）
的H桥的高边电流。
大电流电源地。
采用低电平有效的输入同时三态禁用这两个H桥输出。
当D2为逻辑低电平时，两个输出处于三态。
H桥输出2 。
外部存储电容器连接的内部电荷泵电容。
用高电平输入同时三态禁用这两个H桥输出。
当D1为逻辑高电平时，两路输出处于三态。
OUT2的逻辑输入控制（即， IN2逻辑HIGH = OUT2高） 。
逻辑输入使能设备的控制（即EN逻辑高电平=全面运作， EN逻辑
LOW =睡眠模式） 。
裸露焊盘的热接口从设备下沉的热量。
记
通过非常低，必须采用直流耦合到模拟地和电源地
为了防止阻抗通路喷射的杂散信号到集成电路衬底。
德网络nition
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
33887
3
飞思卡尔半导体公司
包装的透明顶视图
36
35
34
33
32
31
30
29
C
CP
V+
V+
OUT2
OUT2
NC
OUT2
OUT2
NC
D1
IN2
EN
V+
V+
NC
AGND
FS
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
13
14
15
16
17
18
11
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
D2
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
FB
NC
飞思卡尔半导体公司...
PQFN端子定义
每个终端的功能描述可以在系统/应用信息部分中找到，
第19页。
终奌站
1, 7, 10, 16,
19, 28, 31
2
3
4
5, 6, 12, 13, 34, 35
8
9
11
14, 15, 17, 18
20
21–26
27
29, 30, 32, 33
36
PAD
终奌站
名字
NC
D1
IN2
EN
V+
AGND
FS
IN1
OUT1
FB
保护地
D2
OUT2
C
CP
热
接口
正式名称
无连接
禁止1
逻辑输入控制2
启用
正电源。
模拟地
故障状态的H桥
逻辑输入控制1
H桥输出1
反馈的H桥
电源地
关闭2
H桥输出2
电荷泵电容
裸露焊盘热
接口
德网络nition
该终端无内部连接。
用高电平输入同时三态禁用这两个H桥
输出。当D1为逻辑高电平时，两路输出处于三态。
OUT2的逻辑输入控制（即， IN2逻辑HIGH = OUT2高） 。
逻辑输入使能控制装置（即EN逻辑高电平=全面运作，
EN逻辑LOW =睡眠模式） 。
正电源连接。
低电流模拟信号地。
漏极开路低电平有效故障状态输出，需要一个上拉电阻
5.0 V.
OUT1的逻辑输入控制（即， IN1逻辑HIGH = OUT1高） 。
H桥输出1 。
电流反馈输出，提供以地为参考的1 / 375的比例
H桥的高边电流。
大电流电源地。
采用低电平有效的输入同时三态禁用这两个H桥
输出。当D2为逻辑低电平时，两个输出处于三态。
H桥输出2 。
外部存储电容器连接的内部电荷泵电容。
裸露焊盘的热接口从设备下沉的热量。
记
通过非常低，必须采用直流耦合到模拟地和电源地
为了防止阻抗通路喷射的杂散信号到集成电路衬底。
33887
4
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
IN1
V+
V+
OUT1
OUT1
NC
OUT1
OUT1
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
包装的透明顶视图
飞思卡尔半导体公司...
保护地
保护地
保护地
保护地
NC
NC
NC
D2
NC
OUT2
OUT2
OUT2
OUT2
NC
V+
V+
V+
V+
NC
NC
NC
NC
C
CP
D1
IN2
EN
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
.35
34
33
32
31
30
29
28
保护地
保护地
保护地
保护地
NC
NC
NC
FB
NC
OUT1
OUT1
OUT1
OUT1
NC
V+
V+
V+
V+
NC
NC
NC
NC
IN1
FS
AGND
NC
NC
SOICW - EP端子定义
每个终端的功能描述可以在系统/应用信息部分中找到，
第19页。
终奌站
1–4, 51–54
5–7, 9, 14, 19–22,
27– 29, 33–36, 41,
46, 48–50
8
10–13
15 –18, 37–40
23
24
25
26
30
31
32
42–45
47
PAD
终奌站
名字
保护地
NC
正式名称
电源地
无连接
大电流电源地。
该终端无内部连接。
德网络nition
D2
OUT2
V+
C
CP
D1
IN2
EN
AGND
FS
IN1
OUT1
FB
热
接口
关闭2
H桥输出2
正电源。
电荷泵电容
禁止1
逻辑输入控制2
启用
模拟地
故障状态的H桥
逻辑输入控制1
H桥输出1
反馈的H桥
裸露焊盘热
接口
采用低电平有效的输入同时三态禁用这两个H桥
输出。当D2为逻辑低电平时，两个输出处于三态。
H桥输出2 。
正电源连接。
外部存储电容器连接的内部电荷泵电容。
用高电平输入同时三态禁用这两个H桥
输出。当D1为逻辑高电平时，两路输出处于三态。
OUT2的逻辑输入控制（即， IN2逻辑HIGH = OUT2高） 。
逻辑输入使能控制装置（即EN逻辑高电平=全面运作，
EN逻辑LOW =睡眠模式） 。
低电流模拟信号地。
漏极开路低电平有效故障状态输出，需要一个上拉电阻
5.0 V.
OUT1的逻辑输入控制（即， IN1逻辑HIGH = OUT1高） 。
H桥输出1 。
电流反馈输出，提供以地为参考的1 / 375的比例
H桥的高边电流。
裸露焊盘的热接口从设备下沉的热量。
记
通过非常低，必须采用直流耦合到模拟地和电源地
为了防止阻抗通路喷射的杂散信号到集成电路衬底。
33887
5
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
飞思卡尔半导体公司
摩托罗拉
半导体技术资料
文档顺序号： MC33887
REV 9.0 ， 10/2004
5.0 H桥与负载电流
反馈
该33887是单片H桥功率集成电路与负载电流反馈
功能使其成为理想的闭环直流电动机控制。该IC集成
内部控制逻辑，电荷泵，栅极驱动器，以及低R
DS （ ON）
MOSFET
输出电路。在33887能够控制感性负载连续
直流负载电流高达5.0 A，以及使用之间的峰值电流限制活性
5.2 A和7.8 A.输出负载可以脉宽调制（ PWM -ED ）在
频率高达10kHz的。负载电流反馈功能提供了
比例（1/ 375的负载电流）恒定电流输出适合
监测由单片机的A / D输入。此功能便于设计
闭环转矩/速度控制以及负载开路检测。
故障状态输出端子报道欠压，短路，和
温度过高的情况。两个独立的输入提供极性控制
的两个半桥图腾柱输出。两个禁止输入强制H桥
输出三态（具有高阻抗） 。
在33887的参比的温度范围
-40°C
≤
T
A
≤
125 ℃和5.0伏的电压范围
≤
V+
≤
28五，该IC还可以
在高达40 V的规格降额。
特点
5.0 V至40 V连续运行
120 mΩ的
DS （ ON）
H桥的MOSFET
TTL / CMOS兼容输入
PWM频率高达10 kHz的
有源电流限制（规管），通过内部恒定关断时间
PWM （与温度相关门槛的降低）
输出短路保护（短路到V +或短路到GND）
欠压关断
故障状态报告
与电流消耗睡眠模式
≤50 A
（输入浮动或设置为匹配
缺省逻辑状态）
无铅封装用后缀代码VW和PNB指定
33887
5.0 H-桥负荷
电流反馈
飞思卡尔半导体公司...
DH后缀
VW （无铅）后缀
CASE 979-04
20引脚HSOP
PNB （无铅）后缀
案例1503年至1501年
36端PQFN
底部视图
DWB后缀
CASE 1390至1301年
54端SOICW -EP
订购信息
设备
MC33887DH/R2
PC33887VW/R2
MC33887PNB/R2
MC33887DWB/R2
-40°C至125°C
-40°C至125°C
-40°C至125°C
温度
范围（T
A
)
包
20 HSOP
36 PQFN
54 SOICW -EP
33887简化应用图
简化应用图
33887简化应用图
5.0 V
CCP
33887
33887
V+
OUT1
V+
IN
OUT
OUT
OUT
OUT
OUT
A / D
FS
EN
IN1
IN2
D1
D2
FB
汽车
OUT2
保护地
AGND
MCU
摩托罗拉公司2004年
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
飞思卡尔半导体公司
TAB
AGND
FS
IN1
V+
V+
OUT1
OUT1
FB
保护地
保护地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
EN
IN2
D1
C
CP
V+
OUT2
OUT2
D2
保护地
保护地
TAB
飞思卡尔半导体公司...
HSOP端子定义
每个终端的功能描述可以在系统/应用信息部分中找到，
第19页。
终奌站
1
2
3
4, 5, 16
6, 7
8
9–12
13
14, 15
17
18
19
20
片/垫
终奌站
名字
AGND
FS
IN1
V+
OUT1
FB
保护地
D2
OUT2
C
CP
D1
IN2
EN
热
接口
正式名称
模拟地
故障状态的H桥
逻辑输入控制1
正电源。
H桥输出1
反馈的H桥
电源地
关闭2
H桥输出2
电荷泵电容
禁止1
逻辑输入控制2
启用
裸露焊盘热
接口
低电流模拟信号地。
漏极开路低电平有效故障状态输出，需要一个上拉电阻到5.0 V.
OUT1的逻辑输入控制（即， IN1逻辑HIGH = OUT1高） 。
正电源连接
H桥输出1 。
电流检测反馈输出提供接地参考的1 / 375 （ 0.00266 ）
的H桥的高边电流。
大电流电源地。
采用低电平有效的输入同时三态禁用这两个H桥输出。
当D2为逻辑低电平时，两个输出处于三态。
H桥输出2 。
外部存储电容器连接的内部电荷泵电容。
用高电平输入同时三态禁用这两个H桥输出。
当D1为逻辑高电平时，两路输出处于三态。
OUT2的逻辑输入控制（即， IN2逻辑HIGH = OUT2高） 。
逻辑输入使能设备的控制（即EN逻辑高电平=全面运作， EN逻辑
LOW =睡眠模式） 。
裸露焊盘的热接口从设备下沉的热量。
记
通过非常低，必须采用直流耦合到模拟地和电源地
为了防止阻抗通路喷射的杂散信号到集成电路衬底。
德网络nition
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
33887
3
飞思卡尔半导体公司
包装的透明顶视图
36
35
34
33
32
31
30
29
C
CP
V+
V+
OUT2
OUT2
NC
OUT2
OUT2
NC
D1
IN2
EN
V+
V+
NC
AGND
FS
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
13
14
15
16
17
18
11
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
D2
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
FB
NC
飞思卡尔半导体公司...
PQFN端子定义
每个终端的功能描述可以在系统/应用信息部分中找到，
第19页。
终奌站
1, 7, 10, 16,
19, 28, 31
2
3
4
5, 6, 12, 13, 34, 35
8
9
11
14, 15, 17, 18
20
21–26
27
29, 30, 32, 33
36
PAD
终奌站
名字
NC
D1
IN2
EN
V+
AGND
FS
IN1
OUT1
FB
保护地
D2
OUT2
C
CP
热
接口
正式名称
无连接
禁止1
逻辑输入控制2
启用
正电源。
模拟地
故障状态的H桥
逻辑输入控制1
H桥输出1
反馈的H桥
电源地
关闭2
H桥输出2
电荷泵电容
裸露焊盘热
接口
德网络nition
该终端无内部连接。
用高电平输入同时三态禁用这两个H桥
输出。当D1为逻辑高电平时，两路输出处于三态。
OUT2的逻辑输入控制（即， IN2逻辑HIGH = OUT2高） 。
逻辑输入使能控制装置（即EN逻辑高电平=全面运作，
EN逻辑LOW =睡眠模式） 。
正电源连接。
低电流模拟信号地。
漏极开路低电平有效故障状态输出，需要一个上拉电阻
5.0 V.
OUT1的逻辑输入控制（即， IN1逻辑HIGH = OUT1高） 。
H桥输出1 。
电流反馈输出，提供以地为参考的1 / 375的比例
H桥的高边电流。
大电流电源地。
采用低电平有效的输入同时三态禁用这两个H桥
输出。当D2为逻辑低电平时，两个输出处于三态。
H桥输出2 。
外部存储电容器连接的内部电荷泵电容。
裸露焊盘的热接口从设备下沉的热量。
记
通过非常低，必须采用直流耦合到模拟地和电源地
为了防止阻抗通路喷射的杂散信号到集成电路衬底。
33887
4
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
IN1
V+
V+
OUT1
OUT1
NC
OUT1
OUT1
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
包装的透明顶视图
飞思卡尔半导体公司...
保护地
保护地
保护地
保护地
NC
NC
NC
D2
NC
OUT2
OUT2
OUT2
OUT2
NC
V+
V+
V+
V+
NC
NC
NC
NC
C
CP
D1
IN2
EN
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
.35
34
33
32
31
30
29
28
保护地
保护地
保护地
保护地
NC
NC
NC
FB
NC
OUT1
OUT1
OUT1
OUT1
NC
V+
V+
V+
V+
NC
NC
NC
NC
IN1
FS
AGND
NC
NC
SOICW - EP端子定义
每个终端的功能描述可以在系统/应用信息部分中找到，
第19页。
终奌站
1–4, 51–54
5–7, 9, 14, 19–22,
27– 29, 33–36, 41,
46, 48–50
8
10–13
15 –18, 37–40
23
24
25
26
30
31
32
42–45
47
PAD
终奌站
名字
保护地
NC
正式名称
电源地
无连接
大电流电源地。
该终端无内部连接。
德网络nition
D2
OUT2
V+
C
CP
D1
IN2
EN
AGND
FS
IN1
OUT1
FB
热
接口
关闭2
H桥输出2
正电源。
电荷泵电容
禁止1
逻辑输入控制2
启用
模拟地
故障状态的H桥
逻辑输入控制1
H桥输出1
反馈的H桥
裸露焊盘热
接口
采用低电平有效的输入同时三态禁用这两个H桥
输出。当D2为逻辑低电平时，两个输出处于三态。
H桥输出2 。
正电源连接。
外部存储电容器连接的内部电荷泵电容。
用高电平输入同时三态禁用这两个H桥
输出。当D1为逻辑高电平时，两路输出处于三态。
OUT2的逻辑输入控制（即， IN2逻辑HIGH = OUT2高） 。
逻辑输入使能控制装置（即EN逻辑高电平=全面运作，
EN逻辑LOW =睡眠模式） 。
低电流模拟信号地。
漏极开路低电平有效故障状态输出，需要一个上拉电阻
5.0 V.
OUT1的逻辑输入控制（即， IN1逻辑HIGH = OUT1高） 。
H桥输出1 。
电流反馈输出，提供以地为参考的1 / 375的比例
H桥的高边电流。
裸露焊盘的热接口从设备下沉的热量。
记
通过非常低，必须采用直流耦合到模拟地和电源地
为了防止阻抗通路喷射的杂散信号到集成电路衬底。
33887
5
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
QQ：2881677436 复制
