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飞思卡尔半导体公司
摩托罗拉
半导体技术资料
文档顺序号: MC33880 / D
REV 3.0 , 2004年1月
超前信息
可配置8路串联开关
与串行外设接口I / O
该33880设备是一个8输出硬件配置高端/低端
侧开关与8位串行输入控制。两个输出端的可控制
直接通过微处理器进行PWM应用。在33880整合
SMARTMOS技术, CMOS逻辑,双极/ MOS模拟电路,
和DMOS功率MOSFET。在33880控制各种感性或
白炽灯负载通过与微控制器直接接口。该电路的
创新的监控和保护功能包括非常低的待机
电流,级联故障报告,输出特定的诊断和
输出独立的关断。
特点
设计工作5.5 V < V
PWR
< 24.5 V
8位SPI控制与故障报告, 3.3 V / 5.0 V兼容
输出为电流限制( 0.8 A至2.0 A)来驱动白炽灯
输出电压钳位+ 45V (典型值) (低侧驱动)和-20 V
(典型值) (高侧驱动器)在感应开关
在V内部电池反向保护
PWR
地面或供应的消失,不通电负荷或损坏IC
最大5.0
A
I
PWR
待机电流13 V V
PWR
高达95 ℃的
R
DS ( ON)
0.55
在25 ° C典型
短路检测和自动重试限流
独立的过热保护
32引脚SOIC具有引脚8 , 9 , 24 ,和25停飞热
性能
33880
可配置8路串联
开关串行
外设接口
飞思卡尔半导体公司...
DW后缀
CASE 751F -05
28引脚SOIC
DWB后缀
案例1324年至1302年
32引脚SOIC
订购信息
设备
MC33880DW/R2
MC33880DWB/R2
温度
范围(T
A
)
-40
°
C至125
°
C
28 SOIC
32 SOIC
简化应用图
33880简化应用图
+5.0 V
VPWR
VBAT
33880
A0
VPWR
VDD
EN
DI
SCLK
CS
DO
IN5
IN6
GND
D1
D2
D3
D4
S1
S2
S3
S4
M
D5
D6
D7
D8
S5
S6
S7
S8
高端驱动
MOSI
SCLK
MCU
CS
MISO
PWM1
PWM2
H桥配置
VBAT
VBAT
低侧驱动器
本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更,恕不另行通知。
摩托罗拉公司2004年
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飞思卡尔半导体公司
V
DD
V
PWR
~50
A
__
CS
SCLK
DI
DO
国内
BIAS
收费
过压
关机/ POR
睡眠状态
GND
OV , POR , SLEEP
飞思卡尔半导体公司...
EN
~50
A
SPI和
接口
逻辑
SPI位0
典型的全部8输出驱动器
TLIM
IN5
~50
A
启用
SPI位4
DRIVE
控制
当前
极限
开放
负载
检测
当前
~650
A
D1
D2
D3
D4
D7
D8
S1
S2
S3
S4
S7
S8
输出
IN6
~50
A
IN5
+
+
开路/短路比较
+
_
1.5 V开路/短路阈值
来源
输出
TLIM
DRIVE
控制
当前
极限
开放
负载
检测
当前
~650
A
D5
D6
输出
+
+
开路/短路比较
+
_
S5
S6
来源
输出
1.5 V开路/短路阈值
图1. 33880简化内部框图
33880
2
摩托罗拉模拟
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集成电路设备数据
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飞思卡尔半导体公司
GND
V
DD
S8
S8
D8
S2
D2
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
DO
V
PWR
S7
S7
D7
S4
D4
S3
D3
D5
S5
IN5
CS
SCLK
DI
飞思卡尔半导体公司...
SOIC 28引脚功能描写的特征
1
2
3, 4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25, 26
引脚名称
GND
V
DD
S8
D8
S2
D2
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
DI
CS
IN5
S5
D5
D3
S3
D4
S4
D7
S7
数字地。
逻辑电源电压。逻辑电源必须关闭低电流模式(V
DD
下面3.9 V) 。
输出8 MOSFET的源极引脚。
输出8 MOSFET漏极引脚。
输出2 MOSFET的源极引脚。
2输出MOSFET的漏极引脚。
输出1 MOSFET的源极引脚。
1输出MOSFET的漏极引脚。
6输出MOSFET的漏极引脚。
6输出MOSFET源极引脚。
直接PWM控制输入引脚输出6 IN6是“或”与SPI位。
使能输入。允许输出的控制。高电平有效。
SPI控制时钟输入引脚。
来自MCU的SPI控制数据输入引脚连接到33880.逻辑[ 1 ]激活输出。
来自MCU的SPI控制片选输入引脚连接到33880.逻辑[ 0 ]允许数据在传输。
直接PWM控制输入引脚进行输出5. IN5是“或”与SPI位。
输出5 MOSFET的源极引脚。
5输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET源极引脚。
4输出MOSFET的漏极引脚。
4输出MOSFET源极引脚。
7输出MOSFET的漏极引脚。
7输出MOSFET源极引脚。
描述
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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33880
3
飞思卡尔半导体公司
SOIC 28引脚功能描写的特征(续)
27
28
引脚名称
V
PWR
DO
描述
电源引脚到33880. V
PWR
有内部电池反向保护。
SPI控制数据输出引脚从33880到MCU 。 DO = 0无故障, DO = 1的特定输出有故障。
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33880
4
摩托罗拉模拟
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飞思卡尔半导体公司
GND
V
DD
S8
S8
D8
S2
D2
GND
GND
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
DO
V
PWR
S7
S7
D7
S4
D4
GND
GND
S3
D3
D5
S5
IN5
CS
DI
飞思卡尔半导体公司...
SOIC 32引脚功能描写的特征
1, 8, 9,
24, 25
2
3, 4
5
6
7
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
26
27
28
29, 30
引脚名称
GND
V
DD
S8
D8
S2
D2
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
DI
CS
IN5
S5
D5
D3
S3
D4
S4
D7
S7
数字地。
逻辑电源电压。逻辑电源必须关闭低电流模式(V
DD
下面3.9 V) 。
输出8 MOSFET的源极引脚。
输出8 MOSFETdrain引脚。
输出2 MOSFET的源极引脚。
2输出MOSFET的漏极引脚。
输出1 MOSFET的源极引脚。
1输出MOSFET的漏极引脚。
输出6 MOSFETdrain引脚。
6输出MOSFET源极引脚。
直接PWM控制输入引脚输出6 IN6是“或”与SPI位。
使能输入。允许输出的控制。高电平有效。
SPI控制时钟输入引脚。
来自MCU的SPI控制数据输入引脚连接到33880.逻辑[ 1 ]激活输出。
来自MCU的SPI控制片选输入引脚连接到33880.逻辑[ 0 ]允许数据在传输。
直接PWM控制输入引脚进行输出5. IN5是“或”与SPI位。
输出5 MOSFET的源极引脚。
5输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET源极引脚。
4输出MOSFET的漏极引脚。
4输出MOSFET源极引脚。
7输出MOSFET的漏极引脚。
7输出MOSFET源极引脚。
描述
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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