MC33567
双路线性控制器
对于高电流
电压调节
该MC33567双线性电源控制器的设计
方便的电源管理的主板应用
高电流电源平面可靠调控是必需的。它
提供驱动器，检测和控制信号的接口2
外部N沟道MOSFET ，用于调节两个不同的供应
面。欠压短路检测放置的操作
系统进入保护模式，等候遣返的短。
特点
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记号
图
SO8
后缀
CASE 751
两个独立的稳压电源
MC33567-1 ： 1.515 V - 供应GTL和AGP飞机
1.818 V - 供应I / O平面和内存
终止
MC33567-2 ：双2.525 V电源，时钟和存储器
MC33567-3 ： 2.3 V - 电源电压
1.2 V - 电源电压
欠压短路保护
电源欠压检测
驱动能力的N沟道MOSFET
旁路功能的3.3 V AGP卡检测
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
8
1
M567x
ALYW
x
A
L
Y
W
= 1， 2或3个
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
DRV1 1
SENSE1 2
SHDN1 3
GND
4
8 VCC
7 DRV2
6 SENSE2
5 SHDN2
应用
主板
双电源
VCC
3.3 V
4
GND
3
SHDN1
8
VCC
66千瓦
启动&
欠压
关闭
REF
VCC
控制
2
SENSE1
Vout1
1
DRV1
3.3 V
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第11页上。
+
+
8.5 V
UVLO
VIN绕过（ MC33567-1只）
VCC
3.3 V
66千瓦
REF
VCC
控制
6
SENSE2
REF
7
DRV2
3.3 V
CL
5
SHDN2
启动&
欠压
关闭
Vout2
CL
图1.简化的框图
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第3版
出版订单号：
MC33567/D
MC33567
引脚分配和功能
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
DRV1
SENSE1
SHDN1
GND
SHDN2
SENSE2
DRV2
VCC
TTL高电平导通的调节门2 （内部上拉至3.3 V ）
感2号线。检测负载电压并反馈给监管机构。
2号门的车程。在旁路模式下饱和外部FET （仅MC33567-1 ） 。
在内部钳位到地在掉电模式。
电源工作电压和栅极驱动输出 - 通常为12 V.
引脚说明
1号门的车程。在内部钳位到地在掉电模式。
感1号线。检测负载电压并反馈给监管机构。
TTL高电平开启调节的门1 （内部上拉至3.3 V ）
最大额定值
（注1 ， 2和3）
等级
电源电压
关断电压
工作环境温度
工作结温
引线温度（焊接， 10秒）
存储温度范围
封装热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
VCC
V SHDN
TA
TJ
TL
TSTG
R
θJA
（注2 ）
R
θJC
价值
12.5
VCC
0-80
-5.0至125
300
-55到150
159
28
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
1. ESD额定值
ESD机型号保护达200 V， B级。
ESD人体模型保护高达2000 V， 2级。
2.最小垫测试板5 MIL宽， 2.8毫米厚的铜traces1英寸长。
3.所有特征进行有MTD3055VL N沟道MOSFET 。
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2
MC33567
DC电气特性
（ VCC = 12 V ，V SHDN1 = V SHDN2 = 2.0 V， TA = 0 ° C至80 ° C，显示典型值是TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
电源电压
静态电流
SHDN1 V = V SHDN2 = 0 V
SHDN1 V = V SHDN2 = 2.0 V
符号
VCC
IQL
IQH
民
9.0
典型值
12
5.8
6.3
最大
12.5
9.0
10
单位
V
mA
欠压锁定
欠压锁定阈值电压（ VCC增加）
滞后电压（ VCC降低）
UVLO
UVLOVhys
7.0
0.2
8.5
0.5
9.0
0.9
V
V
驱动器输出
驱动器输出电压（门到地面）
驱动输出源电流（ TJ = 25 ° C）
栅极驱动输出灌电流（ Vsense的= 0 V ， TJ = 25°C ）
VDRV
Ipkdrv
ISINK
10
4.0
10.5
20
7.0
30
10
V
mA
mA
关断输入
关断阈值电压（驱动器上关闭输出，斜V SHDN为0 V ）
关断阈值迟滞（驱动器输出上）
关闭禁止时间（ ON到OFF的输出驱动器，斜V SHDN为0 V ）
关断输入电流（V SHDN = 0 V）
SHDNVth
SHDNhys
SHDNtdis
我SHDN
0.8
50
1.13
130
0.5
50
1.3
200
2.0
V
mV
ms
mA
短路
短路/欠压检测阈值
（负载电流增加，直到输出电压降至激活打嗝模式）
驱动输出响应时间为短路（斜坡下降的Vsense为0 V ）
驱动输出在时间断续模式（ Vsense的= 0 V）
驱动器输出时间断续模式（ Vsense的= 0 V）
SCuvd
SCTD
SCton
SCtoff
70
200
0.5
20
75
325
0.97
47.7
80
500
1.5
60
％的VOUT
ms
ms
ms
输出调节
稳压器输出电压（VIN = 3.3 V ， IL = 5.0 mA至1.3 A）
MC335671
输出1
输出2
MC335672
输出1
输出2
MC335673
输出1
输出2
输出电压调节（ IL = 5.0 mA至1.3 A）
V
Vout1
Vout2
Vout1
Vout2
Vout1
Vout2
VREG ％
1.773
1.477
2.462
2.462
2.243
1.170
2.5
1.818
1.515
2.525
2.525
2.300
1.200
1.864
1.553
2.589
2.589
2.358
1.230
+2.5
%
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3
MC33567
操作说明
介绍
该MC33567系列是家庭的双重线性FET
专为电源管理应用的控制器
其中，大电流，电压调节是必要的。一些
计算机的应用包括：
1.2 V - 电源
1.515 V - AGP （高级图形端口）和GTL +
（射晶体管逻辑 - 英特尔的电气总线
技术）
1.818 V - 在主板上的I / O架
2.3 V - 电源
2.525 V - 时钟和内存
该MC33567提供严格的输出电压调节，
（ Vout的） ，并采用了为每个单独的SHDN控制
通过检测输出FET的控制器和电压保护
电压。
输出：
下面列出的是在SHDN阈值电压电平，并
相应的稳压器输出电压：
1.如果SHDN引脚保持开路时，输出电压被设定
其稳压值。
2.如果电压小于0.8V，施加到SHDN引脚
输出电压被设定为0V。
3.如果电压大于1.3V时，小于4.1 V是
加到SHDN引脚，输出电压被设置为它的
稳定电压。
4.如果SHDN电压高于4.1V，拉动时，
MC33567进入Vin的旁路模式。在这种模式下，
MOSFET完全和输出电压
MOSFET的漏电压（Vin ）减去在MOSFET
电压漏 - 源VDS （ ON） 。此功能仅
可在MC33567-1的稳压器2 。
表1总结了输出电压的选择和它的
与VSHDN关系。
为SHDN引脚表1.逻辑表
设备
MC335671
稳压器1
V SHDN （ V）
无连接
t0.8
V
u1.3
V
无连接
t0.8
V
1.3 V
t
V SHDN
t
4.1 V
u
4.1 V
Vout的（V）的
1.818 V
0V
1.818 V
1.515 V
0V
1.515 V
VIN- VDS （上）
（绕道
模式）
2.525 V
0V
2.525 V
2.3 V
0V
2.3 V
1.2 V
0V
1.2 V
该MC33567提供严格的输出电压调节
使用2个外部N沟道一个或两个电源电压
的MOSFET。每个控制器独立操作和
调节输出电压，以预定的电平（ 1.2V，
1.515 V 1.818 V， 2.3 V或2.525 V） 。此外，调节器2
在MC33567-1的结合在其上输入电压旁路模式
外部FET的全面增强。
关机：
稳压器2
该MC33567的稳压输出可以被禁用
与使用SHDN引脚。这也决定了输出
电压电平。 SHDN可以从外部进行控制
像在AGP或GTL +板信号，如图3所示。
3.3 V （VIN ）
AGP
卡类型
发现
12 V （ VCC ）
3.3 V
AGP
卡
电压
VOUT或输入电压*
MC335672
稳压器1 &
稳压器2
MC335673
稳压器1
无连接
t0.8
V
u1.3
V
无连接
t0.8
V
u1.3
V
无连接
t0.8
V
u
1.3 V
稳压器2
10千瓦
欠压检测：
1
2
3
4
8
7
MC33567
6
5
DRV2
SENSE2
SHDN2
*输入电压，而在旁路模式（ MC33567-1只）
图3. 1.5 V / 3.3 V AGP卡检测
如果Vout的低于75 ％的受规管的阈值的
大于250
s
或短路条件存在，即
输出将进入短路或打嗝模式。而在
打嗝模式时，输出为ON 1.0毫秒，关闭
为40毫秒的一点41的占空比，如图4所示。这
模式将继续下去，只要故障存在。一旦
故障排除后，稳压器将恢复正常
操作。
1毫秒
40毫秒
图4.打嗝模式占空比
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4
MC33567
意义：
如果负载从调节器，该电压位于远
掉在连接电缆或跟踪可能成为
显著。该MC33567提供了严格的电压负荷
监管与使用它的Sense不同的负载电流
功能。如图5所示， MC33567感测
电压的负载，并提供反馈到调节器。
稳压器电压然后被调节以补偿
负载变化。因此建议将SENSE连接
被放置在尽可能靠近负载。另外，使用单独的
追踪到的N沟道MOSFET的源极连接到
加载以避免干扰或联轴器与SENSE
信号。使用SENSE功能需要正确的
设备的操作。如果SENSE端子没有连接到
负载时，输出将进入打嗝模式。
电流进入检测引脚由下式给出
公式：
V
ISENSE
+
100
mA
)
OUT
1.8千瓦
VIN
所需的RDS（on ）可通过以下公式来计算
如下：
RDS （ ON）
v
0.5
VIN
*
VOUT
ILOAD
其中：
VIN =输入电压，通常为3.3 V
VOUT =稳压器输出电压
（ 1.2 V， 1.515 V， 1.818 V， 2.3 V或2.525 V）
ILOAD负载电流
=
0.5 A的安全边际加入账户的RDS（on ）
的变化在工作温度范围内。
稳定性：
评估稳压器，驱动器和负载系统后
利用控制理论则表明输出
电容器中，外部驱动器增益和误差放大器的增益
带宽起到对系统的稳定性有重要作用。对
确保系统的稳定性设计指导下面的一组
应为：
Ci
+
CGS
)
CGD
w
f
+
1
慈·罗
DRV
w
p
+
反馈
to
调节器
100
mA
SENSE
1.8千瓦
+
VOUT
RL
ISENSE
1
1
)
1
*
w
1
w
f
1
a
20 · 1
)
(3 ·
w
p)
w
(3 ·
w
)
· g1
v
Rs
v
w
P · G1
m
a
m
1
1
联合·卢比
w
5 ·
w
)
w
a
p
图5.电压调节应用感知功能
N沟道MOSFET的选择：
该
MC33567
是
特征
运用
安森美半导体的MTD3055VL N沟道MOSFET 。
其他的MOSFET可以与MC33567 ，只要使用
在满足动力性和稳定性的要求。
电源：
与导通电阻低漏源等MOSFET
（的RDS（on ） ）将确保输出电压不会大幅
由于MOSFET两端的过大的电压降减小。
其中：
w
F =驱动极点频率
CI =输入，当设备反向传输电容
已关闭
RO =稳压器输出电阻（ 50
W
为MC33567 ）
w
P =辅助杆的开环
w
A =误差放大器的增益带宽
w
1 =误差放大器第二极（组
w
1 =
w
一，如果未指定）
卢比=输出电容的ESR
GM =最大驱动器跨导增益
合作=输出电容
T为总回路响应时间
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5
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