MC33501 , MC33503
1.0 V ,轨到轨单
运算放大器
该MC33501 / 503运算放大器提供轨到轨
操作上的输入和输出。输出可以在50摇摆
毫伏每个轨道。这轨到轨操作使用户能够使
充分利用现有的整个电源电压范围。它被设计成
在非常低的电源电压( 1.0 V和地面)的工作,但可以操作
具有高达7.0 V和地面的供给。输出电流提升
技术提供了高电流输出能力,同时保持
漏极放大器的电流降至最低。
特点
http://onsemi.com
记号
图
5
5
1
SOT235
SN后缀
CASE 483
1
= AAA ; MC33501
AAB ; MC33503
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
xxx
XXX AYWG
G
低电压,单电源供电( 1.0 V和地面至7.0 V
和地面)
高输入阻抗:通常40 fA的输入偏置电流
典型的单位增益带宽@ 5.0 V = 4.0 MHz时,
@ 1.0 V = 3.0 MHz的
高输出电流(I
SC
= 40毫安, 5.0伏, 13毫安@ 1.0 V)
在50 mV的两个轨的输出电压摆幅@ 1.0 V
输入电压范围包括两个电源轨
高电压增益:100 dB(典型) @ 1.0 V
没有对输出相位反转过驱动输入信号
典型输入0.5 mV的失调
低电源电流(I
D
= 1.2毫安/每放大器,典型值)
600
W
驱动能力
扩展工作温度范围( -40 105 ° C)
无铅包可用
引脚连接
MC33501
输出1
V
CC
2
非反相
输入
3
( TOP VIEW )
+
4反相输入
5
V
EE
应用
单节镍镉/镍氢电源系统
接口DSP
便携式通信设备
低压有源滤波器
电话线路
仪表放大器器
音频应用
电源监控
晶体管数量: 98
MC33503
输出1
V
EE
2
非反相
输入
3
( TOP VIEW )
+
4反相输入
5
V
CC
订购信息
设备
MC33501SNT1
MC33501SNT1G
MC33503SNT1
MC33503SNT1G
包
SOT235
SOT235
(无铅)
SOT235
SOT235
(无铅)
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年7月 - 10牧师
出版订单号:
MC33501/D
MC33501 , MC33503
BASE
当前
BOOST
输入
输入
舞台
缓冲带0 V
电平转换
饱和
探测器
输出
产量
舞台
OFFSET
电压
TRIM
BASE
当前
BOOST
该器件包含每个放大器的98个晶体管。
图1.简化的框图
最大额定值
电源电压(V
CC
到V
EE
)
V
S
7.0
V
V
V
V
V
s
ESD保护电压的任何引脚
人体模型
电压在任何器件引脚
V
ESD
V
DP
2000
V
S
±0.3
输入差分电压范围
V
IDR
V
CM
t
S
V
CC
到V
EE
V
CC
到V
EE
注1
150
共模输入电压范围
输出短路持续时间
最高结温
存储温度范围
T
J
°C
°C
T
英镑
P
D
-65到150
注1
最大功率耗散
mW
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.功耗必须考虑,以确保最高结温(T
J
)不超标。
2. ESD数据可根据要求提供。
等级
符号
价值
单位
http://onsemi.com
2
MC33501 , MC33503
AC电气特性
(V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V, V
CM
= V
O
= V
CC
/2, T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
特征
压摆率(V
S
=
±2.5
V, V
O
= -2.0 2.0 V,R 1
L
= 2.0千瓦,A
V
= 1.0)
正斜率
负斜率
增益带宽积( F = 100千赫)
V
CC
= 0.5 V, V
EE
= 0.5 V
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V
增益裕度(R
L
= 10千瓦,C
L
= 0 pF)的
符号
SR
民
1.8
1.8
2.0
2.5
3.0
典型值
3.0
3.0
3.0
3.5
4.0
6.5
60
最大
6.0
6.0
6.0
7.0
8.0
单位
V / ms的
GBW
兆赫
Am
f
m
dB
相位裕度(R
L
= 10 KW ,C
L
= 0 pF)的
度
dB
声道分离度( F = 1.0 Hz至20 kHz ,R
L
= 600
W)
CS
120
200
功率带宽(V
O
= 4.0 V
pp
, R
L
= 1.0千瓦,总谐波失真
≤1.0%)
BW
P
THD
千赫
%
总谐波失真(V
O
= 4.5 V
pp
, R
L
= 600
W,
A
V
= 1.0)
F = 1.0千赫
F = 10千赫
差分输入电阻(V
CM
= 0 V)
0.004
0.01
>1.0
2.0
R
in
C
in
e
n
terraW
pF
差分输入电容(V
CM
= 0 V)
等效输入噪声电压(V
CC
= 1.0 V, V
CM
= 0 V, V
EE
= GND ,
R
S
= 100
W)
F = 1.0千赫
纳伏/赫兹÷
30
V
CC
IN-
IN +
OUT
OFFSET
电压
TRIM
V
CC
V
CC
产量
电压
饱和
探测器
钳
V
CC
体
BIAS
图2.典型框图
http://onsemi.com
5