飞思卡尔半导体公司
摩托罗拉
半导体技术资料
文档顺序号： MC33395 / D
2.0版， 2004年1月
超前信息
三相栅极驱动器IC
在33395简化了大功率直流无刷电机控制设计由设计
结合的栅极驱动器，电荷泵，电流检测和保护电路
需要驱动的6 N沟道功率的三相桥式结构
的MOSFET。模式逻辑并入到路径的脉冲宽度调制（PWM）的
信号要么低侧MOSFET或桥的高侧MOSFET ，或
以提供互补的PWM输出到两个低和高侧
桥梁。
33395
33395T
三相
栅极驱动器IC
飞思卡尔半导体公司...
检测和驱动电路也被纳入到控制一个反向电池
保护高侧MOSFET开关。 PWM频率高达28 kHz的是
可能。内置的保护电路，防止损坏MOSFET作为桥梁
以及驱动器集成电路，并包括过压关断，过热
关断，过流关断和欠压关断。
该装置在周围温度范围参数方式指定
-40°C
≤
T
A
≤
125 ° C和5.5 V
≤
V
IGN
≤
24 V电源。
特点
六个驱动N沟道低R
DS （ ON）
功率MOSFET
内置电荷泵电路
内置电流检测比较器和输出驱动电流限制
内置PWM模式控制逻辑
内置电路保护
专为分数，以积分HP BLDC电机
32端子SOIC宽体表面贴装封装
33395集成了一个<5.0
s
直通抑制计时器
33395T采用一个<1.0
s
直通抑制计时器
DWB后缀
案例1324年至1302年
32端SOICW
订购信息
设备
MC33395DWB/R2
MC33395TDWB/R2
温度
范围（T
A
)
-40°C至125°C
包
32 SOICW
33395简化应用图
V
PWR
33395
V
DD
V
GDH
V
IGN
V
DD
CP
1H
CP
1L
CP
2H
CP
2L
C
水库
3
2
3
V
IGNP
GDH1
GDH2
GDH3
SRC1
SRC2
SRC3
N
S
N
H
S
H
H
MCU
HSE1–3
MODE0-1 GDL1
GDL2
PWM
LSE1-3 GDL3
-I
SENS
AGND
保护地
+I
SENS
V
DD
本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
摩托罗拉公司2004年
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
飞思卡尔半导体公司
最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明
等级
V
IGN
电源电压
V
IGNP
负载突降生存
V
DD
逻辑电源电压（故障安全）
逻辑输入电压（ LSEn ， HSEN ，PWM和MODEN ）
启动电流V
IGNP
ESD电压
人体模型
（注1 ）
V
ESD1
V
ESD2
T
英镑
T
A
T
C
T
J
P
D
T
SOLDER
R
θ
JA
±500
±200
-65 160
-40至125
-40至125
150
1.5
240
65
°C
°C
°C
°C
W
°C
° C / W
V
符号
V
IGN
IGNPLD
价值
-15.5 40
-0.3至65
-0.3 7.0
为0.3 7.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
V
V
DD
V
IN
I
VIGNStartUp
飞思卡尔半导体公司...
机器型号
（注2 ）
储存温度
工作环境温度
工作温度
最高结温
功率耗散（T
A
= 25°C)
端子焊接温度
热阻，结到环境
笔记
1. ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500
).
2.
ESD2测试是根据机器型号进行（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
= 0
).
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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33395
5
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2.0版， 2004年1月
超前信息
三相栅极驱动器IC
在33395简化了大功率直流无刷电机控制设计由设计
结合的栅极驱动器，电荷泵，电流检测和保护电路
需要驱动的6 N沟道功率的三相桥式结构
的MOSFET。模式逻辑并入到路径的脉冲宽度调制（PWM）的
信号要么低侧MOSFET或桥的高侧MOSFET ，或
以提供互补的PWM输出到两个低和高侧
桥梁。
33395
33395T
三相
栅极驱动器IC
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检测和驱动电路也被纳入到控制一个反向电池
保护高侧MOSFET开关。 PWM频率高达28 kHz的是
可能。内置的保护电路，防止损坏MOSFET作为桥梁
以及驱动器集成电路，并包括过压关断，过热
关断，过流关断和欠压关断。
该装置在周围温度范围参数方式指定
-40°C
≤
T
A
≤
125 ° C和5.5 V
≤
V
IGN
≤
24 V电源。
特点
六个驱动N沟道低R
DS （ ON）
功率MOSFET
内置电荷泵电路
内置电流检测比较器和输出驱动电流限制
内置PWM模式控制逻辑
内置电路保护
专为分数，以积分HP BLDC电机
32端子SOIC宽体表面贴装封装
33395集成了一个<5.0
s
直通抑制计时器
33395T采用一个<1.0
s
直通抑制计时器
DWB后缀
案例1324年至1302年
32端SOICW
订购信息
设备
MC33395DWB/R2
MC33395TDWB/R2
温度
范围（T
A
)
-40°C至125°C
包
32 SOICW
33395简化应用图
V
PWR
33395
V
DD
V
GDH
V
IGN
V
DD
CP
1H
CP
1L
CP
2H
CP
2L
C
水库
3
2
3
V
IGNP
GDH1
GDH2
GDH3
SRC1
SRC2
SRC3
N
S
N
H
S
H
H
MCU
HSE1–3
MODE0-1 GDL1
GDL2
PWM
LSE1-3 GDL3
-I
SENS
AGND
保护地
+I
SENS
V
DD
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最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明
等级
V
IGN
电源电压
V
IGNP
负载突降生存
V
DD
逻辑电源电压（故障安全）
逻辑输入电压（ LSEn ， HSEN ，PWM和MODEN ）
启动电流V
IGNP
ESD电压
人体模型
（注1 ）
V
ESD1
V
ESD2
T
英镑
T
A
T
C
T
J
P
D
T
SOLDER
R
θ
JA
±500
±200
-65 160
-40至125
-40至125
150
1.5
240
65
°C
°C
°C
°C
W
°C
° C / W
V
符号
V
IGN
IGNPLD
价值
-15.5 40
-0.3至65
-0.3 7.0
为0.3 7.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
V
V
DD
V
IN
I
VIGNStartUp
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机器型号
（注2 ）
储存温度
工作环境温度
工作温度
最高结温
功率耗散（T
A
= 25°C)
端子焊接温度
热阻，结到环境
笔记
1. ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500
).
2.
ESD2测试是根据机器型号进行（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
= 0
).
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33395
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