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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1749页 > MC33375D-2.5G
MC33375 , NCV33375系列
300毫安,低压差
用调压器
对/ O FF控制
该MC33375系列微功率低压差
在多种输出电压的可调节以及
封装SOT- 223和SOP- 8 。这些器件具有非常低
静态电流,并且能够提供输出电流高达
300毫安。提供内部电流和热限制保护
通过短路输出端的存在和内部热
关断电路。
的MC33375具有一个控制引脚,允许一个逻辑电平信号,以
关断或导通的调节器的输出。
由于低输入 - 输出电压差和偏置电流
规格,这些器件非常适合电池供电
计算机,消费电子和工业设备,其中的一个扩展
有用的电池寿命是可取的。
产品特点:
http://onsemi.com
低压差
微功耗电压
调节器
记号
图表
4
1
SOT223
ST后缀
CASE 318E
1
低静态电流( 0.3
mA
在关闭模式; 125
mA
在ON模式)
25毫伏,在我的低输入至输出电压差
O
= 10毫安,
和260毫伏的我
O
= 300毫安
非常紧迫的线路和负载调节
稳定仅为0.33输出电容
mF
2.5 V输出
电压
内部电流和热限制
逻辑电平ON / OFF控制
无铅包可用
NCV前缀为汽车和其他需要现场
和控制变更
V
in
热&
反星期六
保护
RINT
开/关
1.23 V
五,参考文献。
54 K
该器件包含41有源晶体管
GND
V
OUT
SOIC8
后缀
CASE 751
AYM
375xx
G
G
8
8
1
375xx
ALYW
G
1
A =大会地点
Y =年
M =日期代码
L =晶圆地段
W =工作周
XX =电压版本
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册的第11页上的一节。
开/关
图1.简化的框图
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年5月
启示录12
1
出版订单号:
MC33375/D
MC33375 , NCV33375系列
引脚连接
GND
4
输入
GND
GND
1
2
3
V
in
ON / V
OUT
关闭
开/关
1
2
3
4
8
7
6
5
产量
GND
GND
N / C
最大额定值
等级
输入电压
功耗和热特性
T
A
= 25°C
最大功率耗散
案例751 ( SOP - 8 )D后缀
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
案例318E ( SOT- 223 ) ST后缀
热阻,结到空气
热阻,结到外壳
输出电流
最高结温
工作环境温度范围
存储温度范围
符号
V
CC
价值
13
单位
VDC
P
D
R
qJA
R
QJC
R
qJA
R
QJC
I
O
T
J
T
A
T
英镑
内部限制
160
25
245
15
300
150
40 125
65 150
W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
mA
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
http://onsemi.com
2
MC33375 , NCV33375系列
电气特性
(C
L
= 1.0
MF,
T
A
= 25 ℃,最小/最大值T
J
=
40°C
至+ 125°C ,注1 )
特征
输出电压
1.8 V后缀
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
1.8 V后缀
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
线路调整
负载调整率
I
O
= 0 mA至250毫安
T
A
= 25 ° C,V
in
= [V
O
+ 1] V
符号
V
O
1.782
2.475
2.970
3.267
4.950
1.764
2.450
2.940
3.234
4.900
REG
LINE
REG
负载
V
in
V
O
典型值
1.80
2.50
3.00
3.30
5.00
2.0
5.0
最大
1.818
2.525
3.030
3.333
5.05
1.836
2.550
3.060
3.366
5.100
10
25
mV
mV
mV
65
25
115
220
260
75
160
46
100
200
400
500
dB
毫伏有效值
单位
VDC
V
in
= [V
O
+ 1 ] V, 0 <我
O
& LT ;百毫安
从T 2 %容差
J
=
40
至+ 125°C
V
in
= [V
O
+ 1 ] V至12 V,I
O
= 250毫安,
所有后缀牛逼
A
= 25°C
V
in
= [V
O
+ 1 ] V,I
O
= 0 mA时至250毫安,
所有后缀牛逼
A
= 25°C
输入输出电压差(注3 )
T
J
=
40°C
至+ 125°C
I
O
= 10毫安
I
O
= 100毫安
I
O
= 250毫安
I
O
= 300毫安
纹波抑制( 120赫兹)
V
在(峰 - 峰)
= [V
O
+ 1.5 ] V到[V
O
+ 5.5] V
V
n
输出噪声电压
C
L
= 1.0
mF
I
O
= 50 MA( 10赫兹到100千赫)
C
L
= 200
mF
电流参数
静态电流模式
静态电流关断模式
静态电流模式SAT
1.8 V后缀
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
电流限制
V
in
= [V
O
0.5 ] V,I
O
= 0 mA时(注2 )
V
in
= [V
O
+ 1 ] V,I
O
= 0毫安
I
QON
I
QOFF
I
QSAT
125
0.3
1100
1100
1500
1500
1500
450
200
4.0
1500
1500
2000
2000
2000
mA
mA
mA
V
in
= [V
O
+ 1] V, V
O
I
极限
mA
的ON / OFF输入量
开/关输入电压
逻辑“1” (稳压器开) V
OUT
= V
O
±
2%
逻辑“0” (调节器关)V
OUT
< 0.03 V
逻辑“0” (调节器关)V
OUT
< 0.05 V( 1.8 V选项)
V
CTRL
V
2.4
0.5
0.3
热关断
热关断
150
°C
测试过程中使用1.低占空比的脉冲技术,以保持结点温度为接近环境成为可能。
2.静态电流进行测量,其中通过PNP晶体管处于饱和状态。 V
in
= [V
O
0.5 ] V保证这个条件。
3.对于1.8 V版本V
DO
由一个2.5 V最小输入电压的限制
http://onsemi.com
3
MC33375 , NCV33375系列
释义
负载调整率
对于一个在输出电压的变化
改变负载电流在恒定的芯片温度。
输入输出电压差
输入/输出的差分处
稳压器的输出不再保持对调控
进一步降低输入电压。测定时的
输出低于标称值100 mV的(这是
在1.0 V差分测量) ,电压差影响
通过结点温度,负载电流和最小输入
供电要求。
输出噪声电压
有效值交流电压的
输出具有恒定负载和无输入纹波,测
在指定的频率范围。
最大功率耗散
的最大总
耗散其监管机构将内运作
特定连接的阳离子。
静态电流
当前这是用于操作
调节器芯片,并且不传递到负载。
线路调整
对于一个在输出电压的变化
改变输入电压。在测量下作出
低功耗的条件下,或通过使用脉冲技术
以使平均芯片温度不显著
的影响。
最大封装功耗
最大
封装功耗为在功耗水平
其结温达到其最大值
即, 150℃。结温上升而
(输入功率之间的差V
CC
X我
CC
)及
输出功率(V
OUT
X我
OUT
)正在增加。
取决于环境温度,因此能够
计算出最大功耗等的
最大电流如下:
T –T
Pd
+
J A
R
qJA
最高工作结温度T
J
is
在150℃下指定,如果T
A
= 25℃ ,则P
D
可以找到。通过
忽略了静态电流,最大功率
耗散可以表示为:
我出来
+
P
D
V - Vout的
CC
整个电路的热敏电阻可以
故意激活热关断评估
电路(通过增加输出电流或提高
输入电压为例子)。
然后你就可以通过计算功耗
减去从输入功率的输出功率。所有
变量然后众所周知的:功率耗散,热
切断温度( 150℃ MC33375 )和环境
温度。
R
T –T
+
J A
qJA
P
D
http://onsemi.com
4
MC33375 , NCV33375系列
7
T
A
= 25° C
6 C
L
= 0.47
mF
I
L
= 10毫安
5 V
OUT
= 3.3 V
4
50
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
时间(ms)
0
V
OUT
-50
V
in
200
输出电压的变化(毫伏)
150
100
7
T
A
= 25° C
6 C
L
= 33
mF
I
L
= 10毫安
5 V
OUT
= 3.3 V
4
3
2
1
0
0
50
100
时间(ms)
150
V
OUT
V
in
70
60
50
40
30
20
10
0
-10
-20
200
输出电压的变化(毫伏)
输入电压,输入电压( V)
-100
180 200
图2.线路瞬态响应
输入电压,输入电压( V)
图3.线路瞬态响应
300
200
100
负载电流(mA )
0
-100
-200
-300
-400 C
L
= 1.0
mF
V
OUT
= 3.3 V
-500 T
A
= 25° C
-600 V
in
= 4.3 V
-700
0
50
100
150
V
OUT
变化
负载
当前
1.0
0.8
输出电压的变化( V)
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
200
250
300
-1.0
350 400
负载电流(mA )
350
250
150
50
-50
-150
-250
-350
-450
-550
-650
-750
0
50
100
150
200
250
300
-0.01
0.14
输出电压的变化( V)
负载电流
0.09
0.04
V
OUT
变化
C
L
= 33.0
mF
V
OUT
= 3.3 V
T
A
= 25° C
V
in
= 4.3 V
-0.06
-0.11
-0.16
时间(ms)
时间(ms)
图4.负载瞬态响应
图5.负载瞬态响应
3.5
3.0
输出电压(V)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5 5.0
输入电压( V)
I
L
= 1毫安
I
L
= 250毫安
300
250
200
150
100
50
0
1
10
100
1000
I
O
,输出电流(mA )
图6.输出电压与输入电压
漏失电压(MV )
5
图7.漏失电压与输出电流
http://onsemi.com
MC33375系列
300毫安,低压差
用调压器
对/ O FF控制
该MC33375系列微功率低压差
在多种输出电压的可调节以及
封装SOT- 223和SOP- 8 。这些器件具有非常低
静态电流,并且能够提供输出电流高达
300毫安。提供内部电流和热限制保护
通过短路输出端的存在和内部热
关断电路。
的MC33375具有一个控制引脚,允许一个逻辑电平信号,以
关断或导通的调节器的输出。
由于低输入 - 输出电压差和偏置电流
规格,这些器件非常适合电池供电
计算机,消费电子和工业设备,其中的一个扩展
有用的电池寿命是可取的。
产品特点:
http://onsemi.com
低压差
微功耗电压
调节器
记号
图表
4
1
SOT223
ST后缀
CASE 318E
1
低静态电流( 0.3
mA
在关闭模式; 125
mA
在ON模式)
25毫伏,在我的低输入至输出电压差
O
= 10毫安,
和260毫伏的我
O
= 300毫安
非常紧迫的线路和负载调节
稳定仅为0.33输出电容
mF
2.5 V输出
电压
内部电流和热限制
逻辑电平ON / OFF控制
无铅包可用
AYM
375xx
G
G
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
375xx
ALYW
G
V
in
V
OUT
开/关
热&
反星期六
保护
RINT
A =大会地点
Y =年
M =日期代码
L =晶圆地段
W =工作周
XX =电压版本
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册的第11页上的一节。
开/关
1.23 V
五,参考文献。
54 K
GND
该器件包含41有源晶体管
图1.简化的框图
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年10月 - 10牧师
出版订单号:
MC33375/D
MC33375系列
引脚连接
GND
4
输入
GND
GND
1
2
3
V
in
ON / V
OUT
关闭
开/关
1
2
3
4
8
7
6
5
产量
GND
GND
N / C
最大额定值
等级
输入电压
功耗和热特性
T
A
= 25°C
最大功率耗散
案例751 ( SOP - 8 )D后缀
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
案例318E ( SOT- 223 ) ST后缀
热阻,结到空气
热阻,结到外壳
输出电流
最高结温
工作环境温度范围
存储温度范围
符号
V
CC
价值
13
单位
VDC
P
D
R
qJA
R
QJC
R
qJA
R
QJC
I
O
T
J
T
A
T
英镑
内部限制
160
25
245
15
300
150
- 40 + 125
- 65 + 150
W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
mA
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
http://onsemi.com
2
MC33375系列
电气特性
(C
L
= 1.0
MF,
T
A
= 25 ℃,最小/最大值T
J
= -40 ° C至+ 125°C ,注1 )
特征
输出电压
1.8 V后缀
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
1.8 V后缀
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
线路调整
负载调整率
输入输出电压差
I
O
= 10毫安
I
O
= 100毫安
I
O
= 250毫安
I
O
= 300毫安
I
O
= 0 mA至250毫安
T
A
= 25 ° C,V
in
= [V
O
+ 1] V
符号
V
O
1.782
2.475
2.970
3.267
4.950
1.764
2.450
2.940
3.234
4.900
REG
LINE
REG
负载
V
in
V
O
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
n
160
46
65
25
115
220
260
75
100
200
400
500
dB
毫伏有效值
1.80
2.50
3.00
3.30
5.00
2.0
5.0
1.818
2.525
3.030
3.333
5.05
1.836
2.550
3.060
3.366
5.100
10
25
mV
mV
mV
典型值
最大
单位
VDC
V
in
= [V
O
+ 1 ] V, 0 <我
O
& LT ;百毫安
从T 2 %容差
J
= -40至+ 125°C
V
in
= [V
O
+ 1 ] V至12 V,I
O
= 250毫安,
所有后缀牛逼
A
= 25°C
V
in
= [V
O
+ 1 ] V,I
O
= 0 mA时至250毫安,
所有后缀牛逼
A
= 25°C
纹波抑制( 120赫兹)
V
在(峰 - 峰)
= [V
O
+ 1.5 ] V到[V
O
+ 5.5] V
输出噪声电压
C
L
= 1.0
mF
I
O
= 50 MA( 10赫兹到100千赫)
C
L
= 200
mF
电流参数
静态电流模式
静态电流关断模式
静态电流模式SAT
1.8 V后缀
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
电流限制
V
in
= [V
O
- 0.5 ] V,I
O
= 0 mA时(注2 )
V
in
= [V
O
+ 1 ] V,I
O
= 0毫安
I
QON
I
QOFF
I
QSAT
V
in
= [V
O
+ 1] V, V
O
I
极限
1100
1100
1500
1500
1500
450
1500
1500
2000
2000
2000
mA
125
0.3
200
4.0
mA
mA
mA
的ON / OFF输入量
开/关输入电压
逻辑“1” (稳压器开) V
OUT
= V
O
±
2%
逻辑“0” (调节器关)V
OUT
< 0.03 V
逻辑“0” (调节器关)V
OUT
< 0.05 V( 1.8 V选项)
V
CTRL
2.4
0.5
0.3
V
热关断
热关断
150
°C
测试过程中使用1.低占空比的脉冲技术,以保持结点温度为接近环境成为可能。
2.静态电流进行测量,其中通过PNP晶体管处于饱和状态。 V
in
= [V
O
- 0.5 ] V保证这个条件。
http://onsemi.com
3
MC33375系列
释义
负载调整率
- 对于一个在输出电压的变化
改变负载电流在恒定的芯片温度。
输入输出电压差
- 输入/输出的差分处
稳压器的输出不再保持对调控
进一步降低输入电压。测定时的
输出低于标称值100 mV的(这是
在1.0 V差分测量) ,电压差影响
通过结点温度,负载电流和最小输入
供电要求。
输出噪声电压
- 有效值交流电压的
输出具有恒定负载和无输入纹波,测
在指定的频率范围。
最大功率耗散
- 最大总
耗散其监管机构将内运作
特定连接的阳离子。
静态电流
- 当前是用于操作
调节器芯片,并且不传递到负载。
线路调整
- 对于一个在输出电压的变化
改变输入电压。在测量下作出
低功耗的条件下,或通过使用脉冲技术
以使平均芯片温度不显著
的影响。
最大封装功耗
- 最大
封装功耗为在功耗水平
其结温达到其最大值
即, 150℃。结温上升而
(输入功率之间的差V
CC
X我
CC
)及
输出功率(V
OUT
X我
OUT
)正在增加。
取决于环境温度,因此能够
计算出最大功耗等的
最大电流如下:
T –T
Pd
+
J A
R
qJA
最高工作结温度T
J
is
在150℃下指定,如果T
A
= 25℃ ,则P
D
可以找到。通过
忽略了静态电流,最大功率
耗散可以表示为:
我出来
+
P
D
V - Vout的
CC
整个电路的热敏电阻可以
故意激活热关断评估
电路(通过增加输出电流或提高
输入电压为例子)。
然后你就可以通过计算功耗
减去从输入功率的输出功率。所有
变量然后众所周知的:功率耗散,热
切断温度( 150℃ MC33375 )和环境
温度。
R
T –T
+
J A
qJA
P
D
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4
MC33375系列
7
T
A
= 25° C
6 C
L
= 0.47
mF
I
L
= 10毫安
5 V
OUT
= 3.3 V
4
50
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
时间(ms)
0
V
OUT
50
V
in
200
输出电压的变化(毫伏)
150
100
7
T
A
= 25° C
6 C
L
= 33
mF
I
L
= 10毫安
5 V
OUT
= 3.3 V
4
3
2
1
0
0
50
100
时间(ms)
150
V
OUT
V
in
70
60
50
40
30
20
10
0
10
20
200
输出电压的变化(毫伏)
输入电压,输入电压( V)
100
180 200
图2.线路瞬态响应
输入电压,输入电压( V)
图3.线路瞬态响应
300
200
100
负载电流(mA )
0
100
200
300
400 C
L
= 1.0
mF
V
OUT
= 3.3 V
500 T
A
= 25° C
600 V
in
= 4.3 V
700
0
50
100
150
V
OUT
变化
负载
当前
1.0
0.8
输出电压的变化( V)
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
200
250
300
1.0
350 400
负载电流(mA )
350
250
150
50
50
150
250
350
450
550
650
750
0
50
100
150
200
250
300
0.01
0.14
输出电压的变化( V)
负载电流
0.09
0.04
V
OUT
变化
C
L
= 33.0
mF
V
OUT
= 3.3 V
T
A
= 25° C
V
in
= 4.3 V
0.06
0.11
0.16
时间(ms)
时间(ms)
图4.负载瞬态响应
图5.负载瞬态响应
3.5
3.0
2.5
I
L
= 250毫安
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5 5.0
输入电压( V)
漏失电压(MV )
输出电压(V)
I
L
= 1毫安
300
250
200
150
100
50
0
1
10
100
1000
I
O
,输出电流(mA )
图6.输出电压与输入电压
图7.漏失电压与输出电流
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