由MC33290订购此文件/ D
MC33290
超前信息
ISO串行接口
该MC33290是旨在提供一个串行链路总线接口器件
双向半双工通信在汽车的接口
诊断应用程序。它被设计车辆之间的接口
板上微控制器和系统板外,通过特殊车辆
ISO K线。该MC33290的设计符合了“诊断系统
ISO9141 “标准。该器件的K线总线驱动器的输出是完全
防止总线短路和过温度条件。
该MC33290源于它的坚固性温度和电压
极端被建在一个SMARTMOS 工艺,结合CMOS
逻辑,双极/ MOS模拟电路和DMOS功率场效应管。虽然
MC33290被主要设计用于汽车应用中,它是适合于
其它串行通信应用。它是通过参数化的规定
-40 ° C的环境温度范围
≤
TA
≤
125℃和8.0 V
≤
VBAT
≤
18 V
供应量。经济的8引脚DIP和SO- 8表面贴装塑料封装
使MC33290非常符合成本效益。
设计工作于8.0宽电源电压为18 V
ISO串行链路
接口
半导体
技术参数
8
1
-40 ° C工作环境温度为125°C
可直接与标准CMOS微处理器
ISO K线PIN保护对地短路
与迟滞热关断
在50千波特的过量最大传输速度
ISO K线引脚能够进行高电流的
ISO K线可以驱动与寄生电容高达10 nF的
8.0 kV ESD保护功能可实现与一些附加组件
待机模式:无VBAT电流损耗与VDD为5.0 V
操作与VDD在低漏电流在5.0 V
8
P后缀
塑料包装
CASE 626
1
后缀
塑料包装
CASE 751
(SO–8)
典型应用原理图
车载诊断链接
+ VBAT
D(1)
VDD +
MCU
VCC
5.0 V
7
1.0 nF的
Dx
SCIRXD
SCITXD
5
8
6
CEN
Rx
Tx
GND
3
ISO
4
27 V(3)
VDD
MC33290
VBB
1
500
(2)
10 nF的(3)
ISO
K线
TXD
RXD
服务扫描工具
or
生产线结束
程序设计
or
系统检查
510
45 V(2)
引脚连接
VBB
N / C
GND
ISO
( K线I / O)
1
2
3
4
( TOP VIEW )
8的Tx
7接收
6 VDD
5 CEN
5.0 nF的(3)
订购信息
设备
MC33290D
操作
温度范围
TA = -40 °C至+ 125°C
包
SO–8
DIP–8
REV 0
组件所需的步骤:反向电池( 1 ) ,暂态过电压( 2),
8.0 kV的ESD保护( 3 )在金属模块外壳。
该器件包含85有源晶体管。
本文件包含的新产品信息。说明和信息,在此
如有更改,恕不另行通知。
MC33290P
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
1
MC33290
图1.简化的框图
VBB
1
Rx
6
ISO
4
里斯
40 V
热
关闭
GND
3
主
BIAS
CEN
8
VDD
7
Tx
5
最大额定值
(
所有电压都是相对于地,除非另有说明。 )
VDD直流电源电压
VDD
-0.3 7.0
45
40
V
V
V
A
V
VBB抛负载峰值电压
VBB ( LD )
VISO
ISO引脚抛负载峰值电压
ISO短路电流限制
ESD电压(注1 )
人体模型(注2 )
机器模型(注3 )
ISO钳位能量(注4 )
储存温度
IISO ( LIM )
VESD1
VESD2
TSTG
TC
TJ
1.0
2000
200
10
EClamp
mJ
°C
°C
°C
W
-55到+150
-40到+125
-40到+150
0.8
工作温度
工作结温
功耗( TA = 25℃)
PD
焊接温度( 10秒)
Tsolder
R
θJA
260
150
°C
热阻(结到环境)
° C / W
注意事项:
1. ESD数据可根据要求提供。
2.测试符合人体模型( CZap = 100 pF的, RZap = 1500
).
3.测试根据机器型号( CZap = 100 pF的, RZap = 0Ω ) 。
4.非重复性钳位能力在25 ℃。
等级
符号
价值
单位
电气特性
( 4.75 V条件下注意特征
≤
VDD
≤
5.25 V, 8.0 V
≤
VBB ,
HSIP
≤
18.0 V, -40°C
≤
TC
≤
125 ℃,除非另有说明。 )
特征
电源和控制
符号
民
典型值
最大
单位
VDD休眠状态电流( HSIM = HSIP , LSIM = LSIP = 0 V ,
VRSM = VRSP = 0 V ,TX = 0.8 VDD , CEN = 0.3 VDD )
国际直拨电话( SS )
国际直拨电话( Q)
–
–
–
–
–
–
–
–
0.1
1.0
50
mA
mA
A
VDD静态工作电流( HSIM = HSIP - 0.3 V , LSIM = 0 V ,
LSIP = 0.3 V , VRSM = 0 V , VRSP = -0.5 V ,TX = 0.2 VDD , CEN = 0.7 VDD )
VBB睡眠状态电流( VBB = 16 V , HSIM = HSIP , LSIM = LSIP = 0 V ,
VRSM = VRSP = 0 V ,TX = 0.8 VDD , CEN = 0.3 VDD )
IBB ( SS )
IBB ( Q)
VBB的静态工作电流( HSIM = HSIP - 0.3 V , LSIM = 0 V ,
LSIP = 0.3 V , VRSM = 0 V , VRSP = -0.5 V ,TX = 0.2 VDD , CEN = 0.7 VDD )
芯片使能
输入高电压阈值(注1 )
输入低电压阈值(注2 )
1.0
mA
V
VIH ( CEN )
VIL ( CEN )
0.7 VDD
–
–
–
–
0.3的Vdd
注意事项:
1.当伊布转换到>100
A.
2.当伊布转换到<100
A.
2
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
MC33290
电气特性
(续)
( 4.75 V条件下注意特征
≤
VDD
≤
5.25 V, 8.0 V
≤
VBB ,
HSIP
≤
18.0 V, -40°C
≤
TC
≤
125 ℃,除非另有说明。 )
特征
电源和控制
符号
民
典型值
最大
单位
芯片使能下拉电流(注3 )
IPD ( CEN )
VLTP (TX)
2.0
–
–
–
–
–
–
–
40
TX输入低电压阈值( RISO = 510
)
(注4 )
0.3× VDD
–
V
V
TX输入高电压阈值( RISO = 510
)
(注5 )
德克萨斯州上拉电流(注6 )
VUTP (TX)
各国议会联盟(德克萨斯州)
VL( Rx)的
0.7× VDD
–40
–
–2.0
A
V
V
RX输出低电压阈值( RISO = 510
,
TX = 0.2 VDD ,
RX沉没1.0毫安)
RX输出高电压阈值( RISO = 510
,
TX = 0.8 VDD ,
RX 250采购
A)
热关断(注7 )
0.2 VDD
–
–
VH( Rx)的
TLIM
0.8 VDD
150
170
°C
笔记
3.启用引脚具有内部电流等于大于50 kΩ的上拉下来。
4.通过测量斜坡的Tx下来0.7 VDD 0.3 VDD ,并指出tx值在该ISO低于0.2 VBB 。
5.通过测量斜坡的Tx从0.3 VDD至0.7 VDD ,并指出在该ISO高于0.9 VBB的值。
7,热关断性能( TLIM )由设计保证,但未经生产测试。
6. Tx管脚具有内部电流相当于大于50 kΩ的上拉。上拉电流测量的Tx引脚0.7 VDD 。
A
电气特性
( 4.75 V条件下注意特征
≤
VDD
≤
5.25 V, 8.0 V
≤
VBB , HSIP
≤
18.0 V,
–40°C
≤
TC
≤
125 ℃,除非另有说明。 )
特征
ISO I / O
输入低电压阈值( RISO = 0
,
TX = 0.8 VDD )(注1 )
符号
民
典型值
最大
单位
VLTP ( ISO )
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.4× VBB
–
V
V
V
输入高电压阈值( RISO = 0
,
TX = 0.8 VDD ) (注2 )
输入迟滞(注3 )
VUTP ( ISO )
VHYS ( ISO )
IPU ( ISO )
ISC ( ISO )
VL (ISO)的
0.8× VBB
0.01× VBB
–5.0
50
–
0.1× VBB
–90
内部上拉电流(注4 )
( RISO =
∞ ,
TX = 0.8 VDD , VISO = 0.5 VBB )
A
短路电流限制(注5 ) ( RISO = 0
,
TX = 0.4 VDD , VISO = VBB )
输出低电压阈值( RISO = 510
,
TX = 0.2 VDD )
输出高电压阈值( RISO =
∞ ,
TX = 0.8 VDD )
1000
mA
V
V
0.125 X VBB
–
VH (ISO)的
0.95 X VBB
–
–
–
下降时间(注6 ) ( RISO = 510
到VBB , CISO = 10nF的对地)
ISO传输延迟(注7 )
前高后低; ( RISO = 510
,
CISO = 500 pF)的(注8)
从低到高; ( RISO = 510
,
CISO = 500 pF的) (注9 )
TFALL ( ISO )
2.0
2.0
2.0
s
s
tPD的( ISO )
注意事项:
1.从ISO VBB 0.8升到0.4 VBB ,监视器接收, ISO的值电压,其接收过渡到0.3 VDD 。
2. ISO 0.4 VBB升到0.8 VBB ,监视器接收, ISO的值电压,其接收过渡到0.7 VDD 。
3.输入滞后, VHYS ( ISO ) = VUTP ( ISO ) - VLTP ( ISO ) 。
4. ISO拉了>100 kΩ的内部上拉至VBB 。
5. ISO有内部电流限制。
6.所需时间ISO电压转换为0.8 VBB 0.2 VBB 。
7.改变CISO的价值影响的上升和下降时间,但对传输延迟的影响最小。
8.步骤的Tx电压VDD 0.2 0.8 VDD ;从VUTP ( ISO )来测量,直到VISO时间达到0.3 VBB 。
9.步骤的Tx电压VDD 0.8 0.2 VDD ;从VLTP ( ISO )来测量,直到VISO时间达到0.7 VBB 。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
3
MC33290
外形尺寸
后缀
塑料包装
CASE 751-05
ISSUE
(SO–8)
5
A
8
D
C
H
0.25
M
E
1
4
B
M
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M , 1994年。
2.尺寸以毫米为单位。
3.尺寸D和E不包括塑模
前伸。
4.最大模具PROTRUSION 0.15每边。
5.尺寸b不包括模型
前伸。允许的dambar
突出应该0.127总数过量
THE B尺寸为最大材料的
条件。
暗淡
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
MILLIMETERS
民
最大
1.35
1.75
0.10
0.25
0.35
0.49
0.18
0.25
4.80
5.00
3.80
4.00
1.27 BSC
5.80
6.20
0.25
0.50
0.40
1.25
0
_
7
_
B
C
e
h
A
座位
飞机
X 45
_
q
0.10
A1
0.25
B
M
L
C B
S
A
S
q
8
5
P后缀
塑料包装
CASE 626-05
ISSUE
–B–
注意事项:
1.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
2.包装等高可选(圆形或
方角) 。
3.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
民
最大
9.40
10.16
6.10
6.60
3.94
4.45
0.38
0.51
1.02
1.78
2.54 BSC
0.76
1.27
0.20
0.30
2.92
3.43
7.62 BSC
–––
10
_
0.76
1.01
英寸
民
最大
0.370
0.400
0.240
0.260
0.155
0.175
0.015
0.020
0.040
0.070
0.100 BSC
0.030
0.050
0.008
0.012
0.115
0.135
0.300 BSC
–––
10
_
0.030
0.040
1
4
F
注2
–A–
L
C
–T–
座位
飞机
J
N
D
K
M
M
H
G
0.13 (0.005)
T A
M
B
M
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并
具体来说不承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他
应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称,
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们:
美国/欧洲/点未列出:
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ,科罗拉多州丹佛市80217. 303-675-2140或1-800-441-2447
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC , 6F西武Butsuryu中心,
3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 81-3-3521-8315
M传真 :
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
亚洲/太平洋网络C:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
互联网:
http://www.mot.com/SPS/
4
MC33290/D
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MC33290
REV 8.0 , 8/2008
ISO K线串行接口
在33290的目的是提供一个串行链路总线接口器件
双向半双工通信在汽车的接口
诊断应用程序。它被设计之间的接口
车辆的车载微控制器和系统板外车辆
通过ISO特殊K线。该33290是专为满足
诊断系统ISO9141规范。该器件的K线巴士
驱动器的输出得到充分保护,以防止总线短裤
温度过高的情况。
在33290获得它的稳健性对温度和电压
极端通过被建在一个SMARTMOS工艺,结合
CMOS逻辑电路,双极/ MOS模拟电路和DMOS功率场效应管。
虽然33290是主要针对汽车
应用程序,它适合于其它串行通信的应用程序。
它是参数化过的环境温度范围内指定
-40C
≤
T
A
≤
125℃和8.0 V
≤
V
BB
≤
18 V电源。经济
SO- 8表面贴装塑料封装,使33290很划算
有效的。
特点
33290
ISO9141物理接口
后缀
EF后缀(无铅)
98ASB42564B
8针SOICN
订购信息
温度
范围(T
A
)
-40至125℃的
包
设备
工作在8.0宽电源电压为18V
经营温度-40 125℃
MC33290D/R2
可直接与标准CMOS微处理器
MCZ33290EF/R2
ISO K线PIN保护对地短路
与迟滞热关断
ISO K线引脚能够进行高电流的
ISO K线可以驱动与寄生虫高达10 nF的
电容
8.0 kV ESD保护功能可实现与一些附加组件
待机模式:无V
BAT
漏电流与V
DD
在5.0 V
低漏电流在操作过程中与V
DD
在5.0 V
无铅封装用后缀代码EF指定
8-SOICN
+ VBAT
VDD
33290
VDD
MCU
Dx
工程干
x
SCITx
CEN
RX
TX
ISO
GND
VDD
VBB
ISO K线
牛逼XD
的xD
图1. 33290简化应用图
飞思卡尔半导体公司保留随时更改细节规格的权利,如
可能需要的,以允许改善其产品的设计。
飞思卡尔半导体公司, 2006-2008 。版权所有。
引脚连接
引脚连接
VBB
NC
GND
ISO
1
1
2
2
3
3
4
4
88
77
66
55
CEN
VDD
RX
TX
图3. 33290引脚连接
表1. 33290引脚定义
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
VBB
NC
GND
ISO
TX
RX
VDD
CEN
德网络nition
通过外部电阻器和二极管的电池电量。
不被连接。
(1)
常见的信号和电源的回报。
总线连接。
逻辑电平输入的数据被发送到总线上。
接收总线上的数据的逻辑输出。
逻辑电源输入。
芯片使能。逻辑“1”为有效状态。逻辑“0”为休眠状态。
笔记
1. NC引脚不应该向他们提出任何连接。 NC引脚不保证开路。
33290
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表2.最大额定值
所有电压都是相对于地,除非另有说明。超过这些额定值可能会导致故障或
永久损坏设备。
等级
VDD直流电源电压
VBB抛负载峰值电压
ISO引脚抛负载峰值电压
(2)
ISO短路电流限制
ESD电压
(3)
人体模型
(4)
机器型号
(4)
ISO钳位能量
(5)
储存温度
工作温度
工作结温
功耗
T
A
= 25°C
峰值包回流温度在回流
(6)
,
(7)
热阻
结到环境
T
PPRT
R
θJA
150
V
ESD1
V
ESD2
E
钳
T
英镑
T
C
T
J
P
D
0.8
注7 。
°C
° C / W
±2000
±200
10
-55到+150
-40到+125
-40到+150
mJ
°C
°C
°C
W
符号
V
DD
V
BB ( LD )
V
ISO
I
ISO ( LIM )
价值
-0.3 7.0
45
40
1.0
单位
V
V
V
A
V
笔记
2.设备将生存双电池跳跃开始条件中进行10分钟的持续时间典型的应用,但不能保证留
在这个时间过程中指定参数的限制。
3. ESD数据可根据要求提供。
4. ESD1测试是按照人体模型进行(C
ZAP
= 100 pF的,R
ZAP
= 1500
Ω),
ESD2测试是在执行
根据机器模型(C
ZAP
= 200 pF的,R
ZAP
= 0
Ω).
5.
6.
7.
非重复性钳位能力在25 ℃。
销焊接温度极限是10秒,最长持续时间。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
飞思卡尔的包装回流焊功能符合JEDEC标准J- STD-020C标准的无铅要求。峰值包回流
温度和潮湿敏感度等级( MSL )
部件编号去www.freescale.com ,搜索如删除前缀/后缀,进入核心ID来查看所有可订购的零件。 (即
MC33xxxD进入33xxx ) ,并需要技术审查。
33290
4
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性
静态电气特性
静态电气特性
表3.静态电气特性
特点4.75 V条件下注意
≤
V
DD
≤
5.25 V, 8.0 V
≤
V
BB
≤
18 V , -40°C
≤
T
C
≤
125 ℃,除非另有
指出。
特征
电源和控制
V
DD
睡眠状态电流
T
x
= 0.8 V
DD
, CEN = 0.3 V
DD
V
DD
静态工作电流
T
x
= 0.2 V
DD
, CEN = 0.7 V
DD
V
BB
睡眠状态电流
V
BB
= 16 V ,T
x
= 0.8 V
DD
, CEN = 0.3 V
DD
V
BB
静态工作电流
T
X
= 0.2 V
DD
, CEN = 0.7 V
DD
芯片使能
输入高电压阈值
(8)
输入低电压阈值
(9)
芯片使能下拉电流
(10)
T
X
输入低电压阈值
R
ISO
= 510
Ω
(11)
T
X
输入高电压阈值
R
ISO
= 510
Ω
(12)
T
X
上拉电流
(13)
R
X
输出低电压阈值
R
ISO
= 510
Ω,
T
X
= 0.2 V
DD
, R
x
下沉1.0毫安
R
X
输出高电压阈值
R
ISO
= 510
Ω,
T
X
= 0.8 V
DD
, R
X
采购250 μA
热关断
(14)
T
LIM
V
OH器(Rx )
0.8 V
DD
150
I
PU (TX)
V
OL ( Rx)的
V
IH (TX)
0.7× V
DD
-40
V
IH ( CEN )
V
白细胞介素( CEN )
I
PD ( CEN )
V
白细胞介素(TX)
0.7 V
DD
I
BB (Q)的
I
BB ( SS )
I
DD ( Q)
I
DD ( SS )
mA
符号
民
典型值
最大
单位
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.1
mA
1.0
A
50
mA
1.0
V
–
0.3 V
DD
40
A
V
–
2.0
–
0.3× V
DD
V
–
–
–
-2.0
A
V
–
–
–
170
0.2 V
DD
V
–
–
°C
笔记
8.当伊布转变到>100 μA 。
9.当伊布转变到<100 μA 。
10.使能引脚有一个内部电流拉下来。下拉电流在0.3 V测量CEN引脚
DD
.
11.
12.
13.
14.
测量通过抬高牛逼
X
从0.7 V下降
DD
并注意到牛逼
X
价值在哪ISO低于0.2 V
BB
.
测量通过抬高牛逼
X
从0.3 V
DD
并指出在该ISO高于0.9 V的价值
BB
.
T
x
引脚具有内部电流拉了起来。上拉电流的测量和T
X
销0.7 V
DD
.
热关断性能(T
LIM
)由设计保证,但未经生产测试
.
33290
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
5