MC33275
低压差300毫安
稳压器
该MC33275系列微功率低压差
在多种输出电压的可调节以及
包， DPAK ， SOT- 223 ，和SOP- 8表面贴装封装。
这些器件具有非常低的静态电流，并能够
提供的输出电流高达300 mA的电流。内部电流和热
限流保护被短路的存在提供
输出和内部热关断电路。
该MC33275是作为一个MC33375 ，其中包括开/关
控制权。
由于低输入 - 输出电压差和偏置电流
规格，这些器件非常适合电池供电
计算机，消费电子和工业设备，其中的一个扩展
有用的电池寿命是可取的。
产品特点：
低静态电流（ 125
m
A)
25毫伏，在我的低输入至输出电压差
O
= 10毫安，
和260毫伏的我
O
= 300毫安
非常紧迫的线路和负载调节
稳定仅为0.33输出电容
m
F代表2.5 V输出
电压
内部电流和热限制
http://onsemi.com
低压差
微功耗电压
调节器
GND
4
4
1
3
1
MC33275
2
3
V
in
GND V
OUT
塑料
DT后缀
CASE 369A
GND
4
简化的框图
V
in
V
OUT
1
3
4
MC33375
1
2
3
V
in
热&
反星期六
保护
RINT
1
GND
V
OUT
塑料
ST后缀
CASE 318E
8
1.23 V
五，参考文献。
54 K
GND
该器件包含41有源晶体管
8
1
输入
2
7
产量
GND
3
GND
GND
GND
4
MC33375
6
GND
5
N / C
4,5脚不接
塑料
后缀
CASE 751
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册第9页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第4版
出版订单号：
MC33275/D
MC33275
最大额定值
(T
A
= 25 ℃，最小/最大值T
J
= -40 ° C至+ 125°C ）
等级
输入电压
功耗和热特性
T
A
= 25°C
最大功率耗散
案例751 （ SOP - 8 ）D后缀
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
案例369A （ DPAK ） DT后缀
热阻，结到空气
热阻，结到外壳
案例318E （ SOT- 223 ） ST后缀
热阻，结到空气
热阻，结到外壳
输出电流
最高结温
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
CC
价值
13
单位
VDC
P
D
R
θJA
R
θJC
R
θJA
R
θJC
R
θJA
R
θJC
I
O
T
J
T
J
T
英镑
内部限制
160
25
92
6.0
245
15
300
150
- 40 + 125
- 65 + 150
W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
mA
°C
°C
°C
电气特性
(C
L
= 1.0μF ，T
A
= 25 ℃，最小/最大值T
J
= -40 ° C至+ 125°C ，注1 ）
特征
输出电压
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
线路调整
负载调整率
输入输出电压差
I
O
= 10毫安
I
O
= 100毫安
I
O
= 250毫安
I
O
= 300毫安
纹波抑制（ 120赫兹）
输出噪声电压
C
L
= 1
m
F
C
L
= 200
m
F
I
O
= 0 mA至250毫安
T
A
= 25 ° C，V
in
= [V
O
+ 1] V
符号
V
O
2.475
2.970
3.267
4.950
2.450
2.940
3.234
4.900
REG
LINE
REG
负载
V
in
– V
O
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
—
—
—
—
—
V
n
I
O
= 50 MA（ 10赫兹到100千赫）
—
—
160
46
—
—
65
25
115
220
260
75
100
200
400
500
—
dB
–
–
2.50
3.00
3.30
5.00
—
—
—
—
2.0
5.0
2.525
3.030
3.333
5.05
2.550
3.060
3.366
5.100
10
25
mV
mV
mV
民
典型值
最大
单位
VDC
V
in
= [V
O
+ 1 ] V， 0 <我
O
＆ LT ;百毫安
从T 2 ％容差
J
= -40至+ 125°C
V
in
= [V
O
+ 1 ] V至12 V，I
O
= 250毫安，
所有后缀牛逼
A
= 25°C
V
in
= [V
O
+ 1 ] V，I
O
= 0 mA时至250毫安，
所有后缀牛逼
A
= 25°C
V
在（峰 - 峰）
= [V
O
+ 1.5 ] V到[V
O
+ 5.5] V
m
VRM
s
电流参数
特征
静态电流
在模式
在SAT模式
电流限制
V
in
= [V
O
+ 1 ] V，I
O
= 0毫安
V
in
= [V
O
- 0.5 ] V，I
O
= 0 mA时，注2
V
in
= [V
O
+ 1], V
O
短
I
极限
符号
I
Q
—
—
—
125
1100
450
200
1500
—
mA
民
典型值
最大
单位
m
A
热关断
特征
热关断
符号
—
民
—
典型值
150
最大
—
单位
°C
注意：
测试过程中使用1.低占空比的脉冲技术，以保持结点温度为接近环境成为可能。
注意：
2.静态电流进行测量，其中通过PNP晶体管处于饱和状态。 V
in
= [V
O
- 0.5 ] V保证这个条件。
http://onsemi.com
2
MC33275
低压差300毫安
稳压器
该MC33275系列微功率低压差
在多种输出电压的可调节以及
包， DPAK ， SOT- 223 ，和SOP- 8表面贴装封装。
这些器件具有非常低的静态电流，并能够
提供的输出电流高达300 mA的电流。内部电流和热
限流保护被短路的存在提供
输出和内部热关断电路。
该MC33275是作为一个MC33375 ，其中包括开/关
控制权。
由于低输入 - 输出电压差和偏置电流
规格，这些器件非常适合电池供电
计算机，消费电子和工业设备，其中的一个扩展
有用的电池寿命是可取的。
产品特点：
低静态电流（ 125
m
A)
25毫伏，在我的低输入至输出电压差
O
= 10毫安，
和260毫伏的我
O
= 300毫安
非常紧迫的线路和负载调节
稳定仅为0.33输出电容
m
F代表2.5 V输出
电压
内部电流和热限制
http://onsemi.com
低压差
微功耗电压
调节器
GND
4
4
1
3
1
MC33275
2
3
V
in
GND V
OUT
塑料
DT后缀
CASE 369A
GND
4
简化的框图
V
in
V
OUT
1
3
4
MC33375
1
2
3
V
in
热&
反星期六
保护
RINT
1
GND
V
OUT
塑料
ST后缀
CASE 318E
8
1.23 V
五，参考文献。
54 K
GND
该器件包含41有源晶体管
8
1
输入
2
7
产量
GND
3
GND
GND
GND
4
MC33375
6
GND
5
N / C
4,5脚不接
塑料
后缀
CASE 751
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册第9页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第4版
出版订单号：
MC33275/D
MC33275
最大额定值
(T
A
= 25 ℃，最小/最大值T
J
= -40 ° C至+ 125°C ）
等级
输入电压
功耗和热特性
T
A
= 25°C
最大功率耗散
案例751 （ SOP - 8 ）D后缀
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
案例369A （ DPAK ） DT后缀
热阻，结到空气
热阻，结到外壳
案例318E （ SOT- 223 ） ST后缀
热阻，结到空气
热阻，结到外壳
输出电流
最高结温
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
CC
价值
13
单位
VDC
P
D
R
θJA
R
θJC
R
θJA
R
θJC
R
θJA
R
θJC
I
O
T
J
T
J
T
英镑
内部限制
160
25
92
6.0
245
15
300
150
- 40 + 125
- 65 + 150
W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
mA
°C
°C
°C
电气特性
(C
L
= 1.0μF ，T
A
= 25 ℃，最小/最大值T
J
= -40 ° C至+ 125°C ，注1 ）
特征
输出电压
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
线路调整
负载调整率
输入输出电压差
I
O
= 10毫安
I
O
= 100毫安
I
O
= 250毫安
I
O
= 300毫安
纹波抑制（ 120赫兹）
输出噪声电压
C
L
= 1
m
F
C
L
= 200
m
F
I
O
= 0 mA至250毫安
T
A
= 25 ° C，V
in
= [V
O
+ 1] V
符号
V
O
2.475
2.970
3.267
4.950
2.450
2.940
3.234
4.900
REG
LINE
REG
负载
V
in
– V
O
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
—
—
—
—
—
V
n
I
O
= 50 MA（ 10赫兹到100千赫）
—
—
160
46
—
—
65
25
115
220
260
75
100
200
400
500
—
dB
–
–
2.50
3.00
3.30
5.00
—
—
—
—
2.0
5.0
2.525
3.030
3.333
5.05
2.550
3.060
3.366
5.100
10
25
mV
mV
mV
民
典型值
最大
单位
VDC
V
in
= [V
O
+ 1 ] V， 0 <我
O
＆ LT ;百毫安
从T 2 ％容差
J
= -40至+ 125°C
V
in
= [V
O
+ 1 ] V至12 V，I
O
= 250毫安，
所有后缀牛逼
A
= 25°C
V
in
= [V
O
+ 1 ] V，I
O
= 0 mA时至250毫安，
所有后缀牛逼
A
= 25°C
V
在（峰 - 峰）
= [V
O
+ 1.5 ] V到[V
O
+ 5.5] V
m
VRM
s
电流参数
特征
静态电流
在模式
在SAT模式
电流限制
V
in
= [V
O
+ 1 ] V，I
O
= 0毫安
V
in
= [V
O
- 0.5 ] V，I
O
= 0 mA时，注2
V
in
= [V
O
+ 1], V
O
短
I
极限
符号
I
Q
—
—
—
125
1100
450
200
1500
—
mA
民
典型值
最大
单位
m
A
热关断
特征
热关断
符号
—
民
—
典型值
150
最大
—
单位
°C
注意：
测试过程中使用1.低占空比的脉冲技术，以保持结点温度为接近环境成为可能。
注意：
2.静态电流进行测量，其中通过PNP晶体管处于饱和状态。 V
in
= [V
O
- 0.5 ] V保证这个条件。
http://onsemi.com
2
MC33275 ， NCV33275
300毫安，低压差
稳压器
该MC33275系列微功率低压差
在多种输出电压的可调节以及
封装， SOT- 223 ， SOP- 8 ， DPAK和DFN 4×4表面贴装
包。这些器件具有非常低的静态电流，并
能够提供输出电流高达300 mA的电流。内部电流
和热限制保护是由一个短的存在提供
电路在输出端和内部热关断电路。
由于低输入 - 输出电压差和偏置电流
规格，这些器件非常适合电池供电
计算机，消费电子和工业设备，其中的一个扩展
有用的电池寿命是可取的。
特点
http://onsemi.com
低压差
微功耗电压
调节器
记号
图表
4
1
3
SOT223
ST后缀
CASE 318E
1
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
275xx
ALYW
G
AYW
275xxG
G
25毫伏，在我的低输入至输出电压差
O
= 10毫安，
和260毫伏的我
O
= 300毫安
非常紧迫的线路和负载调节
稳定仅为0.33输出电容
mF
2.5 V输出
电压
内部电流和热限制
NCV前缀为汽车和其他需要现场
和控制变更
无铅包可用
应用
电池供电的消费类产品
手持式仪器
摄像机和照相机
V
in
V
OUT
4
1
3
DPAK3
DT后缀
CASE 369A
1
275xxG
ALYWW
热&
反星期六
保护
RINT
1
DFN - 8 ， 4×4
MN后缀
CASE 488AF
1
275xx
ALYWG
G
1.23 V
五，参考文献。
54 K
GND
该器件包含41有源晶体管
xx
=电压版本
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W， WW =工作周
G
或G =无铅器件
（注：微球可在任一位置）
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册的第10页上的一节。
图1.简化的框图
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 15牧师
出版订单号：
MC33275/D
MC33275 ， NCV33275
引脚连接
GND
4
GND
4
输入
1
8
1
2
3
V
in
GND V
OUT
MC33275ST
1
2
3
GND V
V
in
OUT
MC33275DT
4,5脚不接
MC33275D
MC33275MN
最大额定值
等级
输入电压
功耗和热特性
T
A
= 25°C
最大功率耗散
案例751 （ SOIC - 8 ）D后缀
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
案例318E （ SOT- 223 ） ST后缀
热阻，结到空气
热阻，结到外壳
案例369A （ DPAK - 3 ） DT后缀
热阻，结到空气
热阻，结到外壳
案例488AF （ DFN - 8 ， 4×4 ） MN后缀
热阻，结到空气（与1.0盎司铜PCB面积）
热阻，结到空气（与1.8盎司铜PCB面积）
热阻，结到外壳
输出电流
最高结温
工作环境温度范围
存储温度范围
静电放电敏感度（ ESD ）
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
符号
V
CC
价值
13
单位
VDC
P
D
R
qJA
R
QJC
R
qJA
R
QJC
R
qJA
R
QJC
R
qJA
R
qJA
PSI -JC *
I
O
T
J
T
A
T
英镑
ESD
内部限制
160
25
245
15
92
6.0
183
93
9.0
300
150
- 40 + 125
- 65 + 150
4000
400
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
*“ C' ” （ “案件”“ ）被定义为在所述封装的底部露出焊盘的中心之间的钎焊连接的接口，并且所述板
其所连接。
http://onsemi.com
2
2
GND
3
GND
4
N / C
产量
7
GND
6
GND
5
N / C
输入
输入
输入
N / C
1
2
3
4
8
7
6
5
产量
N / C
GND
N / C
W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
mA
°C
°C
°C
V
MC33275 ， NCV33275
电气特性
(C
L
= 1.0mF ，T
A
= 25 ℃，最小/最大值T
J
= -40 ° C至+ 125°C ，注1 ）
特征
输出电压
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
线路调整
负载调整率
输入输出电压差
I
O
= 10毫安
I
O
= 100毫安
I
O
= 250毫安
I
O
= 300毫安
I
O
= 0 mA至250毫安
T
A
= 25 ° C，V
in
= [V
O
+ 1] V
符号
V
O
2.475
2.970
3.267
4.950
2.450
2.940
3.234
4.900
REG
LINE
REG
负载
V
in
V
O
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
n
160
46
65
25
115
220
260
75
100
200
400
500
dB
毫伏有效值
2.50
3.00
3.30
5.00
2.0
5.0
2.525
3.030
3.333
5.05
2.550
3.060
3.366
5.100
10
25
mV
mV
mV
民
典型值
最大
单位
VDC
V
in
= [V
O
+ 1 ] V， 0 <我
O
＆ LT ;百毫安
从T 2 ％容差
J
= -40至+ 125°C
V
in
= [V
O
+ 1 ] V至12 V，I
O
= 250毫安，
所有后缀牛逼
A
= 25°C
V
in
= [V
O
+ 1 ] V，I
O
= 0 mA时至250毫安，
所有后缀牛逼
A
= 25°C
纹波抑制（ 120赫兹）
V
在（峰 - 峰）
= [V
O
+ 1.5 ] V到[V
O
+ 5.5] V
输出噪声电压
C
L
= 1.0
mF
I
O
= 50 MA（ 10赫兹到100千赫）
C
L
= 200
mF
电流参数
静态电流模式
静态电流模式SAT
2.5 V后缀
3.0 V后缀
3.3 V后缀
5.0 V后缀
电流限制
热关断
热关断
V
in
= [V
O
+ 1 ] V，I
O
= 0毫安
V
in
= [V
O
- 0.5 ] V，I
O
= 0 mA时（注2 ）
I
QON
I
QSAT
125
1100
1500
1500
1500
450
200
1500
2000
2000
2000
mA
mA
V
in
= [V
O
+ 1] V, V
O
短
I
极限
mA
150
°C
测试过程中使用1.低占空比的脉冲技术，以保持结点温度为接近环境成为可能。
2.静态电流进行测量，其中通过PNP晶体管处于饱和状态。 V
in
= [V
O
- 0.5 ] V保证这个条件。
http://onsemi.com
3
QQ：2881677436 复制
