飞思卡尔半导体公司
MC33215
最大额定值
等级
峰值电压的VLN
最大回路电流
电压VLS （如果单独供电）
电压VHF （如果是外部应用）
电压SPS ， MUT ， PRS ， LSM
最高结温
存储温度范围
注意：
ESD数据可应要求提供。
民
–0.5
–
–0.5
–0.5
–0.5
–
–65
最大
12
160
12
5.5
7.5
150
150
单位
V
mA
V
V
V
°C
°C
推荐工作条件
特征
民
2.4
4.0
2.4
2.4
0
–20
最大
10
130
8.0
5.0
5.0
70
单位
V
mA
V
V
V
°C
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偏置电压在VLN
回路电流
电压VLS
电压VHF （如果是外部应用）
电压SPS ， MUT ， PRS ， LSM
工作环境温度范围
电气特性
（所有参数都在T规定= 25° C，I
LINE
= 18毫安， VLS = 2.9 V，F = 1000赫兹，
PRS =高， MUT =高， SPS =低， LSM =高，在图17中与S1测试图中位置1 ，除非另有说明。 ）
直流线路电压
线电压V
LINE
并联运行，我
LINE
= 4.0毫安
I
LINE
= 20毫安
I
LINE
= 70毫安
V
–
3.9
4.8
2.4
4.2
5.2
–
4.5
5.6
供应点V
DD
从V内部电流消耗
DD
V
DD
= 2.5 V
在VMC直流电压（ = VMC0 ）
目前可从VMC
VMC = VMC0 - 200毫伏
–
1.2
1.5
mA
供应点VMC
1.6
1.0
1.75
–
1.9
–
V
mA
供应点VHF
在甚高频直流电压（ = VHF0 ）
2.6
–
2.8
1.4
–
3.0
2.0
–
V
从VHF内部电流消耗
VHF = VHF0 + 100毫伏
目前可从VHF
VHF = VHF0 - 300毫伏
mA
mA
2.0
供应点V
CC
当前可以从V
CC
V
CC
= 2.4 V，I
LINE
= 20毫安
13
–
15
–
mA
V
间VLN和V直流电压降
CC
I
LINE
= 20毫安
从VLS内部电流消耗
1.0
1.5
电源输入VLS
–
1.0
1.5
mA
特征
民
典型值
最大
单位
摩托罗拉模拟IC器件
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数据
3
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电气特性
（续）
（所有参数都在T规定= 25° C，I
LINE
= 18毫安， VLS = 2.9 V，F = 1000赫兹，
PRS =高， MUT =高， SPS =低， LSM =高，在图17中与S1测试图中位置1 ，除非另有说明。 ）
注意：
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R
x
CHANNEL ，耳机放大器
T
x
CHANNEL ，双音多频功率放大器（ MUT =低电平或PRS = LOW ）
T
x
CHANNEL ， BASE麦克风放大器（ SPS = HIGH ，T
x
模式强制）
T
x
CHANNEL ，手机话筒放大器
逻辑输入
4
输出摆幅能力为450
THD
≤2%,
R
RXO
= 360 k
输出摆幅能力为150
THD
≤2%
置信度在DTMF拨号
V
MF
= 7.5毫伏有效值， MUT =低
输入阻抗在RXI
增益降低在静音状态
MUT =低或SPS =低
增益降低在静音状态
MUT =高或PRS =低
输入阻抗在MFI
从V电压增益
MF
到V
LINE
V
MF
= 7.5毫伏有效值
总谐波失真在VLN
V
BM
= 1.5毫伏
共模抑制比
输入阻抗在BM1和BM2
从V电压增益
BM
到V
LINE
V
BM
= 0.5毫伏有效值
总谐波失真在VLN
V
HM
= 4.5毫伏有效值
共模抑制比
输入阻抗在HM1和HM2
从V电压增益
HM
到V
LINE
V
HM
= 1.5毫伏有效值
内部下拉电阻引脚SPS
内部上拉销PRS ， MUT ， LSM
Psophometrically加权噪声电平V
EAR
RXI短接至GND通过10
F
从V电压增益
RXI
到V
EAR
（注1 ）
V
LINE
= 20毫伏有效值
增益降低在静音状态
MUT =低或PRS =低或SPS =低
Psophometrically加权噪声电平V
LINE
BM1和BM2短路200
Psophometrically加权噪声电平V
LINE
HM1和HM2短路200
增益降低在静音状态
MUT =低或PRS =低或SPS =高
逻辑高电平销PRS ， MUT ， SPS ， LSM
逻辑低电平销PRS ， MUT ， SPS ， LSM
1.对应-0.6 dB增益从线路输出RXO中的典型应用。
特征
飞思卡尔半导体公司
MC33215
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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1800
民
680
2.0
10
24
60
23
60
14
34
60
14
53
14
60
46
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
55.5
典型值
130
–62
–72
100
100
15
30
24
18
35
50
18
50
18
47
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
2.0
2.0
5.0
0.4
20
36
25
22
36
22
58
22
48
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
毫伏有效值
μVRMS
mVpp的
mVpp的
DBMP
DBMP
单位
k
k
k
k
k
k
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
%
V
V
%
电气特性
（续）
（所有参数都在T规定= 25° C，I
LINE
= 18毫安， VLS = 2.9 V，F = 1000赫兹，
PRS =高， MUT =高， SPS =低， LSM =高，在图17中与S1测试图中位置1 ，除非另有说明。 ）
注意：
对数放大器和包络检波器
侧音
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平衡回损
自动增益控制
R
x
CHANNEL峰 - 峰值限制器
R
x
CHANNEL ，扬声器放大器
R
x
CHANNEL ，喇叭前置放大器（ SPS = HIGH ，R
x
模式强制）
摩托罗拉模拟IC器件
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数据
从TSE或RSE最大源电流
包络跟踪之间TSE和RSE之间TBN与RBN
对数压缩的动态范围，从TSA到TSE和RSA为RSE
I
tSA时，
我
RSA
从2.5
A
250
A
电压增益从BMI向TSA
V
BM
= 0.5毫伏有效值
电压增益从RXI到RSA
V
RXI
= 15毫伏有效值
从V电压增益
HM
到V
EAR
S1在位置2
相对于600的平衡回损
最低线电流最小增益
最高线电流的最大增益
增益变化的发送和接收通道相对于我
LINE
= 18 mA，带
禁用AGC （自动增益至V
DD
)
增益衰减为发送和接收关于信道来我
LINE
= 18毫安
I
LINE
= 70毫安
峰 - 峰值限制器关断阈值的PPL
THD在10分贝高速
V
LSI
= 120毫伏有效值
峰 - 峰值限制器发布时间
V
LSI
跳转从120毫伏有效值至40毫伏有效值
峰 - 峰值限制器攻击时间
V
LSI
从40毫伏有效值120毫伏有效值跳
增益降低在静音状态
LSM =低
输出能力为25
THD
≤2%,
V
LS
= 5.0 V, V
LSI
= 90毫伏有效值
输出能力为25
THD
≤2%,
V
LSI
= 55毫伏有效值
提供峰值电流从LSO
置信度在DTMF拨号
V
MF
= 7.5毫伏有效值MUT =低
Psophometrically加权噪声电平V
LSP
RXI短接至GND通过10
F
衰减R的增量
VOL
= 47 k
从V电压增益
LSI
到V
LSP
V
LSI
= 10毫伏有效值
增益降低在静音状态
SPS =低或MUT =低
从V电压增益
RXI
到V
RLS
（注2 ）
V
LINE
= 20毫伏有效值
2.对应-0.6 dB增益从线路输出RLS中的典型应用。
特征
飞思卡尔半导体公司
MC33215
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17.5
民
150
110
0.3
4.5
2.7
1.8
40
18
20
60
25
60
21
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
±3.0
18.5
典型值
300
200
0.4
6.0
1.2
20
50
20
32
26
24
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
19.5
250
0.5
1.5
7.5
0.1
7.0
5.0
22
28
27
27
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
mApeak
毫伏有效值
毫伏有效值
单位
VPP
VPP
mA
mA
ms
ms
A
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
%
V
5
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