飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MC33199
修订版4.0 ， 10/2006
汽车ISO 9141串行链路
司机
的MC33199在诊断中使用的串行接口电路
应用程序。它是在微控制器和之间的界面
特殊的K和L线的ISO诊断端口。该MC33199有
设计是为了满足诊断系统ISO9141
特定连接的阳离子。
该设备具有双向总线K线驱动器，完全保护
防止短路和过温。它还包括L线
接收机中，在唤醒序列在ISO传输中使用。
该MC33199具有独特的功能，它允许传输波特率
速率可达200kBaud 。
特点
电兼容技术规范“诊断系统
ISO9141”
传输速度可达200kBaud
内部参考电压发生器的线路比较
门槛
TXD ， RXD和LO引脚是5V CMOS兼容
DIA引脚的高电流能力（ K线）
短路保护的K线输入
过温关断与迟滞
驱动器电源电压的大工作范围
工作温度范围大
ESD保护引脚
无铅封装用后缀代码EF指定
33199
LIN， ISO- 9141 J- 1850物理
接口
后缀
EF后缀（无铅）
塑料包装
98ASB42565B
14引脚SOIC
订购信息
设备
MC33199D
MCZ33199EF/R2
温度
范围（T
A
)
-40°C至125°C
包
14 SOIC
V
BAT
V
DD
33199
VDD
VCC
VS
MCU
I / O
LO
RXD
TXD
L
I1
迪亚
ISO L- LINE
SCIRXD
SCITXD
（巴士）
ISO K线
GND
图1.简化应用图
飞思卡尔半导体公司保留随时更改细节规格的权利，如
可能需要的，以允许改善其产品的设计。
飞思卡尔半导体公司2006年版权所有。
引脚连接
引脚连接
33199
VCC
REF -IN -L
REF- IN -K
LO
RXD
TXD
NC
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
REF -OUT
VS
L
I1
GND
迪亚
NC
图3. 33199引脚连接
表1.引脚定义
每个引脚的功能描述可以在功能引脚说明部分找到，开始页
12.
引脚数
1
2
3
4
5
引脚名称
VCC
REF -IN -L
REF- IN -K
LO
RXD
德网络nition
典型的5V电源引脚。典型电源电流小于1.5毫安
输入参考的C2比较。
输入参考C1比较。
该引脚控制睡眠模式，传输层和速度。它有一个弱下拉。
开漏输出总线上的数据。隐性总线=逻辑[1] ，一家独大巴士=逻辑[ 0 ] 。一
外部上拉是必需的。
在这里输入的数据将出现在总线引脚。逻辑[ 0 ]会断言总线，逻辑[1]将使公交车
进入隐性状态。
这些引脚没有内部连接。
提供的电池电平逻辑信号。
电气共识，散热。良好的散热通道也将减少模具
温度。
电源输入。外部二极管是需要反向电池保护。
外部总线负载电阻此处连接，以防止总线上拉模块中的丢失的情况下
地面上。
该引脚通过外部元件连接到总线上。
内部参考电压发生器的输出引脚。
6
TXD
7, 8
9
10
NC
迪亚
GND
11
12
I1
L
13
14
VS
REF -OUT
33199
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表2.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过这些额定值可能会导致故障或
永久损坏设备。
评级
电气额定值
(1)
VS电源引脚
直流电压量程
瞬态脉冲
(2)
VCC电源的直流电压范围
DIA和L引脚
(2)
直流电压量程
瞬态脉冲（由内部二极管钳位）
直流电流源
DIA低电平灌电流
TXD直流电压范围
REF -IN直流电压范围
VS < VCC
VS > VCC
ESD电压能力
热额定值
储存温度
工作结温
热阻，结点到空气
最大功率耗散（ @ T
A
=105 °C)
峰值包回流温度在回流
(3)
,
(4)
T
英镑
T
J
R
TJA
P
D
T
PPRT
55 + 150
40 + 150
180
250
注4 。
°C
°C
C / W
mW
°C
V
ESD
-0.3到V
CC
-0.3到V
S
+/-2000
V
- 0.5 + 38
-2
- 50
int类型。极限
-0.3到V
CC
+0.3
V
V
mA
mA
V
V
V
S
V
脉冲
V
CC
0.5至+ 40
2到+ 40
0.3 + 6.0
V
V
符号
价值
单位
笔记
1.该设备与规格兼容： “诊断系统ISO9141 ”
2.请参阅测试电路（图
26).
根据ISO76371和DIN 40839 ，最高测试级别瞬态测试脉冲
3.引脚焊接温度极限是10秒，最长持续时间。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
4.飞思卡尔的包装回流焊功能符合JEDEC标准J- STD-020C标准的无铅要求。峰值包回流
温度和潮湿敏感度等级（ MSL ）
部件编号去www.freescale.com ，搜索如删除前缀/后缀，进入核心ID来查看所有可订购的零件。 （即
MC33xxxD进入33xxx ） ，并需要技术审查。
33199
4
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性
静态电气特性
静态电气特性
表3.静态电气特性
特征条件下V注意
CC
从4.5V到5.5V ，V
S
4.5V至20V ，除非另有说明。典型值
反映的近似平均在25 ° C，额定VCC和VS ，在器件特性的时间。典型值指出反映
近似参数是指在
T
A
= 25°C
正常条件下，除非另有说明。
特征
VCC引脚1
VCC电源电压范围
VCC电源电流
(6)
符号
民
典型值
最大
单位
V
CC
I
CC
4.5
0.5
1.0
5.5
1.5
V
V
REF -IN - L引脚2和REF -IN -K PIN 3
REF -IN -L & REF -IN -K输入电压范围：
0 <V
S
＆ LT ; V
CC
对于V
CC
＆ LT ; V
S
< 40V
REF -IN -L & REF -IN -K输入电流
LO引脚4
LO集电极开路输出
低电平电压@ I
OUT
= 1毫安
低电平电压@ I
OUT
= 4毫安
RXD引脚5
电阻上拉至VCC
低电平电压@ I
OUT
=1mA
TXD引脚6
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电流@ 0<V
S
<40V
TXD为高电平
TXD为低电平
DIA输入/输出引脚9
低电平输出电压@ I = 30毫安
驱动电流限制
高电平输入阈值电压
（ REF -IN -K连接到REF -OUT ）
低电平输入阈值电压
（ REF -IN -K连接到REF -OUT ）
输入滞后
漏电流
过温关闭
V
HYST
I
泄漏
T
LIM
V
IL
V
OL
I
LIM
V
IH
0.0
40
V
REF MIN
0.25V
V
REF MIN
-0.2V
300
4.0
155
V
REF
0.325V
V
REF
-0.125V
450
10
0.35
0.8
120
V
REF MAX
0.4V
V
REF MAX
-0.05V
600
16
mV
Α
°C
V
V
mA
V
I
H
I
I
-200
-600
30
-100
V
IH
V
IL
0.7V
CC
2.8
2.0
0.3V
CC
V
V
Α
R
RXD
V
OL
1.5
2.0
0.3
2.5
0.7
k
V
V
OL
0.34
0.7
0.8
V
I
VIN
V
INREF
2.0
2.0
-5.0
V
CC
-2.0
V
S
-1.0
5.0
Α
V
笔记
5.测量与TXD = Vcc时， I1 = VS ， DIA & l高，空载， REF -IN -L和REF -IN -K连接到REF -OUT
33199
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
由MC33199订购此文件/ D
汽车ISO 9141
串行连接驱动程序
该MC33199D是在诊断中使用的串行接口电路
应用程序。这是微控制器和专用的接口
在ISO诊断端口的K和L线。该MC33199D已
专为满足“诊断系统ISO 9141 ”规范。
该设备具有双向总线K线驱动器，充分保护，以防止
短路和过热。它还包括L线接收器，
期间在ISO传输唤醒序列使用。
该MC33199具有独特的功能，它允许传输波特率
高达200K的波特。
MC33199
ISO 9141
串行连接驱动程序
半导体
技术参数
电兼容技术规范“诊断系统ISO 9141 ”
传输速度可达200K的波特率
内部参考电压发生器的线路比较阈值
TXD ， RXD和LO引脚的5.0 V CMOS兼容
DIA引脚的高电流能力（ K线）
短路保护的K线输入
过温关断与迟滞
驱动器电源电压的大工作范围
整个工作温度范围
ESD保护引脚
后缀
塑料包装
CASE 751A
(SO–14)
14
1
简化应用
VCC
VS
引脚连接
裁判出
LO
参考
发电机
+
C2
–
保护
L
VCC
REF -IN -L
REF- IN -K
LO
1
2
3
4
5
6
7
14 REF -OUT
13 VS
12 L
11 I1
10 GND
9直径
8 NC
REF -IN -L
REF- IN -K
RXD
VCC
C1
–
+
I1
来源
I1
RXD
TXD
NC
迪亚
热
关闭
TXD
司机
GND
当前
极限
设备
该器件包含94有源晶体管。
MC33199D
（ TOP VIEW ）
订购信息
操作
温度范围
TA = - 40 °C至+ 125°C
包
SO–14
REV 0
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
1
MC33199
最大额定值
（注1 ）
等级
VS电源引脚
直流电压量程
瞬态脉冲（注2 ）
VCC电源的直流电压范围
DIA和L引脚（注2 ）
直流电压量程
瞬态脉冲（由内部二极管钳位）
直流电流源
DIA低电平灌电流
TXD直流电压范围
REF -IN直流电压范围
VS < VCC
VS > VCC
ESD电压能力（注3 ）
符号
VS
VPULSE
VCC
–
-0.5到+ 40
–2.0
–50
int类型。极限
–
–
-0.3到Vcc
-0.3 VS
V（ ESD ）
±2000
V
-0.3
VCC + 0.3
V
V
mA
mA
V
V
价值
-0.5到+ 40
-2.0到+ 40
-0.3到+6.0
V
单位
V
注意事项：
1.该设备与规格兼容： “诊断系统ISO 9141 ” 。
2.请参阅该测试电路（图23） 。根据ISO 76371和DIN 40839瞬态测试脉冲;
最高测试级别。
3.人体模型; C = 100 pF的，R = 1500
.
热额定值
等级
储存温度
工作结温
热阻，结到环境
最大功率耗散（ @ TA = 105 ° C）
符号
TSTG
TJ
R
θJA
PD
价值
-55到+150
-40到+150
180
250
单位
°C
°C
° C / W
mW
电气特性
(– 40°C
≤
TA
≤
125°C ， 4.5 V
≤
VCC
≤
5.5 V, 4.5 V
≤
VS
≤
20V时，除非另有
指出。典型值反映了在25 ° C，额定VCC和VS ，在器件特性的时间大概意思。 ）
特征
VCC引脚1
VCC电源电压范围
VCC电源电流（注1 ）
REF -IN - L引脚2和REF -IN -K PIN 3
REF - IN- L和REF -IN -K输入电压范围
对于0 < < VS VCC
对于VCC < VS < 40 V
REF - IN- L和REF -IN -K输入电流
LO引脚4
LO集电极开路输出
低电平电压@ IOUT = 1.0毫安
低电平电压@ IOUT = 4.0毫安
RXD引脚5
上拉电阻到VCC
低电平电压@ IOUT = 1.0毫安
RRXD
VOL
1.5
–
2.0
0.3
2.5
0.7
k
V
VOL
–
–
0.34
–
0.7
0.8
V
VINREF
2.0
2.0
IVIN
–5.0
–
–
–
VCC = 2.0 V
VS - 1.0 V
5.0
A
V
符号
民
典型值
最大
单位
VCC
ICC
4.5
0.5
–
1.0
5.5
1.5
V
mA
注意事项：
1.测量与TXD = VCC ， I1 = VS ， DIA和L高，空载。 REF - IN- L和REF -IN -K连接到REF -OUT 。
2 0 < < VCC 5.5 V ， 0 < < VS 40 V ， 0 < VDIA < 20 V ， TXD高或浮动。
3.当检测到一个以上的温度， DIA输出被强制“关” 。
4. 0 < < VCC 5.5 V ， 0 < < VS 40 V ， 0 < < VL 20 V.
5.在静态的“高”或“低”级别TXD ，电流源I1提供3.0 mA（一般）的电流。只有在“低”到“高”转变，这是否当前
提高到更高的值，以该K线电容器（CL < 4.0 nF的）在一个短的时间内进行充电（参见图3） 。
6.测量与TXD = VCC ， I1 = VS ， DIA和L高，空载， REF -IN -L和REF -IN -K连接到REF -OUT 。
2
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
MC33199
电气特性（续）
(– 40°C
≤
TA
≤
125°C ， 4.5 V
≤
VCC
≤
5.5 V, 4.5 V
≤
VS
≤
20V时，除非另有
指出。典型值反映了在25 ° C，额定VCC和VS ，在器件特性的时间大概意思。 ）
特征
TXD引脚6
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电流@ 0 < < VS 40 V
TXD为高电平
TXD为低电平
DIA输入/输出引脚9
低电平输出电压@ I = 30毫安
驱动电流限制
高电平输入阈值电压
（ REF -IN -K连接到REF -OUT ）
低电平输入阈值电压
（ REF -IN -K连接到REF -OUT ）
输入滞后
肯定夹紧@ 5.0毫安
负钳位@ - 5.0毫安
泄漏电流（注2）
过温关断（注3 ）
L输入PIN码12
高电平输入阈值电压
（ REF -IN -L连接到REF -OUT ）
低电平输入阈值电压
（ REF -IN -L连接到REF -OUT ）
输入滞后
泄漏电流（注4）
肯定夹紧@ 5.0毫安
负钳位@ - 5.0毫安
I1 PIN码11
静态源电流
静态饱和电压（ I1s = - 2.0 mA）的
动力源电流（注5 ）
动态饱和电压（ II1 （SAT） = - 40 mA）的
VS引脚13
VS电源电压范围
VS电源电流（注6 ）
VS
IS
4.5
0.5
–
1.3
20
2.0
V
mA
I1s
VI1(sat)
I1d
VI1(dsat)
–4.0
VS - 1.2
–120
VS - 2.7
–3.0
VS - 0.8
–80
VS - 0.85
–2.0
VS
–40
VS
mA
V
mA
V
VIH
VIL
VHYST
ILEAK
VCL +
VCl-
VREF分钟
+ 0.25 V
VREF分钟
– 0.2 V
300
4.0
37
–1.5
VREF
+ 0.325 V
VREF
– 0.125 V
450
10
40
–0.6
VREF最大
+ 0.4 V
VREF最大
– 0.05 V
600
16
44
–0.3
V
V
mV
A
V
V
VOL
ILIM
VIH
VIL
VHYST
VCL +
VCl-
ILEAK
TLIM
0
40
VREF分钟
+ 0.25 V
VREF分钟
– 0.2 V
300
37
–1.5
4.0
155
0.35
–
VREF
+ 0.325 V
VREF
– 0.125 V
450
40
–0.6
10
–
0.8
120
VREF最大
+ 0.4 V
VREF最大
– 0.05 V
600
44
–0.3
16
–
V
mA
V
V
mV
V
V
A
°C
VIH
VIL
IH
IL
0.7 VCC
–
–200
–600
2.8
2.0
–
–
–
0.3 VCC
30
–100
V
V
A
符号
民
典型值
最大
单位
注意事项：
1.测量与TXD = VCC ， I1 = VS ， DIA和L高，空载。 REF - IN- L和REF -IN -K连接到REF -OUT 。
2 0 < < VCC 5.5 V ， 0 < < VS 40 V ， 0 < VDIA < 20 V ， TXD高或浮动。
3.当检测到一个以上的温度， DIA输出被强制“关” 。
4. 0 < < VCC 5.5 V ， 0 < < VS 40 V ， 0 < < VL 20 V.
5.在静态的“高”或“低”级别TXD ，电流源I1提供3.0 mA（一般）的电流。只有在“低”到“高”转变，这是否当前
提高到更高的值，以该K线电容器（CL < 4.0 nF的）在一个短的时间内进行充电（参见图3） 。
6.测量与TXD = VCC ， I1 = VS ， DIA和L高，空载， REF -IN -L和REF -IN -K连接到REF -OUT 。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
3
MC33199
电气特性（续）
(– 40°C
≤
TA
≤
125°C ， 4.5 V
≤
VCC
≤
5.5 V, 4.5 V
≤
VS
≤
20V时，除非另有
指出。典型值反映了在25 ° C，额定VCC和VS ，在器件特性的时间大概意思。 ）
特征
REF - OUT引脚14
输出电压
3.0 < < VS 5.6 V和IRO =
±10 A
5.6 < VS < 18 V和IRO =
±10 A
18 < VS < 40 V和IRO =
±10 A
最大输出电流
上拉电阻到VCC
VREF
2.7
0.5× VS
8.5
IOUT
RPU
–50
3.0
–
–
–
–
8.0
3.3
0.56 X VS
10.8
50
12
A
k
V
符号
民
典型值
最大
单位
注意事项：
1.测量与TXD = VCC ， I1 = VS ， DIA和L高，空载。 REF - IN- L和REF -IN -K连接到REF -OUT 。
2 0 < < VCC 5.5 V ， 0 < < VS 40 V ， 0 < VDIA < 20 V ， TXD高或浮动。
3.当检测到一个以上的温度， DIA输出被强制“关” 。
4. 0 < < VCC 5.5 V ， 0 < < VS 40 V ， 0 < < VL 20 V.
5.在静态的“高”或“低”级别TXD ，电流源I1提供3.0 mA（一般）的电流。只有在“低”到“高”转变，这是否当前
提高到更高的值，以该K线电容器（CL < 4.0 nF的）在一个短的时间内进行充电（参见图3） 。
6.测量与TXD = VCC ， I1 = VS ， DIA和L高，空载， REF -IN -L和REF -IN -K连接到REF -OUT 。
动态特性
(– 40°C
≤
TA
≤
125°C ， 4.5 V
≤
VCC
≤
5.5 V, 4.5 V
≤
VS
≤
20V时，除非另有说明。 ）
特征
传输速率
高或低位时间
输出端RXD
由低到高的转变延迟时间
高到低的转换延迟时间
LO输出
由低到高的转变延迟时间
高到低的转换延迟时间
DIA输出
由低到高的转变延迟时间
高到低的转换延迟时间
I1输出（ VS - I1 > 2.7 V ）
上升时间
保持时间
符号
1 / T位
T位
TRDR
TRDF
TLDR
tLDF
TDDR
tDDF
tI1R
tI1F
民
0
5.0
–
–
–
–
–
–
–
1.5
典型值
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
200 k
–
450
450
s
2.0
2.0
ns
650
650
s
0.3
4.5
单位
波特
s
ns
4
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
MC33199
图1. TXD为DIA AC特性
5.0 V
太比特
VCC VBAT
I1
裁判出
REF -IN -L
REF- IN -K
输入
信号
TXD
迪亚
1.0 nF的
GND
TEST
点
0V
TDDR
10 V
DIA输出
信号
tDDF
输入的TxD
信号
+ 5.0 V +12 V
2.0 V
图2. DIA到TXD和L为LO AC特性
+ 5.0 V +12 V
12 V
太比特
DIA和L
输入信号
2.0 K
VCC
VBAT
裁判出
REF -IN -L
REF- IN -K
TXD
LO
RXD
L
迪亚
GND
输入
信号
0V
tRDR / tLDR
4.5 V
RXD到LO
输出信号
tRDF / tLDF
TEST
要点
2×30 pF的
0.4 V
图3.电流源I1交流特性
图4.电流源I1和DIA放电
目前的测试原理图
I1脉冲
当前
太比特
TXD
信号
tI1H
120毫安
电流源
I1最大限制
输入
信号
5.0 V
tI1F
0V
VCC
VBAT
裁判出
REF -IN -L
REF- IN -K
TXD
LO
RXD
tI1R
电流源
I1最小限制
I1
迪亚
GND
+ 5.0 V +12 V
40毫安
4.0毫安
2.0毫安
典型I1
波形
DIA放电
当前
33 nF的要
示波器
10
在静态的“高”或“低”电平的TXD ，电流源I1提供了一个
目前3.0 MA（典型值） 。只有在“低”到“高”转变，这是否
电流增大到较高的值，以该K线充电
电容器（氯< 4.0 nF的）在很短的时间。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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