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由MC33169订购此文件/ D
MC33169
超前信息
砷化镓功率放大器
支持IC
该MC33169是一款支持IC砷化镓功率放大器增强型场效应晶体管
在手提式电话如GSM, PCN和DECT使用。这
器件提供增强型MESFET的全面枯竭的负电压
以及漏极切换的优先级管理系统,确保了
负电压始终是“对”的功率放大器转弯之前存在。
其他功能还包括空闲模式输入以及直接驱动
N沟道排水开关晶体管。
本产品有两个版本, - 2.5 - 4.0 V的 - 4.0 V
版本适用于GSM和DCS 1800供给的RF模块
应用程序,而 - 2.5 V的版本是专门针对DECT和PHS
系统。
砷化镓功率放大器
支持IC
半导体
技术参数
负的稳定输出,用于砷化镓MESFET的全耗尽
漏交换机的优先级管理电路
CMOS兼容输入
空闲模式下的输入(待机模式)的超低消耗电流
输出信号直接驱动N沟道FET
低启动和工作电流
14
1
DTB后缀
塑料包装
CASE 948G
(TSSOP–14)
引脚连接
简化的框图
C3
+
VBB双
12
+ –
C1
VBB 11 3
三重+
C4
Tx功率
9控制
输入
13
空闲
MODE INPUT
6
GND
2
+
+
C2 1
VCC
14
8
C2输入1
C1/C2
V电池
(2.7 7.0 V)的
C1输入
2
3
14
VCC
13空闲模式下的输入
12 VBB双
11 VBB三重
10检测输入
9
8
( TOP VIEW )
Tx功率
控制输入
栅极驱动输出
VBB
发电机
(电压三倍)
MMSF4N01HD
MC33169
栅极驱动输出
VO输出4
VO电荷泵
电容+ 5
GND 6
优先
管理
RF
In
功率放大器
10
检测输入
RF
OUT
VO电荷泵
7
电容?
SENSE
收费
7
– +
Cp
5
发电机
订购信息
4
– +
Rf
VO
Ci
产量
( - 2.5 V或 - 4.0 V)
C
+ f
设备
MC33169DTB–4.0
MC33169DTB–2.5
摩托罗拉公司1996年
操作
温度范围封装
TA = -40 °C至+ 85°C TSSOP -14
该器件包含148有源晶体管。
本文件包含的新产品信息。说明和信息,在此
如有更改,恕不另行通知。
设备数据
摩托罗拉模拟IC
REV 1
1
MC33169
最大额定值
等级
电源电压
Tx功率控制输入
空闲模式下的输入
检测输入
负压发生器输出源电流
电荷泵电容电流
二极管的正向电流
栅极驱动输出电流
功耗和热特性
最大功率耗散@ TA = 50℃
热阻,结到空气
工作结温
工作环境温度
存储温度范围
注意:
ESD数据可应要求提供。
14
9
13
10
4
8
符号
VCC
VTX
Vi
VSENSE
国际空间站
IMAX
IFMAX
IGO
PD
R
θJA
TJ
价值
9.5
VCC
VCC
-5.0 0
20
60
60
5.0
417
240
+150
-40至+85
-60到+150
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
TA
TSTG
MC33169–4.0
电气特性
( VCC = 4.8 V.对于典型值TA = 25 ℃,最大/最小值TA的操作
适用,除非另有说明,环境温度范围)。
特征
VBB发生器(电压三倍)
振荡器频率
振荡周率
输出电压( VCC = 3.0V, IO = 3.0 mA)的
双电压
三重电压
三重电压( VCC = 7.2 V , IO = 3.0 mA)的
负发电机输出
输出电压( IO = 3.0 mA)的
输出电压纹波与过滤器(RF = 33
,
CF = 4.7
F)
(IO = 0至5.0 mA)的
优先级管理部分
空闲模式下的输入
输入高电压状态(逻辑1 )
输入电压低状态(逻辑0 )
输入电流高状态(逻辑1 )
输入电流低状态(逻辑0 ) ,即待机模式
Tx功率控制输入
输入电压范围
输入电压“关”状态(零RF输出电平)
输入电压“ON”状态(最大射频输出电平)
输入阻抗
带宽( - 4.8 dB为单位)
栅极驱动输出
电压( VTX = 0 V)
电压
( VTX = 3.0 V)
峰值电流(源库) ( VTX = 3.0 V)
欠压锁定电压的检测输入(震级)
13
VIH
VIL
IIH
IIL
9
VTX
VTX (关闭)
VTX (上)
B
8
VGO
IGO
10
VSENSE
VCC+2.7
–3.0
3.0
–3.2
0.5
V
mA
V
0
0.7
2.7
90
1.0
3.1
V
V
V
k
兆赫
2.0
0
10
2.7
0.5
80
1.0
V
V
A
A
4
4
VO
Vr
2.0
–3.75
–4.0
–4.25
V
mVpp的
符号
典型值
最大
单位
12
11
11
FOSC
DC
VBBD
VBBT
VBBT
90
35
4.6
6.1
100
50
5.0
7.0
11.2
110
65
千赫
%
V
2
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
MC33169
MC33169–4.0
电气特性(续)
( VCC = 4.8 V.对于典型值TA = 25 ℃,最大/最小值TA的操作
适用,除非另有说明,环境温度范围)。
特征
总设备功耗
ICC工作( VTX = 3.0V, IO = 3.0 mA)的
国际刑事法院工作
( VTX = 0V , IO = 3.0 mA)的
( VTX = 0V , IO = 0 mA时)
待机模式(空闲模式下输入= 0 V)
ICC
ICC
ICC
12
4.0
15
5.0
1.0
A
10
15
mA
mA
符号
典型值
最大
单位
MC33169–4.0
电气特性
( VCC = 2.7 V为典型值, TA = 25 ℃,最大/最小值TA的操作
适用,除非另有说明,环境温度范围)。
特征
VBB发生器(电压三倍)
振荡器频率
振荡周率
输出电压( VCC = 3.0V, IO = 3.0 mA)的
双电压
三重电压
三重电压( VCC = 7.2 V , IO = 3.0 mA)的
负发电机输出
输出电压( IO = 1.0 mA)的
输出电压纹波与过滤器(RF = 33
,
CF = 4.7
F)
(IO = 0至5.0 mA)的
优先级管理部分
空闲模式下的输入
输入高电压状态(逻辑1 )
输入电压低状态(逻辑0 )
输入电流高状态(逻辑1 )
输入电流低状态(逻辑0 ) ,即待机模式
Tx功率控制输入
输入电压范围
输入电压“关”状态(零RF输出电平)
输入电压“ON”状态(最大射频输出电平)
输入阻抗
带宽( - 4.8 dB为单位)
栅极驱动输出
电压( VTX = 0 V)
电压
( VTX = 3.0 V)
峰值电流(源库) ( VTX = 3.0 V)
欠压锁定电压的检测输入(震级)
总设备功耗
ICC工作( VTX = 3.0 V)
( IO = 3.0 mA)的
( IO = 1.0 mA)的
ICC工作( VTX = 0 V)
( IO = 3.0 mA)的
( IO = 1.0 mA)的
( IO = 0 mA时)
待机模式(空闲模式下输入= 0 V)
14
ICC
14
ICC
14
ICC
4.5
13
9.0
6.0
1.0
A
15
9.0
mA
mA
13
VIH
VIL
IIH
IIL
9
VTX
VTX (关闭)
VTX (上)
B
8
VGO
IGO
10
VSENSE
VCC+2.7
–3.0
3.0
–3.2
0.5
V
mA
V
0
0.7
2.7
90
1.0
3.0
V
V
V
k
兆赫
2.0
0
10
2.7
0.5
80
1.0
V
V
A
A
4
4
VO
Vr
2.0
– 3.75
– 4.0
– 4.25
V
mVpp的
符号
典型值
最大
单位
12
11
11
FOSC
DC
VBBD
VBBT
VBBT
90
35
4.6
6.1
100
50
5.0
7.0
11.2
110
65
千赫
%
V
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
3
MC33169
MC33169–2.5
电气特性
( VCC = 4.8 V.对于典型值TA = 25 ℃,最大/最小值TA的操作
适用,除非另有说明,环境温度范围)。
特征
VBB发生器(电压三倍)
振荡器频率
振荡周率
输出电压( VCC = 3.0V, IO = 3.0 mA)的
双电压
三重电压
三重电压( VCC = 7.2 V , IO = 3.0 mA)的
负发电机输出
输出电压
( IO = 3.0 mA)的
( IO = 5.0毫安, VCC = 6.0 V)
输出电压纹波与过滤器(RF = 33
,
CF = 4.7
F)
(IO = 0至5.0 mA)的
优先级管理部分
空闲模式下的输入
输入高电压状态(逻辑1 )
输入电压低状态(逻辑0 )
输入电流高状态(逻辑1 )
输入电流低状态(逻辑0 ) ,即待机模式
Tx功率控制输入
输入电压范围
输入电压“关”状态(零RF输出电平)
输入电压“ON”状态(最大射频输出电平)
输入阻抗
带宽( - 4.8 dB为单位)
栅极驱动输出
电压( VTX = 0 V)
电压
( VTX = 3.0 V)
峰值电流( VTX = 3.0 V)
欠压锁定电压的检测输入(震级)
总设备功耗
ICC工作( VTX = 3.0V, IO = 3.0 mA)的
国际刑事法院工作
( VTX = 0V , IO = 3.0 mA)的
( VTX = 0V , IO = 0 mA时)
待机模式(空闲模式下输入= 0 V)
14
14
ICC
ICC
14
ICC
13.5
4.5
16
6.0
1.0
A
14
17
mA
mA
13
VIH
VIL
IIH
IIL
9
VTX
VTX (关闭)
VTX (上)
B
8
VGO
IGO
10
VSENSE
VCC+2.7
–2.0
3.0
–2.3
0.5
V
mA
V
0
0.7
2.7
90
1.0
3.0
V
V
V
k
兆赫
2.0
0
10
2.7
0.5
80
1.0
V
V
A
A
4
VO
– 2.35
4
Vr
2.0
8.0
– 2.5
– 2.5
– 2.65
mVpp的
V
符号
典型值
最大
单位
12
11
11
FOSC
DC
VBBD
VBBT
VBBT
90
35
4.6
6.1
100
50
5.0
7.0
11.2
110
65
千赫
%
V
优先级管理真值表
控制输入
空闲模式
0
1
0
1
发射功率控制
0
0
1
1
VO
关闭
或-2.5 - 4.0 V
关闭
或-2.5 - 4.0 V
输出
栅极驱动器
0.5 V最大
0.5 V最大
0.5 V最大
VCC + 2.7 V分钟
4
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
MC33169
引脚功能说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
C2输入
C1/C2
C1输入
VO输出
VO电荷泵
电容+
GND
VO电荷泵
电容=
栅极驱动输出
发射功率控制
输入
检测输入引脚
描述
这是正销用于电荷泵电容器中的电压倍增器。
这是负极端子电荷泵电容器。
这是正销用于电荷泵电容器中的电压三倍。
它提供了-4.0 V或-2.5 V根据产品版本的调节负电压。它可以
源的输出电流超过5.0毫安。
这是正销用于电容器中的反相电荷泵。
该引脚为接地信号和电源电路。
这是负极端子的电容器中的反相电荷泵。
这是栅极放大器,它直接驱动的N沟道MOSFET的栅极的输出。它可以
吸收和源出峰值电流可达3.0毫安。
应用此引脚上的输入信号控制在跟随模式N沟道开关MOSFET和
因此,线性地控制RF输出电压。
它直接检测负电压的功率放大器。它也是一个内部的输入引脚
欠压锁定电路,如果检测块的N沟道MOSFET的开关
电压低于-3.0 V( -4.0 V版本)或-2.0 V ( -2.5 V版)更积极。
这是在电压三倍器的输出滤波电容的正引脚。在这个引脚上的三重电压
内部用于供给反相电荷泵和栅放大器。
这是在所述电压倍增器的输出滤波电容的正引脚。
该引脚用于设置电路在低功耗待机模式。它是CMOS兼容的,即
低于0.5 V应用该引脚上的电压使该器件进入待机模式,其中
电流消耗低于1.0
A.
的MC33169然后由电压惊醒高于
2.0 V应用该引脚。
这是电源输入引脚的MC33169 , VCC电压范围为2.7 V至7.2 V.
11
12
13
VBB三重
VBB双
空闲模式下的输入
14
VCC
图1. MC33169代表框图
C2
1
VBB双
12
Cd
2
C1
3
VCC
14
优先
管理
积极
电荷泵
VBB三重
11
Ct
待机
电路
空闲模式
13 INPUT
+ V电池
积极
调节器
振荡器
电压
参考
VGOUT
UVLO
8
在RF
VDD
RF OUT
砷化镓
PA
负稳压器
( -4.0 -2.5或V)
电荷泵
扩音器
9
TX (ON)的
6 GND
7
5
VO
4
10
VSENSE
Cp
Cn
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MC33169DTB-2.5
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MC33169DTB-2.5
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