MC34152 ， MC33152 ，
NCV33152
高速双
MOSFET驱动器
该MC34152 / MC33152是双非反相高速驱动器
特别适用于需要低电流的数字应用而设计
信号，以驱动较大的容性负载，高转换率。这些
器件具有低输入电流使他们CMOS / LSTTL逻辑
兼容，输入滞后于快速输出开关是
独立的输入转换时间，以及两个高电流图腾柱
输出非常适用于驱动功率MOSFET 。还包括的是
一个滞后欠压闭锁，以防止系统不稳定
操作在低电源电压。
典型的应用包括开关电源，直流 - 直流
器，电容电荷泵电压倍增器/逆变器和
电机控制器。
该器件可提供双列直插式和表面贴装封装。
特点
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记号
图表
8
PDIP8
P后缀
CASE 626
1
1
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
x
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G或
G
3x152
ALYWG
G
MC3x152P
AWL
YYWWG
8
1.5图腾柱输出两个独立通道
输出上升和1000 pF负载下降了15纳秒时报
CMOS / LSTTL兼容输入与迟滞
滞后欠压闭锁
低待机电流
高效的高频运行
与普通开关稳压器提高系统性能
控制IC
NCV前缀为汽车和其他需要现场
和变更控制
这些都是无铅和无卤化物设备
V
CC
6
+
-
5.7V
驱动器输出A
逻辑
输入A 2
7
100k
= 3或4
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚连接
北卡罗来纳州1
逻辑输入A 2
GND 3
逻辑输入B 4
（ TOP VIEW ）
8北卡罗来纳州
7驱动器输出A
6 V
CC
5驱动器输出B
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
驱动器输出B
逻辑
输入B 4
5
100k
GND
3
图1.代表图
半导体元件工业有限责任公司， 2011
十一月， 2011-启示录12
1
出版订单号：
MC34152/D
MC34152 ， MC33152 ， NCV33152
最大额定值
等级
电源电压
逻辑输入（注1 ）
驱动器输出（注2 ）
图腾柱水槽或源出电流
二极管钳位电流（驱动输出至V
CC
)
功耗和热特性
后缀，塑料包装箱751
最大功率耗散@ T
A
= 50°C
热阻，结到空气
P后缀，塑料包装，凯斯626
最大功率耗散@ T
A
= 50°C
热阻，结到空气
工作结温
工作环境温度
工作环境温度
工作环境温度
存储温度范围
静电放电敏感度（ ESD ）
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
MC34152
MC33152
MC33152V NCV33152
,
符号
V
CC
V
in
I
O
价值
20
0.3
到+ V
CC
1.5
1.0
单位
V
V
A
I
O（钳）
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
T
A
0.56
180
1.0
100
+150
0至+70
40
+85
40
+125
65
+150
2000
200
W
° C / W
W
° C / W
°C
°C
T
英镑
ESD
°C
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.为了达到最佳的开关速度，最大输入电压应限制在10伏或V
CC
，以较低者为准。
2.最大功率极限必须遵守。
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2
MC34152 ， MC33152 ， NCV33152
电气特性
(V
CC
= 12 V ，典型值T
A
= 25 ℃，最小/最大值T
A
是工作环境
特征
逻辑输入
输入阈值电压
输出变为高电平到低电平状态
输出变为低电平到高电平状态
输入电流
高邦（V
IH
= 2.6 V)
低状态（V
IL
= 0.8 V)
输出驱动器
输出电压
低状态（我
SINK
= 10 mA）的
低状态
(I
SINK
= 50 mA）的
低状态
(I
SINK
= 400 mA）的
高邦（我
来源
= 10 mA）的
高邦
(I
来源
= 50 mA）的
高邦
(I
来源
= 400 mA）的
输出下拉电阻
开关特性
(T
A
= 25°C)
传播延迟（C
L
= 1.0 NF）
逻辑输入为：驱动器输出上升（ 10 ％输入到10％输出）
驱动器输出下降（ 90 ％输入到90 ％输出）
驱动输出上升时间（ 10 ％至90 ％ ）
驱动输出上升时间（ 10 ％至90 ％ ）
驱动输出下降时间（90％至10％）
驱动输出下降时间（90％至10％）
设备总
电源电流
待机（逻辑输入接地）
工作（C
L
= 1.0 nF的驱动器输出1和2 ， F = 100千赫）
工作电压
欠压锁定
启动门槛
最低工作电压在导通之后（V
CC
)
V
th
V
CC（分钟）
5.8
5.3
6.1
V
V
I
CC
mA
6.1
6.0
10.5
8.0
15
18
V
C
L
= 1.0 nF的
C
L
= 2.5 nF的
C
L
= 1.0 nF的
C
L
= 2.5 nF的
ns
t
PLH （IN / OUT）
t
PHL （输入/输出）
t
r
t
f
55
40
14
36
15
32
120
120
30
30
ns
ns
V
V
OL
V
OH
10.5
10.4
10
0.8
1.1
1.8
11.2
11.1
10.8
100
1.2
1.5
2.5
kW
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
0.8
1.75
1.58
100
20
2.6
300
100
mA
V
符号
民
典型值
最大
单位
适用[注3]除非另有说明，温度范围）。
R
PD
V
CC
测试过程中使用3.低占空比脉冲技术，以保持结点温度为接近环境成为可能。
T
低
= 0 ℃， MC34152 ，
40°C
为MC33152 ，
40°C
对于MC33152V
T
高
= + 70°C的MC34152 ， + 85°C的MC33152 ， + 125°C的MC33152V
NCV33152 ：T已
低
=
40°C,
T
高
= + 125°C 。通过设计保证。
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3
MC34152 ， MC33152 ， NCV33152
12V
4.7
+
6
+
-
0.1
+
5.7V
逻辑输入
50
2
100k
7
输出驱动器
C
L
5V
逻辑输入
t
r
, t
f
≤
10纳秒
0V
10%
t
PLH
10%
输出驱动器
90%
4
100k
5
t
PHL
90%
3
t
r
t
f
图2.开关特性测试电路
图3.开关波形定义
2.4
Vth时，输入门限电压（ V）
2.0
IIN ，输入电流（mA）
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
in
，输入电压（ V）
10
12
V
CC
= 12 V
T
A
= 25°C
2.2
V
CC
= 12 V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
- 55
- 25
0
25
50
75
T
A
，环境温度（ ° C）
100
125
阈值下限
高输出状态
阈值上限
低态输出
图4.逻辑输入电流与输入电压
tPLH的（输入/输出） ，驱动器输出传输延迟（ NS ）
的TPH1 （输入/输出） ，驱动器输出传输延迟（ NS ）
图5.逻辑输入阈值电压
与温度的关系
200
160
120
80
40
0
V
个（低级）
V
CC
= 12 V
C
L
= 1.0 nF的
T
A
= 25°C
过驱动电压相对于
在逻辑输入阈值低
200
160
120
80
40
0
V
第（上部）
0
1
2
3
4
V
in
输入过驱动电压高于上限阈值（ V）
过驱动电压相对于V
CC
= 12 V
在逻辑输入阈值上限
L
= 1.0 nF的
T
A
= 25°C
-1.6
-1.2
- 0.8
- 0.4
0
V
in
输入过驱动电压低于阈值下限（ V）
图6.驱动输出高至低传播
延迟与逻辑输入过驱动电压
图7.驱动器输出低到高传播
延迟与逻辑输入过驱动电压
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4
MC34152 ， MC33152 ， NCV33152
3.0
VCLAMP ，输出钳位电压（ V）
2.0
1.0
0
0
GND
-1.0
0
0.2
0.4
0.6
V
CC
高邦夹（驱动器
输出驱动为高于V
CC
)
V
CC
= 12 V
80
ms
脉冲负载
120 Hz的频率
T
A
= 25°C
低状态夹（驱动器
输出驱动为地下部）
0.8
1.0
1.2
1.4
I
O
，输出钳位电流（A）
图8.驱动器输出钳位电压
与钳形电流
V SAT ，输出饱和电压（ V）
V SAT ，输出饱和电压（ V）
0
V
CC
-1.0
0
- 0.5
- 0.7
- 0.9
-1.1
1.9
1.7
1.5
1.0
0.8
0.6
0
- 55
源饱和
（负载接地）
V
CC
= 12 V
V
CC
I
来源
= 10毫安
I
来源
= 400毫安
- 2.0
- 3.0
3.0
2.0
1.0
0
0
0.2
0.4
源饱和V
CC
= 12 V
（负载接地） 80
ms
脉冲负载
120 Hz的频率
T
A
= 25°C
I
SINK
= 400毫安
沉饱和
（加载到V
CC
)
0.6
0.8
I
SINK
= 10毫安
沉饱和
（加载到V
CC
)
- 25
0
GND
25
50
75
100
125
GND
1.0
1.2
1.4
I
O
，输出钳位电流（A）
T
A
，环境温度（ ° C）
图9.驱动器输出饱和电压
与负载电流
图10.驱动器输出饱和电压
与温度的关系
90% -
90% -
V
CC
= 12 V
V
in
= 0 V至5.0 V
C
L
= 1.0 nF的
T
A
= 25°C
10% -
V
CC
= 12 V
V
in
= 0 V至5.0 V
C
L
= 1.0 nF的
T
A
= 25°C
10% -
10 ns /格
10 ns /格
图11.驱动器输出上升时间
图12.驱动器输出下降时间
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
