MC33078 , MC33079
低噪声双核/四
运算放大器
该MC33078 / 9系列是高品质的单片
放大器采用双极技术与创新高
对质量的音频和数据信号处理性能的概念
应用程序。该系列采用了高频率的使用PNP
输入晶体管制作的放大器具有低输入电压
噪声,高增益带宽积和压摆率。所有NPN
输出级具有无死区交越失真,高输出
电压摆幅,出色的相位和增益裕度,低开环高
频率输出阻抗和对称的源和宿交流
高频性能。
该MC33078 / 9系列同时提供双通道和四通道放大器
版本和可用的塑料DIP和SOIC封装( P和
后缀) 。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
双
PDIP8
P后缀
CASE 626
1
1
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
四
14
14
1
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
MC33079P
AWLYYWWG
33078
ALYW
G
8
MC33078P
AWL
YYWWG
8
双电源供电:
$5.0
V到
$18
V
低电压噪声: 4.5纳伏/
Hz
低输入失调电压: 0.15毫伏
低T.C.输入失调电压: 2.0
毫伏/°C的
低总谐波失真: 0.002 %
高增益带宽积: 16 MHz的
高压摆率: 7.0 V / ms的
高开环增益AC : 800 @ 20 kHz的
良好的频率稳定性
大的输出电压摆幅: 14.1 V /
14.6
V
ESD二极管提供的输入
无铅包可用
14
14
1
V
CC
Q9
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
G或
G
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
MC33079DG
AWLYWW
D1
R2
Q4
Q3
Q5
POS
D3
C2
Q8
Q6
负
J1放大器
偏置
R7
Q11
Q3
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
D4
Q10
C3 R9
Q12
V
OUT
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
Q2
Z1
Q1
D2
R4
Q7
R6
R5
R1
C1
R3
V
EE
图1.代表性示意图
(每扩增fi er )
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年10月,
启示录7
1
出版订单号:
MC33078/D
MC33078 , MC33079
引脚连接
双
CASE 751分之626
输出1
1
2
输入1
3
4
1
+
2
+
(双,顶视图)
8 V
CC
7输出2
6
输入2
5
四
CASE 646 / 751A
1
2
14
4
输出1
输入1
V
CC
输入2
输出2
输出4
输入4
V
EE
输入3
输出3
*
1
3
)
4
5
*
13
)
12
11
V
EE
)
2
6
*
7
3
)
10
*
9
8
(四,顶视图)
最大额定值
等级
电源电压(V
CC
到V
EE)
输入差分电压范围
输入电压范围
输出短路持续时间(注2 )
最高结温
储存温度
ESD保护,在任何引脚
MC33078
MC33079
最大功率耗散
工作温度范围
人体模型
机器型号
人体模型
机器型号
符号
V
S
V
IDR
V
IR
t
SC
T
J
T
英镑
V
ESD
价值
+36
注1
注1
不定
+150
60
+150
600
200
550
150
注2
40
+85
单位
V
V
V
美国证券交易委员会
°C
°C
V
P
D
T
A
mW
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.任一个或两者的输入电压一定不能超过V的量值
CC
或V
EE
.
2.功耗必须考虑,以确保最高结温(T
J
)不超过(参见图2) 。
http://onsemi.com
2
MC33078 , MC33079
AC电气特性
(V
CC
= +15 V, V
EE
=
15
V,T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
特征
压摆率(V
in
=
10
V至+10 V ,R
L
= 2.0千瓦,C
L
= 100 pF的
V
= +1.0)
增益带宽积( F = 100千赫)
单位增益带宽(开环)
增益裕度(R
L
= 2.0千瓦)
C
L
= 0 pF的
C
L
= 100 pF的
相位裕度(R
L
= 2.0千瓦)
C
L
= 0 pF的
C
L
= 100 pF的
声道分离度( F = 20 Hz至20 kHz )
功率带宽(V
O
= 27 V
pp
, R
L
= 2.0千瓦,总谐波失真
$
1.0%)
总谐波失真
(R
L
= 2.0千瓦中,f = 20 Hz至20 kHz ,V
O
= 3.0 V
RMS
, A
V
= +1.0)
开环输出阻抗(V
O
= 0 V , F = 9.0兆赫)
差分输入电阻(V
CM = 0 V)
差分输入电容(V
CM = 0 V)
等效输入噪声电压(R
S
= 100
W,
F = 1.0千赫)
等效输入噪声电流( F = 1.0千赫)
P D,最大功耗(MW )
符号
SR
GBW
BW
A
m
民
5.0
10
典型值
7.0
16
9.0
11
6.0
55
40
120
120
0.002
37
175
12
4.5
0.5
最大
度
dB
千赫
%
W
kW
pF
内华达州/
√
Hz
Hz√pA /
单位
V / ms的
兆赫
兆赫
dB
f
m
CS
BW
p
THD
|Z
O
|
R
in
C
in
e
n
i
n
800
2400
MC33078P & MC33079P
我IB ,输入偏置电流( NA)
2000
1600
MC33079D
1200
800
400
0
55 40 20
MC33078D
V
CM
= 0 V
T
A
= 25°C
600
400
200
0
20 40 60 80 100 120 140 160
T
A
,环境温度( ° C)
0
0
5.0
10
15
V
CC
, | V
EE
| ,电源电压(V )
20
图2.最大功率耗散
与温度的关系
1000
V IO ,输入失调电压(MV )
我IB ,输入偏置电流( NA)
800
600
400
V
CC
= +15 V
V
EE
= 15 V
V
CM
= 0 V
2.0
图3.输入偏置电流随
电源电压
V
CC
= +15 V
V
EE
= 15 V
R
S
= 10
W
1.0 V
CM
= 0 V
A
V
= +1
0
单元3
1号机组
2号机组
200
0
55
1.0
25
0
25
50
75
T
A
,环境温度( ° C)
100
125
2.0
55
25
0
25
50
75
T
A
,环境温度( ° C)
100
125
图4.输入偏置电流与温度
图5.输入失调电压与温度
http://onsemi.com
4