【MC33076双路高输出电流，低功耗，低噪声双极运算放大器该MC33076运算放大器采用双极技术与音】,IC型号MC33076,MC33076 PDF资料,MC33076经销商,ic,电子元器件-51电子网

MC33076

双路高输出电流，

低功耗，低噪声

双极运算放大器

该MC33076运算放大器采用双极技术

与音频和工业创新的高性能概念

应用程序。该器件采用高频PNP输入晶体管

改善的频率响应。此外，该放大器提供高

同时最大限度地减少漏输出电流驱动能力

电流。全NPN输出级展品无死区交叉

失真，大输出电压摆幅，出色的相位和增益

边距，低开环高频输出阻抗和

对称的源和汇的交流高频性能。

该MC33076是在汽车温度范围内测试，

在采用8引脚SOIC封装（D后缀）可与标准

8引脚DIP封装的高功率应用。

100

输出驱动能力

大的输出电压摆幅

低总谐波失真

高增益带宽： 7.4 MHz的

高压摆率： 2.6 V / μs的

双电源供电：

±2.0

V到

±18

V

高输出电流： ISC = 250毫安（典型值）

类似的性能，以MC33178

V

CC

http://onsemi.com

记号

图表

8

PDIP–8

P1后缀

CASE 626

1

8

SO–8

后缀

CASE 751

1

33076

ALYW

MC33076P1

AWL

YYWW

8

1

A

WL ，L

YY, Y

WW, W

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

引脚连接

输出1

I

REF

I

REF

输入1

V

EE

1

2

3

4

-

+1

8

7

-

2 +

6

5

V

CC

输出2

输入2

（ 8引脚PKG ，顶视图）

V

IN-

V

IN +

C

M

V

OUT

订购信息

设备

MC33076D

MC33076DR2

MC33076P1

包

SO–8

PDIP–8

航运

98单位/铁

2500磁带&卷轴

50单位/铁

V

EE

图1.等效电路图

（每扩增fi er ）

半导体元件工业有限责任公司， 2001年

1

2001年2月 - 第1版

出版订单号：

MC33076/D

MC33076

最大额定值

等级

电源电压（注2 ）

输入差分电压范围

输入电压范围

输出短路持续时间（注2 ）

最高结温

储存温度

最大功率耗散

符号

V

CC

to

V

EE

V

IDR

V

IR

t

SC

T

J

T

英镑

P

D

价值

+36

注： 1 。

5.0

+150

-60到+150

注2 。

单位

V

美国证券交易委员会

°C

mW

1.任何一种或两种输入电压不应超过V

CC

或V

EE

.

2.

功耗必须考虑，以确保最高结温（T

J

）不超过

（见功耗

性能特性，图2）。参见更多信息，应用部分。

直流电气CHARACTERICISTICS

(V

CC

= +15 V, V

EE

= -15 V，T

A

= 25 ℃，除非另有说明。）

特征

输入失调电压（R

S

= 50

,

V

CM

= 0 V)

(V

S

=

±2.5

V到

±15

V)

T

A

= +25°C

T

A

= -40 °至+ 85°C

输入失调电压温度系数

(R

S

= 50

,

V

CM

= 0 V)

T

A

= -40 °至+ 85°C

输入偏置电流（V

CM

= 0 V)

T

A

= +25°C

T

A

= -40 °至+ 85°C

输入失调电流（V

CM

= 0 V)

T

A

= +25°C

T

A

= -40 °至+ 85°C

共模输入电压范围

大信号电压增益（V

O

= -10 V至+10 V）

(T

A

= +25°C)

R

L

= 100

R

L

= 600

(T

A

= -40 °C至+ 85°C ）

R

L

= 600

输出电压摆幅（V

ID

=

±1.0

V)

(V

CC

= +15 V, V

EE

= –15 V)

R

L

= 100

R

L

= 100

R

L

= 600

R

L

= 600

(V

CC

= +2.5 V, V

EE

= –2.5 V)

R

L

= 100

R

L

= 100

共模抑制（V

in

=

±13

V)

电源抑制

(V

CC

/V

EE

= +15 V/–15 V, +5.0 V/–15 V, +15 V/–5.0 V)

6

7

4, 5

科幻gure

3

符号

|V

IO

|

–

V

IO

/T

–

I

IB

–

|I

IO

|

–

V

ICR

A

VOL

25

50

25

8, 9, 10

V

O+

V

O–

V

O+

V

O–

V

O+

V

O–

11

12

CMR

PSR

80

120

–

10

–

13

–

1.2

–

80

+11.7

–11.7

+13.8

–13.8

+1.66

–1.74

116

–

–10

–

–13

–

–1.2

–

dB

–

200

–

V

–13

5.0

–

–14

+14

70

100

V

13

千伏/ V

100

–

500

600

nA

2.0

–

nA

0.5

4.0

5.0

μV/°C

民

典型值

最大

单位

mV

http://onsemi.com

2

MC33076

直流电气CHARACTERICISTICS

(V

CC

= +15 V, V

EE

= -15 V，T

A

= 25 ℃，除非另有说明。）

特征

输出短路电流（V

ID

=

±1.0

V输出到GND）

(V

CC

= +15 V, V

EE

= –15 V)

来源

SINK

(V

CC

= +2.5 V, V

EE

= –2.5 V)

来源

SINK

每个放大器（V电源电流

O

= 0 V)

(V

S

=

±2.5

V到

±15

V)

T

A

= +25°C

T

A

= -40 °至+ 85°C

科幻gure

13, 14

符号

I

SC

190

–

63

–

15

I

D

–

2.2

–

2.8

3.3

+250

–280

+94

–80

–

–215

–

–46

mA

民

典型值

最大

单位

mA

交流电气CHARACTERICISTICS

(V

CC

= +15 V, V

EE

= -15 V，T

A

= 25 ℃，除非另有说明。）

特征

压摆率（V

in

= -10 V至+10 V ，R

L

= 100

,

C

L

= 100 pF的，A

V

= 1.0)

增益带宽积（ F = 20千赫）

单位增益带宽（开环）（R

L

= 600

,

C

L

= 0 pF）的

增益裕度（R

L

= 600

,

C

L

= 0 pF）的

相位裕度（R

L

= 600

,

C

L

= 0 pF）的

声道分离度（ F = 100 Hz至20 kHz ）

功率带宽（V

O

= 20 V

pp

, R

L

= 600

,

THD

≤

1%)

总谐波失真（R

L

= 600

,

V

O

= 2.0 V

pp

, A

V

= 1.0)

F = 1.0千赫

F = 10千赫

F = 20千赫

开环输出阻抗（V

O

= 0 V ， F = 2.5兆赫，A

V

= 10)

差分输入电阻（V

CM

= 0 V)

差分输入电容（V

CM

= 0 V)

等效输入噪声电压（R

S

= 100

)

F = 10赫兹

F = 1.0千赫

等效输入噪声电流

F = 10赫兹

F = 1.0千赫

科幻gure

16

17

–

20, 21

22

–

23

符号

SR

GBW

BW

A

m

CS

BW

p

THD

–

24

–

25

|Z

O

|

R

in

C

in

e

n

–

i

n

–

0.33

0.15

–

7.5

5.0

–

PA / ÷赫兹

–

0.0027

0.011

0.022

75

200

10

–

k

pF

纳伏/赫兹÷

民

1.2

4.0

–

典型值

2.6

7.4

3.5

15

52

–120

32

最大

–

单位

V / μs的

兆赫

dB

度

dB

千赫

%

http://onsemi.com

3

MC33076

PD ，最大功耗（MW ）

4000

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

0

-60

-30

MC33076D

0

30

60

90

T

A

，环境温度（ ° C）

120

150

MC33076P1

百分比放大器（％）

25

20

15

10

5

0

-2.0

180放大器测试

从3晶圆批次

V

CC

=

±15

V

T

A

= 25°C

（塑料DIP封装）

-1.5

-1.0 -0.5

0

0.5

1.0

1.5

V

IO

，输入失调电压（MV ）

2.0

2.5

图2.最大功率耗散

与温度的关系

图3.输入分配的

失调电压

250

我IB ，输入偏置电流（ NA）

225

200

175

150

125

100

-15

-10

-5.0

0

5.0

10

15

V

CC

= +15 V

V

EE

= -15 V

T

A

= 25°C

150

137

125

112

100

88

75

-55

-25

5.0

35

65

V

CC

= +15 V

V

EE

= -15 V

V

CM

= 0 V

95

125

T

A

，环境温度（ ° C）

V

CM

，共模电压（ V）

图4.输入偏置电流随

共模电压

图5.输入偏置电流

与温度的关系

V

CC

-0.25

V

CC

-0.50

V

CC

-0.75

V

CC

-1.0

V

CC

= +5.0 V至+18 V

V

EE

= -5.0 V至-18 V

V

IO

= 5.0毫伏

AVOL ，开环电压增益（dB ）

V

CC

120

115

110

105

100

95

90

-55

R

L

= 2.0 k

V

EE

+0.25

V

EE

+0.125

V

EE

-55

-25

5.0

35

65

T

A

，温度（° C）

95

125

V

CC

= +15

V

EE

= -15 V

F = 10赫兹

V

O

= -10至+10 V

-25

R

L

= 100

5.0

35

65

T

A

，环境温度（ ° C）

95

125

图6.输入共模电压

范围与温度的关系

图7.开环电压增益

与温度的关系

http://onsemi.com

4

MC33076

40

VO ，输出电压（ Vpp）为

35

30

25

20

15

10

5.0

0

5.0

10

15

20

V

CC

, |V

EE

| ，电源电压（V ）

25

T

A

= 25°C

R

L

= 10 k

R

L

= 100

VO ，输出电压摆幅（VPP ）

30

25

20

15

10

5.0

0

10

V

S

=

±5.0

V

T

A

= 25°C

F = 1.0千赫

V

S

=

±15

V

100

1.0 k

R

L

，负载对地电阻（ Ω ）

10 k

图8.输出电压摆幅

与电源电压

图9.最大峰峰值输出

电压摆幅与负载电阻

VO ，输出电压（ Vpp）为

20

15

10

5.0

0

100

V

CC

= +15 V

V

EE

= -15 V

R

L

= 100

A

V

= +1.0

THD =

≤

1.0%

T

A

= 25°C

1.0 k

10 k

男，频率（Hz ）

100 k

1.0 M

CMR ，共模抑制（分贝）

25

100

80

60

40

20

0

V

CC

= +15 V

V

EE

= -15 V

V

CM

= 0 V

ΔVCM

=

±1.5

V

T

A

= -55 °至+ 125°C

10

100

1.0 k

10 k

男，频率（Hz ）

100 k

1.0 M

图10.输出电压

与频率

图11.共模抑制

与频率随温度

PSR ，电源抑制比（分贝）

100

80

+ PSR

60

40

20

0

| I SC | ，输出短路电流（mA）

300

250

200

150

100

50

0

V

CC

= +15 V

V

EE

= -15 V

V

ID

=

±1.0

V

3.0

6.0

9.0

|V

O

| ，输出电压（ V）

12

15

来源

SINK

V

CC

= +15 V

V

EE

= -15 V

-vcc

=

±1.5

V

T

A

= -55 °至+ 125°C

10

100

-PSR

1.0 k

10 k

100 k

男，频率（Hz ）

1.0 M

10 M

图12.电源抑制

与频率随温度

图13.输出短路电流

与输出电压

http://onsemi.com

5

放大器和比较器

简讯。。。

在过去的二十年中，摩托罗拉不断完善

和更新的集成电路技术，模拟电路

响应于该需求，设计技术和工艺

市场的。较新的增强的性能

运算放大器和比较器已经通过

这些技术，设计创新的应用和

流程。一些早期的设计仍然可以使用，但

新的，性能更高的业务让位

放大器和比较器电路。摩托罗拉已经在率先

JFET输入，低温度系数的输入级，米勒

环路补偿，所有的NPN输出级，双双峰

频率补偿和“内式封装”模拟

微调电阻器，以产生优良的高性能

运算放大器和比较器，在许多操作

从具有低输入失调，低噪声单电源供电的情况下，

低功耗，高输出摆幅，高压摆率和高

增益带宽积以合理的成本提供给客户。

现今的运算放大器和比较发现

在各个细分市场的应用，包括电机控制，

仪器仪表，航空航天，汽车，通讯，

医疗和消费产品。

页面

运算放大器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-2

单。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-2

双。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-3

四。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-4

一伏特

SMARTMOS

轨到轨双

运算放大器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-6

高频放大器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-7

AGC 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-7

杂类放大器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-8

双极性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-8

CMOS 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-8

比较器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-9

单。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-9

双。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-9

四。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-9

包装概览。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.1-10

摩托罗拉硕士选型指南

4.1–1

模拟和接口集成电路

运算放大器

摩托罗拉提供双极性操作的宽线

放大器以满足广泛的应用。从低成本

行业标准的类型，以高精确度的电路，所述跨度

涵盖一个大范围的表现能力。

这些模拟集成电路可作为单路，双路

在各种温度和四单片器件

范围和封装形式。大多数装置可以在获得

未封装的'芯片'的形式为好。对于价格和交货

芯片上的信息，请联系您的摩托罗拉销售

代表或分销商。

表1.单路运算放大器

IIB

(A)

最大

VIO

（毫伏）

最大

TCVIO

（ μV / ° C）

（ μV /℃）

典型值

IIO

（ nA的）

最大

AVOL

（ V /毫伏）

民

BW

（平均= 1）

（兆赫）

典型值

SR

（平均= 1）

（ V / μs）内

典型值

供应

电压

(V)

民

最大

描述

设备

后缀/

包

无补偿

商业级温度范围（ 0 ° C至+ 70 ° C）

LM301A

LM308A

0.25

7.0

7.5

0.5

10

5.0

50

1.0

25

80

1.0

0.5

0.3

±3.0

±18

±22

通用

精确

N / 626 ， D / 751

工业级温度范围（ - 25 ° C至+ 85°C ）

LM201A

0.075

2.0

10

50

1.0

0.5

通用

N / 626 ， D / 751

内部补偿

商业级温度范围（ 0 ° C至+ 70 ° C）

LF351

LF411C

MC1436 ，C

MC1741C

MC1776C

MC3476

MC34001

MC34001B

MC34071

MC34071A

MC34080B

MC34081B

MC34181

TL071AC

TL071C

TL081AC

TL081C

200 pA的

0.04

0.5

0.003

0.05

200 pA的

0.5

500 nA的

200 pA的

0.1 nA的

200 pA的

400 pA的

10

2.0

10

6.0

10

5.0

3.0

1.0

2.0

6.0

10

6.0

15

10

12

15

10

100 pA的

10

200

3.0

25

100 pA的

75

50

100 pA的

0.05

50 PA

100 pA的

200 pA的

25

70

20

100

50

25

50

25

50

25

50

25

50

25

4.0

8.0

1.0

4.0

4.5

16

8.0

4.0

13

25

2.0

0.5

0.2

13

10

55

30

10

13

±5.0

+5.0

±15

±3.0

±1.2

±1.5

±5.0

+3.0

±5.0

±2.5

±5.0

±18

±22

±34

±18

+44

±22

±18

JFET输入

JFET输入，低失调，

低漂移

高压

通用

μPower ，

可编程

低成本，

μPower ，

可编程

JFET输入

高性能

单电源

失

高速， JFET输入

低功耗， JFET输入

低噪声， JFET输入

JFET输入

N / 626 ， D / 751

P1 / 626 ， D / 751

P1/626

P / 626 ， D / 751

P/626

D/751

P/626

D/751

汽车级温度范围（ - 40 ° C至+ 85°C ）

MC33071

MC33071A

MC33171

MC33181

0.5

500 nA的

0.1

0.1 nA的

5.0

3.0

4.5

2.0

10

75

50

20

0.05

25

50

25

4.5

1.8

4.0

10

2.1

10

+3.0

±2.5

±0.9

+44

±18

±6.0

高性能

单电源

低功耗，单电源

低功耗， JFET输入

P / 626 ， D / 751

扩展温度范围（ - 40 ° C至+ 105 ° C）

MC33201

250 nA的

9.0

2.0

100

50

2.2

1.0

低V轨至轨

P / 626 ， D / 751

军用温度范围（ - 55 ° C至+ 125°C ）

MC33201

400 nA的

9.0

2.0

200

50

2.2

1.0

低V轨至轨

P / 626 ， D / 751

模拟和接口集成电路

4.1–2

摩托罗拉硕士选型指南

表2双运算放大器

IIB

(A)

最大

VIO

（毫伏）

最大

TCVIO

（ μV /℃）

（ μV / ° C）

典型值

IIO

（ nA的）

最大

BW

SR

AVOL

（平均= 1）（平均= 1）

（ V /毫伏）（ MHz）的

（ V / μs）内

民

典型值

供应

电压

(V)

民

最大

描述

设备

后缀/

包

内部补偿

商业级温度范围（ 0 ° C至+ 70 ° C）

LF353

LF412C

LF442C

LM358

LM833

MC1458

MC1458C

MC3458

200 pA的

100 pA的

0.25

1.0

0.5

0.7

0.5

10

3.0

5.0

6.0

5.0

6.0

10

7.0

2.0

10

7.0

100 pA的

50 PA

50

200

300

50

25

31.6

20

4.0

2.0

1.0

15

1.1

1.0

13

6.0

0.6

7.0

0.8

0.6

±5.0

+5.0

±5.0

±1.5

+3.0

+2.5

±3.0

±1.5

+3.0

±3.0

±5.0

+3.0

±5.0

±2.5

±5.0

±1.5

+3.0

±1.5

+3.0

±2.0

±18

+36

±18

+36

±22

±18

+44

±22

±18

+36

±18

+36

+44

±18

JFET输入

JFET输入，低失调，

低漂移

低功耗， JFET输入

单电源，

低功耗

低噪声，音频

双MC1741

通用

分离电源，

单电源，

低交越失真

高频

JFET输入

高性能

单电源

高速， JFET输入

失

低功耗， JFET输入

低噪声， JFET输入

JFET输入

N / 626 ， D / 751

N/626

N / 626 ， D / 751

P1/626,

D/751

P1/626,

D/751

P1/626,

D/751

P1/626

P1/626,

D/751

P / 626 ， D / 751

P/626

P / 626 ， D / 751

P/626

D/751

P/626

D/751

MC4558AC

MC4558C

MC34002

MC34002B

MC34072

MC34072A

MC34082

MC34083B

MC34182

TL062AC

TL062C

TL072AC

TL072C

TL082AC

TL082C

0.5

100 pA的

0.5

500 nA的

200 pA的

0.1 nA的

200 pA的

400 pA的

5.0

6.0

10

5.0

3.0

6.0

15

6.0

10

6.0

15

10

200

100 pA的

70 pA的

75

50

100 pA的

0.05

100 pA的

200 pA的

50 PA

100 pA的

200 pA的

50

20

25

50

25

4.0

50

25

50

25

2.8

4.0

4.5

8.0

16

4.0

2.0

4.0

1.6

13

10

30

55

10

6.0

13

工业级温度范围（ - 25 ° C至+ 85°C ）

LM258

0.15

5.0

10

30

50

1.0

0.6

拆分或单电源

运算放大器

N / 626 ， D / 751

汽车级温度范围（ - 40 ° C至+ 85°C ）

MC3358

MC33072

MC33072A

MC33076

5.0

0.50

500 nA的

0.5

8.0

5.0

3.0

4.0

10

2.0

75

50

70

20

25

50

25

1.0

4.5

7.4

0.6

10

2.6

拆分或单电源

高性能

单电源

高输出电流

P1/626

P / 626 ， D / 751

P1/626,

P2/648C,

D/751

P / 626 ， D / 751

N / 626 ， D / 751

P / 626 ， D / 751

MC33077

MC33078

MC33102

（清醒）

（ SLEEP ）

MC33172

MC33178

MC33182

MC33272A

MC33282

TL062V

1.0

750 nA的

600 nA的

60 nA的

0.10

1.0

2.0

3.0

4.5

2.0

1.0

10

2.0

10

0.56

5.0

10

180

150

60

6.0

20

50

0.05

25 nA的

50 PA

100 pA的

150

31.6

25

15

50

25

31.6

50

4.0

37

16

4.6

0.3

1.8

5.0

4.0

5.5

30

2.0

11

7.0

1.7

0.1

2.1

2.0

10

11.5

12

6.0

±2.5

±5.0

±2.5

+3.0

±2.0

±2.5

±1.5

±2.5

±18

+44

±18

低噪音

睡眠模式

微功耗

低功耗，单

供应

高输出电流

低功耗， JFET输入

高性能

低投入，失调JFET

低功耗， JFET输入

P / 626 ， D / 751

0.5

3.0

0.1 nA的

3.0

650 nA的

1.0

100 pA的200

V

200 pA的

6.0

摩托罗拉硕士选型指南

4.1–3

模拟和接口集成电路

表2双运算放大器（续）

IIB

(A)

最大

VIO

（毫伏）

最大

TCVIO

（ μV / ° C）

典型值

IIO

（ nA的）

最大

BW

SR

AVOL

（平均= 1）（平均= 1）

（ V /毫伏）（ MHz）的

（ V / μs）内

民

典型值

供应

电压

(V)

民

±0.9

最大

±6.0

描述

设备

后缀/

包

扩展温度范围（ - 40 ° C至+ 105 ° C）

MC33202

MC33206

MC33502

LM2904

250 nA的

11

2.0

100

50

2.2

1.0

低V轨至轨

RAIL- TO- RAIL

与启用

1.0 V轨至轨

拆分或单电源

P / 626 ， D / 751

P/646,

D/751A

P / 262 ， D751

N / 262 ， D / 751

40 fA的

典型值

0.25

0.5

典型值

10

2.0 （典型值）

7.0

–

50

100

典型值

100

典型值

4.0 （典型值）

1.0

4.0 （典型值）

0.6

+0.9

±1.5

+3.0

+7.0

±13

+26

扩展汽车温度范围（ - 40 ° C至+ 125°C ）

TCA0372

LM2904V

500 nA的

0.25

15

13

20

7.0

50

30

100

典型值

1.1

1.0

1.4

0.6

+5.0

±1.5

+3.0

±0.9

+36

±13

+26

±6.0

功率运算放大器，

单电源

拆分或单电源

DP2/648,

DW/751G

N / 626 ， D / 751

军用温度范围（ - 55 ° C至+ 125°C ）

MC33202

400 pA的

11

2.0

200 pA的

50

2.2

1.0

低V轨至轨

P / 626 ， D / 751

表3.四路运算放大器

IIB

(A)

最大

VIO

（毫伏）

最大

TCVIO

（ μV / ° C）

（ μV /℃）

典型值

IIO

（ nA的）

最大

AVOL

（ V /毫伏）

民

BW

（平均= 1）

（兆赫）

典型值

SR

（平均= 1）

（ V / μs）内

典型值

供应

电压

(V)

民

最大

描述

设备

后缀/

包

内部补偿

商业级温度范围（ 0 ° C至+ 70 ° C）

LF347

LF347B

LF444C

LM324 ，A

MC3403

MC4741C

MC34004

MC34004B

MC34074

MC34074A

MC34084

MC34085B

MC34184

TL064AC

TL064C

TL074AC

TL074C

TL084AC

TL084C

200 pA的

100 pA的

0.25

0.5

200 pA的

0.5

500 nA的

200 pA的

0.1 nA的

200 pA的

400 pA的

10

5.0

10

6.0

10

6.0

10

5.0

3.0

12

10

6.0

15

6.0

10

6.0

15

10

7.0

15

10

100 pA的

50 PA

50

200

100 pA的

75

50

100 pA的

0.05

100 pA的

200 pA的

50 PA

100 pA的

200 pA的

25

50

25

20

25

50

25

50

25

4.0

50

25

50

25

4.0

2.0

1.0

4.0

4.5

8.0

16

4.0

2.0

4.0

13

6.0

0.6

0.5

13

10

30

55

10

6.0

13

±5.0

±1.5

+3.0

±1.5

+3.0

±3.0

±5.0

+3.0

±5.0

±2.5

±5.0

±1.5

+3.0

±18

±16

+32

±18

+36

±18

+44

±22

±18

±16

+32

JFET输入

低功耗， JFET输入

低功耗

消费

无交叉

失真

四MC1741

JFET输入

高性能

单电源

高速， JFET输入

失

低功耗， JFET输入

低噪声， JFET输入

JFET输入

N/646

N / 646 ， D / 751A

P / 646 ， D / 751A

P/646

P / 646 ， D / 751A

P/646,

DW/751G

P/646,

DW/751G

P / 646 ， D / 751A

N / 646 ， D / 751A

N/646

工业级温度范围（ - 25 ° C至+ 85°C ）

LM224 ，A

0.15

5.0

7.0

30

50

1.0

0.6

分离电源或

单电源

N / 646 ， D / 751A

模拟和接口集成电路

4.1–4

摩托罗拉硕士选型指南

表3.四路运算放大器（续）

IIB

(A)

最大

VIO

（毫伏）

最大

TCVIO

（ μV / ° C）

典型值

IIO

（ nA的）

最大

BW

AVOL

（平均= 1）

（ V /毫伏）（ MHz）的

民

典型值

SR

（平均= 1）

（ V / μs）内

典型值

供应

电压

(V)

民

±1.5

+3.0

±5.0

+3.0

±2.0

±2.5

±1.5

±2.5

±0.9

+1.8

±1.5

+3.0

最大

±18

+36

+44

±18

+44

±18

±6.0

+12

±13

+26

描述

设备

后缀/

包

汽车级温度范围（ - 40 ° C至+ 85°C ）

MC3303

MC33074

MC33074A

MC33079

MC33174

MC33179

MC33184

MC33274A

MC33284

TL064V

0.5

500 nA的

750 nA的

0.1

0.5

0.1 nA的

650 nA的

100 pA的

200 pA的

8.0

4.5

3.0

2.5

4.5

3.0

10

1.0

2.0

9.0

10

2.0

10

2.0

10

0.56

5.0

10

75

50

150

20

50

0.05

25 nA的

50 PA

100 pA的

20

25

50

31.6

50

25

31.6

50

4.0

1.0

4.5

9.0

1.8

5.0

4.0

5.5

30

2.0

0.6

10

7.0

2.1

2.0

10

11.5

12

6.0

迪FF erential

通用

高性能，

单电源

高性能

低噪音

低功耗，单

供应

高输出电流

低功耗， JFET输入

高性能

低投入，失调JFET

低功耗， JFET输入

P / 646 ， D / 751A

N / 646 ， D / 751A

P / 646 ， D / 751A

N / 646 ， D / 751A

扩展温度范围（ - 40 ° C至+ 105 ° C）

MC33204

MC33207

MC33304

LM2902

250 nA的

13

2.0

100

50

25

15

2.2

3.0

1.0

低V轨至轨

轨至轨启用

Sleepmode ，轨到轨

差分低功耗

P / 646 ， D / 751A

P / 648 ， D / 751B

P / 646 ， D / 751A

N / 646 ， D / 751A

0.5

10

–

50

0.6

扩展汽车温度范围（ - 40 ° C至+ 125°C ）

LM2902V

0.5

13

–

50

15

1.0

0.6

±1.5

+3.0

±0.9

±13

+26

±6.0

差分低功耗

N / 646 ， D / 751A

军用温度范围（ - 55 ° C至+ 125°C ）

MC33204

400 pA的

13

2.0

200 pA的

50

2.2

1.0

低V轨至轨

P / 646 ， D / 751A

摩托罗拉硕士选型指南

4.1–5

模拟和接口集成电路

由MC33076订购此文件/ D

MC33076

双路高输出电流，

低功耗，低噪声

双极运算放大器

该MC33076运算放大器采用双极技术

创新的高性能概念音频和工业应用。

该器件采用高频PNP输入晶体管来提高频率

反应。此外，该放大器提供高输出电流驱动

能力，同时减少漏电流。全NPN输出级

展品无死区交越失真，大输出电压摆幅，

出色的相位和增益裕度，低开环高频输出

阻抗和对称的源和汇的交流高频性能。

该MC33076测试在汽车级温度范围，

采用8引脚SOIC封装（D后缀），并在这两个标准的8引脚可用

DIP和16引脚DIP封装的高功率应用。

100

输出驱动能力

双路高输出

当前操作

扩音器

半导体

技术参数

8

1

8

1

后缀

塑料包装

CASE 751

(SO–8)

P1后缀

塑料包装

CASE 626

大的输出电压摆幅

低总谐波失真

高增益带宽： 7.4 MHz的

高压摆率： 2.6 V / μs的

双电源供电：

±2.0

V到

±18

V

高输出电流： ISC = 250毫安（典型值）

类似的性能，以MC33178

VEE

输入1

引脚连接

输出1

1

2

3

4

–

+1

8

7

– 6

2 +

5

VCC

输出2

输入2

（ 8引脚PKG ，顶视图）

等效电路示意

（每扩增fi er ）

VCC

16

1

P2后缀

塑料包装

CASE 648C

DIP（ 12 + 2 + 2 ）

引脚连接

输入1

IREF

VEE

VIN =

VIN +

CC

CM

NC

VOUT

输入2

8

NC

1

2

3

4

5

6

7

+

– 2

（ 16引脚PKG ，顶视图）

–

+ 1

16

15

14

13

12

11

10

9

VEE

NC

输出2

输出1

NC

VCC

订购信息

设备

VEE

MC33076D

MC33076P1

MC33076P2

操作

温度范围

TA = - 40 °C至+ 85°C

包

SO–8

塑料DIP

电源塑料

REV 0

摩托罗拉公司1996年

摩托罗拉模拟集成电路设备数据

1

MC33076

最大额定值

等级

电源电压（注2 ）

输入差分电压范围

输入电压范围

输出短路持续时间（注2 ）

最高结温

储存温度

最大功率耗散

符号

VCC TO

VEE

VIDR

VIR

TSC

TJ

TSTG

PD

价值

+36

（注1 ）

5.0

+150

-60到+150

（注2 ）

单位

V

美国证券交易委员会

°C

mW

注意事项：

1.任何一种或两种输入电压不应超过VCC或VEE 。

2.功耗必须考虑，以确保最高结温（ TJ ）

是不超过

（参见功耗性能特性，图1）。

参见更多信息，应用部分。

直流电气CHARACTERICISTICS

（ VCC = + 15V ， VEE = -15 V， TA = 25 ℃，除非另有说明。）

特征

输入失调电压（ RS = 50

,

VCM = 0 V）

（ VS =

±2.5

V到

±15

V)

TA = + 25°C

TA = -40 °C至+ 85°C

输入失调电压温度系数

（ RS = 50

,

VCM = 0 V）

TA = -40 °C至+ 85°C

输入偏置电流（ VCM = 0 V）

TA = + 25°C

TA = -40 °C至+ 85°C

输入失调电流（ VCM = 0 V）

TA = + 25°C

TA = -40 °C至+ 85°C

共模输入电压范围

大信号电压增益（ VO = -10 V至+10 V）

（ TA = + 25 ° C）

RL = 100

RL = 600

（ TA = -40 °C至+ 85°C ）

RL = 600

输出电压摆幅（VID =

±1.0

V)

（ VCC = + 15V ， VEE = -15 V）

RL = 100

RL = 600

（ VCC = + 2.5V ， VEE = -2.5 V）

RL = 100

共模抑制（ VIN =

±13

V)

电源抑制

（ VCC / VEE = +15 V / -15 V， 5.0 V / -15 V ，+ 15 V / -5.0 V）

5

6

3, 4

科幻gure

2

符号

|比奥|

—

V

IO / ΔT

—

IIB

—

| IIO |

—

VICR

AVOL

25

50

25

7, 8, 9

VO +

VO-

VO +

VO-

VO +

VO-

10

11

CMR

PSR

80

120

—

10

—

13

—

1.2

—

80

+11.7

–11.7

+13.8

–13.8

+1.66

–1.74

116

—

–10

—

–13

—

–1.2

—

dB

—

200

—

V

–13

5.0

—

–14

+14

70

100

V

13

千伏/ V

100

—

500

600

nA

2.0

—

nA

0.5

4.0

5.0

μV/°C

民

典型值

最大

单位

mV

2

摩托罗拉模拟集成电路设备数据

MC33076

直流电气CHARACTERICISTICS

（ VCC = + 15V ， VEE = -15 V， TA = 25 ℃，除非另有说明。）

特征

输出短路电流（ VID =

±1.0

V输出到GND）

（ VCC = + 15V ， VEE = -15 V）

来源

SINK

（ VCC = + 2.5V ， VEE = -2.5 V）

来源

SINK

每个放大器的电源电流（ VO = 0 V）

（ VS =

±2.5

V到

±15

V)

TA = + 25°C

TA = -40 °C至+ 85°C

科幻gure

12, 13

符号

ISC

190

—

63

—

14

ID

—

2.2

—

2.8

3.3

+250

–280

+94

–80

—

–215

—

–46

mA

民

典型值

最大

单位

mA

交流电气CHARACTERICISTICS

（ VCC = + 15V ， VEE = -15 V， TA = 25 ℃，除非另有说明。）

特征

压摆率（ VIN = -10 V至+10 V， RL = 100

,

CL = 100 pF的， AV = 1 ）

增益带宽积（ F = 20千赫）

单位增益频率（开环）（ RL = 600

,

CL = 0 pF）的

增益裕度（ RL = 600

,

CL = 0 pF）的

相位裕度（ RL = 600

,

CL = 0 pF）的

声道分离度（ F = 100 Hz至20 kHz ）

功率带宽（ VO = 20峰峰值， RL = 600

,

THD

≤

1%)

总谐波失真（ RL = 600

,

VO = 2.0 Vpp的， AV = 1 ）

F = 1.0千赫

F = 10千赫

F = 20千赫

开环输出阻抗（ VO = 0 V，F = 2.5 MHz时， AV = 10 ）

差分输入电阻（ VCM = 0 V）

差分输入电容（ VCM = 0 V）

等效输入噪声电压（ RS = 100

)

F = 10赫兹

F = 1.0千赫

等效输入噪声电流

F = 10赫兹

F = 1.0千赫

科幻gure

15

16

—

19, 20

21

—

22

符号

SR

GBW

fU

Am

m

CS

BWP

THD

—

23

—

24

|咗|

凛

CIN

en

—

in

—

0.33

0.15

—

7.5

5.0

—

PA / ÷赫兹

—

0.0027

0.011

0.022

75

200

10

—

k

pF

纳伏/赫兹÷

民

1.2

4.0

—

典型值

2.6

7.4

3.5

15

52

–120

32

最大

—

单位

V / μs的

兆赫

dB

度

dB

千赫

%

摩托罗拉模拟集成电路设备数据

3

MC33076

图1.最大功率耗散

与温度的关系

PD ，最大功耗（MW ）

4000

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

0

–60

–30

MC33076D

0

30

60

90

TA ，环境温度（ ° C）

120

150

MC33076P1

MC33076P2

请参见应用部分

欲了解更多信息

百分比放大器（％）

25

20

15

10

5

0

–2.0

180放大器测试

从3晶圆批次

VCC =

±15

V

TA = 25°C

（塑料DIP封装）

图2.输入分配的

失调电压

–1.5

–1.0 –0.5

0

0.5

1.0

1.5

VIO ，输入失调电压（MV ）

2.0

2.5

图3.输入偏置电流随

共模电压

250

我IB ，输入偏置电流（ NA）

225

200

175

150

125

100

–15

我IB ，输入偏置电流（ NA）

VCC = + 15V

VEE = -15 V

TA = 25°C

150

137

125

112

100

88

75

–55

图4.输入偏置电流

与温度的关系

VCC = + 15V

VEE = -15 V

VCM = 0 V

–25

5.0

35

65

95

125

–10

–5.0

0

5.0

10

15

VCM ，共模电压（ V）

TA ，环境温度（ ° C）

图5.输入共模电压

范围与温度的关系

VCC = + 5.0 V至+18 V

VEE = - 5.0 V至-18 V

V

IO = 5.0毫伏

AVOL ，开环电压增益（dB ）

VCC

VCC–0.25

VCC–0.50

VCC–0.75

VCC–1.0

120

115

图6.开环电压增益

与温度的关系

RL = 2.0千欧

110

105

100

95

90

–55

VCC = + 15V

VEE = -15 V

F = 10赫兹

V

O = -10至+10 V

–25

VEE+0.25

VEE+0.125

VEE

–55

–25

5.0

35

65

TA ，温度（ ° C）

95

125

RL = 100

5.0

35

65

TA ，环境温度（ ° C）

95

125

4

摩托罗拉模拟集成电路设备数据

MC33076

图7.输出电压摆幅

与电源电压

40

VO ，输出电压摆幅（VPP ）

VO ，输出电压（ Vpp）为

35

30

25

20

15

10

5.0

0

5.0

10

15

20

VCC ， | VEE | ，电源电压（V ）

25

TA = 25°C

RL = 10 kΩ的

RL = 100

30

25

20

15

10

5.0

0

10

100

1.0 k

RL ，负载对地电阻（ Ω ）

10 k

VS =

±

5.0 V

TA = 25°C

F = 1.0千赫

VS =

±15

V

图8.最大峰峰值输出

电压摆幅与负载电阻

图9.输出电压

与频率

CMR ，共模抑制（分贝）

25

VO ，输出电压（ Vpp）为

20

15

10

5.0

0

100

VCC = + 15V

VEE = -15 V

RL = 100

AV = 1.0

THD =

≤

1.0%

TA = 25°C

1.0 k

10 k

男，频率（Hz ）

100 k

1.0 M

100

80

60

40

20

0

10

图10.共模抑制

与频率随温度

VCC = + 15V

VEE = -15 V

VCM = 0 V

ΔVCM

=

±1.5

V

TA = - 55 °C至+ 125°C

100

1.0 k

10 k

男，频率（Hz ）

100 k

1.0 M

100

PSR ，电源抑制比（分贝）

80

+ PSR

60

40

20

0

10

100

1.0 k

10 k

100 k

男，频率（Hz ）

1.0 M

10 M

VCC = + 15V

VEE = -15 V

-vcc

=

±1.5

V

TA = - 55 °C至+ 125°C

| I SC | ，输出短路电流（mA）

图11.电源抑制

与频率随温度

图12.输出短路电流

与输出电压

300

250

200

来源

150

100

50

0

VCC = + 15V

VEE = -15 V

VID =

±1.0

V

0

3.0

6.0

9.0

| VO | ，输出电压（ V）

12

15

SINK

-PSR

摩托罗拉模拟集成电路设备数据

5