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集成电路
LM139/239/239A/339/339A/LM2901/MC
3302
四电压比较器
产品speci fi cation
IC11数据手册
1995年11月27日
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四电压比较器
LM139/239/239A/339/339A
/LM2901/MC3302
描述
该LM139系列由四个独立的精密电压
比较,具有偏移电压规格低至为2.0mV
最大值为每个比较器,其被专门设计用于
从在宽电压范围的单电源供电。
从分裂电源的操作,也可以与低
电源电流消耗是独立的幅度
电源电压。这些比较器也有一个独特的
在于,所述输入共模电压范围的特性
包括地面,即使它们是从一个单一的动力操作
电源电压。
该LM139系列被设计为与TTL直接连接和
CMOS 。当来自两个正负电源操作时,
该LM139系列将直接与MOS逻辑接口,其中的
低功耗是超过标准的比较明显的优势。
引脚配置
D,F ,N包
输出2
输出1
V+
INPUT 1 -
输入1 +
INPUT 1 -
输入1 +
1
2
3
1
4
5
6
7
2
3
4
11
10
9
8
输入4 +
输入4 -
输入3 +
输入3 -
14
13
12
输出3
输出4
GND
顶视图
特点
SL00070
宽的单电源电压范围2.0V
DC
至36V
DC
或双
供应极低的电源电流消耗( 0.8毫安)独立
低输入偏置电流25nA
低输入偏置电流
±5nA
和偏移电压
输入共模电压范围包括地面
差分输入电压范围等于电源电压
低输出为250mV ,在4毫安饱和电压
输出电压与TTL , DTL , ECL , MOS和CMOS兼容
逻辑系统
电压( 1.0MW /比较器在5.0V
DC
)
耗材
±1.0V
DC
to
±18V
DC
图1.引脚配置
等效电路
V
+
3.5A
100A
3.5A
100A
Q2
Q3
Q4
产量
+
输入
=输入
Q1
Q8
Q7
Q5
Q6
应用
A / D转换器
广泛VCO
MOS时钟发生器
高电压逻辑门
多谐振荡器
订购信息
描述
14引脚陶瓷双列直插封装( CERDIP )
14引脚塑料双列直插式封装( DIP )
14引脚塑料双列直插式封装( DIP )
14引脚塑料小外形( SO )封装
14引脚塑料双列直插式封装( DIP )
14引脚塑料小外形( SO )封装
14引脚塑料双列直插式封装( DIP )
14引脚塑料小外形( SO )封装
14引脚塑料双列直插式封装( DIP )
14引脚塑料小外形( SO )封装
14引脚陶瓷双列直插封装( CERDIP )
14引脚塑料双列直插式封装( DIP )
14引脚塑料双列直插式封装( DIP )
(仅1比较)
SL00071
图2.等效电路
温度范围
-55到+ 125°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
0至+ 70°C
0至+ 70°C
0至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55到+ 125°C
订货编号
LM139F
LM239AN
LM239N
LM239D
LM2901N
LM2901D
LM339AN
LM339D
LM339N
MC3302D
MC3302F
MC3302N
LM139N
DWG #
0581B
SOT27-1
SOT27-1
SOT108-1
SOT27-1
SOT108-1
SOT27-1
SOT108-1
SOT27-1
SOT108-1
0581B
SOT27-1
SOT27-1
1995年11月27日
2
853-0930 16050
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四电压比较器
LM139/239/239A/339/339A/
LM2901/MC3302
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
差异
V
IN
P
D
V
CC
电源电压
差分输入电压
输入电压
最大功耗,
T
A
= 25 ° C(静止空气)
1
F封装
N包装
输出短路到地
2
I
IN
T
A
输入电流(V
IN
<–0.3V
DC
)
3
工作温度范围
LM139
LM239/239A
LM339/339A
LM2901
MC3302
T
英镑
T
出售
存储温度范围
焊接温度( 10秒最大)
-55到+125
-25至+85
0至+70
-40到+125
-40至+85
-65到+150
300
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
1190
1420
1040
连续
50
mA
mW
mW
mW
参数
等级
36或
±18
36
-0.3至+36
单位
V
DC
V
DC
V
DC
注意事项:
1.
减免上述25
°C,
在以下费率:
F封装为9.5mW /°C的
N包装,为11.4mW / ℃,
包在8.3mW /°C的
2.从输出到V +短路可能会引起过大的加热和最终破坏。最大输出电流大约
20毫安独立的V +的大小。
3.当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将仅存在。这是由于在集电极 - 基极结
输入PNP晶体管成为正向偏置,从而作为输入二极管钳位。除了这个二极管动作,也有横向
在IC芯片上的NPN寄生晶体管作用。这个晶体管的动作可能会导致比较器的输出电压去V +的电压
对于一个输入被驱动为负的持续时间等级(或对地大的过驱动) 。这不是破坏性的和正常输出状态
将重新建立时的输入电压,为负时,再次返回到一个值大于-0.3V
DC
.
1995年11月27日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四电压比较器
LM139/239/239A/339/339A/
LM2901/MC3302
直流和交流电气特性
V+=5V
DC
, LM139 : -55°C
T
A
125°C ; LM239 / 239A : -25°C
T
A
85°C ; LM339 / 339A :0°C
T
A
70℃ ;; LM2901 : -40°C
T
A
125°C,
MC3302 : -40°C
T
A
85 ℃,除非另有规定。
符号
V
OS
V
CM
参数
输入失调电压
2
输入共模电压
范围
3
差分输入
电压
1
测试条件
T
A
=25°C
温度过高。
T
A
=25°C
温度过高。
保留所有
V
插件
≥0V
DC
(或V-如果需要的话)
I
IN (+)
还是我
IN ( - )
与产量
线性范围
T
A
=25°C
温度过高。
I
IN (+)
–I
IN ( - )
I
OS
输入失调电流
T
A
=25°C
温度过高。
I
OL
输出灌电流
V
IN ( - )
≥1V
DC
, V
IN
(+)=0,
V
O
≤1.5V
DC
,
T
A
=25°C
V
IN (+)
≥1V
DC
, V
IN
(–)=0
输出漏电流
V
O
=5V
DC
, T
A
=25°C
V
O
=30V
DC
,温度过高。
R
L
=∞
在比较器,
T
A
=25°C
V+=30V
R
L
≥15k,
V+=15V
DC
V
IN ( - )
≥1V
DC
, V
IN (+)
=0,
I
SINK
≤4mA
T
A
=25°C
温度过高。
V
IN
= TTL逻辑摆幅,V
REF
=1.4V
DC
, V
RL
=5V
DC
,
R
L
=一个5.1kΩ ,T
A
=25°C
V
RL
=5V
DC
, R
L
=5.1k,
T
A
=25°C
50
0.1
1.0
nA
A
6.0
16
±5.0
±50
±150
nA
nA
mA
0
0
LM239A/339A
典型值
±1.0
最大
±2.0
±4.0
V+–1.5
V+–2.0
V+
单位
mV
mV
V
V
IDR
V
I
BIAS
输入偏置电流
4
25
250
400
nA
nA
I
CC
电源电流
0.8
2.0
mA
A
V
电压增益
200
V / MV
V
OL
饱和电压
250
400
700
mV
mV
ns
s
t
LSR
t
R
大信号响应时间
响应时间
5
300
1.3
请参阅注释在电气特性的结束。
1995年11月27日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四电压比较器
LM139/239/239A/339/339A/
LM2901/MC3302
直流和交流电气特性
V+=5V
DC
, LM139 : -55°C
T
A
125°C ; LM239 / 239A : -25°C
T
A
85°C ; LM339 / 339A :0°C
T
A
70 ℃; LM2901 : -40°C
T
A
125°C,
MC3302 : -40°C
T
A
85 ℃,除非另有规定。
符号
V
OS
V
CM
参数
输入失调电压
2
输入共模电压
范围
3
差分输入
电压
1
测试条件
T
A
=25°C
温度过高。
T
A
=25°C
温度过高。
保留所有
V
插件
≥0V
DC
(或V-如果需要的话)
I
IN (+)
还是我
IN ( - )
与产量
线性范围
T
A
=25°C
温度过高。
I
IN (+)
–I
IN ( - )
I
OS
输入失调电流
T
A
=25°C
温度过高。
I
OL
输出灌电流
V
IN ( - )
≥1V
DC
, V
IN
(+)=0,
V
O
≤1.5V
DC
,
T
A
=25°C
V
IN (+)
≥1V
DC
, V
IN
(–)=0
V
O
=5V
DC
,
输出漏电流
T
A
=25°C
V
O
=30V
DC
,
温度过高。
R
L
=∞
在比较器,
T
A
=25°C
V+=30V
R
L
≥15k,
V+=15V
DC
V
IN ( - )
≥1V
DC
, V
IN (+)
=0,
I
SINK
≤4mA
T
A
=25°C
温度过高。
V
IN
= TTL逻辑摆幅,V
REF
=1.4V
DC
,
V
RL
=5V
DC
, R
L
=一个5.1kΩ ,T
A
=25°C
V
RL
=5V
DC
, R
L
=5.1k,
T
A
=25°C
50
1.0
1.0
A
0.1
0.1
nA
6.0
16
±3.0
±25
±100
6.0
16
±5.0
±50
±150
nA
nA
mA
0
0
LM139
典型值
±2.0
最大
±5.0
±9.0
V+–1.5
V+–2.0
V+
0
0
LM239/339
典型值
±2.0
最大
±5.0
±9.0
V+–1.5
V+–2.0
V+
单位
mV
mV
V
V
IDR
V
I
BIAS
输入偏置电流
4
25
100
300
25
250
400
nA
nA
I
CC
电源电流
0.8
2.0
0.8
2.0
mA
A
V
电压增益
200
50
200
V / MV
V
OL
饱和电压
250
400
700
250
400
700
mV
mV
ns
s
t
LSR
t
R
大信号响应时间
响应时间
5
300
1.3
300
1.3
请参阅下页的笔记。
1995年11月27日
5
LM339 , LM239 , LM2901 ,
LM2901V , NCV2901 ,
MC3302
单电源QUAD
比较
这些比较器被设计用于在电平检测,低级别的使用
在传感和存储器应用消费电子,汽车和
工业电子应用。
特点
14
1
http://onsemi.com
SOIC14
后缀
CASE 751A
无铅包可用*
单或分割电源供电
低输入偏置电流: 25 nA的(典型值)
低输入失调电流:
±5.0
NA(典型值)
低输入偏移电压
输入共模电压范围为GND
低输出饱和电压: 130毫伏(典型值) @ 4.0毫安
TTL和CMOS兼容
ESD钳位输入上增加了可靠性,而不会影响
设备操作
PDIP14
N, P后缀
CASE 646
14
1
14
1
TSSOP14
DTB后缀
CASE 948G
引脚连接
输出2
输出1
V
CC
- 输入1
+ INPUT 1
- 输入2
+输入2
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
输出3
输出4
GND
+输入4
- 输入4
+输入3
- 输入3
*
1
)
*
2
)
)
4
*
)
*
11
10
9
8
3
( TOP VIEW )
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
器件标识信息
查看该设备一般标识信息标识
节本数据手册的第8页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年7月 - 13牧师
出版订单号:
LM339/D
LM339 , LM239 , LM2901 , LM2901V , NCV2901 , MC3302
最大额定值
等级
电源电压
LM239 / LM339 / LM2901 ,V
MC3302
输入差分电压范围
LM239 / LM339 / LM2901 ,V
MC3302
输入共模电压范围
输出对地短路(注1 )
功率耗散@ T
A
= 25°C
塑料包装
减免上述25℃
结温
工作环境温度范围
LM239
MC3302
LM2901
LM2901V , NCV2901
LM339
存储温度范围
ESD保护,在任何引脚
人体模型
机器型号
T
英镑
V
ESD
2000
200
V
ICMR
I
SC
P
D
1/R
qJA
T
J
T
A
-25至+85
-40至+85
-40到+105
-40到+125
0至+70
-65到+150
°C
V
1.0
8.0
150
W
毫瓦/°C的
°C
°C
V
IDR
36
30
-0.3到V
CC
连续
VDC
符号
V
CC
价值
+36或
±18
+30或
±15
VDC
单位
VDC
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.最大输出电流可高达20毫安,独立Ⅴ的大小的
CC
。输出短路到V
CC
可引起过度
加热和最终销毁。
V
CC
+输入
=输入
产量
GND
注:图中所示是1个比较。
图1电路原理图
http://onsemi.com
2
LM339 , LM239 , LM2901 , LM2901V , NCV2901 , MC3302
电气特性
(V
CC
= + 5.0VDC ,T
A
= + 25℃ ,除非另有说明)
LM239/339
特征
输入失调电压(注3 )
输入偏置电流(注3,4)
(输出的模拟量范围)
输入失调电流(注3 )
输入共模电压范围
电源电流
R
L
=
(所有比较)
R
L
=
∞,
V
CC
= 30 V直流
电压增益
R
L
15千瓦,V
CC
± 15 VDC
大信号响应时间
V
I
= TTL逻辑摆幅,
V
REF
= 1.4伏,V
RL
= 5.0伏,
R
L
= 5.1千瓦
响应时间(注5)
V
RL
= 5.0伏,R
L
= 5.1千瓦
输出灌电流
V
I
()
+1.0伏,V
I
(+) = 0,
V
O
1.5 VDC
饱和电压
V
I
()
+1.0伏,V
I
(+) = 0,
I
SINK
4.0毫安
输出漏电流
V
I
(+)
+1.0伏,V
I
() = 0,
V
O
= + 5.0VDC
2. ( LM239 )T
= -25 ° C,T
= +85°
( LM339 )T
= 0° C,T
= +70°C
( MC3302 )T
= -40 ° C,T
= +85°C
( LM2901 )T
= -40 ° C,T
= +105°
( LM2901V & NCV2901 )T
= -40 ° C,T
= +125°C
NCV2901是合格的汽车用。
3.在输出开关点,V
O
]
1.4伏,R
S
100
W
5.0 VDC
V
CC
30伏直流电,与投入在整个共模范围( 0 Vdc至
V
CC
-1.5伏) 。
4.偏置电流流出的输入端,由于PNP输入级。该电流几乎是恒定的,独立的输出状态。
5.指定的响应时间为5.0 mV过一个100毫伏的输入步骤。对于较大的信号, 300 ns的典型。
I
OL
0.1
0.1
0.1
nA
V
SAT
130
400
130
400
130
500
mV
I
SINK
6.0
16
6.0
16
6.0
16
mA
1.3
1.3
1.3
ms
300
300
300
ns
A
VOL
I
IO
V
ICMR
I
CC
50
0.8
1.0
200
2.0
2.5
25
0.8
1.0
100
2.0
2.5
25
0.8
1.0
100
2.0
2.5
V / MV
0
±5.0
±50
V
CC
1.5
0
±5.0
±50
V
CC
1.5
0
±3.0
±100
V
CC
1.5
nA
V
mA
符号
V
IO
I
IB
典型值
±2.0
25
最大
±5.0
250
LM2901/2901V/
NCV2901
典型值
±2.0
25
最大
±7.0
250
MC3302
典型值
±3.0
25
最大
±20
500
单位
MVDC
nA
http://onsemi.com
3
LM339 , LM239 , LM2901 , LM2901V , NCV2901 , MC3302
性能特点
(V
CC
= + 5.0VDC ,T
A
= T
给T
[注6 ] )
LM239/339
特征
输入失调电压(注7 )
输入偏置电流(注7,8)
(输出的模拟量范围)
输入失调电流(注7 )
输入共模电压范围
饱和电压
V
I
()
+1.0伏,V
I
(+) = 0,
I
SINK
4.0毫安
输出漏电流
V
I
(+)
+1.0伏,V
I
() = 0,
V
O
= 30 V直流
差分输入电压
所有V
I
0 VDC
6. ( LM239 )T
= -25 ° C,T
= +85°
( LM339 )T
= 0° C,T
= +70°C
( MC3302 )T
= -40 ° C,T
= +85°C
( LM2901 )T
= -40 ° C,T
= +105°
( LM2901V & NCV2901 )T
= -40 ° C,T
= +125°C
NCV2901是合格的汽车用。
7.在输出开关点,V
O
]
1.4伏,R
S
100
W
5.0 VDC
V
CC
30伏直流电,与投入在整个共模范围( 0 Vdc至
V
CC
-1.5伏) 。
8.偏置电流流出的输入端,由于PNP输入级。该电流几乎是恒定的,独立的输出状态。
9.指定的响应时间为5.0 mV过一个100毫伏的输入步骤。对于较大的信号, 300 ns的典型。
V
ID
V
CC
V
CC
V
CC
VDC
I
OL
1.0
1.0
1.0
mA
I
IO
V
ICMR
V
SAT
0
±150
V
CC
2.0
700
0
±200
V
CC
2.0
700
0
±300
V
CC
2.0
700
nA
V
mV
符号
V
IO
I
IB
典型值
最大
±9.0
400
LM2901/2901V/
NCV2901
典型值
最大
±15
500
MC3302
典型值
最大
±40
1000
单位
MVDC
nA
+ V
CC
R3
10 k
V
in
+ V
CC
R
REF
+
R2
R1
1.0 M
V
REF
[
V
CC
R1
R
REF
+ R1
+ V
CC
10 k
V
O
R
REF
V
REF
R1
R2
10 k
R3
1.0 M
V
REF
=
V
CC
R1
R
REF
+ R1
+
V
O
10 k
V
REF
10k
Vi
n
R3
]
R1 / / R
REF
/ / R2
V
H
=
R2
R1 / / R
REF
R1/ / R
REF
+ R2
RREF / / R1
[V
O(最大值)
V
O(分钟)
]
R2
[
R1 / / R
REF
滞后的V量
H
R2
V
H
=
[(V
V
]
R2 + R3
O(最大) O(分钟)
图2.反相比较器
与迟滞
图3.同相比较器
与迟滞
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4
LM339 , LM239 , LM2901 , LM2901V , NCV2901 , MC3302
典型特征
(V
CC
= 15 VDC ,T
A
= + 25 ℃(每个比较器) ,除非另有说明)。
1.40
归一化失调电压
我IB ,输入偏置电流( NA)
48
42
36
30
24
18
12
6.0
0
50
25
0
25
50
75
T
A
,环境温度( ° C)
100
125
0
4.0
8.0
12
16
20
24
V
CC
,电源电压(VDC )
28
32
T
A
= +125°C
T
A
= 55° C
T
A
= +25° C
1.20
1.00
0.80
0.60
图4.归一化输入失调电压
图5.输入偏置电流
8.0
IO ,输出电流(mA )
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
100
200
300
400
500
V
SAT
,输出饱和电压(MV )
T
A
= 55° C
T
A
= +125°C
T
A
= +25° C
图6.输出灌电流与
输出饱和电压
V
CC
V
CC
4.0 V
10 k
R1
V
O
R3
330 k
R4
R
L
kW
100
10
330 k
V
CC
T1
V
in
V
REF
R
S
+
R
L
+
C
R2
V
CC
100 k
+
R1
R
S
=源电阻
R1
]
R
S
逻辑
CMOS
TTL
设备
1/4 MC14001
1/4 MC7400
V
CC
(V)
+15
+5.0
330 k
T2
T1 = T2 = 0.69 RC
7.2
f
[
C( MF )
R2 = R3 = R4
R1
[
R2 // R3 // R4
图7.驱动逻辑
图8.方波振荡器
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5
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