【摩托罗拉半导体技术资料MC14520B请参阅第6-292MC14521B24级分频器的MC14521】,IC型号MC14XXXBD,MC14XXXBD PDF资料,MC14XXXBD经销商,ic,电子元器件-51电子网

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摩托罗拉

半导体技术资料

MC14520B

请参阅第6-292

MC14521B

24级分频器

的MC14521B由一个链中的24个触发器的一个输入电路，其

允许三种操作模式。输入将被用作晶体

振荡器， RC振荡器，或作为外部振荡器的输入缓冲器。

每个触发器由两部分前面的触发器的频率，

因此这部分将计数到224 = 16777216 。伯爵进展

在时钟的负向边沿。的最后的输出

七阶段为客人提供更多的灵活性。

所有阶段都是复式

复位会禁止RC振荡器的低待机功耗

RC和晶体振荡器输出能够驱动外部的

负载

测试模式，以缩短测试时间

VDD

′

和Vss

′

销带出的晶体振荡反相器，以允许

外部电阻器的低功耗运行的连接

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围。

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

参数

VDD

VIN，VOUT

IIN，电流输出

PD

TSTG

直流电源电压

价值

单位

V

V

L结尾

陶瓷的

CASE 620

P后缀

塑料

CASE 648

后缀

SOIC

CASE 751B

订购信息

MC14XXXBCP

MC14XXXBCL

MC14XXXBD

塑料

陶瓷的

SOIC

- 0.5 + 18.0

±

10

500

输入或输出电压（ DC或瞬态）

- 0.5 VDD + 0.5

输入或输出电流（ DC或瞬态）

每个引脚

功耗，每包

储存温度

mA

mW

- 65至+ 150

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

引脚分配

Q24

RESET

VSS

′

输出2

VDD

′

IN 2

出1

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VDD

Q23

Q22

Q21

Q20

Q19

Q18

IN 1

_

C

TL

焊接温度（ 8秒焊接）

260

_

C

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

框图

RESET

2

产量

Q18

Q19

Q20

Q21

Q22

Q23

Q24

计数能力

218 = 262,144

219 = 524,288

220 = 1,048,576

221 = 2,097,152

222 = 4,194,304

223 = 8,388,608

224 = 16,777,216

9

IN 1

6

IN 2

阶段

1 THRU 17

VDD = 16 PIN

VSS = 8 PIN

阶段

18 THRU 24

Q18 Q19 Q20 Q21 Q22 Q23 Q24

7

出1

5

VDD

′

4

3 OUT2

VSS

′

10

11

12

13

14

15

1

REV 3

1/94

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉公司1995年

MC14521B

1

电气特性

（电压参考VSS）

特征

符号

VOL

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

VIH

5.0

10

15

IOH

来源

引脚4 & 7

5.0

5.0

10

15

5.0

5.0

10

15

IOL

5.0

10

15

15

—

5.0

10

15

5.0

10

15

– 1.2

– 0.25

– 0.62

– 1.8

– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

0.64

1.6

4.2

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

0.1

—

5.0

10

20

– 1.0

– 0.2

– 0.5

– 1.5

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

0.51

1.3

3.4

—

—

—

—

—

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 3.5

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

0.88

2.25

8.8

±

0.00001

5.0

0.005

0.010

0.015

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

0.1

7.5

5.0

10

20

– 0.7

– 0.14

– 0.35

– 1.1

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

0.36

0.9

2.4

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

1.0

—

150

300

600

MADC

3.5

7.0

11

—

—

—

3.5

7.0

11

2.75

5.50

8.25

—

—

—

3.5

7.0

11

—

—

—

MADC

民

—

—

—

– 55

_

C

25

_

C

125

_

C

最大

民

—

—

—

典型值＃

0

0

0

最大

民

—

—

—

最大

单位

VDC

输出电压

VIN = VDD或0

“0”电平

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

VDC

“1”电平

输入电压= 0或Vdd的

输入电压

“0”电平

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

“1”电平

（ VO = 0.5或4.5伏）

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

输出驱动电流

（ VOH = 2.5伏）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

VIL

—

—

—

—

—

—

2.25

4.50

6.75

—

—

—

VOH

4.95

9.95

14.95

4.95

9.95

14.95

5.0

10

15

4.95

9.95

14.95

VDC

VDC

（ VOH = 2.5伏）

来源

（ VOH = 4.6伏）

引脚1 ， 10 ，

（ VOH = 9.5伏）， 11 ， 12 ， 13 ， 14

（ VOH = 13.5伏）

15

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

输入电流

输入电容

（ VIN = 0 ）

静态电流

（每包）

总电源电流**

（动态加静态，

每包）

（所有输出CL = 50 pF的，所有的

缓冲切换）

SINK

MADC

IIN

CIN

国际直拨电话

μAdc

pF

μAdc

IT

IT = （ 0.42

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 0.85

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 1.40

μA /千赫）

F + IDD

μAdc

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

计算总电源电流在负载以外50 pF的：

IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK

其中： IT是

A

（每包）， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.003 。

该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过，

必须采取预防措施，以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序，以这种高阻抗

电路。对于正确的操作， Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS

≤

（ VIN或VOUT ）

≤

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ）。未使用的输出必须

悬空。

MC14521B

2

摩托罗拉CMOS逻辑数据

开关特性*

（ CL = 50 pF的， TA = 25

_

C)

特征

符号

VDD

VDC

5.0

10

15

的TPH1 ， tPLH的

5.0

10

15

5.0

10

15

的TPH1

5.0

10

15

太瓦时（ CL ）

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

—

—

—

385

150

120

—

—

—

—

—

—

1400

600

450

30

0

– 40

1300

500

375

140

55

40

3.5

9.0

12

—

—

—

700

300

225

– 200

– 160

– 110

2600

1000

750

—

—

—

2.0

5.0

6.5

15

5.0

4.0

—

—

—

—

—

—

ns

—

—

—

—

—

—

4.5

1.7

1.3

6.0

2.2

1.7

9.0

3.5

2.7

12

4.5

3.5

ns

民

—

—

—

典型值＃

100

50

40

最大

200

100

80

s

单位

ns

输出上升时间和下降时间（计数器输出）

tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒

tTLH ， TTHL

传播延迟时间

时钟Q18

的TPH1 ， tPLH的= （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 4415 NS

的TPH1 ， tPLH的= （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 1667 NS

的TPH1 ， tPLH的= （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 1275 NS

时钟Q24

的TPH1 ， tPLH的= （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 5915 NS

的TPH1 ， tPLH的= （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 2167 NS

的TPH1 ， tPLH的= （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 1675 NS

传播延迟时间

复位到Qn

的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 1215 NS

的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 467纳秒

的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 350纳秒

时钟脉冲宽度

时钟脉冲频率

整箱

兆赫

时钟的上升和下降时间

tTLH ， TTHL

s

复位脉冲宽度

太瓦时（R ）

ns

复位移走时间

TREM

ns

*给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

VDD

500

F

VDD

脉冲

发电机

IN 2

0.01

F

陶瓷的

VDD

Q18

Q19

Q20

Q21

Q22

Q23

Q24

VSS

CL

CL

VIN

20纳秒

90%

10%

占空比为50％

20纳秒

VDD

0V

ID

CL

CL

CL

CL

CL

50%

R

VSS

图1.功耗测试电路和波形

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14521B

3

VDD

VDD

脉冲

发电机

IN 2

VDD

′

Q18

Q19

Q20

Q21

Q22

Q23

Q24

VSS

′

CL

IN 2

CL

CL

CL

CL

CL

CL

Qn

50%

10%

TWL

90%

10%

TPLH

tTLH

的TPH1

TTHL

20纳秒

50%

20纳秒

90%

亿千瓦时

20纳秒

R

VSS

图2.开关时间测试电路和波形

特征

水晶特点

谐振频率

等效电阻， RS

VDD

Ro

VDD

R*

VDD

′

外部电阻/电容值

Ro

CT

CS

频率稳定度

频率变化的函数

VDD的（ TA = 25

_

C)

从5.0 V至10 V的VDD变化

从10 V至15 V的VDD变化

频率变化的函数

温度（ VDD = 10V ）

TA变迁 - 55

_

C至+ 25

_

C

只有MC14521

完整的振荡器*

TA变迁+25

_

C至+ 125

_

C

只有MC14521

完整的振荡器*

500千赫

电路

500

1.0

47

82

20

50千赫

电路

50

6.2

750

82

20

单位

千赫

k

k

pF

pF

18 M

CS

CT

进1出1

输出2

Q18

Q19

IN 2

Q20

Q21

Q22

Q23

R

Q24

VSS

VSS

′

R*

+ 6.0

+ 2.0

– 4.0

+ 100

+ 2.0

+ 2.0

– 2.0

+ 120

PPM

PPM

PPM

PPM

*可选低功耗工作，

10 k

≤

R

≤

70 k.

图3.晶体振荡器电路

MC14521B

4

*完整的振荡器包括晶振，电容，电阻。

– 2.0

– 160

– 2.0

– 560

PPM

PPM

图4.典型的数据为晶体振荡器电路

摩托罗拉CMOS逻辑数据

100

8.0

VDD = 15 V

频率偏移（％）

4.0

0

–4.0

–8.0

–12

–16

–55

RTC = 56 kΩ的，

C = 1000 pF的

测试电路

图7

楼振频率（千赫）

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

F作为一个函数

的C

（ RTC = 56千欧）

（ RS = 120 K）

VDD = 10 V

测试电路

图7

F作为一个函数

RTC的

（ C = 1000 pF的）

（ RS

≈

2RTC)

10 V

5.0 V

{

RS = 0 ， F = 10.15千赫@ VDD = 10 V ， TA = 25℃

RS = 120 kΩ的， F = 7.8千赫@ VDD = 10 V ， TA = 25℃

0.1

1.0 k

125

0.0001

10 k

100 k

RTC ，电阻（欧姆）

0.001

0.01

C，电容（ μF ）

1.0 m

0.1

–25

0

25

50

75

100

TA ，环境温度（ ° C），设备只

图5. RC振荡器的稳定性

图6. RC振荡器频率为

RTC和C函数

VDD

VDD

′

IN 1

Q18

Q19

Q20

Q21

IN 2

Q22

Q23

Q24

出1

R

输出2

VSS

VSS

RS

C

RTC

VDD

VDD

VDD

′

进1出1

输出2

Q18

Q19

IN 2

Q20

Q21

Q22

Q23

R

Q24

VSS

VSS

′

脉冲

发电机

图7 RC振荡电路

图8.功能测试电路

功能测试顺序

输入

RESET

1

0

IN 2

0

1

0

1

—

—

—

1

0

0

1

1

0

输出2

0

1

0

1

—

—

—

1

0

0

0

0

1

1

1

1

VDD

1

1

0

计数器转换回

24级串联模式。

出2转换回

输出。

从所有的柜台涟漪

“1”的状态转换为全“0 ”的阶段。

VSS

′

VDD

输出

VDD

′

GND

评论

Q18 Q24通

0

计数器是3个8级

在并行模式下的部分

计数器复位。在2和

出2连接

一起

第一个“0 ”到“1 ”过渡

对2，输出2点。

255为“0”到“1”的转换

被移入此2，

出2点。

一个测试功能（参见图8）已

包括对测试时间的减少需要

行使全部24个柜台阶段。该测试功能

把计数器为三个8级部分，

和255的计数在每个装

8阶段并联。所有触发器都

现在在一个逻辑“1”。计数器现在返回

到正常的24级串联配置。

一个脉冲被输入到输入2 （在2）

这将导致计数器纹波全

“1”的状态转换为全“0 ”的状态。

第255个“0”到“1”的

过渡。

GND

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14521B

5

摩托罗拉

半导体技术资料

工业时基发生器

该MC14566B产业时基发生器与MOS构造

在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件

单片结构。该装置由一个除以10纹波计数器

和除以5或除以6波纹计数器，以允许稳定时间

代从50或60 Hz线路。通过级联此设备为除以60

计数器，秒和分钟可以算，并提供BCD

格式在所述电路的输出。内部的单稳态多谐振荡器包含

其输出可被用作复位或时钟脉冲提供额外

频率灵活性。还有一个销已经被列入允许除以5

点票，欧洲50 Hz线路产生1.0赫兹。引脚11 = VDD将

原因

÷

5.

下降沿触发计数器，便于级联

在计数器输入脉冲整形器接受输入慢上升时间

单稳态多谐振荡器上升沿或下降沿触发

在所有输入端保护二极管

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围

MC14566B

L结尾

陶瓷的

CASE 620

P后缀

塑料

CASE 648

后缀

SOIC

CASE 751B

订购信息

MC14XXXBCP

MC14XXXBCL

MC14XXXBD

塑料

陶瓷的

SOIC

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

VDD

参数

直流电源电压

价值

单位

V

V

mA

mW

- 0.5 + 18.0

±

10

500

- 65至+ 150

VIN，VOUT

IIN，电流输出

PD

TSTG

输入或输出电压（ DC或瞬态）

输入或输出电流（ DC或瞬态）

每个引脚

功耗，每包

储存温度

- 0.5 VDD + 0.5

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

引脚分配

CA

RESET

Q0A

Q1A

Q2A

Q3A

B

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VDD

CB

Q2B

Q1B

_

C

TL

焊接温度（ 8秒焊接）

260

_

C

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

B

5/

B

6

Qm

A

Q0B

框图

Q0A

Q1A

Q2A

Q3A

3

4

5

6

CA

÷

10

1

脉冲

整形

C

R

BCD

OUT

RESET

÷

5 / 6 ÷控制

2

11

R

Q0B

Q1B

12

13

14

BCD

OUT

CB

÷

5/÷ 6

15

脉冲

整形

C

Q2B

B

A

REV 3

1/94

7

9

单

稳定

MULTI-

振子

10

Qm

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉公司1995年

MC14566B

1

电气特性

（电压参考VSS）

特征

符号

VOL

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

VIH

5.0

10

15

IOH

来源

5.0

5.0

10

15

IOL

5.0

10

15

15

—

5.0

10

15

5.0

10

15

– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

0.64

1.6

4.2

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

0.1

—

5.0

10

20

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

0.51

1.3

3.4

—

—

—

—

—

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

0.88

2.25

8.8

±

0.00001

5.0

0.005

0.010

0.015

—

—

—

—

—

—

—

±

0.1

7.5

5.0

10

20

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

0.36

0.9

2.4

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

1.0

—

150

300

600

MADC

3.5

7.0

11

—

—

—

3.5

7.0

11

2.75

5.50

8.25

—

—

—

3.5

7.0

11

—

—

—

MADC

民

—

—

—

– 55

_

C

25

_

C

125

_

C

最大

民

—

—

—

典型值＃

0

0

0

最大

民

—

—

—

最大

单位

VDC

输出电压

VIN = VDD或0

“0”电平

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

VDC

“1”电平

输入电压= 0或Vdd的

输入电压

“0”电平

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

“1”电平

（ VO = 0.5或4.5伏）

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

输出驱动电流

（ VOH = 2.5伏）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

输入电流

输入电容

（ VIN = 0 ）

静态电流

（每包）

总电源电流**

（动态加静态，

每包）

（所有输出CL = 50 pF的，所有的

缓冲切换）

VIL

—

—

—

—

—

—

2.25

4.50

6.75

—

—

—

VOH

4.95

9.95

14.95

4.95

9.95

14.95

5.0

10

15

4.95

9.95

14.95

VDC

VDC

SINK

IIN

CIN

国际直拨电话

μAdc

pF

μAdc

IT

IT = （ 1.0

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 2.0

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 3.0

μA /千赫）

F + IDD

μAdc

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

计算总电源电流在负载以外50 pF的：

IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK

其中： IT是

A

（每包）， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.001 。

该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过，

必须采取预防措施，以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序，以这种高阻抗

电路。对于正确的操作， Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS

≤

（ VIN或VOUT ）

≤

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ）。未使用的输出必须

悬空。

MC14566B

2

摩托罗拉CMOS逻辑数据

开关特性*

（ CL = 50 pF的， TA = 25

_

C)

特征

输出上升时间和下降时间

tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒

传播延迟时间，时钟到Q3A

tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 1365 NS

tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 497纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 295纳秒

传播延迟时间，复位到Q3A

的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 845纳秒

的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 282纳秒

的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 185纳秒

时钟脉冲宽度

符号

tTLH ，

TTHL

VDD

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

太瓦时（ CL ）

5.0

10

15

复位脉冲宽度

太瓦时（R ）

5.0

10

15

时钟脉冲频率

整箱

5.0

10

15

时钟脉冲的上升时间和下降时间

tTLH ，

TTHL

5.0

10

15

5.0

10

15

1200

400

300

—

—

—

1.0

2.5

4.2

0.3

1.0

1.5

—

无极限

1200

400

270

400

125

90

—

—

—

兆赫

1200

400

270

400

125

90

—

—

—

ns

民

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值＃

100

50

40

最大

200

100

80

单位

ns

tPLH的，

的TPH1

ns

1450

530

320

930

315

210

4500

1500

1000

ns

3000

1000

750

ns

的TPH1

单稳态多谐振荡器脉冲宽度

太瓦时（ QM）

2800

900

600

—

—

—

ns

*给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

VDD

500

F

VIN

VIN

脉冲

发电机

CA

CB

RESET

÷

5/÷ 6

控制

B

A

Q0A

Q1A

Q2A

Q3A

Q0B

Q1B

Q2B

Qm

VSS

CL

CL

CL

CL

CL

CL

CL

CL

20纳秒

90%

50%

10%

变量

宽度

20纳秒

VDD

VSS

ID

图1.功耗测试电路和波形

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14566B

3

VDD

可编程

脉冲

发电机

CA

CB

RESET

÷

5/÷ 6

控制

B

A

Q0A

Q1A

Q2A

Q3A

Q0B

Q1B

Q2B

Qm

VSS

CL

CL

CL

CL

CL

CL

CL

CL

注：假设

÷

10柜台“ 6”和

÷

5/

÷

6计数器为“ 2 ” ，在序列的开头。

20纳秒

÷

10

÷

5/÷ 6 90%

时钟和B

10%

整箱

10%

TPLH

90%

10%

TPLH

50%

Qm

太瓦时（ QM）

tTLH

TTHL

50%

吨WHQm

50%

太瓦时（ CL ）

50%

20纳秒

90%

RESET

50%

太瓦时（R ）

的TPH1

Q3A或

Q2B

图2.开关时间测试电路和波形

MC14566B

4

摩托罗拉CMOS逻辑数据

时序图

分频计数器10

0

时钟

1

2

3

4

5

6

7

8

9

0

1

RESET

Q0

Q1

Q2

Q3

Divide–By–5/Divide–By–6

0

时钟

1

2

3

4

5

0

1

2

3

4

0

RESET

控制

÷

5/÷ 6

Q0

Q1

Q2

单稳态多谐振荡器

A

B

Qm

= DO NOT CARE

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14566B

5

摩托罗拉

半导体技术资料

MC14077B

请参阅第6-160

MC14078B ， MC14081B ， MC14082B

请参见第6-5页

MC14093B

四2输入？ NAND"

施密特触发器

的MC14093B施密特触发器与MOS P沟道构造和

N沟道在一个单一的整体结构增强型器件。

这些设备发现的主要用途，其中低功耗和/或高

抗噪声能力是需要的。的MC14093B可以代替的使用

MC14011B四2输入与非门，用于增强抗扰度或

“方达”慢慢改变波形。

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围

所有输入三重保护二极管

引脚对引脚兼容CD4093

可用于替代MC14011B

独立的施密特触发器在每个输入

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

VDD

参数

直流电源电压

L结尾

陶瓷的

CASE 632

P后缀

塑料

CASE 646

后缀

SOIC

CASE 751A

订购信息

MC14XXXBCP

MC14XXXBCL

MC14XXXBD

塑料

陶瓷的

SOIC

价值

单位

V

V

- 0.5 + 18.0

VIN，VOUT

IIN，电流输出

PD

输入或输出电压（ DC或瞬态）

- 0.5 VDD + 0.5

±

10

500

输入或输出电流（ DC或瞬态）

每个引脚

功耗，每包

储存温度

mA

mW

TSTG

TL

- 65至+ 150

260

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

逻辑图

1

2

5

6

8

9

12

13

VDD = 14 PIN

VSS = PIN码7

3

_

C

_

C

4

焊接温度（ 8秒焊接）

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

10

11

等效电路示意

（电路的1/4所示）

该器件包含保护电路，以防止损坏

由于高的静态电压或电场。但是，必须注意事项

要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用

电压为这个高阻抗电路。为了正常工作， Vin和

Vout的应被约束的范围内的VSS

≤

（ VIN或VOUT ）

≤

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压

电平（例如， VSS或VDD）。未使用的输出必须悬空。

REV 3

1/94

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉公司1995年

MC14093B

1

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

计算总电源电流在负载以外50 pF的：

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK

其中： IT是

A

（每包）， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.004 。

电气特性

（电压参考VSS）

阈值电压

正向

滞后电压

总电源电流**

（动态加静态，

每包）

（所有输出CL = 50 pF的，所有的

缓冲切换）

静态电流

（每包）

输入电容

（ VIN = 0 ）

输入电流

输出驱动电流

（ VOH = 2.5伏）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

输出电压

VIN = VDD或0

MC14093B

2

输入电压= 0或Vdd的

负向

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

特征

“1”电平

“0”电平

来源

SINK

符号

VOH

VOL

VH ？

VT +

VT-

IOH

国际直拨电话

IOL

CIN

IIN

IT

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

15

—

– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

4.95

9.95

14.95

0.64

1.6

4.2

民

0.9

2.5

4.0

2.2

4.6

6.8

0.3

1.2

1.6

—

—

—

—

—

—

—

—

– 55

_

C

±

0.1

3.6

7.1

10.8

0.25

0.5

1.0

0.05

0.05

0.05

最大

2.8

5.2

7.4

2.0

3.4

5.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

4.95

9.95

14.95

0.51

1.3

3.4

民

0.9

2.5

4.0

2.2

4.6

6.8

0.3

1.2

1.6

—

—

—

—

—

—

—

—

±

0.00001

0.0005

0.0010

0.0015

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

典型值＃

25

_

C

0.88

2.25

8.8

1.9

3.9

5.8

2.9

5.9

8.8

1.1

1.7

2.1

5.0

5.0

10

15

0

0

0

IT = （ 1.2

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 2.4

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 3.6

μA /千赫）

F + IDD

摩托罗拉CMOS逻辑数据

±

0.1

3.6

7.1

10.8

最大

2.0

3.4

5.0

7.5

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

0.25

0.5

1.0

0.05

0.05

0.05

2.8

5.2

7.4

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

4.95

9.95

14.95

0.36

0.9

2.4

民

0.9

2.5

4.0

2.2

4.6

6.8

0.3

1.2

1.6

—

—

—

—

—

—

—

—

125

_

C

±

1.0

3.6

7.1

10.8

最大

2.0

3.4

5.0

7.5

15

30

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

0.05

0.05

0.05

2.8

5.2

7.4

MADC

MADC

μAdc

μAdc

μAdc

单位

VDC

VDC

VDC

VDC

VDC

pF

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

开关特性

（ CL = 50 pF的， TA = 25

_

C)

传播延迟时间

输出下降时间

输出上升时间

摩托罗拉CMOS逻辑数据

VOUT

VIN

脉冲

发电机

（一）施密特触发器将方达

(a)

输入缓慢上升和下降时间。

VH

特征

输入

7

VDD

14

VSS

图1.开关时间测试电路和波形

图2.典型的施密特触发器应用

CL

VSS

VDD

VSS

VDD

产量

tPLH的，的TPH1

符号

TTHL

tTLH

VOUT

VIN

VH

VDD

VDC

（ b）一个施密特触发器提供了最大

(b)

抗噪性闸门的应用程序。

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

产量

输入

20纳秒

的TPH1

民

—

—

—

—

—

—

—

—

—

90%

50%

10%

TTHL

90%

50%

10%

典型值＃

125

50

40

100

50

40

100

50

40

tTLH

20纳秒

TPLH

最大

250

100

80

200

100

80

200

100

80

VOL

VOH

VSS

VDD

MC14093B

3

VSS

VDD

VSS

VDD

单位

ns

ns

ns

14

IOH

VOUT

14

VGS

7

所有未使用的输入

连接到地。

10

IOL ，漏电流（ MADC ）

a

B C

a

b

6.0

c

15 VDC

VGS = 10伏直流

IOL

VOUT

所有未使用的输入

连接到地。

0

IOH ，漏电流（ MADC ）

VGS = - 5.0伏

a

b

b

TA = - 55°C

TA = + 25°C

TA = + 125°C

c

= 10 VDC

– 8.0

b

7

VGS

c

b

a

– 2.0

8.0

– 4.0

– 6.0

4.0

a

b

c

5.0 VDC

a

b

c

TA = - 55°C

TA = + 25°C

TA = + 125°C

c

b

± 15 VDC

2.0

– 10

– 10

a

– 8.0

– 6.0

– 4.0

VDS ，漏极电压（VDC ）

a

– 2.0

0

0

0

2.0

4.0

6.0

VDS ，漏极电压（VDC ）

8.0

10

图3.典型的输出源

特性测试电路

图4.典型输出灌

特性测试电路

VDD

VOUT ，输出电压（VDC ）

引脚分配

在1A

在2A

OUTA

OUTB

在1B

在2B

VSS

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

VDD

在二维

一维

OUTD

OUTC

在2C

在1C

0

0

VT-

VT +

VDD

VH

输入电压，输入电压（VDC ）

图5.典型的传输特性

MC14093B

4

摩托罗拉CMOS逻辑数据

外形尺寸

L结尾

陶瓷DIP封装

CASE 632-08

ISSUE

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L TO领先时中心

平行地形成。

4.尺寸F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）

WHERE领先进入陶瓷

体。

英寸

民

最大

0.750

0.785

0.245

0.280

0.155

0.200

0.015

0.020

0.055

0.065

0.100 BSC

0.008

0.015

0.125

0.170

0.300 BSC

0

_

15

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

19.05

19.94

6.23

7.11

3.94

5.08

0.39

0.50

1.40

1.65

2.54 BSC

0.21

0.38

3.18

4.31

7.62 BSC

0

_

15

_

0.51

1.01

–A–

14

9

–B–

1

7

C

L

–T–

座位

飞机

K

F

D

14 PL

G

0.25 (0.010)

M

N

J

T A

S

14 PL

M

0.25 (0.010)

M

T B

S

暗淡

A

B

C

D

F

G

J

K

L

M

N

P后缀

塑料DIP封装

CASE 646-06

ISSUE L

14

8

B

1

7

注意事项：

1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真

位置底座面最大

物质条件。

2.尺寸L为中央导线时的

平行地形成。

3.尺寸B不包括塑模

闪光灯。

4.圆角可选。

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

K

L

M

N

英寸

民

最大

0.715

0.770

0.240

0.260

0.145

0.185

0.015

0.021

0.040

0.070

0.100 BSC

0.052

0.095

0.008

0.015

0.115

0.135

0.300 BSC

0

_

10

_

0.015

0.039

MILLIMETERS

民

最大

18.16

19.56

6.10

6.60

3.69

4.69

0.38

0.53

1.02

1.78

2.54 BSC

1.32

2.41

0.20

0.38

2.92

3.43

7.62 BSC

0

_

10

_

0.39

1.01

A

F

C

N

H

G

D

座位

飞机

L

J

K

M

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14093B

5

摩托罗拉

半导体技术资料

MC14511B

BCD到七段

锁存器/解码器/驱动器

该MC14511B BCD到七段锁存器/解码器/驱动器是

与互补型MOS （ CMOS ）增强型器件构成

并在一个单一的整体结构的NPN双极性输出驱动器。该电路

提供了一个4比特存储锁存器的功能，一个8421 BCD到7

段的解码器，和一个输出驱动能力。灯测试（ LT ），消隐

（BI）和锁存使能（ LE）的输入被用来测试显示，以关断或

脉冲调制的显示器的亮度，并存储一个BCD码，

分别。它可以与七段发光二极管被使用

（发光二极管），白炽灯，荧光灯，气体放，或液晶读数

无论是直接还是间接的。

应用领域包括仪器（如柜台， DVM等）的显示驱动程序，

计算机/计算器显示驱动器，座舱显示驱动器和各种时钟，

手表和计时器使用。

低逻辑电路功耗

高电流源输出（高达25 mA）的

锁码的存储

消隐输入

灯测试提供

读数盲区的所有非法输入组合

灯光强度调制能力

时间分享（复用）设施

电源电压范围为3.0 V至18 V

可驱动两个低功耗TTL负载，一个低功耗

肖特基TTL负载或两个HTL负载超过额定温度

范围

芯片的复杂性： 216场效应管或54个等效门

所有输入三重保护二极管

最大额定值*

（电压参考VSS）

等级

符号

VDD

VIN

I

TA

PD

TSTG

Iohmax

POHmax

直流电源电压

L结尾

陶瓷的

CASE 620

P后缀

塑料

CASE 648

后缀

SOIC

CASE 751B

DW后缀

SOIC

CASE 751G

订购信息

MC14XXXBCP

塑料

MC14XXXBCL

陶瓷的

MC14XXXBDW

SOIC

MC14XXXBD

SOIC

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

引脚分配

B

C

LT

BI

LE

D

A

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VDD

f

g

a

b

c

d

e

e

d

f

a

g

b

c

价值

单位

V

V

mA

- 0.5 + 18

输入电压，所有输入

DC每个输入引脚漏电流

工作温度范围

每个封装功耗

存储温度范围

最大输出驱动电流

（来源）每路输出

最大连续输出功率

（来源）每个输出

- 0.5 VDD + 0.5

10

- 55至+ 125

500

- 65至+ 150

25

50

显示

_

C

mW

0

1

输入

LE BI LT

X

X

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

X

0

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

0

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

D

X

X

0

0

0

0

0

0

0

0

1

1

1

1

1

1

1

1

C

X

X

0

0

0

0

1

1

1

1

0

0

0

0

1

1

1

1

B

X

X

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

1

1

A

X

X

0

1

1

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

a

1

0

1

0

1

1

0

1

0

1

1

1

0

0

0

0

0

0

b

1

0

1

1

1

1

1

0

0

1

1

1

0

0

0

0

0

0

c

1

0

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

0

0

0

0

0

0

2

3

4

5

6

7

8

9

_

C

mA

mW

真值表

输出

d

1

0

1

0

1

1

0

1

1

0

1

0

0

0

0

0

0

0

e

1

0

1

0

0

0

0

0

1

0

1

0

0

0

0

0

0

0

f

1

0

1

0

0

0

1

1

1

0

1

1

0

0

0

0

0

0

g

1

0

0

0

1

1

1

1

1

0

1

1

0

0

0

0

0

0

显示

8

空白

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

空白

空白

空白

空白

空白

空白

*

POHmax = IOH （ VDD - VOH ）

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

1 1 1

X

X

X

X

*

X =无关

*取决于BCD码以前应用在LE = 0

REV 3

1/94

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉公司1995年

MC14511B

361

电气特性

（电压参考VSS）

特征

符号

VOL

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

VIH

5.0

10

15

VOH

来源

5.0

4.1

—

3.9

—

3.4

—

9.1

—

9.0

—

8.6

—

14.1

—

14

—

13.6

—

0.64

1.6

4.2

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

0.1

—

5.0

10

20

4.1

—

3.9

—

3.4

—

9.1

—

9.0

—

8.6

—

14.1

—

14

—

13.6

—

0.51

1.3

3.4

—

—

—

—

—

4.57

4.24

4.12

3.94

3.70

3.54

9.58

9.26

9.17

9.04

8.90

8.70

14.59

14.27

14.18

14.07

13.95

13.70

0.88

2.25

8.8

±

0.00001

5.0

0.005

0.010

0.015

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

0.1

7.5

5.0

10

20

4.1

—

3.5

—

3.0

—

9.1

—

8.6

—

8.2

—

14.1

—

13.6

—

13.2

—

0.36

0.9

2.4

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

1.0

—

150

300

600

μAdc

pF

μAdc

VDC

3.5

7.0

11

—

—

—

3.5

7.0

11

2.75

5.50

8.25

—

—

—

3.5

7.0

11

—

—

—

VDC

民

—

—

—

– 55

_

C

25

_

C

125

_

C

最大

民

—

—

—

典型值＃

0

0

0

最大

民

—

—

—

最大

单位

VDC

输出电压

VIN = VDD或0

“0”电平

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

VDC

“1”电平

输入电压= 0或Vdd的

输入电压＃

“0”电平

（ VO = 3.8或0.5伏）

（ VO = 8.8或1.0伏）

（ VO = 13.8或1.5伏）

“1”电平

（ VO = 0.5或3.8伏）

（ VO = 1.0或8.8伏）

（ VO = 1.5或13.8伏）

输出驱动电压

（ IOH = 0 mA时）

（ IOH = 5.0 mA）的

（ IOH = 10 mA）的

（ IOH = 15 mA）的

（ IOH = 20 mA）的

（ IOH = 25 mA）的

（ IOH = 0 mA时）

（ IOH = 5.0 mA）的

（ IOH = 10 mA）的

（ IOH = 15 mA）的

（ IOH = 20 mA）的

（ IOH = 25 mA）的

（ IOH = 0 mA时）

（ IOH = 5.0 mA）的

（ IOH = 10 mA）的

（ IOH = 15 mA）的

（ IOH = 20 mA）的

（ IOH = 25 mA）的

输出驱动电流

（ VOL = 0.4 V）

（ VOL = 0.5 V）

（VOL = 1.5V）

输入电流

输入电容

静态电流

（每包）， VIN = 0或VDD ，

IOUT = 0

A

总电源电流**

（动态加静态，

每包）

（所有输出CL = 50 pF的，所有的

缓冲切换）

IOL

SINK

5.0

10

15

IIN

CIN

国际直拨电话

15

—

5.0

10

15

5.0

10

15

VIL

—

—

—

—

—

—

2.25

4.50

6.75

—

—

—

VOH

4.1

9.1

14.1

4.1

9.1

14.1

4.57

9.58

14.59

4.1

9.1

14.1

VDC

VDC

10

15

VDC

MADC

IT

IT = （ 1.9

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 3.8

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 5.7

μA /千赫）

F + IDD

μAdc

在最坏情况下的输入组合指定#Noise免疫力。

噪声容限为“1”和“0”电平=

1.0伏分钟@ VDD = 5.0伏

2.0伏分钟@ VDD = 10 VDC

2.5伏分钟@ VDD = 15 VDC

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

计算总电源电流在负载以外50 pF的：

IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + 3.5× 10-3 （ CL - 50 ） VDDF

其中： IT是

A

（每包）， CL为pF ， VDD为Vdc ，而f单位为kHz的输入频率。

MC14511B

362

摩托罗拉CMOS逻辑数据

开关特性*

（ CL = 50 pF的， TA = 25

_

C)

特征

符号

tTLH

VDD

VDC

5.0

10

15

TTHL

5.0

10

15

TPLH

5.0

10

15

的TPH1

5.0

10

15

5.0

I0

15

的TPH1

5.0

10

15

5.0

10

15

的TPH1

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

100

40

30

60

40

30

520

220

130

640

250

175

720

290

200

600

200

150

485

200

160

313

125

90

313

125

90

—

—

—

—

—

—

260

110

65

1280

500

350

1440

580

400

ns

750

300

220

970

400

320

ns

625

250

180

625

250

180

—

—

—

—

—

—

—

—

—

ns

—

—

—

125

75

65

250

150

130

ns

民

—

—

—

典型值

40

30

25

最大

80

60

50

ns

单位

ns

输出上升时间

tTLH = （ 0.40纳秒/ PF ） CL + 20纳秒

tTLH = （ 0.25纳秒/ PF ） CL + 17.5纳秒

tTLH = （ 0.20纳秒/ PF ） CL + 15纳秒

输出下降时间

TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 50纳秒

TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 37.5纳秒

TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 37.5纳秒

数据传输延迟时间

tPLH的= （ 0.40纳秒/ PF ） CL + 620纳秒

tPLH的= （ 0.25纳秒/ PF ） CL + 237.5纳秒

tPLH的= （ 0.20纳秒/ PF ） CL + 165纳秒

的TPH1 = （ 1.3纳秒/ PF ） CL + 655纳秒

的TPH1 = （ 0.60纳秒/ PF ） CL + 260纳秒

的TPH1 = （ 0.35纳秒/ PF ） CL + 182.5纳秒

空白的传播延迟时间

tPLH的= （ 0.30纳秒/ PF ） CL + 585纳秒

tPLH的= （ 0.25纳秒/ PF ） CL + 187.5纳秒

tPLH的= （ 0.15纳秒/ PF ） CL + 142.5纳秒

的TPH1 = （ 0.85纳秒/ PF ） CL + 442.5纳秒

的TPH1 = （ 0.45纳秒/ PF ） CL + 177.5纳秒

的TPH1 = （ 0.35纳秒/ PF ） CL + 142.5纳秒

灯测试传输延迟时间

tPLH的= （ 0.45纳秒/ PF ） CL + 290.5纳秒

tPLH的= （ 0.25纳秒/ PF ） CL + 112.5纳秒

tPLH的= （ 0.20纳秒/ PF ） CL + 80纳秒

的TPH1 = （ 1.3纳秒/ PF ） CL + 248纳秒

的TPH1 = （ 0.45纳秒/ PF ） CL + 102.5纳秒

的TPH1 = （ 0.35纳秒/ PF ） CL + 72.5纳秒

建立时间

TPLH

TPLH

TSU

保持时间

th

ns

锁存使能脉冲宽度

TWL

ns

*给出的公式是只典型特征。

该器件包含保护电路，防止损坏，由于高静电压或电场的投入;然而

以往，它是表示通常采取预防措施，以避免应用任何电压高于最大额定电压至该

高阻抗电路。如果VIN和VOUT没有约束的范围VSS可能会出现破坏性的高电流模式

≤

（ VIN或

VOUT ）

≤

VDD 。

由于该电路的采购能力，损害可以如果VDD施加发生在设备上，并在输出端被短路到

VSS ，而且在逻辑1 （见最大额定值）。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ）。

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14511B

363

输入LE低，输入D， BI和LT高。

中f相对于系统时钟。

连接到相应的CL负载所有输出。

20纳秒

A， B和C

90%

50%

1

2f

20纳秒

VDD

10%

VSS

VOH

VOL

占空比为50％

任何输出

50%

图1.动态功耗信号波形

20纳秒

输入的C

TPLH

输出g

50%

10%

tTLH

TTHL

90%

50%

10%

的TPH1

90%

20纳秒

VDD

VSS

VOH

VOL

（一）输入D和LE低，输入A ， B， BI与LT高。

20纳秒

90%

50%

th

TSU

VDD

输入的C

50%

VSS

VOH

输出g

VOL

VDD

VSS

LE

10%

（二）输入D低，输入A ， B， BI和LT高。

20纳秒

LE

90%

50%

10%

TWL

20纳秒

VDD

VSS

（c）数据DCBA选通入锁存器。

图2.动态信号波形

MC14511B

364

摩托罗拉CMOS逻辑数据

连接各种显示读数

发光二极管（ LED）的READOUT

VDD

VDD

常见

阴极数码管

常见

阳极LED

≈

1.7 V

≈

1.7 V

VSS

VSS

白炽灯READOUT

VDD

VDD

荧光READOUT

VDD

**

直接

（亮度低）

长丝

供应

VSS

VSS

VSS或适当

电压低于VSS 。

（注意：最大工作电压= 18.0 V）

气体放电READOUT

适当

电压

液晶（ LCD） READOUT

激励

（方波，

VSS至VDD ）

VDD

VDD

MC14070B 1/4

VSS

**灯丝预暖电阻建议，以减少纤维

热冲击和提高的有效耐寒性

灯丝。

VSS

LCD直接驱动直流不推荐用于生活

LCD读数。

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14511B

365

摩托罗拉

半导体技术资料

MC14042B

四核透明锁存器

该MC14042B四透明锁存器与MOS构造

在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件

单片结构。每个锁存器有一个单独的数据输入，但所有四个

锁存器共享一个公共的时钟。时钟极性（高或低），用于

通过锁存器选通的数据可以使用输入极性是相反的。

信息出现在数据输入的传输过程中，输出Q和Q

这是由极性输入所确定的时钟电平。当极性

输入是在逻辑“0”状态，数据，在较低的时钟电平传送，

而当极性输入处于逻辑“1”状态中的转移发生

高时钟级别。

缓冲数据输入

公共时钟

时钟极性控制

Q和Q输出

双二极管输入保护

电源电压范围为3.0 Vdc至1 8伏

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围

L结尾

陶瓷的

CASE 620

P后缀

塑料

CASE 648

后缀

SOIC

CASE 751B

订购信息

MC14XXXBCP

MC14XXXBCL

MC14XXXBD

塑料

陶瓷的

SOIC

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

参数

VDD

VIN，VOUT

林，糊涂人

PD

TSTG

直流电源电压

价值

单位

V

V

- 0.5 + 18.0

±

10

500

输入或输出电压（ DC或瞬态）

- 0.5 VDD + 0.5

输入或输出电流（ DC或瞬态）

每个引脚

功耗，每包

储存温度

mA

mW

- 65至+ 150

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

引脚分配

Q3

Q0

Q0

D0

时钟

极性

D1

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VDD

Q3

D3

D2

Q2

Q2

Q1

Q1

_

C

TL

焊接温度（ 8秒焊接）

260

_

C

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

逻辑图

5

时钟

极性

6

D1

7

LATCH

2

D0

4

LATCH

1

Q0

2

Q0

3

Q1

10

Q1

9

D2

13

VDD = 16 PIN

VSS = 8 PIN

LATCH

3

Q2

11

Q2

12

D3

14

LATCH

4

Q3

1

Q3

15

REV 3

1/94

真值表

时钟

0

1

1

0

极性

0

0

1

1

Q

数据

LATCH

数据

LATCH

MC14042B

1995

摩托罗拉公司

156

摩托罗拉CMOS逻辑数据

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

计算总电源电流在负载以外50 pF的：

IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK

其中： IT是

A

（每包）， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.004 。

电气特性

（电压参考VSS）

总电源电流**

（动态加静态，

每包）

（ CL = 50 pF的所有输出都

缓冲切换）

静态电流

（每包）

输入电容

（ VIN = 0 ）

输入电流

输出驱动电流

（ VOH = 2.5伏）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

输入电压

“0”电平

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

输出电压

VIN = VDD或0

摩托罗拉CMOS逻辑数据

（ VO = 0.5或4.5伏）

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

输入电压= 0或Vdd的

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

特征

“1”电平

“1”电平

“0”电平

来源

SINK

符号

VOH

VOL

IOH

国际直拨电话

VIH

IOL

CIN

VIL

IIN

IT

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

15

—

– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

4.95

9.95

14.95

0.64

1.6

4.2

民

3.5

7.0

11

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

– 55

_

C

±

0.1

0.05

0.05

0.05

最大

1.0

2.0

4.0

1.5

3.0

4.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

4.95

9.95

14.95

0.51

1.3

3.4

民

3.5

7.0

11

IT = （ 1.0

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 2.0

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 3.0

μA /千赫）

F + IDD

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

0.00001

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

典型值＃

0.002

0.004

0.006

25

_

C

0.88

2.25

8.8

2.75

5.50

8.25

2.25

4.50

6.75

5.0

5.0

10

15

0

0

0

±

0.1

0.05

0.05

0.05

最大

1.0

2.0

4.0

7.5

1.5

3.0

4.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

4.95

9.95

14.95

0.36

0.9

2.4

民

3.5

7.0

11

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

125

_

C

该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过，

必须采取预防措施，以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序，以这种高阻抗

电路。对于正确的操作， Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS

≤

（ VIN或VOUT ）

≤

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ）。未使用的输出必须

悬空。

±

1.0

0.05

0.05

0.05

最大

30

60

120

1.5

3.0

4.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

MC14042B

157

MADC

MADC

μAdc

μAdc

μAdc

单位

VDC

VDC

VDC

VDC

pF

*给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

开关特性*

（ CL = 50 pF的， TA = 25

_

C)

建立时间

保持时间

时钟脉冲的上升时间和下降时间

时钟脉冲宽度

传播延迟时间，时钟到Q，Q

tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 135纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 57纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 35纳秒

传播延迟时间， D到Q ，Q

tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 135纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 57纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 35纳秒

输出上升时间和下降时间

tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒

MC14042B

158

对于功耗的测试，每路输出

装有电容CL 。

脉冲

发电机1

特征

14

13

7

4

6

5

D3

D2

D1

D0

极性

时钟

16

8

VDD

VSS

Q0

Q0

Q1

Q1

Q2

Q2

Q3

Q3

2

3

10

9

11

12

1

15

符号

tPLH的，

的TPH1

tPLH的，

的TPH1

tTLH ，

TTHL

tTLH ，

TTHL

亿千瓦时

TSU

th

数据输入

Q输出

Q输出

VDD

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

20纳秒

TPLH

90%

10%

民

100

50

40

300

100

80

50

30

25

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

图1.交流和功耗测试电路和时序图

（数据到输出）

摩托罗拉CMOS逻辑数据

10%

90%

的TPH1

tTLH

典型值＃

150

50

40

220

90

60

220

90

60

100

50

40

50

25

20

—

—

—

0

0

0

TTHL

90%

50%

50%

1

f

10%

50%

20纳秒

最大

440

180

120

440

180

120

200

100

80

15

5.0

4.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

的TPH1

TTHL

单位

no

s

ns

ns

ns

ns

ns

tTLH

VDD

16

脉冲

发电机1

脉冲

发电机2

5

6

4

7

13

14

注： CL连接到输出下测试。

时钟

极性

D0

D1

D2

D3

8

Q0

Q0

Q1

Q1

Q2

Q2

Q3

Q3

2

3

10

9

11

12

1

15

VSS

20 * NS

90%

20纳秒

50%

时钟输入

P.G. 1

10%

20纳秒

90%

50%

数据输入

P.G. 2

Q输出

90%

50%

10%

*输入时钟的上升时间为20 ns的，除了最大上升时间的考验。

TSU

TPLH

th

亿千瓦时

图2. AC测试电路和时序图

（时钟到输出）

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14042B

159

外形尺寸

L结尾

陶瓷DIP封装

CASE 620-10

ISSUE V

–A–

16

9

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L TO领先时中心

平行地形成。

4.尺寸F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）

WHERE领先进入陶瓷

体。

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

K

L

M

N

英寸

民

最大

0.750

0.785

0.240

0.295

–––

0.200

0.015

0.020

0.050 BSC

0.055

0.065

0.100 BSC

0.008

0.015

0.125

0.170

0.300 BSC

0

_

15

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

19.05

19.93

6.10

7.49

–––

5.08

0.39

0.50

1.27 BSC

1.40

1.65

2.54 BSC

0.21

0.38

3.18

4.31

7.62 BSC

0

_

15

_

0.51

1.01

–B–

1

8

C

L

–T–

座位

飞机

N

E

F

D

G

16 PL

K

M

J

16 PL

0.25 (0.010)

M

M

T B

S

0.25 (0.010)

T A

S

P后缀

塑料DIP封装

CASE 648-08

ISSUE

–A–

16

9

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L为中央导线时的

平行地形成。

4.尺寸B不包括塑模毛边。

5.圆角可选。

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

K

L

M

S

英寸

民

最大

0.740

0.770

0.250

0.270

0.145

0.175

0.015

0.021

0.040

0.70

0.100 BSC

0.050 BSC

0.008

0.015

0.110

0.130

0.295

0.305

0

_

10

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

18.80

19.55

6.35

6.85

3.69

4.44

0.39

0.53

1.02

1.77

2.54 BSC

1.27 BSC

0.21

0.38

2.80

3.30

7.50

7.74

0

_

10

_

0.51

1.01

B

1

8

F

S

C

L

–T–

H

G

D

16 PL

座位

飞机

K

J

T A

M

M

0.25 (0.010)

M

MC14042B

160

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉

半导体技术资料

MC14002B （参见第6-5页）

MC14002UB （见页6-14 ）

MC14006B

18位静态移位寄存器

的MC14006B移位寄存器是由四个单独的移位寄存器

部分共享一个共同的时钟：两部分有四个阶段，和两个

部分具有五个阶段具有输出抽头上都与第四和第五

阶段。这使得有可能获得的4的移位寄存器，5，8 ，9，10 ，12，

13，14， 16，17，或18位通过适当选择的输入和输出。这

部分是在串行移位寄存器和时延电路特别有用。

输出转换发生在时钟脉冲的下降沿

全静态操作

可以级联，以提供更长的移位寄存器长度

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围

引脚对引脚置换CD4006B

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

参数

VDD

VIN，VOUT

林，糊涂人

PD

TSTG

直流电源电压

价值

L结尾

陶瓷的

CASE 632

P后缀

塑料

CASE 646

后缀

SOIC

CASE 751A

单位

V

V

- 0.5 + 18.0

±

10

500

输入或输出电压（ DC或瞬态）

- 0.5 VDD + 0.5

输入或输出电流（ DC或瞬态）

每个引脚

功耗，每包

储存温度

mA

mW

- 65至+ 150

订购信息

MC14XXXBCP

MC14XXXBCL

MC14XXXBD

塑料

陶瓷的

SOIC

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

_

C

真值表

（单级）

Dn

0

1

x

C

Qn+1

0

1

Qn

TL

焊接温度（ 8秒焊接）

260

_

C

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

X =无关

框图

1

DP1

VDD = 14 PIN

VSS = PIN码7

NC = 2 PIN

D

Q4

13

4

DP5

D

4

阶段

C

Q8

D

11

Q9

12

5

DP10 Q13

D

4

阶段

C

10

6

DP14

D

4

阶段

C

Q17

D

8

Q18

9

4

阶段

C

1

舞台

C

1

舞台

C

时钟3

逻辑图

（一个寄存器级）

C

#

数据

*传输门

(C)

1

OUT

2

(C)

REV 3

1/94

C

*

D+1

C

仅#Inverter用在第一阶段

每四个阶段的元件。

C

IN

输入输出

（A ）当控制输入1是双向低阻抗“低”和控制输入2为“高” 。

（B）中的开路时的控制输入端1为“高”，并控制输入2为“低” 。

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉公司1995年

MC14006B

25

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

计算总电源电流在负载以外50 pF的：

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK

其中： IT是

A

（每包）， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.001 。

电气特性

（电压参考VSS）

总电源电流**

（动态加静态，

每包）

（所有输出CL = 50 pF的，所有的

缓冲切换）

静态电流

（每包）

输入电容

（ VIN = 0 ）

输入电流

输出驱动电流

（ VOH = 2.5伏）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

输入电压

“0”电平

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

输出电压

VIN = VDD或0

MC14006B

26

输入电压= 0或Vdd的

（ VO = 0.5或4.5伏）， “1”电平

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

特征

“1”电平

“0”电平

来源

SINK

符号

VOH

VOL

IOH

国际直拨电话

VIH

IOL

CIN

VIL

IIN

IT

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

15

—

DP10

DP14

VSS

DP5

DP1

NC

引脚分配

NC =无连接

C

– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

4.95

9.95

14.95

0.64

1.6

4.2

民

3.5

7.0

11

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

7

6

5

4

3

2

1

– 55

_

C

±

0.1

0.05

0.05

0.05

最大

5.0

10

20

1.5

3.0

4.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

10

12

13

14

11

8

9

Q17

Q18

Q13

Q8

Q9

Q4

VDD

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

4.95

9.95

14.95

0.51

1.3

3.4

民

3.5

7.0

11

IT = （ 1.3

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 2.6

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 3.9

μA /千赫）

F + IDD

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

0.00001

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

典型值＃

0.005

0.010

0.015

25

_

C

0.88

2.25

8.8

2.75

5.50

8.25

2.25

4.50

6.75

5.0

5.0

10

15

0

0

0

摩托罗拉CMOS逻辑数据

±

0.1

0.05

0.05

0.05

最大

5.0

10

20

7.5

1.5

3.0

4.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

4.95

9.95

14.95

0.36

0.9

2.4

民

3.5

7.0

11

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

125

_

C

±

1.0

0.05

0.05

0.05

最大

150

300

600

1.5

3.0

4.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

MADC

MADC

μAdc

μAdc

μAdc

单位

VDC

VDC

VDC

VDC

pF

开关特性*

（ CL = 50 pF的， TA = 25

_

C)

保持时间

建立时间

时钟脉冲的上升时间和下降时间**

时钟脉冲频率

时钟脉冲宽度

传播延迟时间

tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 220纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 77纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 55纳秒

输出上升时间和下降时间

tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒

特征

符号

tTLH ，

TTHL

TPLH

的TPH1

tTLH

TTHL

亿千瓦时

TSU

整箱

th

VDD

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

民

180

90

75

200

120

80

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

0

0

0

典型值＃

– 50

– 15

– 8.0

100

60

40

300

110

80

100

50

40

5.0

8.3

12

*给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

**在时钟输入的当移位寄存器的部分进行级联，最大上升时间和下降时间应等于或小于所述上升和下降时间

**

的数据输出驱动数据输入，以及用于输出电容负载的输出驱动级的传播延迟。

摩托罗拉CMOS逻辑数据

图1.典型的输出源电流

特性测试电路

VDD = - VGS

时钟Q4

Q8

DP1

Q9

DP5 Q13

DP10 Q17

DP14 Q18

7

VSS

14

外

动力

供应

VOUT

IOH

VDD = VGS

时钟Q4

Q8

DP1

Q9

DP5 Q13

DP10 Q17

DP14 Q18

VSS

14

该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过，

必须采取预防措施，以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序，以这种高阻抗

电路。对于正确的操作， Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS

≤

（ VIN或VOUT ）

≤

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ）。未使用的输出必须

悬空。

图2.典型的输出灌电流

特性测试电路

—

75

25

20

—

—

外

动力

供应

最大

VOUT

600

220

160

200

100

80

2.5

4.2

6.0

—

—

15

5

4

—

—

—

—

—

—

—

MC14006B

27

IOL

兆赫

单位

s

ns

ns

ns

ns

ns

VDD

14

脉冲

发电机

时钟Q4

Q8

DP1

Q9

DP5 Q13

DP10 Q17

DP14 Q18

7

50

F

ID

VSS CL

CL

CL

CL

TEST

预设

8

14

9

7

1/3 MC14000

或E.T.模式

CL

CL

1

f

时钟

50%

数据

图3.功耗测试电路和波形

VDD

14

脉冲

发电机1

时钟Q4

Q8

DP1

Q9

DP5

Q13

DP10 Q17

DP14 Q18

7

VSS

CL

CL

脉冲

发电机2

CL

CL

CL

CL

20纳秒

时钟

个“1”的

台联党“ 1 ”

数据

20纳秒

TWL

亿千瓦时

VDD

90%

50%

10%

个“0”的

TSU “ 0 ”

VSS

VDD

VSS

的TPH1

VOH

TTHL

的TPH1

90%

50%

10%

VOH

TTHL

VOL

VOL

TPLH

4–STAGE

产量

Q4, Q8

Q13, Q17

5–STAGE

产量

Q9, Q18

MC14006B

28

20纳秒

20纳秒

tTLH

90%

50%

10%

tTLH

90%

50%

10%

输出状态可以改变，因为以前的数据移入可能在任一状态。

图4.开关时间测试电路和波形

摩托罗拉CMOS逻辑数据

外形尺寸

L结尾

陶瓷DIP封装

CASE 632-08

ISSUE

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L TO领先时中心

平行地形成。

4.尺寸F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）

WHERE领先进入陶瓷

体。

英寸

民

最大

0.750

0.785

0.245

0.280

0.155

0.200

0.015

0.020

0.055

0.065

0.100 BSC

0.008

0.015

0.125

0.170

0.300 BSC

0

_

15

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

19.05

19.94

6.23

7.11

3.94

5.08

0.39

0.50

1.40

1.65

2.54 BSC

0.21

0.38

3.18

4.31

7.62 BSC

0

_

15

_

0.51

1.01

–A–

14

9

–B–

1

7

C

L

–T–

座位

飞机

K

F

D

14 PL

G

0.25 (0.010)

M

N

J

T A

S

14 PL

M

0.25 (0.010)

M

T B

S

暗淡

A

B

C

D

F

G

J

K

L

M

N

P后缀

塑料DIP封装

CASE 646-06

ISSUE L

14

8

B

1

7

注意事项：

1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真

位置底座面最大

物质条件。

2.尺寸L为中央导线时的

平行地形成。

3.尺寸B不包括塑模

闪光灯。

4.圆角可选。

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

K

L

M

N

英寸

民

最大

0.715

0.770

0.240

0.260

0.145

0.185

0.015

0.021

0.040

0.070

0.100 BSC

0.052

0.095

0.008

0.015

0.115

0.135

0.300 BSC

0

_

10

_

0.015

0.039

MILLIMETERS

民

最大

18.16

19.56

6.10

6.60

3.69

4.69

0.38

0.53

1.02

1.78

2.54 BSC

1.32

2.41

0.20

0.38

2.92

3.43

7.62 BSC

0

_

10

_

0.39

1.01

A

F

C

N

H

G

D

座位

飞机

L

J

K

M

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14006B

29

摩托罗拉

半导体技术资料

MC14520B

请参阅第6-292

MC14521B

24级分频器

的MC14521B由一个链中的24个触发器的一个输入电路，其

允许三种操作模式。输入将被用作晶体

振荡器， RC振荡器，或作为外部振荡器的输入缓冲器。

每个触发器由两部分前面的触发器的频率，

因此这部分将计数到224 = 16777216 。伯爵进展

在时钟的负向边沿。的最后的输出

七阶段为客人提供更多的灵活性。

所有阶段都是复式

复位会禁止RC振荡器的低待机功耗

RC和晶体振荡器输出能够驱动外部的

负载

测试模式，以缩短测试时间

VDD

′

和Vss

′

销带出的晶体振荡反相器，以允许

外部电阻器的低功耗运行的连接

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围。

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

参数

VDD

VIN，VOUT

IIN，电流输出

PD

TSTG

直流电源电压

价值

单位

V

V

L结尾

陶瓷的

CASE 620

P后缀

塑料

CASE 648

后缀

SOIC

CASE 751B

订购信息

MC14XXXBCP

MC14XXXBCL

MC14XXXBD

塑料

陶瓷的

SOIC

- 0.5 + 18.0

±

10

500

输入或输出电压（ DC或瞬态）

- 0.5 VDD + 0.5

输入或输出电流（ DC或瞬态）

每个引脚

功耗，每包

储存温度

mA

mW

- 65至+ 150

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

引脚分配

Q24

RESET

VSS

′

输出2

VDD

′

IN 2

出1

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VDD

Q23

Q22

Q21

Q20

Q19

Q18

IN 1

_

C

TL

焊接温度（ 8秒焊接）

260

_

C

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

框图

RESET

2

产量

Q18

Q19

Q20

Q21

Q22

Q23

Q24

计数能力

218 = 262,144

219 = 524,288

220 = 1,048,576

221 = 2,097,152

222 = 4,194,304

223 = 8,388,608

224 = 16,777,216

9

IN 1

6

IN 2

阶段

1 THRU 17

VDD = 16 PIN

VSS = 8 PIN

阶段

18 THRU 24

Q18 Q19 Q20 Q21 Q22 Q23 Q24

7

出1

5

VDD

′

4

3 OUT2

VSS

′

10

11

12

13

14

15

1

REV 3

1/94

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉公司1995年

MC14521B

1

电气特性

（电压参考VSS）

特征

符号

VOL

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

VIH

5.0

10

15

IOH

来源

引脚4 & 7

5.0

5.0

10

15

5.0

5.0

10

15

IOL

5.0

10

15

15

—

5.0

10

15

5.0

10

15

– 1.2

– 0.25

– 0.62

– 1.8

– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

0.64

1.6

4.2

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

0.1

—

5.0

10

20

– 1.0

– 0.2

– 0.5

– 1.5

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

0.51

1.3

3.4

—

—

—

—

—

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 3.5

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

0.88

2.25

8.8

±

0.00001

5.0

0.005

0.010

0.015

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

0.1

7.5

5.0

10

20

– 0.7

– 0.14

– 0.35

– 1.1

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

0.36

0.9

2.4

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

1.0

—

150

300

600

MADC

3.5

7.0

11

—

—

—

3.5

7.0

11

2.75

5.50

8.25

—

—

—

3.5

7.0

11

—

—

—

MADC

民

—

—

—

– 55

_

C

25

_

C

125

_

C

最大

民

—

—

—

典型值＃

0

0

0

最大

民

—

—

—

最大

单位

VDC

输出电压

VIN = VDD或0

“0”电平

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

VDC

“1”电平

输入电压= 0或Vdd的

输入电压

“0”电平

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

“1”电平

（ VO = 0.5或4.5伏）

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

输出驱动电流

（ VOH = 2.5伏）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

VIL

—

—

—

—

—

—

2.25

4.50

6.75

—

—

—

VOH

4.95

9.95

14.95

4.95

9.95

14.95

5.0

10

15

4.95

9.95

14.95

VDC

VDC

（ VOH = 2.5伏）

来源

（ VOH = 4.6伏）

引脚1 ， 10 ，

（ VOH = 9.5伏）， 11 ， 12 ， 13 ， 14

（ VOH = 13.5伏）

15

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

输入电流

输入电容

（ VIN = 0 ）

静态电流

（每包）

总电源电流**

（动态加静态，

每包）

（所有输出CL = 50 pF的，所有的

缓冲切换）

SINK

MADC

IIN

CIN

国际直拨电话

μAdc

pF

μAdc

IT

IT = （ 0.42

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 0.85

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 1.40

μA /千赫）

F + IDD

μAdc

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

计算总电源电流在负载以外50 pF的：

IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK

其中： IT是

A

（每包）， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.003 。

该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过，

必须采取预防措施，以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序，以这种高阻抗

电路。对于正确的操作， Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS

≤

（ VIN或VOUT ）

≤

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ）。未使用的输出必须

悬空。

MC14521B

2

摩托罗拉CMOS逻辑数据

开关特性*

（ CL = 50 pF的， TA = 25

_

C)

特征

符号

VDD

VDC

5.0

10

15

的TPH1 ， tPLH的

5.0

10

15

5.0

10

15

的TPH1

5.0

10

15

太瓦时（ CL ）

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

—

—

—

385

150

120

—

—

—

—

—

—

1400

600

450

30

0

– 40

1300

500

375

140

55

40

3.5

9.0

12

—

—

—

700

300

225

– 200

– 160

– 110

2600

1000

750

—

—

—

2.0

5.0

6.5

15

5.0

4.0

—

—

—

—

—

—

ns

—

—

—

—

—

—

4.5

1.7

1.3

6.0

2.2

1.7

9.0

3.5

2.7

12

4.5

3.5

ns

民

—

—

—

典型值＃

100

50

40

最大

200

100

80

s

单位

ns

输出上升时间和下降时间（计数器输出）

tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒

tTLH ， TTHL

传播延迟时间

时钟Q18

的TPH1 ， tPLH的= （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 4415 NS

的TPH1 ， tPLH的= （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 1667 NS

的TPH1 ， tPLH的= （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 1275 NS

时钟Q24

的TPH1 ， tPLH的= （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 5915 NS

的TPH1 ， tPLH的= （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 2167 NS

的TPH1 ， tPLH的= （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 1675 NS

传播延迟时间

复位到Qn

的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 1215 NS

的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 467纳秒

的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 350纳秒

时钟脉冲宽度

时钟脉冲频率

整箱

兆赫

时钟的上升和下降时间

tTLH ， TTHL

s

复位脉冲宽度

太瓦时（R ）

ns

复位移走时间

TREM

ns

*给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

VDD

500

F

VDD

脉冲

发电机

IN 2

0.01

F

陶瓷的

VDD

Q18

Q19

Q20

Q21

Q22

Q23

Q24

VSS

CL

CL

VIN

20纳秒

90%

10%

占空比为50％

20纳秒

VDD

0V

ID

CL

CL

CL

CL

CL

50%

R

VSS

图1.功耗测试电路和波形

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14521B

3

VDD

VDD

脉冲

发电机

IN 2

VDD

′

Q18

Q19

Q20

Q21

Q22

Q23

Q24

VSS

′

CL

IN 2

CL

CL

CL

CL

CL

CL

Qn

50%

10%

TWL

90%

10%

TPLH

tTLH

的TPH1

TTHL

20纳秒

50%

20纳秒

90%

亿千瓦时

20纳秒

R

VSS

图2.开关时间测试电路和波形

特征

水晶特点

谐振频率

等效电阻， RS

VDD

Ro

VDD

R*

VDD

′

外部电阻/电容值

Ro

CT

CS

频率稳定度

频率变化的函数

VDD的（ TA = 25

_

C)

从5.0 V至10 V的VDD变化

从10 V至15 V的VDD变化

频率变化的函数

温度（ VDD = 10V ）

TA变迁 - 55

_

C至+ 25

_

C

只有MC14521

完整的振荡器*

TA变迁+25

_

C至+ 125

_

C

只有MC14521

完整的振荡器*

500千赫

电路

500

1.0

47

82

20

50千赫

电路

50

6.2

750

82

20

单位

千赫

k

k

pF

pF

18 M

CS

CT

进1出1

输出2

Q18

Q19

IN 2

Q20

Q21

Q22

Q23

R

Q24

VSS

VSS

′

R*

+ 6.0

+ 2.0

– 4.0

+ 100

+ 2.0

+ 2.0

– 2.0

+ 120

PPM

PPM

PPM

PPM

*可选低功耗工作，

10 k

≤

R

≤

70 k.

图3.晶体振荡器电路

MC14521B

4

*完整的振荡器包括晶振，电容，电阻。

– 2.0

– 160

– 2.0

– 560

PPM

PPM

图4.典型的数据为晶体振荡器电路

摩托罗拉CMOS逻辑数据

100

8.0

VDD = 15 V

频率偏移（％）

4.0

0

–4.0

–8.0

–12

–16

–55

RTC = 56 kΩ的，

C = 1000 pF的

测试电路

图7

楼振频率（千赫）

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

F作为一个函数

的C

（ RTC = 56千欧）

（ RS = 120 K）

VDD = 10 V

测试电路

图7

F作为一个函数

RTC的

（ C = 1000 pF的）

（ RS

≈

2RTC)

10 V

5.0 V

{

RS = 0 ， F = 10.15千赫@ VDD = 10 V ， TA = 25℃

RS = 120 kΩ的， F = 7.8千赫@ VDD = 10 V ， TA = 25℃

0.1

1.0 k

125

0.0001

10 k

100 k

RTC ，电阻（欧姆）

0.001

0.01

C，电容（ μF ）

1.0 m

0.1

–25

0

25

50

75

100

TA ，环境温度（ ° C），设备只

图5. RC振荡器的稳定性

图6. RC振荡器频率为

RTC和C函数

VDD

VDD

′

IN 1

Q18

Q19

Q20

Q21

IN 2

Q22

Q23

Q24

出1

R

输出2

VSS

VSS

RS

C

RTC

VDD

VDD

VDD

′

进1出1

输出2

Q18

Q19

IN 2

Q20

Q21

Q22

Q23

R

Q24

VSS

VSS

′

脉冲

发电机

图7 RC振荡电路

图8.功能测试电路

功能测试顺序

输入

RESET

1

0

IN 2

0

1

0

1

—

—

—

1

0

0

1

1

0

输出2

0

1

0

1

—

—

—

1

0

0

0

0

1

1

1

1

VDD

1

1

0

计数器转换回

24级串联模式。

出2转换回

输出。

从所有的柜台涟漪

“1”的状态转换为全“0 ”的阶段。

VSS

′

VDD

输出

VDD

′

GND

评论

Q18 Q24通

0

计数器是3个8级

在并行模式下的部分

计数器复位。在2和

出2连接

一起

第一个“0 ”到“1 ”过渡

对2，输出2点。

255为“0”到“1”的转换

被移入此2，

出2点。

一个测试功能（参见图8）已

包括对测试时间的减少需要

行使全部24个柜台阶段。该测试功能

把计数器为三个8级部分，

和255的计数在每个装

8阶段并联。所有触发器都

现在在一个逻辑“1”。计数器现在返回

到正常的24级串联配置。

一个脉冲被输入到输入2 （在2）

这将导致计数器纹波全

“1”的状态转换为全“0 ”的状态。

第255个“0”到“1”的

过渡。

GND

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14521B

5

摩托罗拉

半导体技术资料

MC14539B

双4通道数据

选择器/多路复用器

该MC14539B数据选择器/多路复用器与MOS构造

在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件

单片结构。该电路由每四个输入端的两个部分。

从每节一个输入被选中的地址输入A和B. A

在选通输入端的“高”将导致输出保持为“低” 。

该设备发现信号复用功能的主要应用。它

允许由N-线I线复用，并且还可以执行并行 - 用于─

串行转换。选通输入允许正线正线级联。

L结尾

陶瓷的

CASE 620

P后缀

塑料

CASE 648

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

VDD

参数

直流电源电压

价值

单位

V

V

- 0.5 + 18.0

VIN，VOUT

IIN，电流输出

PD

输入或输出电压（ DC或瞬态）

- 0.5 VDD + 0.5

±

10

500

输入或输出电流（ DC或瞬态）

每个引脚

功耗，每包

储存温度

mA

mW

TSTG

TL

- 65至+ 150

260

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围

后缀

SOIC

CASE 751B

订购信息

MC14XXXBCP

MC14XXXBCL

MC14XXXBD

塑料

陶瓷的

SOIC

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

框图

14

2

1

6

5

4

3

A

B

ST

X0

X1

X2

X3

_

C

_

C

焊接温度（ 8秒焊接）

Z

7

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

真值表

地址

输入

B

X

0

0

0

0

1

1

1

1

A

X

0

0

1

1

0

0

1

1

X3

Y3

X

X

X

X

X

X

X

0

1

数据输入

X2

Y2

X

X

X

X

X

0

1

X

X

X1

Y1

X

X

X

0

1

X

X

X

X

X0

Y0

X

0

1

X

X

X

X

X

X

ST ， ST '

1

0

0

0

0

0

0

0

0

输出

Z，W

0

0

1

0

1

0

1

0

1

15

10

11

12

13

A

B

ST ？

Y0

Y1

Y2

Y3

W

9

VDD = 16 PIN

VSS = 8 PIN

X =无关

REV 3

1/94

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉公司1995年

MC14539B

1

电气特性

（电压参考VSS）

特征

符号

VOL

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

VIH

5.0

10

15

IOH

来源

5.0

5.0

10

15

IOL

5.0

10

15

15

—

5.0

10

15

5.0

10

15

– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

0.64

1.6

4.2

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

0.1

—

5.0

10

20

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

0.51

1.3

3.4

—

—

—

—

—

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

0.88

2.25

8.8

±

0.00001

5.0

0.005

0.010

0.015

—

—

—

—

—

—

—

±

0.1

7.5

5.0

10

20

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

0.36

0.9

2.4

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

1.0

—

150

300

600

MADC

3.5

7.0

11

—

—

—

3.5

7.0

11

2.75

5.50

8.25

—

—

—

3.5

7.0

11

—

—

—

MADC

民

—

—

—

– 55

_

C

25

_

C

125

_

C

最大

民

—

—

—

典型值＃

0

0

0

最大

民

—

—

—

最大

单位

VDC

输出电压

VIN = VDD或0

“0”电平

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

0.05

0.05

0.05

—

—

—

1.5

3.0

4.0

VDC

“1”电平

输入电压= 0或Vdd的

输入电压

“0”电平

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

“1”电平

（ VO = 0.5或4.5伏）

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

输出驱动电流

（ VOH = 2.5伏）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

输入电流

输入电容

（ VIN = 0 ）

静态电流

（每包）

总电源电流**

（动态加静态，

每包）

（所有输出CL = 50 pF的，所有的

缓冲切换）

VIL

—

—

—

—

—

—

2.25

4.50

6.75

—

—

—

VOH

4.95

9.95

14.95

4.95

9.95

14.95

5.0

10

15

4.95

9.95

14.95

VDC

VDC

SINK

IIN

CIN

国际直拨电话

μAdc

pF

μAdc

IT

IT = （ 0.85

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 1.70

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 2.60

μA /千赫）

F + IDD

μAdc

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

计算总电源电流在负载以外50 pF的：

IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK

其中： IT是

A

（每包）， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.002 。

该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过，

必须采取预防措施，以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序，以这种高阻抗

电路。对于正确的操作， Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS

≤

（ VIN或VOUT ）

≤

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ）。未使用的输出必须

悬空。

MC14539B

2

摩托罗拉CMOS逻辑数据

开关特性*

（ CL = 50 pF的， TA = 25

_

C)

特征

输出上升时间和下降时间

tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒

符号

tTLH ，

TTHL

VDD

5.0

10

15

民

—

—

—

典型值＃

100

50

40

最大

200

100

80

单位

ns

传播延迟时间

X，Y输入到输出

tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 125纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 57纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 45纳秒

输入到输出

tPLH的= （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 140纳秒

tPLH的= （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 77纳秒

tPLH的= （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 60纳秒

的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 160纳秒

的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 82纳秒

的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 65纳秒

选通输入到输出

tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 60纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 42纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 35纳秒

tPLH的，

的TPH1

5.0

10

15

TPLH

5.0

10

15

的TPH1

5.0

10

15

5.0

10

15

—

—

—

—

—

—

—

—

—

225

110

85

245

115

90

145

75

60

450

220

170

490

230

180

290

150

120

ns

—

—

—

210

90

70

420

180

140

ns

ns

tPLH的，

的TPH1

ns

*给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

VDD

脉冲

发电机

A

B

ST

X0

X1

X2

X3

ST ？

Y0

Y1

Y2

Y3

20纳秒

Z

输入

CL

产量

（试验1）

W

20纳秒

产量

（试验2和3）

TPLH

tTLH

TTHL

的TPH1

TTHL

VSS

的TPH1

tTLH

TPLH

输入电路连接tTLH ， TTHL ，的TPH1 ， tPLH的

TEST

1

2

3

频闪

GND

P.G.

GND

A

GND

GND

P.G.

X0

P.G.

VDD

VDD

图1. AC测试电路和波形

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14539B

3

VDD

500

F

ID

0.01

F

陶瓷的

脉冲

发电机

A

B

ST

X0

X1

X2

X3

ST ？

Y0

Y1

Y2

Y3

Z

20纳秒

90%

50%

10%

占空比为50％

20纳秒

VDD

VSS

CL

VIN

W

CL

VSS

图2.功耗测试电路和波形

逻辑图

B

A

2

14

X0

6

ST

1

引脚分配

ST

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VDD

ST ？

A

Y3

Y2

Y1

Y0

W

X1

5

7

4

Z

B

X3

X2

X1

X2

X3

3

X0

Z

Y0

10

VSS

Y1

11

9

W

Y2

12

15

ST ？

Y3

13

MC14539B

4

摩托罗拉CMOS逻辑数据

外形尺寸

L结尾

陶瓷DIP封装

CASE 620-10

ISSUE V

–A–

16

9

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L TO领先时中心

平行地形成。

4.尺寸F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）

WHERE领先进入陶瓷

体。

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

K

L

M

N

英寸

民

最大

0.750

0.785

0.240

0.295

–––

0.200

0.015

0.020

0.050 BSC

0.055

0.065

0.100 BSC

0.008

0.015

0.125

0.170

0.300 BSC

0

_

15

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

19.05

19.93

6.10

7.49

–––

5.08

0.39

0.50

1.27 BSC

1.40

1.65

2.54 BSC

0.21

0.38

3.18

4.31

7.62 BSC

0

_

15

_

0.51

1.01

–B–

1

8

C

L

–T–

座位

飞机

N

E

F

D

G

16 PL

K

M

J

16 PL

0.25 (0.010)

M

M

T B

S

0.25 (0.010)

T A

S

P后缀

塑料DIP封装

CASE 648-08

ISSUE

–A–

16

9

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L为中央导线时的

平行地形成。

4.尺寸B不包括塑模毛边。

5.圆角可选。

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

K

L

M

S

英寸

民

最大

0.740

0.770

0.250

0.270

0.145

0.175

0.015

0.021

0.040

0.70

0.100 BSC

0.050 BSC

0.008

0.015

0.110

0.130

0.295

0.305

0

_

10

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

18.80

19.55

6.35

6.85

3.69

4.44

0.39

0.53

1.02

1.77

2.54 BSC

1.27 BSC

0.21

0.38

2.80

3.30

7.50

7.74

0

_

10

_

0.51

1.01

B

1

8

F

S

C

L

–T–

H

G

D

16 PL

座位

飞机

K

J

T A

M

M

0.25 (0.010)

M

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14539B

5

摩托罗拉

半导体技术资料

MC14503B

六角非反相三态

卜FF器

该MC14503B是三态输出十六进制非反相缓冲器，以及

高电流供应和吸收能力。三态输出使它在有用

常见布辛应用。提供两种禁用的控制。高

级别上禁用输入，使缓冲区1的输出通过4去

进入高阻抗状态和高电平的禁止B输入端的原因

缓冲器5和6的输出进入高阻抗状态。

三态输出

TTL兼容 - 将驱动一个TTL负载在整个温度

范围

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

两种禁用控件增加了多功能性

引脚对引脚置换MM80C97和340097

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

VDD

IIN

参数

直流电源电压

L结尾

陶瓷的

CASE 620

P后缀

塑料

CASE 648

后缀

SOIC

CASE 751B

价值

单位

V

V

- 0.5 + 18.0

±

10

±

25

500

VIN，VOUT

IOUT

PD

输入或输出电压（ DC或瞬态）

输入电流（ DC或瞬态），每个引脚

- 0.5 VDD + 0.5

mA

mA

输出电流（ DC或瞬态），每个引脚

功耗，每包

储存温度

mW

TSTG

- 65至+ 150

订购信息

MC14XXXBCP

MC14XXXBCL

MC14XXXBD

塑料

陶瓷的

SOIC

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

真值表

适当

关闭

输入

0

0

1

_

C

TL

焊接温度（ 8秒焊接）

260

_

C

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

客栈

0

1

X

OUTN

0

1

高

阻抗

电路图

作者：双/四缓冲器中的一个

VDD

X =无关

逻辑图

*客栈

OUTN

禁止B

在5

*禁用

*

输入

TO其他缓冲液

IN 2

*所有输入保护二极管（未显示）

该器件包含保护电路，以防止损坏

由于高的静态电压或电场。但是，必须注意事项

要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用

电压为这个高阻抗电路。为了正常工作， Vin和

Vout的应被约束的范围内的VSS

≤

（ VIN或VOUT ）

≤

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压

电平（例如， VSS或VDD）。未使用的输出必须悬空。

IN 3

在4

禁用

在6

VSS

IN 1

15

12

14

2

4

6

10

1

VDD = 16 PIN

VSS = 8 PIN

11

13

3

5

7

9

5

出6

出1

输出2

OUT 3

出4

REV 3

1/94

MC14503B

1995

摩托罗拉公司

326

摩托罗拉CMOS逻辑数据

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

计算总电源电流在负载以外50 pF的：

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK

其中： IT是

A

（每包）， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.006 。

电气特性

（电压参考VSS）

三态输出漏

当前

总电源电流**

（动态加静态，

每包）

（ CL = 50 pF的所有输出）

（所有输出开关，

占空比为50％）

静态电流

（每包）

输入电容

（ VIN = 0 ）

输入电流

输出驱动电流

（ VOH = 2.5伏）

（ VOH = 2.5伏）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

输入电压

“0”电平

（ VO = 3.6或1.4伏）

（ VO = 7.2或2.8伏）

（ VO = 11.5或3.5伏）

输出电压

VIN = 0

摩托罗拉CMOS逻辑数据

（ VO = 1.4或3.6伏）

（ VO = 2.8或7.2伏）

（ VO = 3.5或11.5伏）

VIN = VDD

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

特征

“1”电平

“1”电平

“0”电平

来源

SINK

符号

VOH

VOL

IOH

VIH

IOL

CIN

VIL

ITL

IQ

IIN

IT

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

4.5

5.0

10

15

4.5

5.0

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

15

15

—

4.95

9.95

14.95

– 4.3

– 5.8

– 1.2

– 3.1

– 8.2

2.2

2.6

6.5

19.2

民

3.5

7.0

11

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

– 55

_

C

±

0.1

±

0.1

0.05

0.05

0.05

最大

1.0

2.0

4.0

1.5

3.0

4.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

– 3.6

– 4.8

– 1.02

– 2.6

– 6.8

4.95

9.95

14.95

1.8

2.1

5.5

16.1

民

3.5

7.0

11

IT = （ 2.5

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 6.0

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 10

μA /千赫）

F + IDD

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

±

0.00001

±

0.0001

– 5.0

– 6.1

– 1.4

– 3.7

– 14.1

典型值＃

0.002

0.004

0.006

25

_

C

2.75

5.50

8.25

2.25

4.50

6.75

5.0

2.1

2.3

6.2

25

5.0

10

15

0

0

0

±

0.1

±

0.1

0.05

0.05

0.05

最大

1.0

2.0

4.0

7.5

1.5

3.0

4.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

4.95

9.95

14.95

– 2.5

– 3.0

– 0.7

– 1.8

– 4.8

1.2

1.3

3.8

11.2

民

3.5

7.0

11

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

125

_

C

±

3.0

±

1.0

0.05

0.05

0.05

最大

30

60

120

1.5

3.0

4.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

MC14503B

327

MADC

MADC

μAdc

μAdc

μAdc

μAdc

单位

VDC

VDC

VDC

VDC

pF

*给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

开关特性*

（ CL = 50 pF的， TA = 25

_

C)

3 - State传播延迟时间

输出“ 1 ”为高阻

导通延迟时间，所有输出

的TPH1 = （ 0.3纳秒/ PF ） CL + 60纳秒

的TPH1 = （ 0.15纳秒/ PF ） CL + 27纳秒

的TPH1 = （ 0.1纳秒/ PF ） CL + 20纳秒

关断延迟时间，所有输出

tPLH的= （ 0.3纳秒/ PF ） CL + 60纳秒

tPLH的= （ 0.15纳秒/ PF ） CL + 27纳秒

tPLH的= （ 0.1纳秒/ PF ） CL + 20纳秒

输出下降时间

TTHL = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 20纳秒

TTHL = （ 0.3纳秒/ PF ） CL + 8.0纳秒

TTHL = （ 0.2纳秒/ PF ） CL + 8.0纳秒

输出上升时间

tTLH = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 20纳秒

tTLH = （ 0.3纳秒/ PF ） CL + 8.0纳秒

tTLH = （ 0.2纳秒/ PF ） CL + 8.0纳秒

MC14503B

328

高阻抗为“0”电平

高阻抗为“1”电平

输出“ 0 ”为高阻

特征

出1

OUT 3

输出2

DIS一

VSS

IN 3

IN 2

IN 1

引脚分配

8

7

6

5

4

3

2

1

符号

tpZH

tPHZ

的TPH1

TPLH

TTHL

tTLH

12

13

14

15

16

10

tPZL

tPLZ

11

9

出4

在4

5

在5

出6

在6

VDD

DIS B

VDD

VCC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

摩托罗拉CMOS逻辑数据

典型值＃

100

35

25

65

25

20

80

40

35

75

40

35

75

35

25

75

35

25

45

23

18

45

23

18

所有类型

最大

200

70

50

130

50

40

160

80

70

150

80

70

150

70

50

150

70

50

90

45

35

90

45

35

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

关闭

输入

VDD

16

输入

脉冲

发电机

VSS

CL

产量

20纳秒

90%

输入

TPLH

90%

产量

tTLH

TPLH

50%

50%

20纳秒

VDD

10%

VSS

的TPH1

VOH

VOL

TTHL

10%

的TPH1

图1.开关时间测试电路和波形

（ tTLH ， TTHL ，的TPH1和tPLH的）

禁止输入

脉冲

发电机

tPHZ ， tPZH电路

输入

8

1k

VSS

CL

VDD

16

产量

脉冲

发电机

禁止输入

tPLZ ， tPZL电路

VDD

16

输入

8

VSS

CL

1k

产量

20纳秒

50%

禁止输入

tPLZ

10%

tPHZ

OUTPUT FOR tPHZ ， tPLZ电路

90%

10%

90%

20纳秒

VDD

10%

VSS

tPZL

VOH

90%

≈

VOL + 0.05 V

tpZH

≈

VOH - 0.15 V

VOL

OUTPUT FOR tPZH ， tPZL电路

图2.三态AC测试电路和波形

（ tPLZ ， tPHZ ， tPZH ， tPZL ）

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14503B

329

外形尺寸

L结尾

陶瓷DIP封装

CASE 620-10

ISSUE V

–A–

16

9

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L TO领先时中心

平行地形成。

4.尺寸F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）

WHERE领先进入陶瓷

体。

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

K

L

M

N

英寸

民

最大

0.750

0.785

0.240

0.295

–––

0.200

0.015

0.020

0.050 BSC

0.055

0.065

0.100 BSC

0.008

0.015

0.125

0.170

0.300 BSC

0

_

15

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

19.05

19.93

6.10

7.49

–––

5.08

0.39

0.50

1.27 BSC

1.40

1.65

2.54 BSC

0.21

0.38

3.18

4.31

7.62 BSC

0

_

15

_

0.51

1.01

–B–

1

8

C

L

–T–

座位

飞机

N

E

F

D

G

16 PL

K

M

J

16 PL

0.25 (0.010)

M

M

T B

S

0.25 (0.010)

T A

S

P后缀

塑料DIP封装

CASE 648-08

ISSUE

–A–

16

9

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L为中央导线时的

平行地形成。

4.尺寸B不包括塑模毛边。

5.圆角可选。

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

K

L

M

S

英寸

民

最大

0.740

0.770

0.250

0.270

0.145

0.175

0.015

0.021

0.040

0.70

0.100 BSC

0.050 BSC

0.008

0.015

0.110

0.130

0.295

0.305

0

_

10

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

18.80

19.55

6.35

6.85

3.69

4.44

0.39

0.53

1.02

1.77

2.54 BSC

1.27 BSC

0.21

0.38

2.80

3.30

7.50

7.74

0

_

10

_

0.51

1.01

B

1

8

F

S

C

L

–T–

H

G

D

16 PL

座位

飞机

K

J

T A

M

M

0.25 (0.010)

M

MC14503B

330

摩托罗拉CMOS逻辑数据

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