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摩托罗拉
半导体技术资料
MC14097B
请参阅第150页
8位可寻址锁存器
该MC14099B和MC14599B是8位可寻址锁存器。数据
以串行方式输入时,相应的锁存器地址(通过地址
管脚A0,A1, A2)与写入禁止处于低状态。芯片使能必须
高用于写入MC14599B 。对于MC14599B数据引脚为
双向数据端口和为MC14099B的输入是一个单向
只写端口。读/写控制线这个端口在MC14599B 。
该数据是在八个锁存器的输出端呈现平行
独立写禁止的状态,写/读或芯片使能。
主复位功能可在两个部分。
串行数据输入
并行输出
主复位
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
MC14099B引脚对引脚兼容CD4099B
最大额定值*
(电压参考VSS)
符号
参数
VDD
VIN,VOUT
IIN,电流输出
PD
TSTG
直流电源电压
MC14099B
MC14599B
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
DW后缀
SOIC
CASE 751G
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
±
10
500
输入或输出电压( DC或瞬态)
- 0.5 VDD + 0.5
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
功耗,每包
储存温度
mA
mW
- 65至+ 150
订购信息
MC14099BCP
MC14099BCL
MC14099BDW
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
_
C
TL
焊接温度( 8秒焊接)
260
_
C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐: - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
L结尾
陶瓷的
CASE 726
MC14099B
写禁止
数据
A0
A1
A2
RESET
5
6
解码器
7
VDD = 16
VSS = 8
4
3
8
9
10
11
12
8
13
锁存器14
15
1
芯片使能
读/写
写禁止
Q0
数据
Q1
Q2
A0
Q3
A1
Q4
A2
Q5
Q6
RESET
Q7
MC14599B
8
10
4
3
5
6
7
8
解码器
2
VDD = 18
VSS = 9
11
12
13
8
14
锁存器
15
16
17
1
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
P后缀
塑料
CASE 707
订购信息
MC14599BCP
MC14599BCL
塑料
陶瓷的
2
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
引脚分配
Q7
RESET
数据
关闭
A0
A1
A2
CE
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
VDD
Q6
Q5
Q4
Q3
Q2
Q1
Q0
写/
引脚分配
Q7
RESET
数据
关闭
A0
A1
A2
VSS
REV 0
1/94
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
Q6
Q5
Q4
Q3
Q2
Q1
Q0
该器件包含保护电路,
警惕损害,由于高静
电压或电场。然而,预
注意事项必须注意避免应用
超过最大额定电压较高的任何电压
年龄这个高阻抗电路。为了正确
操作中, Vin和Vout的应受限制
到的范围内的VSS
( VIN或VOUT )
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个
适当的逻辑电平(例如,是VSS
或VDD ) 。未使用的输出必须悬空。
v
v
MC14099B
1995
摩托罗拉公司
MC14599B
246
摩托罗拉CMOS逻辑数据
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的:
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
IT ( CL ) = IT ( 50 pF的) + ( CL - 50 ) VFK
其中: IT是
A
(每包) , CL在PF, V = ( VDD - VSS )的电压,女在kHz的输入频率, K = 0.004 。
电气特性
(电压参考VSS)
总电源电流**
(动态加静态,
每包)
(所有输出CL = 50 pF的,所有的
缓冲切换)
静态电流
(每包)
输入电容
MC14599B - 数据(引脚3 )
( VIN = 0 )
输入电容
( VIN = 0 )
输入电流
输出驱动电流
( VOH = 2.5伏)
( VOH = 4.6伏)
( VOH = 9.5伏)
( VOH = 13.5伏)
输入电压
“0”电平
( VO = 4.5或0.5伏)
( VO = 9.0或1.0伏)
( VO = 13.5或1.5伏)
输出电压
VIN = VDD或0
摩托罗拉CMOS逻辑数据
( VO = 0.5或4.5伏)
( VO = 1.0或9.0伏)
( VO = 1.5或13.5伏)
输入电压= 0或Vdd的
( VOL = 0.4 V直流)
( VOL = 0.5 V直流)
( VOL = 1.5 V直流)
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
VIH
IOL
CIN
CIN
VIL
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
3.5
7.0
11
– 55
_
C
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
1.5
3.0
4.0
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
3.5
7.0
11
IT = ( 1.5
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 3.0
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 4.5
μA /千赫)
F + IDD
±
0.00001
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
典型值#
0.005
0.010
0.015
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
15
0
0
0
±
0.1
22.5
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
MC14099B MC14599B
247
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
3.5
7.0
11
125
_
C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
150
300
600
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
pF
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性*
( CL = 50 pF的, TA = 25
_
C)
拆除时间
写禁止到地址
成立时间
地址写入禁用
保持时间
写禁止到数据
成立时间
数据写禁止
写禁止
脉冲宽度
RESET
传播延迟时间, MC14599B只
芯片使能,写入/读取到数据
传播延迟时间
数据输出Q
输出上升时间和下降时间
tTLH , TTHL = ( 1.35纳秒/ PF ) CL + 32纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.6纳秒/ PF ) CL + 20纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.4纳秒/ PF ) CL + 20纳秒
MC14099B MC14599B
248
地址到数据
CE到输出Q(仅MC14599B )
重置输出Q
写禁止以输出Q
特征
符号
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
tTLH ,
TTHL
总重量(H )
总重量(L)的
TREM
TSU
TSU
th
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
100
80
40
150
75
50
100
50
35
320
160
120
150
75
50
0
0
0
摩托罗拉CMOS逻辑数据
典型值#
– 80
– 40
– 40
160
80
60
200
90
75
200
80
65
225
100
75
175
80
65
200
80
60
200
75
50
100
50
40
45
30
10
75
40
25
50
25
20
75
40
25
最大
400
180
150
400
160
130
450
200
150
350
160
130
400
160
120
400
150
100
200
100
80
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC14099B
功能图
RESET 2
9 Q0
数据3
4
关闭
TO
其他
锁存器
每个锁存器
SELECT
10 Q1
11 Q2
12 Q3
A0 5
A1 6
地址
解码器
其它锁存器
13 Q4
14 Q5
A2 7
( M.S.B. )
15 Q6
1 Q7
真值表
关闭
0
0
1
1
RESET
0
1
0
1
讨论
LATCH
数据
数据
QN *
RESET
未解决
锁存器
QN *
reset
QN *
RESET
注意事项:
为了避免在锁存器中无意的数据的变化,写
禁用必须在对过渡活跃(高)
地址输入端A0,A1和A2 。
* QN被锁存以前的状态。
复位到零状态。
开关波形
VDD
数据或
写禁止
50%
VSS
VDD
TPLH
90%
50%
10%
tTLH
TTHL
关闭
的TPH1
地址
50%
VSS
TSU
总重量(L)的
TREM
VDD
50%
VSS
TSU
VDD
RESET
50%
VSS
的TPH1
数据
50%
VSS
th
VDD
输出Q
总重量(H )
输出Q
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14099B MC14599B
249
MC14599B
功能图
RESET 2
11 Q0
数据3
VDD
VSS
TO
其他
锁存器
SELECT
每个锁存器
芯片
8
启用
写/读10
4
关闭
12 Q1
A0 5
13 Q2
14 Q3
A1 6
地址
解码器
其它锁存器
15 Q4
16 Q5
A2 7
( M.S.B. )
17 Q6
1 Q7
真值表
芯片
启用
0
1
1
1
X
读/写
X
1
1
0
X
关闭
X
0
1
X
X
RESET
0
0
0
0
1
讨论
LATCH
*
数据
*
*
0
其他
锁存器
*
*
*
*
0
数据
Z
输入
Z
Qn
Z/0
X =不在乎。
* =锁存器的状态没有变化。
Z =高阻抗。
QN =国家解决锁存器。
注意事项:
为了避免意外锁存数据的变化,写禁用必须在转换过程中主动(高)
地址输入A0 , A1和A2 。
MC14099B MC14599B
250
摩托罗拉CMOS逻辑数据
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    联系人:杨小姐
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    MC14599B
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MOTOROLA
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